【課題】同一の発光ピーク波長をもつ２層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板１０２の上面側に、中間電極１０４、下側第１導電型半導体層１０６、第１発光層１０８、第２導電型半導体層１１０、第１発光層１０８と同一の発光波長を有する第２発光層１１２、上側第１導電型半導体層１１４および上側電極１１６を順次具え、支持基板１０２の下面側に設けられる下側電極１１８と、上側第１導電型半導体層１１４および第２発光層１１２を貫通する凹部１２０に設けられ、第２導電型半導体層１１０と電気的に接続する基準電極１２２と、を有し、第１発光層１０８の電流が流れる有効領域１０８ａを規制する絶縁部１２６を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】発光層１４上に、ＭＯＣＶＤ法によってｐ−ＡｌＧａＮからなるｐクラッド層１５を形成する。圧力３０ｋＰａ、Ｍｇ濃度は１．５×１０²⁰／ｃｍ³ とする。これにより、III 族元素極性の結晶に窒素極性の領域が多数生じ、ｐクラッド層１５の表面は六角柱状の凹凸形状となる。次に、ｐクラッド層１５上に、ＭＯＣＶＤ法によって凹凸形状に沿って膜状にＧａＮからなるｐコンタクト層１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】成長用基板の剥離の際の半導体層の損傷を抑制した半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子用ウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、凹凸が設けられた主面を有する第１基板の主面上に、発光層を含む窒化物半導体層を形成する工程と、窒化物半導体層と第２基板とを接合する工程と、第１基板を介して窒化物半導体層に光を照射して第１基板を窒化物半導体層から分離する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。窒化物半導体層を形成する工程は、凹凸の凹部の内壁面上に窒化物半導体層の少なくとも一部と同じ材料を含む薄膜を形成しつつ、凹部の内側の空間内に空洞を残すことを含む。分離する工程は、薄膜に光の少なくとも一部を吸収させて、窒化物半導体層のうちで凹部に対向する部分に照射される光の強度を、窒化物半導体層のうちで凹凸の凸部に対向する部分に照射される光の強度よりも低くすることを含む。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率および輝度が高められた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、III-V族化合物半導体からなる発光層と、反射金属層を有する第１電極と、開口部を有する絶縁層と、第１導電形層と、第２導電形層と、第２電極と、を有する。前記第１導電形層は、前記第１電極の上であり前記発光層の下に設けられ、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するIII-V族化合物半導体からなる。第１導電形層は、第１コンタクト層、組成傾斜層、第１クラッド層を含む。前記第２導電形層は、前記発光層と前記第２電極との間に設けられ、電流拡散層および第２コンタクト層を有する。前記第２電極は、パッド部と、前記パッド部から外方に向かい前記第２コンタクト層の上に延在する細線部、とを有する。上方からみて、前記絶縁膜の前記開口部と、前記第２コンタクト層とは、重ならない。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を保ちつつ輝度が高められた半導体発光素子および量産性に富むその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、反射層と、支持基板と、第１接合電極と、第２接合電極と、を有する。前記反射層は、前記半導体積層体の側の第１の面および前記第１の面の反対の側の第２の面を有し、金属からなる。前記第１接合電極は、前記第２の面と前記支持基板との間に設けられ、前記支持基板の側に突出した凸部と、平面視で前記凸部の周囲に設けられた底部と、を有する。前記第２接合電極は、前記第１接合電極の前記凸部と嵌合する凹部を有し、前記支持基板と、前記第１接合電極と、を接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】効率が高い窒化物半導体素子及び窒化物半導体層成長用基板を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板と、半導体機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。前記基板は、単結晶である。前記半導体機能層は、前記基板の主面上に設けられ、窒化物半導体を含む。前記基板は、前記主面内に配置された複数の構造体を有する。前記複数の構造体のそれぞれは、前記主面上に設けられた凸部、または、前記主面上に設けられた凹部である。前記複数の構造体の配列の最近接の方向と、前記基板の結晶格子の前記主面に対して平行な平面内における最近接の方向と、の間の角度の絶対値は、１度以上１０度以下である。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子、ウェーハ、および窒化物半導体結晶層の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆う。 （もっと読む）

【課題】再現性よく光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、透明電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられ活性層を有する。前記第２半導体層は、前記発光層の上に設けられている。前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆い、一部または全部が前記第１半導体層に埋め込まれている。前記透明電極は、前記光取り出し面および前記低屈折率層を覆い前記発光層から放出される光に対して透光性を有する。 （もっと読む）

【課題】高い光取出し効率を実現でき、かつ、製造が容易で低コストな発光ダイオード用基板及び発光ダイオードを提供する。
【解決手段】表面ｓに発光層７を含む半導体層３が形成される発光ダイオード用基板であって、サファイア基板からなり、表面ｓには、発光層７が発光する光を乱反射するランダムに配置された凹凸が形成され、かつ、凹凸は結晶方位を反映して形成されており、凹凸の高さが１μｍ以上５μｍ以下であり、表面のＸ線回折ロッキングカーブ半値幅が６０秒以下である。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム等からなるクラッド層等の下地層上に、窒化ガリウムより格子定数が大きい窒化ガリウム・インジウムからなる発光層を設けるのに際し、発光層中へのインジウムの取り込みを促進させた窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と、接して配置され且つｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層よりも大きな格子定数の結晶を含む窒化ガリウム・インジウム層からなる発光層と、発光層上に設けられたｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層とを備え、インジウムより原子半径が小さい元素からなるドナー不純物の原子濃度を、ｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層の内部よりもｎ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層と発光層との界面において低く、且つ、上記界面よりも発光層とｐ形窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層との界面において高くする。 （もっと読む）

【課題】半導体層の劣化及び破壊を抑制した半導体発光素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を含む半導体発光素子が提供される。下地層は、シリコン基板の上に形成される。第１半導体層は、下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、複数の障壁層どうしの間に設けられＧａＩｎＮを含む井戸層と、を含む。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み第２導電形である。下地層は、２ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さを有し、Ａｌを含む窒化物半導体を含むＡｌ含有中間層を含む。Ａｌ含有中間層は、第１半導体層の側の面に設けられた凹凸部を有し、凹凸部の表面粗さＲａは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】放熱性を高めて光取り出し効率を改善することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、積層構造体と、第１電極と、第２電極と、誘電体部と、を備える。積層構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第１半導体層の一部に対向する第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層の前記一部と第２半導体層とのあいだに設けられた発光層と、を含む。積層構造体は、第１半導体層側の第１主面と、第２半導体層側の第２主面と、を有する。第１電極は、第２主面の側で第１半導体層と接する接触部を有する。第２電極は、第２主面で第２半導体層と接する第１部分と、第１部分と電気的に接続され、第１半導体層から第２半導体層へ向かう積層方向にみたときに、接触部と重なる部分を有する第２部分と、を有する。誘電体部は、接触部と、第２部分と、のあいだに設けられる。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体素子及びウェーハを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、バッファ層と、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。バッファ層は、サファイアまたはシリコンの基板上で形成された、Ｇａ_ｘ１Ａｌ_１−ｘ１Ｎ（０．１≦ｘ１＜０．５）を含む。下地層は、バッファ層の上に形成され、転位密度が５×１０^８ｃｍ^−２以下であり、窒化物半導体を含む。第１半導体層は、下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられ、交互に積層された複数の障壁層及び複数の井戸層を含む。井戸層のＩｎ組成比は障壁層よりも高い。複数の井戸層のそれぞれの厚さは、複数の障壁層のそれぞれの厚さよりも厚い。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み第２導電形である。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を有する発光ダイオード(LED)基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板を含む発光ダイオード(LED)基板を提供する。サファイア基板は、複数の上部三角・下部六角テーパー部からなる表面を有する。上部三角・下部六角テーパー部の各々は、六角テーパー部と、該六角テーパー部上の三角テーパー部とからなる。上部三角・下部六角テーパー部どうしの間隔幅は、10μｍ未満である。このLED基板は、高い発光効率を有する。 （もっと読む）

【課題】工程数が少なく生産性を向上する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、パッド電極層形成工程Ｓ１１で、窒化物半導体発光素子構造上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極となるパッド電極層を形成し、レジストパターン形成工程Ｓ１２で、パッド電極層上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する領域を被覆するレジストパターンを形成する。次に、パッド電極層エッチング工程Ｓ１３で、このレジストパターンをマスクとして、パッド電極層をエッチングしてｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する。続いて、このレジストパターンを除去せずに、保護層形成工程Ｓ１４で、窒化物半導体発光素子構造の表面およびレジストパターン上に絶縁性の保護層を形成した後に、レジストパターン除去工程Ｓ１５で、レジストパターンを除去する。 （もっと読む）

【課題】放熱効率の高い発光ダイオードを低コストで製造する。
【解決手段】半導体層２０等がチップ間で分離された状態で金属板７０のウェットエッチングを行う（金属板切断工程）。このエッチングに際しては、放熱板３０の材料に応じたエッチング液を用いることができる。また、このウェットエッチングの際にフォトレジスト層５０が残存するような設定とされる。これにより、ダイシングシート１００上で放熱板３０も発光ダイオードチップ毎に分離され、図４（ｊ）の形態が得られる。分離後にフォトレジスト層５０を剥離液で除去することにより、最終的に図４（ｋ）のように、分離された個々の発光ダイオード１０が得られる。この製造方法において、最終的なチップの分離は、図４（ｊ）に示されるウェットエッチングにより行われる。 （もっと読む）

【課題】歪みを減少し、品質を向上させることができる成長基板及び発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成され、前記シリコン基板の一部を露出する第１バッファ層と、前記第１バッファ層及び前記露出されたシリコン基板を覆い、前記シリコン基板と共晶反応する物質からなる第２バッファ層と、前記第２バッファ層上に形成される第３バッファ層と、前記第３バッファ層上に形成される発光構造物とを備え、前記第２バッファ層はボイドを含む。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、透明電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を低減できる生産性の高い半導体発光装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、被処理ウェーハとターゲットとの間に磁界を介在させるスパッタ法を用いて透明電極を形成する。そして、前記磁界を遮蔽した状態で、前記透明電極に含まれる第１の透明導電膜を前記被処理ウェーハの表面に形成する工程と、前記被処理ウェーハと前記ターゲットとの間に前記磁界を介在させ、前記透明電極に含まれる第２の導電膜を前記第１の透明導電膜の上に形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光取出し効率および軸上光度の両方または少なくとも一方が改善された窒化物系ＬＥＤ等を提供する。
【解決手段】
本発明の一形態の窒化物系ＬＥＤは、窒化物半導体基板のおもて面上に窒化物半導体からなる発光構造を有し、該基板の裏面には粗化領域が設けられており、該粗化領域は複数の突起を有しており、該複数の突起の各々は頂点または頂面を有し、かつ、その水平断面が隣接する他の突起と接する部分を除いて円形であり、かつ、該水平断面の面積が該頂点または頂面に近づくにつれて減少しており、更に、該複数の突起は、いずれのひとつに対しても他の６つが接触するように配置されており、該発光構造で生じる光が該粗化領域を通して外部に出射される、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体の無極性面または半極性面を機械的に加工する工程を含みながらも、該加工に起因する発光効率の低下が防止される、無極性または半極性の窒化物系ＬＥＤの製造方法を提供する。
【解決手段】無極性または半極性の窒化物半導体基板を含む窒化物半導体積層体を準備する第１工程と、該窒化物半導体積層体の底面を機械的に削ることによって該窒化物半導体積層体の厚さを減じる第２工程と、該第２工程で生じる着色部が除去されるように該窒化物半導体積層体の底面をドライエッチする第３工程と、を有し、該第３工程では、エッチバック法を用いることによって該窒化物半導体積層体の底面の平坦性を改善する、窒化物系ＬＥＤの製造方法が提供される。 （もっと読む）