【課題】放出光のピーク波長範囲の外側の発光スペクトル強度が低減された半導体発光装置およびそれを用いた光結合装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、発光層と、第１の層と、第２の層と、分布ブラッグ反射層と、を有する。発光層は、第１の面および第２の面を有し、７４０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長範囲にピーク波長を有する放出光を放出可能である。第１の層は、前記発光層の前記第１の面の側に設けられ、第１導電形を有し、前記発光層の反対の側に設けられた光取り出し面を有する。第２の層は、前記発光層の前記第２の面の側に設けられ、第２導電形を有する。分布ブラッグ反射層は、前記第２の層の前記発光層とは反対の側に設けられ、第２導電形を有する分布ブラッグ反射層であって、前記光取り出し面に向けて前記放出光を反射可能である。また、第３および第４の層は、前記ピーク波長よりも短いバンドギャップ波長をそれぞれ有する。 （もっと読む）

【課題】色度のばらつきを抑制することができる半導体発光装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、光を出射する発光部と、前記発光部の一方の主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、を備えている。そして、前記波長変換部は、前記発光部から出射する光の波長に基づいた前記蛍光体の量の分布を有している。 （もっと読む）

【課題】 電子線を均一に安定して放射することのできる電子線源装置および高い発光効率の得られる電子線励起型光源装置を提供すること。
【解決手段】 この電子線源装置は、カーボンナノチューブにより構成された面状の電子線放出部を有するカソード電極と、電子線放出部と離間して対向するよう設けられた、電子線通過用開口を有する電子引き出し電極とを備えてなり、カソード電極と電子引き出し電極との間の位置において、電子線放出部から放出される電子線を電子引き出し電極における電子線通過用開口に向かって指向させる電子線レギュレータが電子線放出部と離間して対向するよう配置されている。電子線励起型光源装置は、上記の電子線源装置と、この電子線源装置から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とが真空容器の内部に配置されてなる。 （もっと読む）

【課題】高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化サファイア基板をアルカリエッチングし、窒化サファイア基板を清浄化する。その後、ＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光装置が電気的にショートして発光しなくなるのを抑制し、長期にわたって発光することが可能な照明装置を提供すること。
【解決手段】 照明装置１であって、一対の支持部２ａを有する筐体２と、筐体２内に設けられた半導体発光装置３と、一対の支持部２ａにて支持された、半導体発光装置３と間をあけて半導体発光装置３を覆う透光性基板４とを備え、筐体２内であって一対の支持部２ａの下部のそれぞれに、半導体発光装置３と間をあけて凹部Ｃが設けられていることを特徴とする。半導体発光装置３が電気的にショートして発光しなくなるのを抑制でき、長期にわたって発光させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】被照明部材に発光面の分割パターンの像が形成されることによる照明ムラを防止することが可能な照明光学系およびプロジェクタ装置を提供する。
【解決手段】所定方向に沿った分割線により複数の領域に分割された発光面を有する略矩形形状の光源と、矩形形状の被照射領域を備えた被照明部材と、発光面からの光を集光して被照射領域に照射する光学部材とを備え、被照明部材に光源の発光面の分割パターンの像が形成されることによる照明ムラが低減されている照明光学系。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第１電極層と、電極層と、無機膜と、を備える。構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。電極層は、構造体の第２半導体層の側に設けられる。電極層は、金属部と、複数の開口部と、を有する。金属部は、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿った厚さが１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下である。開口部は、前記方向に沿って金属部を貫通し、円相当直径が１０ｎｍ以上、５μｍ以下である。無機膜は、前記方向に沿った厚さが２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下で、金属部の表面及び開口部の内面を覆うように設けられ、発光層から放出される光に対して透過性を有する。 （もっと読む）

【課題】 ４元発光層とＧａＰ基板との接合界面において酸素、炭素等の不純物が発生し、通電した際に順方向電圧が上昇することを抑制し、これによって順方向電圧に対する寿命特性の悪化を抑制することができる化合物半導体基板及び化合物半導体基板の製造方法並びに発光素子を提供する。
【解決手段】 少なくともｎ型ＧａＰ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰからなるｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層が順次積層された４元発光層を有し、４元発光層の、ｎ型ＧａＰ基板側の主表面の反対側となる主表面上に、電流拡散層であるｐ型ＧａＰ層が積層された化合物半導体基板であって、ｎ型ＧａＰ基板と４元発光層との間に、ｎ型クラッド層よりもキャリア濃度の高い、（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰからなる高濃度キャリア層が形成されたものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤色光及び／又は赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することである。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、発光部は、組成式（Ａｌ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層及びバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有し、井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パッケージ基板上に実装されたＬＥＤチップから放出された光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる発光装置を提供すること。
【解決手段】発光装置は、パッケージ基板８上に配置された青色ＬＥＤチップ８１′と、青色ＬＥＤチップ８１′の上面および側面を覆って、青色ＬＥＤチップ８１′の発光層２から放出された光の波長を変換する波長変換層７とを有する。また、発光層２よりもパッケージ基板側に、発光層２からの光を反射させる反射面３を有する。反射面３に垂直な方向に関して、反射面形成層５の最外面５ｂから反射面３までの距離Ｄ１が、パッケージ基板８上で青色ＬＥＤチップ８１′が配置された領域よりも外側へ延在する波長変換層７の外側延在部分７ａの厚みＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、パッド電極の下に信頼性の高い電流ブロック構造を備える半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電型の第１の半導体層と、前記第１導電型とは異なる導電型の第２導電型の第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられた発光層と、前記第２の半導体層の前記発光層とは反対側の表面に設けられた導電性酸化物を含む第１の層と、前記第１の層の一部に接触し、前記導電性酸化物を還元する材料を含んだ第１の電極と、前記第１の電極の表面を覆う第１の部分と、前記第１の層に接触する第２の部分と、を有する第２の電極と、前記第１の半導体層に電気的に接続された第３の電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮパウダーの簡便な製造方法及び当該方法で製造されたＧａＮパウダーを用いた窒化物系発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＧａＮパウダー製造方法は、ＧａＮ系発光素子のエッチング過程で発生するＧａＮエッチング物を捕集し、前記の捕集されたＧａＮエッチング物を洗浄し、前記の洗浄されたＧａＮエッチング物を加熱することによって、前記ＧａＮエッチング物に含まれたインジウム（Ｉｎ）成分を除去し、前記インジウム成分が除去されたＧａＮエッチング物を粉砕してパウダー化すること特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高効率、高信頼性を達成する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、電極と、を備える。積層構造体は、窒化物系半導体からなる第１導電形の第１半導体層と、窒化物系半導体からなる第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。電極は、第１金属層、第２金属層及び第３金属層を有する。第１金属層は、第２半導体層の発光層とは反対側に設けられ、銀または銀合金を含む。第２金属層は、第１金属層の第２半導体層とは反対側に設けられ、金、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウムの少なくともいずれかの元素を含む。第３金属層は、第２金属層の第１金属層とは反対側に設けられる。第３金属層の第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿った厚さは、第２金属層の前記方向に沿った厚さ以上である。 （もっと読む）

【課題】発光ユニットの樹脂内を伝播する光による悪影響を低減することの可能な発光ユニットおよびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】発光ユニット１は、３つの発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを覆う絶縁体２０と、各発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに電気的に接続された端子電極３１，３２を備える。３つの発光素子１０のうち少なくとも最も短波長の光を発する発光素子１０Ｂの側面Ｓ１および下面には、第１絶縁層１６、金属層１７、第２絶縁層１８およびパッド電極１９からなる積層体が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体膜に形成された粗化面を有するＧａＮ系ＬＥＤ素子において、電極として形成される金属膜の光吸収に基づく損失を低減するための素子構造を提供する。
【解決手段】上面が粗化された第一型導電層１２３と、該第一型導電層の下面側に配置された発光層１２２と、該第一型導電層とで該発光層を挟むように配置された第二型導電層１２１と、を含む積層部１２０を備えたＧａＮ系半導体膜に、少なくとも該第一型導電層の一部を除去することによって平坦化領域１２３Ｂが形成され、ＴＣＯ膜からなる透光性電極１４０が該平坦化領域上から上記積層部上にかけて連続するように設けられており、該平坦化領域の上方には、該透光性電極に接続された電極金属膜１５０と、上記発光層で生じる光に対して該電極金属膜よりも高い反射率を有する反射金属膜１３０とが、該透光性電極を挟んで対向するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】バイアス方向によって発光波長を変えることができる半導体発光素子において、波長分離性を向上させること。
【解決手段】半導体発光素子はサファイア基板１０を有し、サファイア基板１０上に、ｎ−ＧａＮ層１１、ｎ⁺ −ＧａＮ層１２、ｐ⁺ −ＧａＮ層１３、第１発光層１４、第２発光層１５、ｐ⁺ −ＧａＮ層１６、ｎ⁺ −ＧａＮ層１７、ｎ−ＧａＮ層１８が順に積層されている。ｎ−ＧａＮ層１８上には第１電極１９が形成されている。また、ｎ−ＧａＮ層１８表面の一部領域はｎ−ＧａＮ層１１に達する深さの溝が形成されていて、その溝により露出したｎ−ＧａＮ層１１上に第２電極２０が形成されている。さらに、第１発光層１４と第２発光層１５との間には、第１発光層１４および第２発光層１５よりもバンドギャップの大きな波長分離層２１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】反射層に混入する酸素濃度を低減し、半導体発光素子の信頼性を向上させる。
【解決手段】基板と、基板上に設けられるバッファ層２０と、バッファ層２０上に低屈折率層と高屈折率層とを複数ペア積層して設けられる反射層３０と、反射層３０上に第１クラッド層、活性層、第２クラッド層を積層して設けられる発光層４０と、を有する半導体発光素子１において、バッファ層２０は、酸素吸着層を含む。 （もっと読む）

【課題】出射光量を増加させるとともに、順方向電圧の増大を抑制した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板１１０と、基板１１０上に積層される中間層１２０と、中間層１２０上に積層される下地層１３０と、下地層１３０上に積層されるｎ型半導体層１４０と、ｎ型半導体層１４０上に積層される発光層１５０と、発光層１５０上に積層されるｐ型半導体層１６０と、ｐ型半導体層１６０上に積層され、発光層１５０が出射する光に対して透光性を有する透光性電極１７０を備える。透光性電極１７０には、第１型電極１９０に近接した領域（Ｃ）と、第２型電極２００に近接した領域（Ａ）とで、ｐ型半導体層１６０の表面が露出する割合（開口率）が異なるように貫通孔１８０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、高出力、高効率で信頼性に優れた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸からなる活性層１３を有する発光ダイオードにおいて、光取り出し層であるｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２の表面に光取り出し効率向上のための凹凸構造を設ける。凹凸構造は臭化水素酸を含む水溶液をエッチャントとして用い、マスクを形成する工程を用いることなく異方性エッチングにより形成する。 （もっと読む）

【課題】静電気の放電電流から保護される発光ダイオードパッケージ及びこれを具備するバックライトユニットの提供。
【解決手段】第１電極及び第２電極を含み、第１電極及び第２電極を通じて印加される駆動電圧に応答して光を発生する発光ダイオードと、第１電極に連結された第１メーンリードと、第２電極に連結された第２メーンリードと、発光ダイオードが実装され、第１メーンリード及び第２メーンリードを固定するボディー部と、一端部が第１メーンリードに連結された第１サブリードと、一端部が第２メーンリードに連結され、他端部が第１サブリードの他端部と所定の距離を置いて対向して第１サブリードと共に静電気を放電する第２サブリードを有する。また、バックライトユニットは、複数の発光ダイオードパッケージを具備する。 （もっと読む）