【課題】クラックの発生が抑制された高品質のバッファ層を異種基板上に形成することが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体とは異なる材料から構成される異種基板１０と、異種基板１０の主面１０ａ上に形成され、窒化物半導体から構成されるスパッタ膜２０と、スパッタ膜２０上に形成され、窒化物半導体から構成される発光素子部とを備えている。異種基板１０は、主面１０ａ部分に形成される凹部１５を含み、凹部１５は、傾斜面１６を有するとともに、断面的に見て、略Ｖ字状に形成されている。また、傾斜面１６は、凹部１５の底側の傾斜角度が主面１０ａ側の傾斜角度以下とされている。 （もっと読む）

【課題】 電極の断線等を抑制するとともに、発光部の上面からの電極の引き出し方向の制約を低減することができる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性基板と、半導体素子部と、導電性基板の一方主面の少なくとも一部を覆う第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に配置されたパッド電極と、パッド電極の上面に接合したボンディングボールを備えるボンディングワイヤとを有する半導体装置であって、パッド電極の周辺領域で第１絶縁膜を被覆する第２絶縁膜をさらに備え、第２絶縁膜は、第１絶縁膜の周辺領域からパッド電極の側面のうち第１絶縁膜側の一部領域にかけて連続して被覆している被覆部分と、被覆部分に連なってパッド電極の側面から内部に入り込んで延在している延在部分とを備え、延在部分の少なくとも一部が、ボンディングボールの下方に位置していることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】比較的低Ｔｇの接着剤を用いることによって、仮接着工程をロールラミネートで行うことを可能としつつ、本接着工程を１段階とすることで大幅な工数低減を図ることが可能であり、しかも本接着工程を行った後の反りを低減することが可能なＬＥＤ搭載用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】開口を有する配線基板と金属部材とが、接着層を介して配置され、ＬＥＤ搭載部が、前記配線基板の開口の底部に露出した前記金属部材の表面に設けられるＬＥＤ搭載用基板において、本接着後における前記接着層のＴｇが、４０〜１１０℃であるＬＥＤ搭載用基板。また、上記において、本接着後における接着層の弾性率が、１００〜１５００ＭＰａであるＬＥＤ搭載用基板。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の点灯及び消灯を繰り返しても半導体発光素子が基板から剥離することを抑制することができる発光装置及び照明装置を提供する。
【解決手段】本実施形態の発光モジュール６のダイボンド材３９は、発光ダイオード３７を実装後のマルテンス硬さが８００Ｎ／ｍｍ２〜１０００Ｎ／ｍｍ２、半導体発光素子を実装後のクリープ率は２〜４％および半導体発光素子を実装後の弾性率は１５％〜２０％の各範囲内となるように設けた。 （もっと読む）

【課題】 光半導体層の結晶性を向上させつつ、発光効率の低下を招きにくくすることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層３と、ｎ型窒化ガリウム系半導体層３上に設けられた、窒化ガリウム系半導体を含む発光層４と、発光層４上に設けられた、発光層４と接するブロック層５を持つｐ型窒化ガリウム系半導体層６とを有し、ブロック層５は、マグネシウムを含有した電子ブロック層５ａと、電子ブロック層５ａよりもマグネシウムの含有量が小さい、厚みが３ｎｍ以下の正孔トンネル層５ｂとが積層されている。このような正孔トンネル層５ｂをブロック層５が有していることから、光半導体層７の結晶性を向上させつつ、発光効率の低下を招きにくくすることができる。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であり容易に作製できる多波長の光半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、主面１０ａが第１の面方位を有するＧａＮ基板１０と、主面１０ａの第１の領域上に成長しており、活性層２４を含むレーザ構造部２０と、主面１０ａの第１の領域とは異なる第２の領域に対し接合層４１を介して接合されており、表面４０ａが第１の面方位とは異なる第２の面方位を有するＧａＮ薄膜４０と、ＧａＮ薄膜４０の表面４０ａ上に成長しており、活性層３４を含むレーザ構造部３０とを備える。活性層２４，３４は、Ｉｎを含む井戸層をそれぞれ有し、これらの井戸層の発光波長は互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、表面に凹凸を加工した基板上に、低転位で均一な窒化物半導体層を形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、主面上に凹凸構造が設けられた基板と、前記主面の全面に設けられ、ｐ型不純物およびｎ型不純物の少なくともいずれかがドープされた、多結晶および非晶質の少なくともいずれかである窒化物層と、前記窒化物層の上に設けられた窒化物半導体層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造過程でエピタキシャル層の表面部に形成されるエッチピットに起因するリーク電流を抑えること。
【解決手段】ダイオードの製造方法は、エピタキシャル層の表面にキャップ層を形成するキャップ層形成工程（Ｓ３）と、キャップ層が形成されている状態でドーパントを活性化させるアニール工程（Ｓ４）と、キャップ層を除去するキャップ層除去工程（Ｓ５）と、エッチング技術を利用してエピタキシャル層の表面を洗浄する洗浄工程（Ｓ６）と、エピタキシャル層の表面に第２エピタキシャル層を結晶成長させる工程と（Ｓ７）と、エピタキシャル層の表面に形成されている第２エピタキシャル層を研磨する研磨工程（Ｓ８）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化サファイア基板をアルカリエッチングし、窒化サファイア基板を清浄化する。その後、ＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】亜鉛シリサイドやシリカなどが残留しないＺｎＯ基板の成長前処理方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ極性面を主面としたＺｎＯ単結晶の基板を、ＥＤＴＡキレート化合物を含む溶液をエッチャントとして用いてエッチングするエッチング工程と、エッチングの後、配位子を有する電解質溶液を洗浄液として用いて基板を洗浄する洗浄工程と、を有する。前記エッチャントはＥＤＴＡ・２Ｎａ（エチレンジアミン４酢酸２ナトリウム）及びＥＤＡ（エチレンジアミン）の混合溶液であり、前記洗浄液は、ＥＤＴＡ・２Ｎａ及びＥＤＡの混合溶液、ＥＤＴＡ・２Ｎａ及びＥＤＡのうちいずれか１の純水による希釈液である。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の温度過昇を抑制可能で、しかも、構成が簡単で、かつ、発光部が実装された配線基板がストレスを受け難い発光モジュールを提供する。
【解決手段】発光モジュール１１は、帯板状の配線基板１２、チューブ１５、金属製シャーシ１７、及び端部カバー２１を具備する。複数の発光部１３を配線基板１２の片面に実装する。光拡散透過性のチューブ１５は、正面部位１５ａとこの上方に位置された背面部位１５ｂを有する。発光部１３が実装された配線基板１２の片面を正面部位１５ａに上方から対向させて、配線基板１２をチューブ１５に内包する。シャーシ１７の受熱部位１７ａに背面部位１５ｂが下方から接するようにチューブ１５の外側にシャーシ１７を配設する。端部カバー２１を、シャーシ１７の長手方向両端部に夫々連結して、これら端部カバーでチューブ１５をシャーシ１７に下側から接するように支持した。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの基板上に形成した高品質な結晶を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ＧａＮを含む下地層と、窒化物半導体を含む機能部と、前記下地層と前記機能部との間に設けられ、ＡｌＮを含む層を含む中間層と、を備えた半導体装置が提供される。前記下地層のうちの前記中間層とは反対側の第１領域におけるシリコン原子の濃度は、前記下地層のうちの前記中間層の側の第２領域におけるシリコン原子の濃度よりも高く、前記下地層の前記中間層とは反対側の第１面は、複数の凹部を有する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮパウダーの簡便な製造方法及び当該方法で製造されたＧａＮパウダーを用いた窒化物系発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＧａＮパウダー製造方法は、ＧａＮ系発光素子のエッチング過程で発生するＧａＮエッチング物を捕集し、前記の捕集されたＧａＮエッチング物を洗浄し、前記の洗浄されたＧａＮエッチング物を加熱することによって、前記ＧａＮエッチング物に含まれたインジウム（Ｉｎ）成分を除去し、前記インジウム成分が除去されたＧａＮエッチング物を粉砕してパウダー化すること特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性及び輝度の向上した窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成される格子緩衝層と、前記格子緩衝層上に形成されるｐ―タイプの窒化物層と、前記ｐ―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるｎ―タイプのＺｎＯ層とを含み、前記格子緩衝層は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯパウダーのようなウルツ鉱型格子構造を有する物質のパウダーを用いた窒化物系発光素子及びその製造方法について開示する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成される格子緩衝層と、前記格子緩衝層上に形成され、複数の窒化物層が積層されている発光構造体とを含み、前記格子緩衝層は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成されることを特徴とする。このとき、前記格子緩衝層はＺｎＯパウダーで形成され、窒化物の成長時に発生する線欠陥を最少化することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を成長基板として用いた場合に問題となる、窒化物成長時における線欠陥の発生を低減化できる、シリコン基板を成長基板として用いる窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成される窒化物成長用シード層と、前記窒化物成長用シード層上に形成され、複数の窒化物層が積層されている発光構造体とを含むことを特徴とする。特に、前記窒化物成長用シード層はＧａＮパウダーで形成される。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶品質のｐ―タイプの窒化物層を含む窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成されるパウダータイプの窒化物成長用シード層と、前記窒化物成長用シード層上に形成されるｐ―タイプの窒化物層と、前記ｐ―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるｎ―タイプのＺｎＯ層とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターン化された格子緩衝層を用いて窒化物の結晶性を向上させることができ、エアホールを形成することによって輝度を向上させることができる窒化物系発光素子及びその製造方法について開示する。
【解決手段】本発明に係る窒化物系発光素子の製造方法は、基板上にウルツ鉱型格子構造を有する物質を蒸着して蒸着層を形成し、前記蒸着層の表面にエッチングパターンを形成することによって、パターン化された格子緩衝層を形成し、前記パターン化された格子緩衝層上に窒化物を成長させることを含み、前記パターン化された格子緩衝層上に窒化物を成長させるとき、前記パターン化された格子緩衝層を除去し、前記除去された部分にエアギャップを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体積層体の結晶欠陥密度が低減可能な窒化物半導体の積層構造およびその製造方法並びに窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体の積層構造は、基板１０、第１バッファ層１２、第１結晶層１４、第２バッファ層１６、第２結晶層２０とを備える。基板１０には、段差部１０ｄが形成されている。第１バッファ層１２は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、段差下面１０ｂと段差側面１０ｃとを覆う。第１結晶層１４は、前記第１バッファ層１２の上に設けられ、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記基板１０の上面１０ａよりも上方に設けられた上面１４ａを有する。第２バッファ層１６は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１結晶層１４の前記上面１４ａと前記基板１０の前記上面１０ａとを連続して覆う。第２結晶層２０は、前記第２バッファ層１６を覆い、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１の面２０ａを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の発光面が列状に配列された発光素子アレイを有する発光部品において、光を効率よく取り出すためのレンズを設置する台座による応力の発生を抑制する。
【解決手段】発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３…上（基板８０の反対側）には、円筒（丸筒）状の台座（ペデスタル）９１を介して、球状のレンズ９２がそれぞれ設けられている。台座９１は、発光サイリスタＬ１の発光面３１１の周辺部に設けられている。それぞれのレンズ９２は発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…のそれぞれの発光面３１１から空隙（空気層）９３を介して設けられている。 （もっと読む）