【課題】 小型化を図ることが可能なＬＥＤモジュールおよびイメージセンサモジュールを提供すること。
【解決手段】 本発明に係るＬＥＤモジュールは、ＬＥＤチップ２２１，２２２と、ＬＥＤチップ２２３と、ツェナーダイオード２２４，２２５と、搭載部２５１を有するリード２４１と、開口部２７１が形成された樹脂パッケージ２７０と、を備えており、ＬＥＤチップ２２１，２２２は、同一の絶縁層２６２を介してリード２４１に接合されており、ＬＥＤチップ２２３とツェナーダイオード２２４，２２５とは、同一の導電層２６１を介してリード２４１に接合されており、ＬＥＤチップ２２１，２２２とＬＥＤチップ２２３との間に、ツェナーダイオード２２４，２２５が配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板の側面からの光取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１および第２の面１１ａ、１１ｂに略直交する側面１１ｃを有している。基板１１の側面１１ｃには、第１の面１１ａから第１の距離Ｌ１だけ離間した位置から第２の面１１ｂ側に向かって、第１の粗さＲ１と第１の幅ａを有する第１の領域１２と、第１の粗さＲ１より小さい第２の粗Ｒ２さと第１の幅ａより小さい第２の幅ｂを有する第２の領域１３が交互に形成されている。第１の領域１２の面積の和と側面１１ｃの面積の比が０．５以上である。基板１１の第１の面１１ａ上に、第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光取出し面における電流密度分布の偏りを小さくする。
【解決手段】第１主面及び第２主面を有する半導体部１０と、第１主面上に配置された第１電極２０と、第２主面上に配置された第２電極と、を備え、第１電極は第１接続部２１と、第２接続部２２と、を備え、第１接続部から延伸する第１延伸部２３と第３延伸部２５と、第２接続部から延伸する第２延伸部２４と第４延伸部２６と、を備え、第１延伸部、第２延伸部、第３延伸部及び第４延伸部が部分的に互いに平行となる平行領域を有し、第３延伸部の第１接続部から平行領域までの距離は第１延伸部の第１接続部から平行領域までの距離よりも長く、第４延伸部の第２接続部から平行領域までの距離は第２延伸部の第２接続部から平行領域までの距離よりも長く、平行領域において第３延伸部と第４延伸部との距離は第１延伸部と第３延伸部との距離及び第２延伸部と第４延伸部との距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】電気的/光学的信頼性を改善できる発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージおよび照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明は、発光素子、発光素子パッケージおよび照明システムに関する。本発明の一態様による発光素ｃ子は、第１導電型の第１半導体層と、前記第１導電型の第１半導体層上の活性層と、前記活性層上の第２導電型の第２半導体層と、前記第２導電型の第２半導体層上の信頼性強化層と、前記信頼性強化層上の、光抽出パターンを有する第２導電型の第３半導体層とを備え、前記信頼性強化層と前記活性層との間の距離は０.３μm〜５μmにすることができる。 （もっと読む）

【課題】ｐコンタクト層をｐ型化し、かつ電極とのコンタクト抵抗を低減すること。
【解決手段】ｐクラッド層１４上に、ＭＯＣＶＤ法によって、ＭｇがドープされたＧａＮである第１のｐコンタクト層１５１を形成する（図２（ｂ））。次に、次工程で形成する第２のｐコンタクト層１５２の成長温度である７００℃まで降温した後、アンモニアの供給を停止し、キャリアガスを水素から窒素へと切り換えて置換する。これにより、第１のｐコンタクト層１５１のＭｇは活性化され、第１のｐコンタクト層１５１はｐ型化する。次に、前工程の温度である７００℃を維持し、キャリアガスには窒素を用いてＭＯＣＶＤ法によって、第１のｐコンタクト層１５１上に、ＭｇがドープされたＩｎＧａＮである第２のｐコンタクト層１５２を形成する（図２（ｃ））。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子から生じた光を１つの発光素子から取り出すことができる発光装置を提供する。
【解決手段】基体と、前記基体上に設けられた端面発光型素子と、前記端面発光型素子の光出射端面内を起点とし該光出射端面に略垂直な軸と交わるように、前記基体上に設けられた発光ダイオード素子と、を備え、前記端面発光型素子は、前記発光ダイオード素子の上面よりも上に発光領域を有する発光装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は窒化物半導体発光素子に関する。
【解決手段】本発明は、ｐ型窒化物半導体層とｎ型窒化物半導体層及びその間に形成された活性層を有する発光構造物と、上記ｐ型窒化物半導体層及び上記ｎ型窒化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたｐ側及びｎ側電極と、上記ｐ型窒化物半導体層と上記ｐ側電極との間に位置し、上記ｐ型電極とオミックコンタクトされるように第１不純物濃度を有する第１ｐ型窒化物膜と、上記第１不純物濃度より低い第２不純物濃度を有する第２ｐ型窒化物膜を有するコンタクト層とを含む窒化物半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子から生じた光を１つの発光素子から取り出すことができる発光装置を提供する。
【解決手段】基体と、前記基体上に設けられた端面発光型素子と、前記端面発光型素子の光出射端面内を起点とし該光出射端面に略垂直な軸と交わるように、前記基体上に設けられた発光ダイオード素子と、を備え、前記端面発光型素子が前記発光ダイオード素子の側方に設けられた発光装置である。 （もっと読む）

【課題】低コスト化の障害を回避することができる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光装置１の製造方法は、平面状の素子集合搭載基板５を形成する基板形成工程と、素子集合搭載基板５に閉塞した枠部材５Ｂを形成する枠形成工程と、枠部材５Ｂの内側に複数個のＬＥＤ素子３を搭載する素子搭載工程と、枠部材５Ｂの内側に封止部材４となる液状材料を注入して複数個のＬＥＤ素子３を封止する封止工程と、複数個のＬＥＤ素子３を素子集合搭載基板５及び封止部材４とともに分割し、側面から封止部材４が露出した複数個の発光装置１を得る分割工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】
従来の白色部材被覆型のＬＥＤ発光装置や、アンダーフィルを施したＬＥＤ発光装置では、ＬＥＤの光取出面に対する白色部材の付着が発生する危険性があり、またアンダーフィル型のＬＥＤ発光装置ではＬＥＤの側面方向の出射光を十分に利用することがなされていなかった。
【解決手段】
発光素子の外形より大きい形状の蛍光体板に、バンプ実装された発光素子の発光面側を透明接着材にて接着すると共に、前記発光素子の側面と前記蛍光体板の下面との間に透明樹脂を充填し、前記充填された透明樹脂の形状が前記発光素子の実装面側の角部より蛍光体板に向かって円弧状に形成された発光素子チップを構成し、該発光素子チップを回路基板上の配線電極にフリップチップ実装した。 （もっと読む）

【課題】発光面の色むらおよび照度むらの少ない平面発光モジュールを実現する。
【解決手段】反射膜１７が施された基板１２上に複数の発光素子１８が実装される。第１透明樹脂層２４は、発光素子１８を封止するように配置される。第２透明樹脂層２６は、第１透明樹脂層２４との間に空気層２５を挟んで配置される。第１および第２透明樹脂層内には、発光素子１８からの放射光を波長変換する蛍光体が分散配置されており、第２透明樹脂層２６を外部から見たときに擬似白色光が観察されるように、蛍光体が選択される。 （もっと読む）

【課題】スプレー噴射時には、蛍光体含有液を安定してスプレーノズル１２に供給し、スプレー非噴射時には、不純物を混入させることなく蛍光体含有液を移動させ、これによって、蛍光体含有液が塗布される発光素子の部分的な点欠陥を低減する。
【解決手段】蛍光体塗布装置１０は、蛍光体含有液の移動を調節する移動調節部１８を有している。移動調節部１８は、スプレーノズル１２によるスプレー噴射時には、圧力タンク１５の内部に空気を供給することによって、圧力タンク１５から蛍光体含有液を押し出してスプレーノズル１２に供給する一方、スプレー非噴射時には、上記空気の供給によって圧力タンク１５から蛍光体含有液を押し出し、スプレーノズル１２を介して貯蔵タンク１４に移動させる。 （もっと読む）

【課題】
従来の白色部材被覆型のＬＥＤ発光装置では、回路基板上に実装したＬＥＤの発光面を露出させた状態で、ＬＥＤの側面側に白色部材を充填し、白色部材を硬化させた後にＬＥＤの発光面に透光性部材や蛍光体層を接着しているため、ＬＥＤの光取出面に対するコーティング材の付着が発生する危険性があり、研磨除去のような余分な工程が必要になる場合があり、生産上の問題であった。
【解決手段】
発光素子と該発光素子の発光面に透明接着剤にて接着された、前記発光素子の発光面より大きい蛍光体板と、前記発光素子をフリップチップ実装した回路基板と、前記発光素子の側面と蛍光体板の下面を充填被覆した第１白色部材と、前記発光素子の下面と回路基板間に第２白色部材を充填した。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を実現する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光素子は、基板、導電性反射膜、活性領域、第１電極、透明導電膜、及び第２電極が設けられる。導電性反射膜は基板上に設けられる。活性領域は、第１導電型透明電極、第１導電型コンタクト層、発光層、第２導電型コンタクト層、及び第２導電型透明電極が導電性反射膜上に積層形成される。第１電極は活性領域と離間し、導電性反射膜上に設けられる。透明導電膜は、一端が第２導電型透明電極上部を覆うように設けられ、他端が絶縁膜を介して記導電性反射膜上に設けられ、活性領域の側面とは絶縁膜を介して接する。第２電極は、透明導電膜の他端上に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 光の出射効率を高めながらも、耐食性に優れた半導体発光素子やその製造方法を提供する。
【解決手段】 電力を供給することで発光する発光層１２を有した半導体積層構造１１〜１４を形成し、さらにその上に、発光層１２が出射する光の少なくとも一部を反射する反射膜２ｂを有した電極２１，２２を形成する。そして、電極２１，２２の露出面を酸化することで、少なくとも反射膜２ｂの表面に酸化被膜２ｂｘを形成する。これにより、反射膜２ｂの耐食性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】光学素子とレンズ部間の調芯作業が簡単で、しかも、光学素子とレンズ部が本固定後に位置ずれしない光通信部品等を提供する。
【解決手段】光学素子４が搭載された素子パッケージ２と、レンズ部１３を有するレンズブロック体１０とを備え、光学素子４とレンズ部１３間が調芯された位置でレンズブロック体１０が素子パッケージ２に組み付けされる光通信部品１Ａであって、素子パッケージ２とレンズブロック体１０には、組み付け状態で互いに嵌り込む調芯用溝部３と調芯用突部１２がそれぞれ設けられ、調芯用溝部３は、その底面３ａに向かって幅狭となる方向に傾斜する傾斜面３ｂを有し、調芯用突部１２は、その頂面１２ａに向かって幅狭となる方向に傾斜する傾斜面１２ｂを有し、調芯用溝部３と調芯用突部１２の互いの傾斜面３ｂ，１２ｂが面接触で密着する位置で光学素子４とレンズ部１３が調芯位置に設定される。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、インジウム組成の大小に対応したピーク波長が異なる複数の光を得る。
【解決手段】ｐｎ接合型のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であって、第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び第１の導電型とは逆の導電性を示す第２の半導体層が積層された積層半導体層を備え、積層半導体層の発光層は、発光層からの発光の取り出し方向と反対側に配置され第１のインジウム組成を有する第１の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層より発光の取り出し方向側に配置され第１のインジウム組成より小さい組成の第２のインジウム組成を有する第２の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層と第２の窒化ガリウム・インジウム層との間に設けられ、第１の窒化ガリウム・インジウム層及び第２の窒化ガリウム・インジウム層を構成する材料より格子定数が小さい材料からなる中間層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップからの放熱性を向上できるＬＥＤ照明装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ照明装置１では、ＬＥＤチップ１は、金属板２上に形成されたＬＥＤ搭載凹部２ａに収納され、接着樹脂３を介してＬＥＤ搭載凹部２ａに接着固定される。接着樹脂３は、ＬＥＤチップ１の発光面に対して反対側となる裏面と、ＬＥＤ搭載凹部２ａの底部４１との間に充填されるのに加え、ＬＥＤチップ１のチップ側面５２と、ＬＥＤ搭載凹部２ａの底部側面４２との間の空隙を埋めるようにも充填される。ＬＥＤチップ１のチップ側面５２が接着樹脂３を介して熱的に金属板２に接続されることで、ＬＥＤチップ１の放熱面積が増大するため、効率よく放熱することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の側面からの光取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１０では、基板１１は対向する第１および第２の面１１ａ、１１ｂと、第１および第２の面１１ａ、１１ｂに略直交する側面１１ｃを有している。基板１１の側面１１ｃには、第１の面１１ａから第１の距離Ｌｏ１だけ離間した位置から第２の面１１ｂ側に向かって、第１の粗さＲ１と第１の幅ａを有する第１の領域１２と、第１の粗さＲ１より小さい第２の粗Ｒ２さと第１の幅ａより小さい第２の幅ｂを有する第２の領域１３が交互に形成されている。第１の領域１２の繰り返しピッチは、一定である。基板１１の第１の面１１ａ上に、第１導電型の第１半導体層と、活性層と、第２導電型の第２半導体層が順に積層された半導体積層体１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】同一の発光ピーク波長をもつ２層の発光層を有する半導体発光素子であって、高い最大電流値および発光出力を低い順方向電圧で得ることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子は、支持基板１０２の上面側に、中間電極１０４、下側第１導電型半導体層１０６、第１発光層１０８、第２導電型半導体層１１０、第１発光層１０８と同一の発光波長を有する第２発光層１１２、上側第１導電型半導体層１１４および上側電極１１６を順次具え、支持基板１０２の下面側に設けられる下側電極１１８と、上側第１導電型半導体層１１４および第２発光層１１２を貫通する凹部１２０に設けられ、第２導電型半導体層１１０と電気的に接続する基準電極１２２と、を有し、第１発光層１０８の電流が流れる有効領域１０８ａを規制する絶縁部１２６を有することを特徴とする。 （もっと読む）