【課題】光取り出し効率が向上した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、半導体層と、前記半導体層の上面に配置された第１電極と、前記半導体層の下面に配置された第２電極と、を備える半導体発光素子であって、前記半導体層の上面は第１領域と、前記第１領域よりも前記半導体層の厚みが厚い第２領域とを有し、前記第１電極はパッド電極と、前記パッド電極から延伸する補助電極と、を備え、前記第１電極は前記第２領域上にあり、前記第２領域は、前記補助電極に沿ったものと、前記補助電極と異なる方向に延伸するものと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】割断時にレーザ照射による変質層及びダイシング溝の利用により、割断ラインが蛇行せず、意図する部位で精度よく割断でき、また、得られた発光素子のダイシング溝に起因する凹部を利用して、簡便かつ確実に発光素子の光出力を向上させることができる発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１主面と第２主面とを有するサファイア基板の前記第１主面に積層された半導体層を備える発光素子、前記サファイア基板の前記第２主面が接合されて前記発光素子が載置されるパッケージ及び蛍光体が含有され、かつ前記発光素子を封止する封止部材を含む発光装置であって、前記サファイア基板は、前記第２主面の外縁が前記第１主面の外縁よりも内側に位置し、かつ前記サファイア基板の１つの曲面と前記パッケージとからなる凹部を有しており、該凹部内に前記蛍光体が配置されている発光装置。 （もっと読む）

【課題】半導体に給電するための電極の接合性および電極の信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０、ｐ型半導体層１７０、透明導電層１７０、透明導電層１７０上に形成されるｐ電極３００、ｎ型半導体層１４０上に形成されるｎ電極４００を備える。ｐ電極３００は、Ａｕを含む金属材料で構成され、外部に露出するように設けられるｐ側第２金属層３３２と、Ａｕを含むとともにｐ側第２金属層３３２よりも硬度が高い金属材料で構成され、ｐ側第２金属層３３２よりも透明導電層１７０に近い側に、ｐ側第２金属層３３２に沿って設けられるｐ側第１金属層３３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体を備える。さらに、前記積層体の前記第１半導体層側の第１主面に設けられた透明電極であって、薄膜部と、前記薄膜部よりも厚い第１の厚膜部と、前記薄膜部よりも厚く前記第１の厚膜部から前記第１主面に平行に延在するストライプ状の第２の厚膜部と、を有する前記透明電極と、前記第１の厚膜部の上に設けられた第１電極と、前記第２半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】出力を向上可能な発光素子及び発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１０において、ｐ側電極体１６０は、電極層２００と、絶縁体層２１０と、反射層２２０と、を備える。絶縁体層２１０は、電極層２００上に形成され、電気的絶縁性を有するＳｉＯ_２によって構成されている。反射層２２０は、絶縁体層２１０上に形成され、発光層１３０から放出される出射光を反射するＡｌＣｕによって構成される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子の電流拡散効率を向上させるとともに、コンタクト抵抗をも低減でき、大きな駆動電流密度においても発光均一性と高い光出力を得ながら、動作電圧を低減させる得る窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の同一面側にｎ側およびｐ側電極パッドが形成された窒化物半導体発光素子であって、ｐ側電極パッド（およびｎ側電極パッド）から枝状に延伸された延長部を形成し、それによって発光素子中の電流分布を改善する電極構造の窒化物半導体発光素子において、ｎ側およびｐ側のシート抵抗がいずれも充分に低い場合に、ｐ型窒化物半導体層上に形成された透光性導電膜からなる電流拡散層のシート抵抗を一定条件下において高くすることにより、ｐ型窒化物半導体層と電流拡散層とのコンタクト抵抗を低減し、且つ、シート抵抗の面内分布がより均一になり、光出力も向上する。 （もっと読む）

【課題】 より広い範囲を十分な照度で照らすことが可能なＬＥＤ電球を提供すること。
【解決手段】 ＬＥＤ電球１０１は、ＬＥＤチップを有する発光部２００と、発光部２００が搭載された搭載面４０１が形成された膨出部４１０を有する台座４００と、台座４００に取り付けられた基台５００と、膨出部４１０を覆い、かつ光を透過させるグローブ７００と、備える。 （もっと読む）

【課題】
複数の領域に異なる特性を有するシリコン量子ドットを有するシリコン量子ドット装置を提供する。
【解決手段】
シリコン量子ドット装置は、基板と、基板上方に配置され、第１の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む第１酸化シリコンマトリクス層と、第１酸化シリコンマトリクス層を挟む１対の第１酸化シリコン層とを含む、第１量子ドット構造と、基板上方に配置され、第１の平均ドットサイズと異なる第２の平均ドットサイズのシリコン量子ドットを含む第２酸化シリコンマトリクス層と、第２酸化シリコンマトリクス層を挟む１対の第２酸化シリコン層とを含む、第２量子ドット構造と、を有する。 （もっと読む）

【課題】アモルファス状態の透明導電膜の光透過率を増加させ、シート抵抗を低下させ、ｐ型半導体層とのオーミックコンタクトを形成する技術を提供する。
【解決手段】
真空排気された真空槽３１内に、アモルファス状態の透明導電膜が表面に露出する処理対象物１が配置された状態で、真空槽３１内に不活性ガスと酸素ガスとを、不活性ガスに対する酸素ガスの流量比が１／２０以上３／７以下になるように導入して圧力を上昇させ、圧力が上昇した状態で処理対象物１を３００℃以上８００℃以下に加熱する（第一のアニール工程）。次いで、酸素ガスの導入を停止して、真空槽３１内の酸素ガスの分圧が第一のアニール工程での酸素ガスの分圧よりも低下した状態で、処理対象物１を３００℃以上８００℃以下に加熱する（第二のアニール工程）。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】平面視においてｎ電極１７の配線状部１７Ｂおよび、ｐ電極１８の配線状部１８Ｂに重なる領域には、ｐ型層１３表面からｎ型層１１に達する深さの溝１４が設けられている。溝１４の側面、底面、ｐ型層１３上、ＩＴＯ電極１５上に連続して、絶縁膜１６が設けられている。絶縁膜１６中であって、ｎ電極１７、ｐ電極１８の下側（サファイア基板１０側）にあたる領域には、反射膜１９が形成されている。そのうち、ｎ電極１７の配線状部１７Ｂ、ｐ電極１８の配線状部１８Ｂの下側にあたる領域の反射膜１９は、発光層１２よりも下側に位置している。ｎ電極１７、ｐ電極１８上は、絶縁膜２２によって覆われている。絶縁膜２２中であって、配線状部１７Ｂ、１８Ｂの上部にあたる領域には、反射膜２３が埋め込まれている。反射膜２３は、発光層１２よりも下側に位置している。 （もっと読む）

【課題】保護膜及びその上の電極膜が均一な膜厚で形成された発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードは、上部に平坦部と傾斜側面及び頂面を有するメサ型構造部とを有し、平坦部及びメサ型構造部はそれぞれ、少なくとも一部は保護膜、電極膜によって順に覆われ、傾斜側面はウェットエッチングによって形成されてなると共に頂面に向かって水平方向の断面積が連続的に小さく形成され、保護膜は、平坦部の少なくとも一部と、傾斜側面と、頂面の周縁領域とを覆うとともに、平面視して周縁領域の内側に化合物半導体層の表面の一部を露出する通電窓を有し、電極層は、前記通電窓から露出された化合物半導体層の表面に直接接触すると共に、前記平坦部上に形成された保護膜の一部を少なくとも覆い、前記メサ型構造部の頂面上に光射出孔を有するように形成された連続膜である、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを変えること無く、出力を下げることもなく、順方向電圧のみを下げることが可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの発光素子に１つのピーク波長を発する２つの発光層を具え、第１導電型の半導体層に接続する電極に対し、２つの第２導電型の半導体層に接続する２つの電極による並列回路を形成し、２つの発光層を並列で発光させることで、擬似的に発光層の面積を増やし、順方向電圧を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光機能層の一方の面に２つの電極を形成した構成の発光素子において、高い発光効率かつ面内で均一な発光強度を得る。
【解決手段】発光素子１０においては、（１）ｎ側コンタクト開口（第１の開口部）４２とｐ側コンタクト開口（第２の開口部）４１がそれぞれ、矩形における対向する２辺（上辺、下辺）に平行に延伸した２つの直線に沿って形成されたこと、（２）この２つの直線の間において、この２つの直線と垂直の方向に延伸する透明電極３０間の空隙（透明電極開口部３１）が、複数形成されたこと、によって、遮光面積を増やすことなしに電流の均一化を行い、発光の均一化を実現している。 （もっと読む）

【課題】多数の発光サイリスタが並列接続されていることに起因して生じる駆動波形の遷移時間の増大を軽減する。
【解決手段】プリントヘッド１３は、走査回路部１００及び主発光部２００を有し、これらがデータ駆動部６０及びクロック駆動回路７０に接続されている。主発光部２００は、複数段の発光サイリスタ２１０により構成されている。走査回路部１００は、クロック駆動回路７０から供給される２相の第１、第２クロックＣ１，Ｃ２により駆動され、主発光部２００にトリガ電流を流してオン／オフ動作させる。非発光時におけるデータ端子ＤＡの電位を分圧抵抗６４，６５で分圧することにより、多数の発光サイリスタ２１０−１〜２１０−ｎが並列接続されていることに起因して生じる駆動波形の遷移時間の増大を軽減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ゲート層をピーク波長が単一の発光層で構成する場合に比べて、温度変動によって生じる出射光の光量変動が少ない発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態のＲＣ構造を有する発光サイリスタ１００では、アノード層として機能するｐ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１０６とカソード層として機能するｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１１２との間に積層されたゲート層１０８を、Ａｌの組成が０．１２、ピーク波長λ＝７８８．０ｎｍのｎ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ａ、及びＡｌの組成が０．１４、ピーク波長λ＝７７５．７ｎｍのｐ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ｂの、ピーク波長が異なる２つの発光層で構成している。 （もっと読む）

【課題】高性能の窒化物半導体発光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型窒化物半導体層を形成する工程と、ｎ型窒化物半導体層上に発光層を形成する工程と、発光層上にｐ型窒化物半導体層を形成する工程と、ｐ型窒化物半導体層を、酸素を含む雰囲気において、第１温度で熱処理する工程と、第１温度で熱処理したｐ型窒化物半導体層を、真空雰囲気において、第１温度よりも低い第２温度で熱処理する工程と、を含む窒化物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】光度を改善させることができる発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムを提供すること。
【解決手段】本発明は、発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ、及び照明システムに関するものである。本発明の一実施例による発光素子は、第１導電型半導体層、上記第１導電型半導体層の上に井戸層及び障壁層を有する活性層、及び上記活性層の上に第２導電型半導体層を備え、上記井戸層は、上記第１導電型半導体層に最も隣接し、第１エネルギーバンドギャップを有する第１井戸層、上記第２導電型半導体層に最も隣接し、第３エネルギーバンドギャップを有する第３井戸層、及び上記第１井戸層と上記第３井戸層との間に位置し、第２エネルギーバンドギャップを有する第２井戸層を備え、上記第３井戸層の上記第３エネルギーバンドギャップは上記第２井戸層の上記第２エネルギーバンドギャップより大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート層全体が発光層として機能する場合に比べて、温度変動によって生じる出射光の光量変動が少ない発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態のＲＣ構造を有する発光サイリスタ１００では、アノード層として機能するｐ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１０６とカソード層として機能するｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１１２との間に積層されたゲート層１０８のうち、発光層をバンドギャップの小さいｐ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ｂとし、一方、残りのゲート層１０８を発光層１０８Ｂよりもバンドギャップ（ＤＢＲ各層のバンドギャップの平均値）が大きいｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲゲート層１０８Ａとしている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、発光素子チップの裏面側からの発光光を前面に取り出すことができ、更にはコストの低減も可能な光源回路ユニット、およびこの光源回路ユニットを備えた照明装置並びに表示装置を提供する。
【解決手段】回路基板１１上にドーム状の封止レンズ１２により覆われた発光素子チップ（ＬＥＤチップ１３）を備える。回路基板１１の配線パターン１４は光反射性を有する材料、例えばアルミニウム（Ａｌ）により構成されている。配線パターン１４には、ＬＥＤチップ１３に対して駆動電流を供給するための配線層１４Ａ，配線層１４Ｂと共にチップ搭載層１４Ｃが含まれている。ＬＥＤチップ１３はこのチップ搭載層１４Ｃ上に、直接にダイボンディングすることにより搭載されている。 （もっと読む）

【課題】マスクパターンが配置されたサファイア基板に対して、プラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する基板のプラズマ処理において、ＰＲ選択比を向上させて、凹凸構造の高アスペクト比化や微細化を実現する。
【解決手段】サファイア基板のプラズマ処理方法において、表面に配置されたレジスト膜によりマスクパターンが形成されたサファイア基板に対して、ＢＣｌ_３が主体のガスにＣＨ_２Ｆ_２ガスを混合した混合ガスを用いてプラズマ処理を行い、サファイア基板の表面にマスクパターンに応じた凹凸構造を形成する。 （もっと読む）