【課題】ＧａＮ結晶基板上にモフォロジーが良好で均一な物性を有するＩＩＩ族窒化物半導体層が成長された高特性のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、ＧａＮ結晶基板１００と、ＧａＮ結晶基板１００の主面１００ｍ上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２００と、を含み、ＧａＮ結晶基板１００は、マトリックス結晶領域１００ｓとｃ軸反転結晶領域１００ｔとを含み、主面１００ｍと｛０００１｝面１００ｃとの間のオフ角θについて、＜１０−１０＞方向および＜１−２１０＞方向のうちいずれか一方の方向を第１方向とし他方の方向を第２方向とするとき、第１方向のオフ角成分の絶対値｜θ₁｜が０．０３°以上１．１°以下、かつ、第２方向のオフ角成分の絶対値｜θ₂｜が０．７５×｜θ₁｜以下である。 （もっと読む）

【課題】ストライプコア基板であるＧａＮ基板上に形成したエピタキシャル層中には、基板のストライプコアに対応してエピタキシャル層中に高欠陥密度部が形成される。この高欠陥密度部の表面を有効利用した窒化物系ＬＥＤを提供する。
【解決手段】ストライプコア基板であるＧａＮ基板の上にｎ型層、発光層およびｐ型層を含む複数のエピタキシャル層が積層されている。該ｐ型層は、高欠陥密度部と、該高欠陥密度部よりも欠陥密度の低い低欠陥密度部とを有しており、透光性オーミック電極層が、該ｐ型層の該高欠陥密度部上から該低欠陥密度部上にわたって形成されており、ボンディングパッドが、該透光性オーミック電極層上の一部に形成されており、該透光性オーミック電極層と該ｐ型層の該高欠陥密度部との間には電流ブロック層が設けられており、該ボンディングパッドは該電流ブロック層の上方に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ｐ型コンタクト層のドーパント濃度の低下と結晶性低下に起因する、順方向電圧の増大、発光出力の低下が生じにくいＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層と多重量子井戸構造からなる発光層とｐ型クラッド層とを順次積層した後、キャリアガスとＧａ源及び窒素源を含む原料ガスとを連続的に供給するとともに、Ｍｇ源を含むドーパントガスを間欠的に供給するＭＯＣＶＤ法により、前記ｐ型クラッド層上にｐ型コンタクト層を形成する工程を有し、前記ドーパントガスを供給する際に前記キャリアガスの流量を減少させることにより、前記ｐ型コンタクト層の形成中における前記キャリアガスと原料ガスとドーパントガスとの総流量を一定に保つことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成したクラックが少ない高品位の窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、積層下地層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。積層下地層は、シリコン基板の上に形成されたＡｌＮバッファ層の上に形成され、交互に積層された複数のＡｌＮ下地層と複数のＧａＮ下地層とを含む。機能層は、積層下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み低Ｓｉ濃度の機能部低濃度層と、機能部低濃度層の上に設けられ、高Ｓｉ濃度の機能部高濃度層と、を含む。複数のＧａＮ下地層のうちでシリコン基板に最も近い基板側ＧａＮ下地層は、低Ｓｉ濃度の第１、第２低濃度下地部と、高Ｓｉ濃度で、第１、第２低濃度下地部の厚さの合計よりも薄い局所高濃度下地部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１半導体層１０と、発光層３０と、第２半導体層２０と、低屈折率層６０と、を備えた半導体発光素子１１０において、前記第１半導体層は、光取り出し面を形成し窒化物半導体結晶を含む。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆い、Ａｌを含む窒化物からなる結晶を含む。前記第１半導体層のＡｌの含有量は、前記低屈折率層のＡｌの含有量よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子、窒化物半導体層成長用基板及び窒化物半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１導電形の層を含む第１半導体層と、第２導電形の層を含む第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、発光層とは反対の側の第１主面に設けられた複数の構造体を有する。複数の構造体のそれぞれは凹部、または、凸部である。複数の構造体のうちのいずれかである第１の構造体の形状の重心と、複数の構造体のうちで第１の構造体に最も近い第２の構造体の形状の重心と、は、第２軸上に並ぶ。凹部の深さをｈｂとし、凹部の底部の第２軸に沿った幅をｒｂとし、凸部の第２軸に沿った幅をＲｂとしたとき、ｒｂ／（２・ｈｂ）≦０．７、及び、ｒｂ／Ｒｂ＜１を満たす。 （もっと読む）

【課題】温度むらを生じることなく材料ガスの冷却を行うことができる冷却機構を備えた材料ガス供給用ノズル、該ノズルを備えた気相成長装置および該気相成長装置を用いた半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
材料ガス流通層は、材料ガスの吹き出し口と、吹き出し口に連通するガス流通通路とを有する。冷却媒体循環層は、ガス流通通路を覆う冷却媒体の循環通路を有する。材料ガス流通層は、吹き出し口側の端部において材料ガス流の上流側に凹んだ第１の凹部を有し、吹き出し口は、第１の凹部の端面に沿って設けられている。冷却媒体循環層は、第１の凹部と外縁が重なる第２の凹部と、第２の凹部を挟む両側の第２の凹部の周辺部にガス流通通路よりも外側に張り出した拡張部と、を有する。冷却媒体の循環通路は、第２の凹部の材料ガス流の上流側端部よりも下流側であって拡張部内に冷却媒体の循環の折り返し点を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体層の劣化及び破壊を抑制した半導体発光素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を含む半導体発光素子が提供される。下地層は、シリコン基板の上に形成される。第１半導体層は、下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、複数の障壁層どうしの間に設けられＧａＩｎＮを含む井戸層と、を含む。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み第２導電形である。下地層は、２ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有し、Ａｌを含む窒化物半導体を含むＡｌ含有中間層を含む。Ａｌ含有中間層は、第１半導体層の側の面に設けられた凹凸部を有し、凹凸部の表面粗さＲａは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体層の劣化及び破壊を抑制した半導体発光素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、Ｉｎ含有中間層と、を備えた半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、シリコン基板の上に下地層を介して形成され、窒化物半導体を含み第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、複数の障壁層どうしの間に設けられＧａ_１−ｚ１Ｉｎ_ｚ１Ｎを含む井戸層と、を含む。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み第２導電形である。Ｉｎ含有中間層は、第１半導体層と発光部との間、及び、第２半導体層と発光部との間の少なくともいずれかに設けられ、上記ｚ１とは異なる組成比でＩｎを含む窒化物半導体を含み、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、バッファ層と、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。バッファ層は、サファイアまたはシリコンの基板上で形成された、Ｇａ_ｘ１Ａｌ_１−ｘ１Ｎ（０．１≦ｘ１＜０．５）を含む。下地層は、バッファ層の上に形成され、転位密度が５×１０^８ｃｍ^−２以下であり、窒化物半導体を含む。第１半導体層は、下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられ、交互に積層された複数の障壁層及び複数の井戸層を含む。井戸層のＩｎ組成比は障壁層よりも高い。複数の井戸層のそれぞれの厚さは、複数の障壁層のそれぞれの厚さよりも厚い。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み第２導電形である。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記下地層は、転位密度が５×１０^８ｃｍ^−２以下であり、窒化物半導体を含む。前記第１半導体層は、前記下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形である。前記発光部は、前記第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、前記複数の障壁層どうしの間に設けられ、前記複数の障壁層のバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有し、前記複数の障壁層の厚さよりも厚い井戸層と、を含む。前記第２半導体層は、前記発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み前記第１導電形とは異なる第２導電形である。 （もっと読む）

【課題】低転位密度と良好な表面平坦性とを両立した、高効率な半導体発光素子、窒化物半導体層、及び、窒化物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。発光層は下地層と第１半導体層との間に設けられる。第２半導体層は下地層と発光層との間に設けられる。下地層は、第２半導体層の側の第１主面と、第１主面とは反対側の第２主面と、を有する。下地層は、第２主面に設けられ、凹部と側部と凸部とを有する凹凸を有する。凸部に繋がる転位の少なくともいずれかは、側部に繋がる。凸部に繋がる転位のうちで第１主面に到達する転位の割合は、凹部に繋がる転位のうちで第１主面に到達する転位の割合よりも低い。第１主面のうちで凹部と重なる領域に繋がる転位は、凹部に繋がる転位よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】樹脂リフレクタを形成した後においてもリードフレームの反り返りによる変形を防止することのできるリフレクタ付きＬＥＤ用リードフレーム、及び当該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】リフレクタ付きＬＥＤ用リードフレーム１は、マトリックス状に配列されてなる、ＬＥＤ素子８を搭載するための複数の搭載領域ＭＡ、及び複数の搭載領域ＭＡのそれぞれの周囲を取り囲むように樹脂リフレクタ３が設けられる樹脂リフレクタ形成領域ＲＡを有する基材２と、樹脂リフレクタ形成領域ＲＡ中のダイシングラインＤＬ上に位置する線状の樹脂リフレクタ非形成部４と、樹脂リフレクタ形成領域ＲＡ中の樹脂リフレクタ非形成部４を除く領域に設けられてなる樹脂リフレクタ３とを備える。 （もっと読む）

【課題】工程数が少なく生産性を向上する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、パッド電極層形成工程Ｓ１１で、窒化物半導体発光素子構造上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極となるパッド電極層を形成し、レジストパターン形成工程Ｓ１２で、パッド電極層上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する領域を被覆するレジストパターンを形成する。次に、パッド電極層エッチング工程Ｓ１３で、このレジストパターンをマスクとして、パッド電極層をエッチングしてｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する。続いて、このレジストパターンを除去せずに、保護層形成工程Ｓ１４で、窒化物半導体発光素子構造の表面およびレジストパターン上に絶縁性の保護層を形成した後に、レジストパターン除去工程Ｓ１５で、レジストパターンを除去する。 （もっと読む）

【課題】歪みを減少し、品質を向上させることができる成長基板及び発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成され、前記シリコン基板の一部を露出する第１バッファ層と、前記第１バッファ層及び前記露出されたシリコン基板を覆い、前記シリコン基板と共晶反応する物質からなる第２バッファ層と、前記第２バッファ層上に形成される第３バッファ層と、前記第３バッファ層上に形成される発光構造物とを備え、前記第２バッファ層はボイドを含む。 （もっと読む）

【課題】 適度な硬さと優れた反射率を有する半導体発光装置用パッケージの提供。
【解決手段】
（Ａ）主鎖を構成するケイ素原子に結合した芳香族基を有するポリオルガノシロキサン、（Ｂ）チタニアとアルミナとを含む混合物であり、該混合物中の両者の比率がチタニア／アルミナ＝２／９８〜５０／５０（重量比）である白色顔料、および（Ｃ）硬化触媒を含有する半導体発光装置パッケージ用樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ光源モジュールと金属回路基板との間の熱膨張係数を有する応力緩和板を搭載することによって、熱膨張係数差によって発生する応力を緩和し、信頼性の優れたＬＥＤ光源パッケージを提供する。
【解決手段】絶縁性のセラミックス基板表面にＬＥＤチップが２個以上結線されたＬＥＤ光源モジュールと金属回路基板との間に、ヤング率が７０ＧＰａ以下、２５℃〜１５０℃の熱膨張係数が５×１０^−６〜１２×１０^−６/Ｋ、熱伝導率が１５０Ｗ/ｍＫ以上である平板状のアルミニウム−黒鉛質複合体からなる応力緩和板が実装されてなるＬＥＤ光源パッケージ。
（もっと読む）

【課題】割断時にレーザ照射による変質層及びダイシング溝の利用により、割断ラインが蛇行せず、意図する部位で精度よく割断でき、また、得られた発光素子のダイシング溝に起因する凹部を利用して、簡便かつ確実に発光素子の光出力を向上させることができる発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１主面と第２主面とを有するサファイア基板の前記第１主面に積層された半導体層を備える発光素子、前記サファイア基板の前記第２主面が接合されて前記発光素子が載置されるパッケージ及び蛍光体が含有され、かつ前記発光素子を封止する封止部材を含む発光装置であって、前記サファイア基板は、前記第２主面の外縁が前記第１主面の外縁よりも内側に位置し、かつ前記サファイア基板の１つの曲面と前記パッケージとからなる凹部を有しており、該凹部内に前記蛍光体が配置されている発光装置。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの濃度を制御して半導体層を形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空槽５１内の第二主ターゲット４２を、希ガスと反応性ガスとを含有するスパッタリングガスでスパッタリングし、成膜対象物２８表面に到達させて半導体層２６を形成する際に、真空槽５１内に配置されたドーパントを蒸着材料６４として加熱し、蒸着材料６４の蒸気を発生させ、成膜対象物２８表面に到達させ、ドーパントを含有する半導体層２６を形成する。蒸着材料６４の蒸気は、成膜対象物２８と蒸着材料６４の間に配置した放出量制限部材６３の貫通孔６６を通過させることで減少させるので、半導体層２６に微少量含有させることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】本発明は窒化物半導体発光素子に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態による窒化物半導体発光素子は、ｎ型及びｐ型窒化物半導体層と、上記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層の間に形成された活性層と、上記ｎ型窒化物半導体層と上記活性層との間に形成された電子注入層と、を含み、上記電子注入層は、バンドギャップエネルギーが互いに異なる３つ以上の層が積層された多層構造からなり、上記多層構造は、２回以上繰り返され、上記多層構造を構成する層のうち少なくとも１つの層は、上記活性層に近いものほど、バンドギャップエネルギーが小さく、上記多層構造を構成する層のうち最も小さいバンドギャップエネルギーを有する層は、活性層に近いものほど、厚さが厚い構成を含む。 （もっと読む）