【課題】発光効率が極めて高く、しかも一度のエピタキシャル成長により低コストで製造することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板などの基板１１の一主面にこの基板１１と異なる材料により凸部１２を形成し、この凸部１２の間の逆台形状の断面形状を有する凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を五角形状の断面形状となる状態に成長させ、または、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を横方向成長させる。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１５上に、活性層を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な界面特性をもつ強磁性薄膜、絶縁性薄膜、及び化合物半導体からなる強磁性積層構造を得る。
【解決手段】この磁性体積層構造１０においては、化合物半導体１上に絶縁性薄膜２及び強磁性薄膜３が順次形成されている。絶縁性薄膜２は、蛍石型構造をもつフッ化化合物からなる。強磁性薄膜３は、Ｆｅ又はＦｅＣｏ合金からなる強磁性体である。この強磁性積層構造１０は、強磁性薄膜３から絶縁性薄膜２を通して化合物半導体１にスピン偏極電子が注入されて使用される。例えば、この強磁性積層構造１０をスピンＬＥＤに用い、化合物半導体１を発光層としても用いることができる。この場合には、この構造における各界面の結晶欠陥が少ないために、スピン偏極電子の発光層への高い注入効率が得られるため、高効率のスピンＬＥＤを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを用いた光源や照明装置のコストを低減する。
【解決手段】基板３０と、基板３０上に設けられた第１電極３１と、第１電極３１の上にランダムに散布された複数の粒子状発光ダイオード２０と、複数の粒子状発光ダイオード２０を覆う第２電極３２とを備え、複数の粒子状発光ダイオード２０の各々は、ＩＩＩ族−Ｖ族窒化物からなる結晶性半導体からなると共に、第１導電型の第１半導体２１ｎ、活性層２１ｉ、および第２導電型の第２半導体２１ｐからなり、活性層２１ｉは第１半導体２１ｎの周囲の一部に形成されており、第２半導体２１ｐは活性層２１ｉの周囲を覆っており、第１半導体２１ｎは第２電極３２と電気的に接続されており、第２半導体２１ｐは、第１電極３１と電気的に接続されており、結晶性半導体は、外周面が複数の平坦な結晶格子面からなる多面体形状を有している、発光装置。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高いLED構造の作製可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル成長用基板2は、凹凸形状の主表面3aを有する単結晶基板3と、単結晶基板3上に、エピタキシャル成長により形成された、凹凸形状の第１表面4aを有する第１のIII族窒化物結晶からなる下地層4と、下地層4上に、エピタキシャル成長により形成された、第２のIII族窒化物結晶からなる中間層5とを少なくとも有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生成された結晶に含まれる酸素の濃度を低くすることができるＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素酸化物Ｇａ_２Ｏ_３と還元性ガスＨ_２２１ｂとを加熱状態で反応させて、ＩＩＩ族元素酸化物Ｇａ_２Ｏ_３の還元物ガスＧａ_２Ｏを生成させる還元物ガス生成工程と、還元物ガスＧａ_２Ｏと窒素含有ガス２３ｃとを反応させて、ＩＩＩ族元素窒化物結晶２４を生成する結晶生成工程とを有する。ＩＩＩ族元素窒化物結晶２４は、ＧａＮ結晶である。 （もっと読む）

【課題】発光出力を高くしつつＦＦＰの形状を狭く制御した発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子は、第１ブラッグ反射型ミラー層１０３と、前記第１ブラッグ反射型ミラー層より光射出面側に形成された第２ブラッグ反射型ミラー層１０８と、前記第１ブラッグ反射型ミラー層及び前記第２ブラッグ反射型ミラー層の間に位置する活性層１０５と、を具備する発光素子であって、前記発光素子の設計波長をλＰＬとし、前記第１ブラッグ反射型ミラー層及び前記第２ブラッグ反射型ミラー層の中心波長をλcntとした場合に下記式を満たすことを特徴とする。
λＰＬ＜λcnt（単位：ｎｍ）≦λＰＬ＋１０ （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を有する発光モジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る発光モジュール１０００は，導電部材１５４と、導電部材を介して積み重ねられた複数の発光装置１００とを含み、複数の発光装置の各々は、活性層と、一対のクラッド層と、一対の電極１２０，１２２とを有し、活性層のうちの少なくとも一部は利得領域を構成し、利得領域は平面的に見て、活性層の第１側面１０７から第１側面に平行な第２側面１０９まで、第１側面の垂線に対して傾いた方向に向かって設けられ、導電部材は、導電部材を挟む一方の発光装置の導電部材側の電極、及び、他方の発光装置の導電部材側の電極に電気的に接続されており、平面的に見て導電部材の外縁のうちの少なくとも一部は，複数の発光装置の外側に位置している。 （もっと読む）

【課題】出射される光の強度を、効率よく制御することができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、第１クラッド層と、その上方に積層された活性層１０８と、第２クラッド層と、第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、第２クラッド層に電気的に接続された第２電極と、を含み、活性層１０８のうちの少なくとも一部は、第１利得部分１８１と、第１利得部分１８１と接続部分１９０を介して分離した第２利得部分１８２と、を有する利得領域１８０を構成し、第２利得部分１８２は、光を出射する出射端面を有し、第１電極および第２電極の少なくとも一方は、第１部分と、第１部分と電気的に分離された第２部分と、からなり、第１部分は、第１利得部分１８１に電流を注入する電極であり、第２部分は、第２利得部分１８２に電流を注入する電極である。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ耐圧を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体からなる井戸層２１を形成する工程と、井戸層２１上に、窒化物半導体からなりバリア層２３を、井戸層２１の成長温度より１３０℃以上１５０℃未満高い成長温度で形成する工程と、を含むＭＱＷ活性層２４を形成する工程を有することを特徴とする発光素子の製造方法である。本発明によれば、バリア層２３と井戸層２１との成長温度の差を１３０℃以上とすることにより、ＥＳＤ耐圧を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】表面モルフォロジと光学特性がともに良好で、しかも発光素子とした場合の発光効率が高い、高品質の窒化物半導体を提供すること。
【解決手段】ｍ面のような非極性面の窒化物基体上に窒化物半導体を結晶成長させるに際し、窒化物半導体層を成長させる前の比較的高温領域での昇温過程におけるメインフローを構成するガス（基体の窒化物主面が暴露される雰囲気）、第１および第２の窒化物半導体層成長完了までのメインフローを構成するガス（基体の窒化物主面が暴露される雰囲気）を、窒化物に対してエッチング効果のないものを主とし、かつ、窒化物半導体層の成長開始時にはＳｉ源を供給しないこととした。このため、エピタキシャル基体の窒化物表面近傍からの窒素原子の脱離が生じず、エピタキシャル膜への欠陥導入が抑制される。また、平坦性に優れた表面モルフォロジを有するエピタキシャル成長が可能となる。 （もっと読む）

【課題】小表面積基板上に長尺のＬＥＤチップを搭載してなる小型、薄型の発光装置を提供する。
【解決手段】電極パッド１４および１５を有するパッケージ基板１２に長尺形状の発光素子（ＬＥＤチップ）１３を載置し、発光素子１３および電極パッド１４および１５を封止樹脂により封止してなる発光装置１０において、発光素子１３を、その側辺がパッケージ基板の側辺と所定の角度をなすよう、発光素子１３の長手方向をパッケージ基板１２の長手方向に対して傾けて配置し、電極パッド１４および１５を、パッケージ基板表面における、発光素子１３の長手方向を基板の長手方向に対して傾けたことにより形成されるスペースに配置した。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面の平坦性をより向上させることが可能な窒化物系半導体層を有する支持基板の形成方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体層を有する支持基板の形成方法は、ｎ型ＧａＮ基板１１の主表面に溝部２１を形成する工程と、ｎ型ＧａＮ基板１１の主表面に、（１１−２０）面からなる主表面と、溝部２１の内側面２１ａを起点とした（０００−１）面からなる結晶成長面１２ａとを含む発光素子層１２を形成する工程と、発光素子層１２に支持基板３２を接合する工程とを備える。そして、溝部２１が、ｎ型ＧａＮ基板１１の主表面（（１１−２０）面）と発光素子層１２の（０００１）面とに実質的に平行な方向に延びる。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減できる新規な発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１００は、第１クラッド層１０６と、第１クラッド層１０６の上方に形成された活性層１０８と、活性層１０８の上方に形成された第２クラッド層１１０と、を含み、活性層１０８のうちの少なくとも一部は、複数の利得領域１８０を構成し、複数の利得領域１８０の各々は、平面的に見て、活性層１０８の第１側面１０７から第１側面１０７に平行な活性層１０８の第２側面１０９まで、第１側面１０７の垂線に対して傾いた方向に向かって設けられ、複数の利得領域１８０は、１つ以上の第１利得領域１８１と、第１利得領域１８１と面積が異なる１つ以上の第２利得領域１８２と、によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ耐圧を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体層からなる井戸層２１を形成する工程と、井戸層２１上に窒素および全キャリアガス流量に対して２％以上の割合の水素を含有するキャリアガスを用いてバリア層２３を形成する工程と、を含むＭＱＷ活性層２４を形成する工程を有する発光素子の製造方法である。本発明によれば、ＭＱＷ活性層２４内のバリア層２３を窒素および全キャリアガス流量に対して２％以上の割合の水素を含有するキャリアガスを用いて成長するため、ＥＳＤ耐圧を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】発光層から裏面に向かう光を有効に反射させることで光取り出し効率を向上させ、かつ、発光層からの熱の放熱性を向上させることにより、高光出力性能を有することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板の上面の側に、下側クラッド層、発光層、上側クラッド層および第１電極層を有し、前記支持基板の下面の側に第２電極層を有する半導体発光素子において、前記支持基板と前記下側クラッド層との間に、光反射層と、該光反射層の上に設けられ、高熱伝導率を有する光透過層とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半極性面を主面とするＧａＮ基板上にＩｎを含む活性層を成長させる際に、Ｉｎが取り込まれる割合を高めることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｃ面からのオフ角が２０°以上２８°以下の範囲に含まれる主面を有するＧａＮ基板１５上にＩｎＧａＮ井戸層５ａを成長させる工程において、成長温度を６００℃以上７００℃以下の範囲に含まれる温度とし、Ｎ原料ガスの流量Ｑ_VとＩｎの原料ガスの流量Ｑ_Inとのモル流量比（Ｑ_V／Ｑ_In）を９０００以上３００００以下の範囲に含まれる値とし、井戸層５ａの成長速度を０．０１［μｍ／時］以上０．１［μｍ／時］以下の範囲に含まれる速度とし、井戸層５ａの一層毎の厚さを１０ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子の製造プロセスにおいて、あるいは又、発光素子の動作時、安定した挙動を示す第２電極を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、ｎ型の導電型を有する第１化合物半導体層１１、第１化合物半導体層１１上に形成され化合物半導体から成る活性層１２、活性層１２の上に形成された、ｐ型の導電型を有する第２化合物半導体層１３、第１化合物半導体層１１に電気的に接続された第１電極１５、及び、第２化合物半導体層１３上に形成された第２電極１４を備えており、第２電極１４は、チタン酸化物から成り、４×１０²¹／ｃｍ³以上の電子濃度を有し、活性層で発光した光を反射する。 （もっと読む）

【課題】表示装置としての発光効率の向上および表示ムラの低下。
【解決手段】マトリクス（行列）状に形成された複数の画素を有する表示装置であって、前記表示装置は、基板３０、複数の画素電極３２、および対向電極３７を有し、各画素は、１つの画素電極３２と、対向電極３７と、複数の粒子状発光ダイオード２２とを備え、複数の粒子状発光ダイオード２２は、前記１つの画素電極３２の上にランダムに散布されており、複数の粒子状発光ダイオード２２の各々は、III族−Ｖ族窒化物からなる結晶性半導体からなり、この結晶性半導体が、外周面が複数の平坦な結晶格子面からなる多面体からなる。 （もっと読む）

【課題】手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板形成用基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板形成用基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に設けられ、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択される炭化物層を窒化した層１２と、炭化物層を窒化した層１２上に設けられたIII族窒化物半導体膜１３とを備える。III族窒化物半導体基板形成用基板１は、III族窒化物半導体膜１３上に、III族窒化物半導体層を成長させ、下地基板１１を除去し、III族窒化物半導体基板を得るために使用されるものである。 （もっと読む）

【課題】 色温度の調整が可能であり、色温度の調整時の混色の均一性に優れた発光装置を提供すること。
【解決手段】 発光装置は、底面に互いに対向する方向に傾斜した複数の傾斜面１１ａ，１１ｂが形成された凹部１０ａを有する基体１０と、傾斜面１１ａ，１１ｂのそれぞれに設置された発光素子１３ａ，１３ｂと、発光素子１３ａ，１３ｂのそれぞれを覆うように設けられた、各発光素子１３ａ，１３ｂから発光された光を互いに異なる波長の光２０ａ，２０ｂにそれぞれ変換する波長変換部材１４ａ，１４ｂとを有する。 （もっと読む）