【課題】高効率半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板21上に物質層及び金属層を順次に形成させ、金属層を陽極酸化してホー
ルが形成された金属酸化層に形成させ、それ自体で凹凸構造パターンとして使用するか、
金属酸化層のホールに対応するように金属酸化層下部の基板または物質層内にホールを形
成させて凹凸構造パターンとして使用して、その上部に第１半導体層23、活性層25及び第
２半導体層26を順次に形成させることによって凹凸構造を備える半導体発光素子を形成す
る。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードパッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤパッケージ３０は上面４０および底面を有し、その上面４０上に複数の上部導電性要素および上部導熱性要素を有するサブマウント３２を備える。ＬＥＤ３４が、上部要素に印加された電気信号がＬＥＤ３４を発光させるように、上部要素の１つの上に設けられる。導電性要素は、ＬＥＤからの熱をサブマウントの上面の大部分にわたって拡散する。下部導熱性要素が、サブマウントの底面上に設けられ、サブマウントからの熱を拡散し、レンズ７０が、ＬＥＤの上に直接に形成される。 （もっと読む）

【課題】より良質な窒化物半導体結晶層を製造する方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体結晶層の製造方法は、基体の上に設けられたシリコン結晶層の上に、第１の厚さを有する窒化物半導体結晶層を形成する工程を備える。前記シリコン結晶層は、前記窒化物半導体結晶層の形成の前には、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有している。前記窒化物半導体結晶層の形成は、前記シリコン結晶層の少なくとも一部を前記窒化物半導体結晶層に取り込ませ、前記シリコン結晶層の厚さを前記第２の厚さから減少せることを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光抽出効率が向上した半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、第１の導電型半導体層と、当該第１の導電型半導体層の一面上に形成される活性層と、当該活性層の上に形成され複数のホールを含む第２の導電型半導体層と、当該第２の導電型半導体層の上に形成される透明電極と、を含む半導体発光素子；成長用基板上に第２の導電型半導体層、活性層及び第１の導電型半導体層を形成する段階と、当該第１の導電型半導体層の上に導電性基板を形成する段階と、上記成長用基板を上記第２の導電型半導体層から分離し当該第２の導電型半導体層に複数のホールを形成する段階と、上記第２の導電型半導体層の上に透明電極を形成する段階と、を含む半導体発光素子の製造方法；を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウェハから切り出した発光素子を識別する。
【解決手段】複数の発光デバイスを製造する製造方法であって、発光素子基板に複数の発光素子を形成する素子形成段階と、それぞれの発光素子に、発光素子を他の発光素子から識別する識別部を形成する識別部形成段階と、それぞれの発光素子を分離して、複数の発光デバイスを形成するデバイス形成段階とを備える発光デバイスの製造方法を提供する。識別部は、発光素子を他の発光素子から識別する外観を有してよい。 （もっと読む）

【課題】透明基板の片面に配設された複数の単結晶薄膜半導体発光素子からの光を両面から出射させることができる表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板１１０の片面に複数の単結晶薄膜半導体発光素子１１１を配設した表示装置１０であって、複数の単結晶薄膜半導体発光素子は、母材基板１０１から剥離された単結晶薄膜半導体層から構成され、単結晶薄膜半導体発光素子は、発光層（活性層）１１３とこの発光層(活性層)を挟んだ２層の非発光層１１２、１１４とを備え、前記単結晶薄膜半導体発光素子１１１の表面に、非光透過層１２２、１２４と、他の発光層１２３を有する他の単結晶薄膜半導体層からなる他の単結晶薄膜半導体発光素子１２１とを積層した。 （もっと読む）

【課題】光吸収率を増加することなくチップ全体に電流を広げることができる電極構造を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、光取り出し面としての第１の面と、第１の面に対向する第２の面とを有し、発光層６３を有するIII−Ｖ族化合物半導体からなる積層構造１０と、支持基板３と第２の面との間に設けられ発光層６３の発光光を第１の面側に反射する反射金属膜４と、第１の面の一部に複数設けられて積層構造１０と導電する第１電極７０と、第１の面に設けられ第１電極７０と導電する透明導電膜７１と、透明導電膜７１の上に設けられる電極パッド９とを有する。 （もっと読む）

【課題】改善されたオーミックコンタクト構造およびｐ型窒化物材料にオーミックコンタクト構造を形成する。
【解決手段】ｎ型ＳｉＣ基板１０上に、活性領域１２として、ｎ−ＧａＮベースの層１４およびｐ−ＧａＮベースの層１６と、ｐ−ＧａＮ層１６に堆積されかつ電気的に結合されたｐ電極１８と、ｐ電極１８上にボンディングパッド２０が形成され、ｐ電極１８はオーミックコンタクトを形成し、約２５Å未満の平均厚さおよび約１０^−３Ωｃｍ^２未満の固有接触抵抗率を有する。 （もっと読む）

【課題】光吸収率を増加することなくチップ全体に電流を広げることができる電極構造を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、光取り出し面としての第１の面と、第１の面に対向する第２の面とを有し、発光層６３を有するIII−Ｖ族化合物半導体からなる積層構造１０と、支持基板３と第２の面との間に設けられ発光層６３の発光光を第１の面側に反射する反射金属膜４と、第１の面の一部に複数設けられて積層構造１０と導電する第１電極７０と、第１の面に設けられ第１電極７０と導電する透明導電膜７１と、透明導電膜７１の上に設けられる電極パッド９とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光素子、発光素子の製造方法、及び発光素子パッケージを提供するためのものである。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上の蛍光体層と、上記蛍光体層の上に形成される光抽出構造と、を含み、上記光抽出構造は、上記発光構造物の内部で生成されて上記蛍光体層と上記光抽出構造の界面に入射する光を上記発光構造物の外部に抽出することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基材の基板の表面に繰り返し凹凸パターンを形成するためのエッチングマスクをレジスト膜の露光現像により形成する際、レジスト膜に対する繰り返し露光による隣接する露光領域の隣接する部分での過剰露光による現像パターンの歪みを防止する。
【解決手段】半導体基材を製造する方法において、半導体基材の表面に凹凸部を形成するためのエッチングマスクをレジスト膜のフォトリソグラフィ処理により形成する際、転写用マスク１００として、あらかじめ露光ショットの重なる領域付近にある凹凸パターンであるドット状遮光部１０４の寸法を補正した転写用マスクを使用する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光素子、発光素子の製造方法、及び発光素子パッケージを提供するためのものである。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上の蛍光体層と、上記蛍光体層の上に形成される光抽出構造と、を含み、上記光抽出構造は、上記発光構造物の内部で生成されて上記蛍光体層と上記光抽出構造の界面に入射する光を上記発光構造物の外部に抽出することができる。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上し、駆動電圧を低減した半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、窒化物半導体を含む井戸層４２及び窒化物半導体を含む障壁層４１を有する発光部４０と、発光部４０とｎ形半導体層との間に設けられ、Ｉｎの組成比が異なる第１層３１及び第２層３２を含む積層体３０と、を備え、障壁層４１の層厚が１０ｎｍ以下であり、積層体３０の平均Ｉｎ組成比をｐ、発光部４０の平均Ｉｎ組成比をｑとした場合、０．４＜ｐ／ｑ≦０．７であり、障壁層の厚さは、１０ナノメートル以下であり、積層体において第１層と第２層とが交互に３０ペア以上設けられる。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第１電極層と、発光層と、第２導電形の第１部分を含む第２半導体層と、第１半導体層に接続された第２電極層と、を備える。第１電極層は、金属部と、第１半導体層から第１電極層に向かう方向に沿って金属部を貫通し、前記方向に沿ってみたときの形状の円相当直径が１０ナノメートル以上、５０マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する。発光層は、第１半導体層と第１電極層との間に設けられる。第２半導体層の第１部分は、発光層と第１電極層との間に設けられ、不純物濃度が１×１０^１９／立方センチメートル以上、１×１０^２１／立方センチメートル以下である。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。第１電極層は、金属部と、複数の第１開口部と、第２開口部と、を有する。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられる。金属部の厚さは１０ナノメートル以上、２００ナノメートル以下である。複数の第１開口部は、円相当直径が１０ナノメートル以上、１マイクロメートル以下である。第２開口部は、円相当直径が１マイクロメートルを超え、３０マイクロメートル以下である。第１電極層は、第２半導体層と導通し、第２電極層は、第１半導体層と導通する。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造方法により発光波長を多様化させ、特に高精細な画像表示装置に用いて好適な半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、所定の光を放出させる第１の半導体発光層１７と、前記第１の半導体発光層１７とは異なる結晶系からなる半導体層から構成され前記第１の半導体発光層からの光によって励起されて光を放出する第２の半導体発光層１１を有し、前記第１の半導体発光層１７を有する半導体構造部に前記第２の半導体発光層１１が貼り合わされることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する構造体と、前記構造体の前記第２半導体層の側に設けられ、金属部と、前記金属部を貫通する複数の開口部と、を有する第１電極層と、前記第２半導体層と、前記第１電極層と、の間に設けられた中間層と、前記第１半導体層と導通する第２電極層と、を備える。前記複数の開口部のそれぞれの円相当直径は、１０ナノメートル（ｎｍ）以上、５マイクロメートル（μｍ）以下である。前記中間層の厚さは、１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高輝度化の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。第１電極層は、第２半導体層の第１半導体層とは反対側に設けられ、第２半導体層と接する金属部と、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿って金属部を貫通し前記方向に沿って見たときの形状の円相当直径が１０ナノメートル以上５マイクロメートル以下である複数の開口部と、を有する。第２電極層は、第１半導体層と導通する。第２半導体層は、金属部に接する凸部と、開口部の底部において凸部よりも前記方向に沿って後退した凹部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高信頼性を有する半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１００は、基板１上に発光用のｎ型半導体層１１２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層１１３を積層した第１発光用半導体層、発光用のｎ型半導体層１２２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層１２３を積層した第２発光用半導体層を形成してある。また、半導体発光素子１００は、保護用のｎ型半導体層２１２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層２１３を積層した第１保護用半導体層、保護用のｎ型半導体層２２２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層２２３を積層した第２保護用半導体層を形成してある。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングパッドの下に電流阻止機構を有する発光デバイスおよび発光デバイスの作製方法を提供する。
【解決手段】電流阻止機構は、デバイスの活性領域１４の伝導性減少領域３０とすることができる。電流阻止機構は、コンタクト１８が形成される層の損傷領域である。あるいは、デバイスのオーミックコンタクトと活性領域との間のショットキーコンタクトである。または、ＰＮ接合などの半導体接合が、オーミックコンタクトと活性領域との間に設けられる。 （もっと読む）