【課題】基板上にｎ型層とｐ型層を順次積層してｐｎ接合型の発光部を含む積層構造体を形成することにより構成される、光取出し効率に優れたＧａＮ系ＬＥＤチップを提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤチップは、ｐ型層１２−２の上面に形成されたオーミック電極１３と、オーミック電極１３の周囲においてｐ型層１２−２の上面を覆う絶縁保護膜１４とを有している。積層構造体１２の側面１２ａはドライエッチングにより形成されており、その少なくとも一部は当該積層構造体の積層方向に直交する平面で切断したときにできる断面の形状が波状である凹凸面である．
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【課題】チップ側面及び裏面における接着剤による光吸収を低減し、光取り出し効率が改善できる発光素子及びその製造方法、発光装置を提供する。
【解決手段】上面と、前記上面に対向する裏面と、前記裏面に略垂直な側面と、を有し、第１の波長帯の光に対する透光性と、導電性と、を有する基板と、前記上面の上に設けられ、前記第１の波長帯の光を放出する発光層を含む積層体と、前記側面のうちの前記裏面に隣接する少なくとも一部と、前記裏面の少なくとも一部と、に設けられた反射層と、を備えたことを特徴とする発光素子及びその製造方法、並びに発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ安価に形成することのできる構造を用いて光取り出し効率を高めたＧａＮ系ＬＥＤ素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子１０は、結晶成長面側にウェットエッチングによりＶ溝を形成した単結晶基板１１上に、ｎ型層１２−１とｐ型層１２−２とを含む複数のＧａＮ系半導体結晶層をｐ型層が最上層となるようにエピタキシャル成長させて積層することにより形成された半導体膜１２を有し、半導体膜１２は、前記Ｖ溝の近傍に形成された、部分的に増加した膜厚と粗化された表面とを有する異常成長部１２ａを有しており、半導体膜１２の表面には、異常成長部１２ａから離れた部位に、ｐ型層１２−２に対するオーミック電極１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 シリコーン樹脂により封止され、銀メッキが施されたリードを用いる発光装置において、光反射率が高くかつ腐食による光反射率の低下を抑制する。
【解決手段】 銀メッキが表面に施されているリード２１を持つベース部材２０と、ベース部材に配置され、リード２１と電気的に接続される発光素子１０と、有機骨格を有し少なくともヒドロシリル化反応で硬化する硬化性シリコーン樹脂組成物を用いて、リード２１のうち発光素子１０からの光が直接的若しくは間接的に照射される部分を少なくとも覆い、発光素子１０の高さよりも膜厚の薄い被覆部材３０と、被覆部材と異なるシリコーン樹脂であり、被覆部材を覆う透光性の封止部材４０と、を有する発光装置に関する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を高めたＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造に好適に用いられる単結晶基板と、その単結晶基板を用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系ＬＥＤ素子製造用の単結晶基板は、結晶成長面側に、ウェットエッチングにより形成され、割り溝として利用可能なＶ溝が形成された領域であるＷＳラインと、ＧａＮ系半導体結晶のエピタキシャル成長層により平坦に埋め込むことが可能な凹凸面に加工された領域であるＰＳＳ領域と、前記ＷＳラインと前記ＰＳＳ領域とに挟まれた未加工領域であるＷＳスペースと、を有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子層を有する半導体層の表面の平坦性をより一層向上させることが可能な窒化物系半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体層の形成方法は、ｎ型ＧａＮ基板１１の主表面（（１−１００）面）に溝部２０を形成する工程と、ｎ型ＧａＮ基板１１の主表面（（１−１００）面）上に、溝部２０の内側面２０ａを起点として（０００−１）面からなる光出射面３０ａを有する半導体レーザ素子層１２を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

本発明は発光素子に関するものである。本発明による発光素子は反射層と、前記反射層の上に発光層を含む半導体層と、を含み、前記反射層から前記発光層の中心の間の距離は補強干渉条件に該当する。
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【課題】光出力が増大した発光デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料系によって作製された半導体発光デバイスは、ＩｎＧａＮ量子ドットまたはＩｎＧａＮ量子細線を含む、発光のための活性領域３を有している。上記活性領域の基板側には、ＡｌＧａＮ層６が設けられている。これによって、上記発光デバイスの光出力が増大する。この光出力の増大は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層が、使用時に、上記活性領域へのキャリア注入を促進する役割を果たすことによると考えられる。 （もっと読む）

【課題】複数の発光素子を並列接続させた場合における、複数の発光素子間に生じる光量のばらつきを抑制することができる光源等を提供する。
【解決手段】本実施の形態が適用される光源は、複数のＬＥＤチップ１０を電気的に並列接続したものである。複数のＬＥＤチップ１０を構成する各々のＬＥＤチップ１０は、基板１１、シード層１２、ｎ型半導体層１４、発光層１５およびｐ型半導体層１６を備えている。さらに、ｎ型半導体層１４には、シード層１２の上に直接積層される下地層１４ａが含まれている。そして、シード層１２は、III族窒化物化合物半導体であり、その膜厚が２１ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定され、スパッタ法によって成膜されている。さらに、下地層１４ａは、（０００２）面のロッキングカーブ半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下であり（１０−１０）面のロッキングカーブ半値幅が２５０ａｒｃｓｅｃ以下であるIII族窒化物化合物半導体である。 （もっと読む）

【課題】 電流拡散を円滑にして発光素子の電気的な特性を向上させたIII族窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 バッファー層２００上のｎ型窒化物半導体層３００と；ｎ型窒化物半導体層３００上の活性層４００と；活性層４００上のｐ型窒化物半導体層５００と；ｐ型窒化物半導体層５００上のｐ側電極６００と；ｐ型窒化物半導体層５００と活性層４００がエッチングされて露出されたｎ型窒化物半導体層３００上に形成されたｎ側電極８００と；を含むIII族窒化物半導体発光素子において、ｐ型窒化物半導体層５００上には、ｐ側電極６００からｎ側電極８００方向に延在する枝電極が設けられ、枝電極の終端の指部７５４がｎ側電極８００に向けて二つに分岐されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可視光を広帯域の赤色系の発光に変換する効率に優れた高特性な蛍光体を提供する。
【解決手段】下記式［１］で表される化学組成を有することを特徴とする蛍光体。
Ｍ^１_１−ｘＥｕ_ｘＭ^２_ｙＯ_ｚ ・・・［１］
（前記式［１］において、
Ｍ^１は、Ｍ^１はＳｒを必須とする２価の金属元素を表す。
Ｍ^２は、Ｓｃ又はＬｕを必須とする３価の金属元素を表す。
ｘ、ｙ、及びｚは、各々、
０．０００１≦ｘ≦０．１
１．８≦ｙ≦２．２
３．６≦ｚ≦４．４
を満たす数を表す。） （もっと読む）

【課題】耐候性に優れ、さらに高い反射能力を有すると共に薄膜化可能な反射構造を備える発光素子を提供する。
【解決手段】発光層８を有する半導体構造１１と、半導体構造１１の一方の主面側に設けられた光取り出し面１８と、光取り出し面１８と対向する他方の主面側に備えられ、半導体構造１１に電気的に接続される電極３と、を有する発光素子であって、半導体構造１１と電極３との間に反射構造２０が形成されており、反射構造２０は、半導体構造１１上に形成される反射層１６と、この反射層１６上であって複数の誘電体より構成される誘電体多層膜４と、を有しており、反射層１６の屈折率は半導体構造１１の屈折率よりも小さく、かつ、反射構造２０の反射スペクトルの中心波長が、発光層８からの発光ピーク波長よりも長波長である。 （もっと読む）

【課題】１チップで、平坦化され、高輝度、多色発光可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２０と、半導体基板２０上に配置された第１の半導体発光素子５０と、第１の半導体発光素子５０上に配置された第１のアノード電極３４と、半導体基板２０に形成された溝の内部に配置された基板１０と、基板１０上に配置された第２の半導体発光素子４０と、第２の半導体発光素子４０上に配置された第２のアノード電極１００と、第１のアノード電極３４および第２のアノード電極１００が配置された側と反対側の半導体基板２０上に配置されたカソード電極４００とを備えることを特徴とする半導体発光装置。 （もっと読む）

【課題】発光効率及び長期信頼性に優れた、中赤外領域の光を放射する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】Ｉｎ_１−ｘＡｌ_ｘＳｂ（０．１≦ｘ≦０．５）からなるクラッド層と、Ｉｎ及びＳｂ並びにＡｌ、Ｇａ、Ａｓの少なくとも１種の元素を含有する半導体からなる発光層と、を備えており、前記クラッド層の格子定数ａ１と前記発光層の格子定数ａ２との相対値Δａ（Δａ＝（ａ２−ａ１）／ａ１）が−０．００５≦Δａ≦０．００５であり、３〜１０μｍの波長の中赤外線を放射するようにする。 （もっと読む）

【課題】 発光素子の機能および効率を向上させ、高効率および高電力で動作する特定の能力を有する層状ヘテロ構造を提供する。
【解決手段】 層状ヘテロ構造発光素子は、少なくとも、基板、ｎ型窒化ガリウム系半導体クラッド層領域、ｐ型窒化ガリウム系半導体クラッド層領域、ｐ型酸化亜鉛系正孔注入層領域、およびオーミック接触層領域を含む。あるいは、素子はキャッピング層領域も含んでよく、または反射層領域および保護キャッピング層領域を含んでもよい。素子はオーミック接触層領域に隣接する１つ以上の埋め込み挿入層を含んでもよい。オーミック接触層領域は、酸化インジウムスズ、酸化ガリウムスズ、または酸化インジウムスズ材料といった材料からなり得る。ｎ型窒ガリウム系クラッド層領域と電気的に接触するｎ型電極パッドが形成される。ｐ型領域と電気的に接触するｐ型パッドが形成される。 （もっと読む）

【課題】基板の限定がなく、簡易な方法で、窒化物半導体薄膜の分極方向を制御することができる反応スパッタリング法を実現する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体の製造方法は、不活性ガス雰囲気下において、アルミニウム、ガリウム、インジウム、スカンジウム、アルミニウム−ガリウム合金、アルミニウム−インジウム合金、アルミニウム−スカンジウム合金、ガリウム−インジウム合金、ガリウム−スカンジウム合金、インジウム−スカンジウム合金からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属と窒素とを反応させることによって、窒化半導体を製造する反応スパッタリング法において、窒素と共に酸素を供給し、不活性ガス、窒素および酸素の全モル数に対する酸素のモル％が、０．８％以上、３．２％以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定な白光を発生する発光ダイオードランプを提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードランプは、第一発光ダイオード及び第二発光ダイオードを備え、温度の変化に従って、前記第一発光ダイオードの発光強度の変化量は、前記第二発光ダイオードの発光強度の変化量より小さく、前記発光ダイオードランプは、前記第一発光ダイオードに接続する第一放熱器と、前記第二発光ダイオードに接続し、且つ前記第一放熱器と離れている第二放熱器及び前記第二放熱器の放熱を補助する主動式放熱器を更に備え、前記第二放熱器の放熱効率は、前記第一放熱器の放熱効率より高い。 （もっと読む）

【課題】有機誘電材料を使用することによって製造工程で温度が低くてもその後の製造工程に於いて剥離しにくい半導体光電部品及びそれを形成する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】半導体光電部品及びそれを形成する発光ダイオードに於いて、有機誘電層は半導体光電部品を保護する鈍化層である。そのうち、半導体光電部品は半導体発光部品、もしくは半導体光モニタリング部品である。有機誘電材料を使用することによって製造工程で温度が低くてもその後の製造工程に於いて剥離しにくいという長所を具える。 （もっと読む）

【課題】表面モフォロジと光学特性に優れた高品質の窒化物半導体を得るための結晶成長技術を提供すること。
【解決手段】エピタキシャル成長用の基体として、少なくとも一方の主面が窒化物である基体を準備し、この基体を、エピタキシャル成長用反応炉内のサセプタ上に載置して所定の温度まで昇温する（工程Ａ）。このとき、反応炉内に不活性ガスである窒素ガスを供給しながら昇温を開始し、活性ガスであるＮＨ_３ガスの供給を行う。続いて、基体の窒化物主面を熱的にクリーニングする工程を設けずに、第１の窒化物半導体層の成長工程（工程Ｂ）に移行する。この工程Ｂでは、基体の窒化物主面上にＳｉ原料が供給されない環境下で第１の窒化物半導体層がエピタキシャル成長される。そして、この第１の窒化物半導体層の上に、ｎ型ドーパント原料を供給しながら、比較的厚い層である第２の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる（工程Ｃ）。 （もっと読む）

【課題】緑色および深紫外波長範囲について、高品質の量子井戸を成長させる。
【解決手段】第１の量子井戸と、前記第１の量子井戸内に含まれる第１の下位層であって、前記第１の下位層の１つの層の合金組成が前記第１の下位層の別の層の合金組成と異なり、前記第１の量子井戸によって放射される光の波長が前記第１の下位層の平均組成のバンドギャップによって規定される第１の下位層と、を備える発光デバイスである。 （もっと読む）