【課題】Ｇａ_２Ｏ_３基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、Ｇａ_２Ｏ_３基板２と、Ｇａ_２Ｏ_３基板２上のＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなるバッファ層３と、バッファ層３上の、酸素を不純物として含むＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）結晶からなる窒化物半導体層４と、を含む結晶積層構造体１を提供する。窒化物半導体層４のＧａ_２Ｏ_３基板２側の２００ｎｍ以上の厚さの領域４ａの酸素濃度は、１．０×１０^１８／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】高性能で高信頼性の、銀を用いた電極を有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、反射電極と、酸化物層と、窒素含有層と、を含む半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられる。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、第２導電形である。反射電極は、第２半導体層の上に設けられ、Ａｇを含む。酸化物層は、反射電極の上に設けられ、開口部を有し、絶縁性である。窒素含有層は、酸化物層の上に設けられ、開口部に繋がる開口部を有し、絶縁性である。 （もっと読む）

【課題】
ｐ側窒化物半導体層における電流拡散性を向上させた窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、およびｐ型窒化物半導体層が順に積層された窒化物半導体素子であって、前記ｐ型窒化物半導体層において、ｐ型コンタクト層と、前記ｐ型コンタクト層と組成の異なるＡｌＮ層とを有し、前記ｐ型コンタクト層と前記ＡｌＮ層とが接していることを特徴とする窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりを向上させることが可能な半導体発光装置及びその製造方法を提供す
る。
【解決手段】 光を出射する発光部２と、前記発光部２の一方の主面Ｍ１側に設けられ、
蛍光体を含有する波長変換部８と、前記波長変換部８上に設けられている透明樹脂部９と
を備え、透明樹脂部９は、弾性率とショア硬さのうち少なくとも一方の値が波長変換部８
より高いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素層を形成した場合でも、窒化物半導体層の転移密度を低減することができるとともに、窒化物半導体層の表面モフォロジーを優れたものとすることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】斜めファセットを有する第２の窒化物半導体層を有機金属気相成長法により形成する工程において、有機金属気相成長装置の成長室に供給されるＩＩＩ族元素ガスに対するＶ族元素ガスのモル流量比が２４０以下である窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】光取出し効率を改善した発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子５０１は、基板としてのサファイア基板１と、この基板の表面において、互いに異なる導電型を有する２つの半導体層としてのｎ型半導体層２およびｐ型半導体層４によって厚み方向に挟まれる状態で配置された発光層３と、前記２つの半導体層のうちの前記基板から遠い側の一方の半導体層であるｐ型半導体層４に重なるように配置された透明電極層５と、透明電極層５の上面の少なくとも一部を覆うように、透明電極層５よりも高い屈折率を有する透明材料で設けられた平坦層８と、平坦層８の上側に配置された凹凸層９とを備える。 （もっと読む）

【課題】キャップ層表面でのひび割れの発生を抑制することが可能な、半導体発光デバイス及び半導体発光デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体発光デバイスは、所定の基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上の一部に形成された量子井戸層と、量子井戸層上に形成された、ｐ−ＧａＮからなるｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層上に形成された、ｐ−ＩｎＧａＮからなるキャップ層と、キャップ層上、及び、量子井戸層の形成されていないｎ型窒化物半導体層上にそれぞれ形成されたコンタクト電極と、を備える。本発明に係る半導体発光デバイスのキャップ層では、当該キャップ層とｐ型窒化物半導体層との間の界面からコンタクト電極の形成された側の面に向かうにつれて、キャップ層に含まれるＩｎの割合が増加する。 （もっと読む）

【課題】より小型化された発光装置を、安定的にかつ確実に実装基板に実装することができる発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体発光素子２と、半導体発光素子２よりも小さな平面積を有する保護素子１８と、半導体発光素子２及び保護素子１８を支持する基材１とを含み、基材１の半導体発光素子２を支持する面から裏面に貫通するスルーホール１５を有する発光装置であって、半導体発光素子２、保護素子１８及びスルーホール１５の重心が直線状に配置されてなる発光装置。 （もっと読む）

【課題】より小型化された発光装置を、安定的にかつ確実に実装基板に実装することができる発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】上面に形成された窪み部１３と、対向する少なくとも一対の側面１ｃ、１ｅと、裏面に形成され、対向する一対の側面のいずれか一方の側面１ｃ、１ｅに至る凹部１６と、窪み部１３内から裏面の凹部１６内に貫通するスルーホール１５とを備える基材１及び半導体発光素子２を含む発光装置であって、基材１の一対の側面１ｃ、１ｅは、裏面側に垂直部１ｃｓ、１ｅｓ及び上面側にテーパー部１ｃｔ、１ｅｔを備えており、垂直部１ｃｓ、１ｅｓは、上端が窪み部１３の底面より上面側に配置され、垂直部１ｃｓ、１ｅｓの高さＨｓ及び凹部１６の深さＤｏが、Ｈｓ−Ｄｏ＞Ｄｏを満たす発光装置。 （もっと読む）

【課題】より小型化された発光装置を、安定的にかつ確実に実装基板に実装することができる発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体発光素子２と、半導体発光素子２と電気的に接続された第１及び第２導電部材１１、１２を備え、半導体発光素子２を支持する基材１とを含み、基材１が、長手方向及び短手方向にそれぞれ延長して対向する２対の側面１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆを有し、記半導体発光素子１支持面に対する裏面１ｂであって長手方向に延長して対向する少なくとも一方の側面に、少なくとも１つの凹部１６を備え、凹部１６は、基材１の半導体発光素子２支持面から裏面１ｂに貫通するスルーホール１５を有する発光装置であって、凹部１６は、長手方向に延長して対向する一対の側面に跨って配置されてなる発光装置。 （もっと読む）

【課題】
コストおよび閾値電圧が上がることなく、静電耐圧特性を向上させた発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層、およびｐ側窒化物半導体層が順に積層され、前記ｎ側窒化物半導体層上および前記ｐ側窒化物半導体層上に、それぞれｎ側電極およびｐ側電極が設けられた発光素子において、前記ｎ側窒化物半導体層が、前記ｎ型電極と接する上部ｎ型コンタクト層と下部ｎ型コンタクト層とで構成されるｎ型コンタクト層を有し、前記上部ｎ型コンタクト層と前記下部ｎ型コンタクト層との間に、前記上部ｎ型コンタクト層および前記下部ｎ型コンタクト層のいずれとも組成の異なるＡｌＮ層が設けられており、前記ＡｌＮ層と前記ｎ側電極との間の距離が、前記ＡｌＮ層と前記基板との間の距離よりも短いことを特徴とする、発光素子。 （もっと読む）

【課題】低電圧で高輝度の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１、第２電極層、第１、第２半導体層、発光層及び第１中間層を含む半導体発光素子が提供される。第１電極層は、金属部を有する。金属部には、円相当直径が１０ｎｍ以上５μｍ以下の複数の貫通孔が設けられている。第２電極層は光反射性である。第１半導体層は、第１電極層と第２電極層との間に設けられ第１導電形である。第２半導体層は第１半導体層と第２電極層との間に設けられ第２導電形である。発光層は、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられる。第１中間層は、第２半導体層と第２電極層との間に設けられ、光透過性である。第１中間層は、複数の第１コンタクト部と、第１非コンタクト部と、を含む。第１非コンタクト部は、積層方向に対して垂直な平面内において第１コンタクト部と並置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光装置に関する。
【解決手段】本発明は、互いに対向する第１及び第２面とを有し、上記第１及び第２面を夫々提供する第１及び第２導電型半導体層とその間に形成された活性層を有し、分離溝によって第１及び第２領域に分割された半導体積層体と、上記第１領域の第２面から上記活性層を経て上記第１導電型半導体層の一領域に連結された少なくとも一つのコンタクトホールと、上記半導体積層体の第２面上に形成され、上記少なくとも一つのコンタクトホールを介して、上記第１領域の第１導電型半導体層に連結され、上記第２領域の第２導電型半導体層に連結された第１電極と、上記第１領域の第２面上に形成され、上記第１領域の第２導電型半導体層に連結された第２電極と、上記第２電極と上記第２領域の第１導電型半導体層とを連結する電極連結部と、を含む半導体発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】色度ばらつきを低減した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、第１の面とその反対側に形成された第２の面と発光層とを含む半導体層と、第２の面における発光層を有する領域に設けられたｐ側電極と、第２の面における発光層を含まない領域に設けられたｎ側電極とをそれぞれが含む３つ以上のチップと、第１の面上に設けられた同種類の蛍光体層とを備えている。チップは、平面視で中央に位置する中央チップと、中央チップを挟んで対称配置された少なくとも２つの周辺チップとを有する。周辺チップ間で第１の面上の蛍光体層の厚さは同じであり、中央チップの第１の面上の蛍光体層と、周辺チップの第１の面上の蛍光体層とは、厚さが異なる。 （もっと読む）

【課題】発光効率を改善した発光素子を提供する。
【解決手段】発光サイリスタ１０は、ｐ型の半導体基板１２と、ｐ型の第１の半導体層１６と、量子井戸構造２０と、キャリアブロック調整層２４を含むｎ型の第２の半導体層２２と、ｐ型の第３の半導体層２６と、ｎ型の第４の半導体層２８と、半導体基板の裏面に形成された裏面電極３０と、第４の半導体層２８上に形成された上部電極３２と、ゲート電極３４とを有する。キャリアブロック調整層のバンドギャップは、正孔に対するエネルギーレベルが量子井戸構造のバリア層のエネルギーレベルよりも高くなるように調整される。 （もっと読む）

【課題】色ムラの少な発光素子及び発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、発光層を有する半導体層を具備する発光素子と、発光素子上に、発光層からの光を変換する波長変換部材が含有された被覆部材と、を有する被覆部材付き発光素子であって、発光素子は、半導体層の下面に反射部材を有し、被覆部材は、その縁部が、発光層の側面よりも下側で、且つ、発光素子の下面よりも上側に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光特性のばらつきを抑制することができ、且つ、光の取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、基板と、前記基板の一方の主面の側に設けられた第１の電極と、前記第１の電極の上に設けられた第２の電極と、前記第２の電極の上に設けられた第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２の半導体層と、を備えている。
そして、前記第２の電極は、前記第１の半導体層が設けられる側の面に複数の第１の凹部を有している。 （もっと読む）

【課題】光透過率が高く、かつ電極との接触抵抗が低いβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板、そのβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板を含むＬＥＤ素子、及びＬＥＤ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ドナー含有β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる低ドナー濃度層２ａと、低ドナー濃度層２ａ上に積層された、ドナー含有β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる、第１電極３を接続するための高ドナー濃度層２ｂとを含むβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板２を提供する。高ドナー濃度層２ｂは、厚さが１μｍ以下であり、低ドナー濃度層２ａよりも薄く、低ドナー濃度層２ａよりもドナー濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】素子作製時の裏面チッピングを抑制する。
【解決手段】半導体発光素子用ウエハを切削して素子化する半導体発光素子の製造方法において、前記半導体発光素子用ウエハは、半導体積層部と、前記半導体積層部の第一主面側に設けられる第一電極と、前記半導体積層部の第二主面側に設けられる金属層と、前記金属層の前記半導体積層部とは反対側に設けられる支持基板と、前記支持基板の前記金属層とは反対側に設けられる第二電極とを備え、前記半導体発光素子用ウエハの切削は、前記半導体発光素子用ウエハの第一方向及び該第一方向と直交する第二方向の複数の切削ラインに沿って、前記半導体発光素子用ウエハを前記支持基板の途中の深さまで切削して前記半導体発光素子用ウエハに格子状のハーフカット溝を形成する第一切削工程と、前記支持基板を完全に切断し溝の深さが前記半導体発光素子用ウエハに貼り付けたダイシングシートにまで達するように前記ハーフカット溝を更に切削する第二切削工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が良好で、パッド電極が剥がれにくく、さらに反射層とそれを挟む層との間の密着性を考慮せずに高い反射性を有する材料からなる反射層を選択できる半導体発光素子およびこれを用いたランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層１２と発光層１３とｐ型半導体層１４とがこの順に積層された半導体層１０と、ｐ型半導体層１４上に形成された第１透明導電層１５ａと、第１透明導電層１５ａ上に部分的に形成された金属反射層２ａと、金属反射層２ａ上を覆うように形成された第２透明導電層１５ｂと、金属反射層２ａと平面視で重なる位置の第２透明導電層１５ｂ上に形成された正極１７とを備え、第１透明導電層１５ａおよび第２透明導電層１５ｂが、Ｉｎ_２Ｏ_３を８０質量％以上含む半導体発光素子１とする。 （もっと読む）