【課題】結晶性の高い半導体層を有するｎ−ｄｏｗｎ型の半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイス５は、支持基板６０と、支持基板６０上に配置された導電層５０と、導電層５０上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２００とを含み、ＩＩＩ族窒化物半導体層２００のうち導電層５０に隣接する導電層隣接ＩＩＩ族窒化物半導体層２００ｃは、ｎ型導電性を有し、転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下であり、酸素濃度が５×１０¹⁸ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を提供する。
【解決手段】３次元構造の表面形態を持ち、非極性窒化物半導体で形成された第１非平坦非極性窒化物半導体層；第１非平坦非極性窒化物半導体層の表面の少なくとも一部上に形成されたものであって、複数の固体粒子で形成された第１構造物層；第１非平坦非極性窒化物半導体層及び第１構造物層上に形成された第１非極性窒化物半導体層；を含む半導体素子。 （もっと読む）

【課題】第一ｎ型半導体層のドーパント濃度に起因する結晶性の低下が生じにくく、かつ、高い出力の得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層上に、前記第一ｎ型半導体層のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する前記第一ｎ型半導体層の再成長層、第二ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【解決すべき課題】
結晶性および光取り出し効率に優れ、かつ高電流域での順電圧増加が抑制された発光素子用基板、その発光素子基板の製造方法、およびその発光素子基板を用いた発光素子を提供する。
【解決手段】
基板上の第１主面上に半導体結晶を成長させることによって半導体発光素子が製造される半導体発光素子基板であって、
前記半導体結晶の成長が抑制される傾斜面を各々有する複数の凸部が前記第１主面上に形成されており、
前記複数の凸部は、前記傾斜面が前記第１主面上で偏在し、かつ前記第１主面に対して平行に伝搬する光がいずれかの凸部において反射されるように配置されていることを特徴とする、半導体発光素子基板。 （もっと読む）

【課題】 結晶性を向上させることが可能な発光素子の製造方法および発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子１の製造方法は、窒化アルミニウムからなる多結晶基板２（２ａ）を酸素雰囲気中で加熱して多結晶基板２（２ａ）の表面を酸化させることによって、多結晶基板２（２ａ）の表面に酸窒化アルミニウムからなる酸化領域を形成する工程と、多結晶基板２（２ａ）を窒化アルミニウムの融点よりも低い温度であって酸窒化アルミニウムの融点よりも高い温度で加熱して酸化領域を溶解した後、多結晶基板２（２ａ）を酸窒化アルミ二ウムの融点よりも低い温度に冷却することによって、溶解した酸化領域を固化して緩衝層３を形成する工程と、緩衝層３上に窒化アルミニウムを含む光半導体層４を成長させる工程とを有している。これにより、緩衝層３上に成長させる光半導体層４の結晶性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の炭化アルミニウム薄膜、結晶性の炭化アルミニウム薄膜を形成した半導体基板及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によると、炭化アルミニウムの結晶を含むことを特徴とする炭化アルミニウム薄膜が提供される。また、本発明によると、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、基板上に炭化アルミニウムの結晶を成長させて、炭化アルミニウム薄膜を形成することを特徴とする炭化アルミニウム薄膜の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】サファイア、ＧａＡｓ、シリコンまたは炭化ケイ素といった異種基板上で第３族窒化物の半導体材料の層を１層以上成長させる上で遭遇する、少なくともいくつかの問題に対処する。
【解決手段】ラミネート基板システムは、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（５）と支持基板材料（４）（または当該材料と一般化学組成が同一である材料）とが交互に積層された多数の層からなる変成遷移領域（２）を含む。転位密度が低い第３族窒化物半導体素子（２）がラミネート基板システム上に形成される。変成遷移領域（２）の多数の層（４、５）は、格子定数が支持基板（１）（支持基板付近）の格子定数から素子（３）（素子付近）の格子定数へと成長方向に沿って変化する超格子構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】横方向の電流拡がりを向上させることにより、発光領域が大きな窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子は、ｎ側窒化物半導体２０と、ｎ側窒化物半導体２０上に形成され、量子井戸層３２および障壁層３１を含む量子井戸構造を有する活性層３０と、活性層３０上に形成されたｐ側窒化物半導体４０とを備えている。また、活性層３０の量子井戸層３２および障壁層３１は、それぞれ、Ａｌを含む窒化物半導体から構成されている。ｎ側窒化物半導体２０は、−ｃ面（窒素極性）を主面２１ａとする窒化物半導体層２１と、この窒化物半導体層２１に対して活性層３０側に形成されたＡｌ組成傾斜層２２とを含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制しつつ厚膜化され、且つ導電性を有する窒化物半導体層を有する半導体ウェハ及び半導体装置を提供する。
【解決手段】ノンドープの第１の窒化物半導体層とその第１の窒化物半導体層よりも格子定数が大きいノンドープの第２の窒化物半導体層とが交互に積層された構造を有する多層膜と、多層膜上に配置された、第１の窒化物半導体層よりも格子定数が大きいノンドープの第３の窒化物半導体層とを備え、膜厚方向に導電性を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の化合物半導体層を積層する前に清浄な成長面を容易に準備することができ、第二成長装置に入れる前の洗浄工程が不要な半導体発光素子用テンプレート基板、半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ、電子機器、機械装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体発光素子用テンプレート基板は、基板上に、下地層と、加熱により除去可能な犠牲層とを順に備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工程システムの運用能力と生産性の向上とともに、半導体層の結晶性を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】第１反応チャンバにおいて、基板１０１上に第１導電型窒化物半導体層１０２及びアンドープの窒化物半導体層１０３を順次に成長させる段階と、前記第１導電型窒化物半導体層及びアンドープの窒化物半導体層が成長した状態の前記基板を第２反応チャンバに移送する段階と、前記第２反応チャンバにおいて、前記アンドープの窒化物半導体層上に追加の第１導電型窒化物半導体層を成長させる段階と、前記追加の第１導電型窒化物半導体層上に活性層１０５を成長させる段階と、前記活性層上に第２導電型窒化物半導体層１０６を成長させる段階とを含む発光ダイオードの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】成長する窒化物層の品質を改善させることができ、さらに、製造工程の作業性が改善され、発光素子の発光効率を改善することができるテンプレートの製造方法及びこれを用いた窒化物半導体発光素子の製造方法の提供。
【解決手段】基板１００上に３族物質を含む第１の窒化物層２１０を成長させる段階、前記第１の窒化物層の上側に、前記の第１の窒化物層とエッチング特性が相違する多数個のエッチングバリア２１２を形成する段階、クロライド系列のガスで前記の第１の窒化物層を前記エッチングバリアのパターンに沿ってエッチングして柱状のナノ構造物を形成する段階、そして前記ナノ構造物上側に第２の窒化物層を成長させて、内部に多数個の空隙２１４を備える窒化物緩衝層を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】テンプレートに成長する窒化物層の品質を改善させ、製造工程の作業性が改善され、発光素子の発光効率を改善するテンプレートの製造方法及びこれを用いた窒化物半導体発光素子の製造方法の提供。
【解決手段】基板１００上に第１の窒化物層２１０を成長させる段階、クロライド系列のエッチングガスを供給して前記の第１の窒化物層の上面をエッチングする段階、前記の第１の窒化物層の上面に第２の窒化物層２２０を成長させて多数個の第１の空隙２２３を形成する段階、前記エッチングガスを供給して前記の第２の窒化物層の上面をエッチングする段階、そして、前記の第２の窒化物層の上面に第３の窒化物層を成長させて多数個の第２の空隙２２３を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板を有する発光素子の製造時におけるバッファ層の剥離の発生を抑制することができる発光素子の製造方法及び発光素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子１を、ＭＯＣＶＤ装置２内でＧａ_２Ｏ_３基板１０上にバッファ層１１を形成し、その後、ＭＯＣＶＤ装置２内を窒素雰囲気とし、７００℃から１０３５℃の成長温度にてバッファ層１１上にＧａＮ層１２ａを形成して製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、サファイア基板にバッファ層として形成したＡｌＮ膜に含まれるこれらの不純物により、該ＡｌＮ膜上に形成されるＧａＮ層の結晶性が劣化するのを低減することができ、これにより歩留まりの向上を図る。
【解決手段】サファイア基板１１と、該サファイア基板１１上に格子不整合を緩和するバッファ層として形成されたＡｌＮ膜１２と、該ＡｌＮ膜１２上に形成されたノンドープＧａＮ層１３と、該ノンドープＧａＮ層１３上に形成され、発光領域を含む積層構造を有する半導体発光素子１０において、サファイア基板１１上にＡｌＮ膜１２をその炭素濃度が０．２ａｔ％以下になり、かつ塩素濃度が０．０１ａｔ％以下になるよう形成している。 （もっと読む）

【課題】光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板の表面に積層された光デバイス層に損傷を与えることなく光デバイス層を移設基板に円滑に移し変えることができる光デバイスウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板２０の表面にバファー層２２を介して積層され、格子状に形成された複数のストリート２３により区画された複数の領域に形成された光デバイス層２１の表面に移設基板３を接合する工程と、移設基板３が接合されたエピタキシー基板２０を所定のストリートに沿って切断し、複数のブロック２００に分割する工程と、エピタキシー基板２０の裏面側からエピタキシー基板２０を透過するレーザー光線をバファー層２２に集光点を位置付けて照射することによりバファー層２２を分解する工程と、複数のブロック２００に分割されたエピタキシー基板２０を光デバイス層２１から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は発光ダイオードの製造方法に関する。
【解決手段】本発明によると、第１反応チャンバで、基板上に第１導電型窒化物半導体層及び活性層を成長させる段階と、上記第１導電型窒化物半導体層及び活性層が成長された状態の上記基板を第２反応チャンバに移送する段階と、上記第２反応チャンバで、上記活性層上に第２導電型窒化物半導体層を成長させる段階とを含み、上記基板を上記第２反応チャンバに移送する段階の前に上記第２反応チャンバの内部は窒化物ソースガス及び上記第２導電型窒化物半導体層に含まれるドーピング元素のソースガス雰囲気に組成されることを特徴とする発光ダイオードの製造方法を提供する。本発明による発光ダイオードの製造方法を利用すると、発光ダイオードを製造するにおいて、工程システムの運用能力と生産性を向上させ、さらには、これにより得られた半導体層の結晶性、ドーピングの均一性などが向上することができる。 （もっと読む）

【課題】支持基板及び半導体成長膜におけるクラック等の欠陥の発生を防止ししつつ、半導体発光素子の電気的特性の向上を図ることができる半導体発光素子の製造方法、及びこれよって形成される半導体積層構造を提供すること。
【解決手段】成長用基板の上に半導体成長膜、電極及び成長基板側接合金属膜を順次形成して発光体部を形成する工程と、支持基板の裏面に凹部及び／又は凸部を形成し、支持基板の表面に支持基板側接合金属膜を形成して支持体部を形成する工程と、成長基板側接合金属膜と支持基板側接合金属膜とを密着するとともに加熱し、成長基板側接合金属膜及び支持基板側接合金属膜を溶融させて支持体部及び発光体部を接合する工程と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上方に、（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を成長させる工程と、（ｂ）前記の（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘ）_３Ｎ_２（０≦ｘ≦０．６）単結晶膜を、４００℃以下で、活性酸素により酸化して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を形成する工程と、（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）を繰り返して、Ｍｇ_ｙＺｎ_１−ｙＯ（０≦ｙ≦０．６）単結晶膜を積層する工程とを有するＺｎＯ系半導体層の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】結晶品質が高く光取り出し効率が高い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層を含む第１半導体層と、ｐ形半導体層を含む第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光部は、複数の障壁層、と前記複数の障壁層の間に設けられた井戸層と、を含む。前記第１半導体層は、第１凹凸と、第２凹凸と、を有する。前記第１凹凸は、前記第１半導体層の前記発光部とは反対の側の第１主面に設けられる。前記第２凹凸は、前記第１凹凸の底面と頂面とに設けられる。前記第２凹凸は、前記底面と前記頂面との間の段差よりも小さい段差を有する。 （もっと読む）