【課題】高い外部量子効率を安定に確保できるようにした半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１０の表面部分には発光領域１２で発生した光を散乱又は回析させる少なくとも１つの凹部２０及び／又は凸部を形成し、凹部２０及び／又は凸部は半導体層１１、１２、１３に結晶欠陥を発生させない形状とする。また、光が凹部２０及び／又は凸部において散乱又は回折され、上方の半導体層又は下方の基板から効率的に光を取り出す。 （もっと読む）

【課題】第二ｎ型半導体層の格子緩和に起因する発光層の結晶性の低下が生じにくく、高出力、かつ、低動作電圧の半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にＡｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎなる組成（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０≦ｘ＋ｙ＜１）の下地層、第一ｎ型半導体層および第二ｎ型半導体層を順次積層した後に、前記基板温度を４００℃以下に降温する第一工程と、前記第二ｎ型半導体層上に、前記第二ｎ型半導体層よりもＩｎ組成の高い、前記第二ｎ型半導体層の再成長層を形成した後に、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】高効率の光半導体素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、ｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた機能部と、を備えた光半導体素子が提供される。機能部は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう方向に積層された複数の活性層を含む。複数の活性層の少なくとも２つは、多層積層体と、ｎ側障壁層と、井戸層と、ｐ側障壁層と、を含む。多層積層体は、前記方向に交互に積層された複数の厚膜層と厚膜層よりも厚さが薄い複数の薄膜層とを含む。ｎ側障壁層は、多層積層体とｐ形半導体層との間に設けられる。井戸層は、ｎ側障壁層とｐ形半導体層との間に設けられる。ｐ側障壁層は、井戸層とｐ形半導体層との間に設けられる。 （もっと読む）

【課題】シリコンおよび炭化ケイ素基板上に堆積されたＧａＮフィルムにおける応力の制御方法、およびこれによって生成されたＧａＮフィルムを提供する。
【解決手段】典型的な方法は、基板を供給すること、および供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上にグレーデッド窒化ガリウム層を堆積させることを含む。典型的な半導体フィルムは、基板と、供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上に堆積されたグレーデッド窒化ガリウム層とを含む。 （もっと読む）

【課題】 光取出し効率を向上させることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子１は、上面２ａ’を持つ複数の突起２ａを主面２Ａに有する単結晶基板２と、単結晶基板２上に形成された、複数の半導体層３ａ〜３ｃから成る光半導体層３とを備え、突起２ａは、上面２ａ’の一部に凹部４を有しており、光半導体層３は、最下層に位置する半導体層３ａが突起２ａの上面２ａ’に接しているとともに凹部４を埋めている。これにより、光半導体層３で発生した光が、凹部４内に入射した場合に、光半導体層３と単結晶基板２との界面で光半導体層３側に反射されにくくすることができ、光取出し効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイの逆バイアス状態のモレ電流を低減する。
【解決手段】垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイ１０Ａは、ｐ型閉じ込め層１２Ａと、光を放射するように構成されたｐ型閉じ込め層上の活性層１４Ａと、活性層を保護するように構成された少なくとも１つのエッチング停止層２２Ａを有するｎ型閉じ込め構造１６Ａとを含む。垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイを製造する方法は、キャリア基板２４Ａを提供するステップと、少なくとも１つのエッチング停止層を有するｎ型閉じ込め構造をキャリア基板に形成するステップと、ｎ型閉じ込め構造に活性層を形成するステップと、活性層にｐ型閉じ込め層を形成するステップと、キャリア基板を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 パッケージに外力が加わった際の封止樹脂の剥離等の問題を防止できる信頼性の高い電子部品パッケージ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板に電子部品が接続され、前記基板上に形成された撥液パターンによって電子部品および前記電子部品と前記基板との間の接続部を封止する第１封止樹脂が形状制御され、前記第１封止樹脂の表面および前記第１封止樹脂形成部周辺の前記基板表面に密着する第２封止樹脂によって封止された電子部品パッケージであって、前記、撥液パターンは前記第１封止樹脂と前記基板との間にのみ存在する構造とする。
これによって、第２封止樹脂と基板との間に撥液パターンが存在することがなくなり、第２封止樹脂の基板への密着力が低下することがなくなる。これにより、より信頼性の高い電子部品パッケージとなる。 （もっと読む）

【目的】
平坦性及び結晶品質に優れた結晶層を有し、高出力、高効率で信頼性に優れた半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
ＧａＡｓ基板上に形成された、Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＰ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１，Ｘ≧０．３）からなり起伏を有する第１導電型クラッド層と、上記第１導電型クラッド層上に形成された、Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＰ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１，０≦Ｘ≦０．１５）からなる第１緩和層及びＡｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＰ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１，Ｘ≧０．３５）からなる第２緩和層が交互に積層された多層緩和層と、上記多層緩和層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成された第２導電型クラッド層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体の結晶性を高め、窒化物半導体発光素子の動作電圧を高める。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたｐ型窒化物半導体層とを含み、ｎ型窒化物半導体層は、１層または２層以上を積層したものであり、ｎ型窒化物半導体層を構成する少なくとも１層は、ＳｉとＳｎとをｎ型ドーパントして含み、かつＩｎを等電子ドーパントとして含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 発光むらを少なくした発光素子および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子は、複数の半導体層が積層された光半導体層２と、光半導体層２の上面２Ａに設けられた複数の凸状体３とを有しており、凸状体３は、光半導体層２の上面２Ａと接する底面３Ａから上方に向かうにつれて光半導体層２の上面２Ａと平行な断面積が底面３Ａの面積よりも小さくなる漸小部３’を有し、光半導体層２を構成する最上層の前記半導体層内に、平面透視して、上端５ａが凸状体３と重なる領域に配置されるとともに、下端５ｂが凸状体３と重ならない領域に配置された転位５を有する。そのため、転位５の上端５ａと重なる領域の光が凸状体３に入射して、凸状体３の側面と外部との界面で出射される際に、入射角よりも大きな屈折角で出射されるため、発光素子１の発光むらを改善することができる。 （もっと読む）

【課題】接触層と電極との界面にショットキー障壁が形成されるのを抑制可能な窒化物系半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ基板３と、ＧａＮ基板３の主面Ｓ１に設けられており発光層１１を含む六方晶系の窒化ガリウム系半導体領域５と、窒化ガリウム系半導体領域５上に設けられており金属からなるｐ電極２１とを備える窒化物系半導体発光素子のＬＤ１を提供する。窒化ガリウム系半導体領域５は、歪みを内包する接触層１７を含み、接触層１７はｐ電極と接しており、主面Ｓ１は、ＧａＮ基板３のｃ軸方向に直交する面から所定の傾斜角度θで傾斜した基準平面Ｓ５に沿って延びており、傾斜角度θは、４０度より大きく９０度より小さい範囲、又は、１５０度以上１８０度未満の範囲、の何れかに含まれている。窒化ガリウム系半導体領域５はＧａＮ基板３に格子整合している。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高いバッファ層を有する半導体発光素子を形成することができるスパッタ成膜装置、並びに半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタ成膜装置４０を用いて、スパッタ法により基板１１上に薄膜を成膜する工程を含む、半導体発光素子の製造方法であって、前記スパッタ法で成膜される薄膜の材料からなるコーティング原料粒子又は前記材料の構成元素からなるコーティング原料粒子を未溶融状態で、ガスの流れを用いて前記スパッタ成膜装置４０内の成長室４１ａの内壁に吹き付けて、前記成長室４１ａの内壁に前記コーティング原料粒子からなるコーティング膜１００を形成する工程と、前記コーティング膜１００を形成する工程の後に、前記基板１１上に前記薄膜を成膜する工程、を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた発光素子用エピタキシャルウェハ、及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型基板１上に、少なくともＰ（燐）系結晶のｎ型クラッド層３、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ、又はＧａＡｓなどのＡｓ（砒素）系結晶で形成した量子井戸構造を有する発光層５、及びｐ型クラッド層７が順次積層された化合物半導体と、ｎ型クラッド層３と発光層５との間に、発光層５を構成するＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層とは異なるＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層４とを有している。 （もっと読む）

【課題】高効率半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板21上に物質層及び金属層を順次に形成させ、金属層を陽極酸化してホー
ルが形成された金属酸化層に形成させ、それ自体で凹凸構造パターンとして使用するか、
金属酸化層のホールに対応するように金属酸化層下部の基板または物質層内にホールを形
成させて凹凸構造パターンとして使用して、その上部に第１半導体層23、活性層25及び第
２半導体層26を順次に形成させることによって凹凸構造を備える半導体発光素子を形成す
る。 （もっと読む）

【課題】窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法を提供する。
【解決手段】III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。該基板は、該第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移送される。II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 （もっと読む）

【課題】反応ガス下で基板を回転させる横型ＭＯＣＶＤ炉を用いて結晶性が高く、かつ、面内のＡｌ組成分布が均一な化合物半導体ウェハを得る。
【解決手段】公転速度を高めることにより、膜厚方向における組成（ｘ値）の均一性を高めることができることは明らかであるが、これにより、成長層（ＡｌＧａＮ）の結晶性は充分とはならない。これに対して、本実施の形態のエピタキシャル成長方法では、膜厚方向における組成の均一性が最適とならない条件で公転を行い、成長層の結晶性を向上させる。実状態の速度比（成長温度（基板温度）における反応ガス流束と基板の交播速度との比）が１７２．０より大きく８５９．８以下となる場合、かつ１回転当たりの成長原子層数が１０層以上である場合に特に良好な結果（高い結晶性、高いキャリア濃度）が得られる。 （もっと読む）

【課題】転位発生の防止と基板の反り低減を、中間層を構成する窒化物半導体層の積層数を少なくして実現できる窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶からなる基板１と、前記基板上に形成された窒化物半導体からなる中間層２と、前記中間層上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体３からなる活性層で構成される窒化ガリウム系化合物半導体基板であって、前記中間層は、前記基板上に第一層２１と第二層２２がこの順で積層された初期バッファ層２００と、前記初期バッファ層上に第三層２３と第四層２４をこの順で複数回繰り返し積層し最後に第五層２５を積層してなる複合層２０２を複数積層した周期堆積層２０３からなる。 （もっと読む）

【課題】凹凸加工されたサファイア基板を用いたIII 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率をさらに向上させつつ、ピットの発生を抑制すること。
【解決手段】まず、ｃ面を主面とするサファイア基板１０表面に凹凸加工を施す。凹凸の深さは１．２〜２．５μｍ、凹凸側面の傾斜角度は４０〜８０°とする。次に、水素雰囲気中１０００〜１２００℃の温度で熱処理を行う。次に、サファイア基板１０上に、ＡｌＮからなるバッファ層１１を形成し、バッファ層１１上に、埋め込み層１２、ｎ型層１３、発光層１４、ｐ型層１５を順に積層する。ここで、バッファ層１１としてＡｌＮを用いているため、凹凸の深さ１．２〜２．５μｍ、凹凸側面の傾斜角度が４０〜８０°の場合であっても、結晶にピットが発生せず、結晶方位のばらつきが小さい。 （もっと読む）

【課題】凹凸加工されたサファイア基板を用いたIII 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率をさらに向上させつつ、ピットの発生を抑制すること。
【解決手段】凹凸の深さが１〜２μｍのｃ面サファイア基板１０上に、バッファ層１１を介してＳｉドープのＧａＮからなる埋め込み層１２を形成する。この埋め込み層１２によって凹凸を埋め込み、平坦な表面にする。埋め込み層１２の成長温度は、その後に埋め込み層１２上に形成するｎ型層１３の成長温度（１０００〜１２００℃）よりも２０〜８０℃低い温度とする。これにより、縦方向成長が促進されるため、大きなピットの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ＧａＰ基板を接合した場合のように反りが少ないために加工が容易であり、また同時にＨＶＰＥ法で成長したＧａＰ層を有するチップのようにエポキシの応力による劣化が抑制された発光素子製造用の化合物半導体基板を利用した発光素子を提供する。
【解決手段】少なくとも、発光層１０６と、該発光層の片方の主表面側に形成された第１電流拡散層１０９と、前記発光層のもう一方の主表面側に形成された第２電流拡散層２０２とを有する化合物半導体基板１１０を用いて製造された発光素子１０であって、前記発光層と前記第２電流拡散層との間に、空隙２０１を有する。 （もっと読む）