【課題】低い温度で発光ダイオードチップに横向きエッチングを行い、発光ダイオードチップを逆円錐状に形成させる発光ダイオードチップの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にＳｉＯ_２パターン層を形成するステップと、基板１１０に半導体発光構造１４０を成長させ、エピタキシャル成長の条件を調整することにより、隣接する半導体発光構造１４０の間にギャップを形成するステップと、第一エッチング液でＳｉＯ_２パターン層を除去し、半導体発光構造と基板との間にスペースを形成させるステップと、第二エッチング液で半導体発光構造１４０をエッチングし、第二エッチング液が、ギャップに注ぎ込まれた後、スペースに流れ込み、半導体発光構造１４０を逆円錐状に形成させるステップと、半導体発光構造１４０に電極を設置するステップと、ギャップに沿って基板を切断し、複数の発光ダイオードチップを形成するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】レーザー光で切削して半導体素子用ウェハをチップ化するときのデブリの飛散による汚染を防止する。
【解決手段】半導体積層部と、前記半導体積層部の第二の面側に設けられる金属層と、前記金属層の前記半導体積層部とは反対側に設けられる支持基板と、前記半導体積層部の第一の面側に設けられ前記半導体積層部に電気的に接続される第一電極と、前記支持基板の前記金属層とは反対側に設けられ前記半導体積層部に電気的に接続される第二電極と、前記半導体積層部の前記第一の面側および前記半導体積層部における素子加工により露出した前記半導体積層部の表面を被覆する絶縁性保護膜と、を備える半導体素子用ウェハにおいて、前記絶縁性保護膜は、前記半導体素子用ウェハをチップ化するレーザー光が照射される切削領域上には形成されず、前記半導体積層部の表面の一部が露出していることを特徴とする半導体素子用ウェハである。 （もっと読む）

【課題】中間層の一部が露出している支持基板であっても、それに適切な処理を加えることにより、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる半導体デバイスの製造方法およびエピタキシャル成長用の支持基板を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層４０をエピタキシャル成長させることができる下地基板１０と、下地基板１０上に全面的に配置された中間層２０と、中間層２０上に部分的に配置されたＧａＮ層３０ａとを含み、ＧａＮ層３０ａと中間層２０の一部とが露出している支持基板２を形成する工程と、支持基板２の中間層２０が露出している部分２０ｐ，２０ｑ，２０ｒを選択的に除去することにより、下地基板１０の一部を露出させる工程と、ＧａＮ層３０ａ上に、ＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ｐ形ＧａＮ層に応用した場合に望ましい光学及び電気特性を呈する透光性接触部を形成する方法の提供。
【解決手段】オプトエレクトロニクス素子（１０）のｐ形ＧａＮ層（２０、３０）の表面上に、金属酸化物からなる透光性接触部を成膜技術によって形成する。透光性接触部は、所望の金属を成膜前又は成膜中に酸化して形成する。金属酸化物は、ＮｉＯ、ＩＩ属金属酸化物、遷移金属酸化物等から選択されて成る。透光性接触部には、更に貴金属が添加され得る。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板を有する発光素子の製造時におけるバッファ層の剥離の発生を抑制することができる発光素子の製造方法及び発光素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子１を、ＭＯＣＶＤ装置２内でＧａ_２Ｏ_３基板１０上にバッファ層１１を形成し、その後、ＭＯＣＶＤ装置２内を窒素雰囲気とし、７００℃から１０３５℃の成長温度にてバッファ層１１上にＧａＮ層１２ａを形成して製造する。 （もっと読む）

【課題】支持基板と半導体層とを分離するために照射される光について、支持基板と半導体層との間に形成される中間層の光熱変換層で吸収されない光が半導体層に透過するのを防止する半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、光熱変換層２１と第１の透明層２３とを含む中間層２０を有する積層支持基板１の作製工程と、積層貼り合わせ基板２の作製工程と、エピ成長用積層支持基板３の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の作製工程と、デバイス用積層支持基板４の光熱変換層２１で吸収され第１の透明層２３で全反射されるように光照射することによるデバイス用積層ウエハ５の作製工程と、透明半導体積層ウエハ６を含む半導体デバイス７の作製工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低コストで作製することができ、良好な発光特性を得ることができる発光素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤが形成され、青色域の光を放射する発光層前駆体１１１と、発光層前駆体１１１が積層されるサファイアからなる透明層前駆体１１２と、青色域の光により黄色光が励起される蛍光体を含む蛍光層前駆体１１３とを用意する。透明層前駆体１１２の接合面１１２ａと、蛍光層前駆体１１３の接合面１１３ａにむけて荷電粒子５を放射し活性化する。その後、接合面１１２ａ、１１３ａ同士を接触させ、透明層前駆体１１２と蛍光層前駆体１１３を常温接合して、発光層前駆体１１１、透明層前駆体１１２および蛍光層前駆体１１３からなる発光素子前駆体１１５を得る。発光素子前駆体１１５を１対の電極１５Ａ、１５Ｂを一つの単位として切断し、複数の発光素子１０を得る。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、半導体積層体の上で、半導体積層体に直接的に接続された第１上部電極と、半導体積層体の上で、半導体積層体に第１コンタクト層を介して接続され、第１上部電極から延出された、少なくとも１つの第２上部電極と、半導体積層体の下に設けられた下部電極と、を備える。発光素子は、半導体積層体と、下部電極と、の間に設けられ、発光層から発せられる光を透過する透明導電層と、透明導電層と、下部電極と、の間に設けられた光反射層と、半導体積層体と、透明導電層と、の間および半導体積層体と、第１上部電極および第２上部電極と、の間の少なくともいずれかに設けられ、発光層の主面に対して垂直な方向からみて少なくとも１つのスリットが選択的に設けられた電流阻止層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗値を低減させて、下地膜とのオーミック接触を可能とする。
【解決手段】低抵抗の透明配線材料や透明電極材料として活用されるＩＴＯ膜およびその製造方法において、ＩＴＯ膜を低温度でスパッタリングして形成し、まず、非結晶体のアモルファス状態にする。次に、酸素雰囲気で熱処理（アニール処理）を行うことにより、ＩＴＯ膜を結晶化すると共に、ＩＴＯ膜の面指数（２２２）の結晶強度が面指数（４００）の結晶強度よりも強くなるように結晶配向性がコントロールされる。 （もっと読む）

【課題】高電流通電時の電流の集中や光の吸収や多重反射を防ぐ補助電極を形成することにより、光の透過率と発光出力と信頼性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を順次積層する工程と、前記ｐ型半導体層上に、絶縁層と、ｐ型パッド部及び前記ｐ型パッド部から伸びた線状のｐ型補助電極部を有する金属からなるｐ型電極層と、を形成する工程と、前記ｐ型半導体層及び前記ｐ型電極層を覆うように透光性電極を形成する工程と、前記透光性電極上の前記ｐ型電極層の前記ｐ型パッド部に重なる位置に、前記ｐ型ボンディングパッド電極を形成する工程と、を具備してなることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を単純化できると共に、光の減衰を抑えることを可能にした発光装置を提供する。
【解決手段】面発光の発光ダイオード３をセラミック基板２上に載置し、発光ダイオード３の周囲の端面からほぼ垂直に立つ形状で樹脂６を塗布し、樹脂６の発光ダイオード３に向かう側面に光反射剤７を吹き付ける。発光ダイオード３の周囲に光反射剤７で覆われた樹脂があるために、発光ダイオード３から出射した光が光反射剤７により最短の位置で反射する。これにより、発光ダイオード３から出射した光の減衰を最小限に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光抽出効率を改善して、光効率を向上させること。
【解決手段】実施例は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下部に形成されて、前記活性層から放出される光を放出する透明支持層と、前記透明支持層の下部に形成され、前記透明支持層を取り囲む反射層と、前記反射層の下部に形成され、前記反射層を取り囲む伝導層と、を含む発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】蛍光体分散液及び前駆体溶液を塗布装置に補充する際に生じる濃度変化を抑制することができるカートリッジを提供し、さらに、このカートリッジから供給される蛍光体分散液及び前駆体溶液を用いて、蛍光体が均一に分散された蛍光体分散膜を発光装置に形成して、発光装置が発光するときの色度の変化やバラツキを抑制することができる塗布装置を提供する。
【解決手段】波長変換部を形成するための蛍光体分散膜を発光装置の発光面に塗布する塗布装置に、蛍光体を含有する塗布液を供給する供給体を、波長変換特性を有する蛍光体を含有する蛍光体分散液が充填される第１充填室と、透光性セラミックの前駆体組成物を含有する前駆体溶液が充填される第２充填室と、を一対一体状に備えたカートリッジとする。 （もっと読む）

【課題】高いボンディング性と高い効率とを有する半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第２半導体層の上に、透過性で１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の厚さの第１導電層を形成し、第１導電層の一部と、第１半導体層の上に高反射導電膜を形成する。高反射導電膜を加工して、第１導電層の第２半導体層とは反対の側の第１主面に沿って延在する延在部を有し、アルミニウム、銀及びロジウムの少なくともいずれかを含む第３導電層を形成する。第１導電層の一部の上に、第３導電層の延在部の少なくとも一部を露出させ第１導電層に対する密着力が第３導電層の第１導電層に対する密着力よりも大きく、第１主面に対して平行な方向に沿った幅が３０μｍ以上８０μｍ以下の第２導電層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高輝度かつ低順方向電圧の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第一の導電型層１１と第二の導電型層１２に挟まれた発光層１３を有する化合物半導体１４において、第一の主表面１１ａを光取り出し面とし、第二の主表面１２ａに発光層１３からの光を第一の主表面１１ａ側に反射させる反射金属膜１５を介して、支持基板１６と化合物半導体１４が結合され、化合物半導体１４の第二の主表面１２ａと反射金属膜１５間に透明絶縁膜１７を有し、透明絶縁膜１７の一部に貫通して化合物半導体層と電気的にオーミック接合する界面電極１８を有する半導体発光素子において、発光波長が７８０ｎｍ以上の赤外光であり、第一の導電型層１１の内、Ｖ族がＡｓ系層である総膜厚が１．０μｍ以上であり、第一の導電型層１１、発光層１３、第二の導電型層１２および各層内のアンドープ層の各ヘテロ接合界面におけるバンドギャップの差が、０．３０ｅＶ以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＧａＮ系化合物半導体発光素子及びその製造方法に関し、金属保護膜層と金属支持層により水平型発光素子の特性を高めることのできる垂直型ＧａＮ発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、垂直型ＧａＮ−ＬＥＤの側面及び／または下面に１０ミクロン以上の厚い金属保護膜層を形成して外部の衝撃から素子を保護することができ、チップ分離を容易に行うことができる他、サファイア基板の代わりに金属基板を用いて素子動作時に生じる熱放出を容易に行うことができることから、高出力素子に用いて好適であり、しかも、光出力特性が向上した素子を製造することができ、金属支持層を形成してチップの分離時に素子が歪んだり衝撃により損傷されたりするような現象を防ぐことができ、ｐ型電極をｐ−ＧａＮ上に網目状に部分的に形成して活性層において形成した光子がｎ−ＧａＮ層に向かって放射されることを極大化させることができる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤとの密着性に優れたパッド電極を備える窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子は、窒化物系の半導体層と、半導体層上に設けられた、複数の金属層を積層して構成される電極構造と、を備え、電極構造は、半導体層側に配置される第一金属層７１ａと、第一金属層上に配置される第二金属層７１ｂと、第二金属層上に配置されるボンディング層７３と、を含み、第一金属層７１ａは、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｐｔから選択される少なくとも一を含み、第二金属層７１ｂは、Ｈｆを含み、ボンディング層７３は、Ａｕを含む。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く光取り出し効率が高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光層と、透光層と、第１窒化物半導体層と、第２窒化物半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光層は、窒化物半導体の活性層を含む。前記透光層は、前記発光層から放出される光に対して透光性を有し、酸化珪素、または、任意の元素が添加された酸化珪素からなり非晶質である。前記第１窒化物半導体層は、前記発光層と前記透光層との間において前記透光層に接する。前記第１窒化物半導体層は、前記透光層の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有し、前記活性層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、面内方向の引っ張り応力を有し、第１導電形である。前記第２窒化物半導体層は、前記発光層の前記透光層とは反対側の面に設けられ、第２導電形である。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供する。
【解決手段】組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０≦Ｘ２≦１）の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層１１と、該活性層１１を挟む第１のクラッド層９と第２のクラッド層１３とを有する発光部７と、発光部７上に形成された電流拡散層８と、電流拡散層８に接合された機能性基板３とを備え、第１及び第２のクラッド層９、１３が組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなり、井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フェイスアップ型の発光素子がサブマウントに実装された発光装置において、ワイヤを用いずに位置精度よく実装すること。
【解決手段】発光装置は、III 族窒化物半導体からなるフェイスアップ型の発光素子１と、サブマウント２で構成されている。発光素子１は貫通孔１７、１８を有し、サブマウント２は２つの棒状電極２２を有している。サブマウント２の棒状電極２２は、発光素子１の貫通孔１７、１８にそれぞれ差し込まれている。棒状電極２２の先端部２２ａは発光素子１のｎパッド電極１４、ｐパッド電極１６表面から突出し、その先端２２ａは潰されて広がり、発光素子１のｎパッド電極１４、ｐパッド電極１６に接続されている。 （もっと読む）