【課題】封止樹脂を備えた発光装置は、発光素子から放射された光のうち、基体に平行に近い方向に放射される光ほど、封止樹脂中を長い距離進むことになる。放射光は封止部材の中を進むことにより樹脂などの封止部材に吸収されるので、発光装置の輝度の低下の原因となっていた。
【解決手段】基体と、該基体上に配設された複数の発光素子と、前記複数の発光素子上に互いに離隔するようにそれぞれ配設された複数の封止部材とを備えている。また、前記封止部材は、側面が曲面形状であって、前記基体の主面に対して垂直な断面における前記基体の主面に対して平行な方向の幅が、前記基体の主面から離隔するにしたがって大きくなる形状である。 （もっと読む）

【課題】 、全面に渡って転位密度を低減し、クラック発生を抑制することが可能な窒化物半導体基板及びその製造方法、及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 この窒化物半導体基板は、基板（Ａ、Ｂ，Ｄ１）と、基板（Ａ、Ｂ，Ｄ１）上に形成され離間した結晶成長制限部Ｃと、基板（Ａ、Ｂ，Ｄ１）及び結晶成長制限部Ｃを被覆し、その露出表面の、Ｚ軸に平行な断面（ＸＺ断面）が、波の形状を構成し、この波の形状が多角形状になまっている窒化物半導体からなる波状層（Ｄ２，Ｅ，Ｆ２）と、波状層（Ｄ２，Ｅ，Ｆ２）上に形成され窒化物半導体からなる平坦化層Ｇとを備えている。形状変更層Ｆ２の露出表面が熱処理によって多角形状になまっているため、埋め込む山谷差が小さくなり、埋め込み体積が減るため、埋め込み成長がし易く、平坦化層Ｇが形状変形層Ｆ２内に緻密に埋まっている。 （もっと読む）

【課題】 発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による発光素子は、基板と、前記基板の上部に順次形成されたＮ型半導体層、活性層及びＰ型半導体層と、を有する発光素子であって、Ｐ型半導体層、活性層及び少なくともＮ型半導体層の内部まで形成された少なくとも一つのトレンチと、同トレンチの側壁に形成された第１の絶縁層と、同第１の絶縁層の形成されたトレンチの内部を充填する導電層と、を備えている。本発明によれば均一な電流拡散特性が得られ、均一な発光特性が得られることから、発光効率を高めることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】発光色の異なる発光素子から発せられる光の混色性を高め、輝度並びに彩度の高い白色光を発することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１において、光出射方向Ａｅが開口されたリセス２１Ｒ、２２Ｒを有するパッケージ基体２と、リセス２１Ｒの底部に配設され、互いに発光色が異なる複数の発光素子３と、リセス２１Ｒ内に複数の発光素子３を覆って配設され、蛍光体が含有された第１の透光性樹脂６１と、リセス２２Ｒ内において第１の透光性樹脂６１上に配設され、第１の透光性樹脂６１に比べて蛍光体の含有量が少なく、かつ第１の透光性樹脂６１の膜厚に比べて厚い膜厚を有する第２の透光性樹脂６２とを備える。 （もっと読む）

【課題】
ＬＥＤの所望の特性を犠牲にしたり変更することなしに、ＧａＮベースＬＥＤを低コストで大量生産する。
【解決手段】
発光ダイオードにおいて、金を含む金属層及び該金属層上の第１の極性を有する反射導電層（５００）と、該反射導電層上の第１の極性を有する第１のＧａＮ層（１４０）と、該第１のＧａＮ層上の活性層（１６０）と、該活性層上の第２の極性を有する第２のＧａＮ層（１８０）と、該第２のＧａＮ層上の透過性導電層（２２０）と、該透過性導電層上の第２の極性を有する電極（２４０）とを有して構成され、反射導電層（５００）が第１の極性を有する電極として機能する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の点灯時には、常に、各発光素子の出射光の輪郭が視覚的に認識できるようにし、視覚的デザイン性の向上を図ることができる光源ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板２と、この基板２に実装された複数の青色発光する発光素子７と、この発光素子７を封止し、発光素子７の発光により励起される黄色の蛍光体を含む樹脂層７ａと、前記発光素子２に電気的に接続され、発光素子２を調光制御する調光手段と、前記樹脂層７ａを覆うように配設され、発光素子７の点灯時、各発光素子２の出射光の輪郭が視覚的に認識できるように可視光域の直線透過率が設定され、かつ、発光素子２の点灯時、前記樹脂層７ａの蛍光体の色が視覚的に認識されないように拡散透過性が設定された拡散部材６とを備えた光源ユニット１である。 （もっと読む）

【課題】本発明に係る発光装置は、高い駆動電圧、低い駆動電流で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】複数の三角形状の発光ダイオード素子を直列に接続した第１の発光ダイオードアレイと、複数の三角形状の発光ダイオード素子を直列に接続した第２の発光ダイオードアレイと、前記第１の発光ダイオードアレイと前記第２の発光ダイオードアレイは、それぞれ、複数の発光ダイオード素子列に分割されて交互に並列に矩形状に配置される。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することができる発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板１の表面３上にIII−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが積層されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する。ここで、切断予定ラインに沿って半導体層１７ａ，１７ｂに基板１まで達しない溝２５を形成し、溝２５に臨む基板１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することにより多光子吸収による改質領域７を基板１にのみ形成し、基板１に力を印加することのみにより、改質領域７から発生した割れを基板１の厚さ方向に成長させ、切断予定ラインに沿って、基板１と共に、切断予定ライン上に存在する半導体層１７ａ，１７ｂを切断する。 （もっと読む）

【課題】光吸収が低減され、高輝度が可能な発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体からなる発光層と、ワイヤを接続可能なボンディング電極と、前記ボンディング電極を取り囲むようにその周囲に離間して設けられ且つ前記ボンディング電極との連結部を有する細線電極と、を有する上側電極と、前記発光層と前記上側電極との間に設けられた電流拡散層であって、前記上側電極の非形成領域に形成され前記発光層から放出された光を出射可能な凹部を有する電流拡散層と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）

固体発光素子と、当該固体発光素子が放つ一次光をより長波長の光に変換する波長変換体とを備え、前記波長変換体は、ガーネット結晶構造を有する蛍光体を含んだ透光性の波長変換層を備える無機成形体であり、前記蛍光体は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕから選ばれる少なくとも一つの元素を含んでなる構成元素群を含み、前記構成元素群の一部がＣｅ^３＋で置換されており、その置換量が前記構成元素群に対して１原子％以下である構成とすることで、高出力と高信頼性を兼ね備え、オーソドックスな実用技術の応用で製造でき、点光源用として適した半導体発光装置とする。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系発光素子又はＧａＮ系受光素子が２次元状に多数形成された半導体装置で、入射光や出射光が電極間の配線に遮られないようにしたＧａＮ系半導体を提供する。
【解決手段】成長用基板１上に選択成長用マスク１１が形成され、選択成長用マスク１１の一部が除去された領域にＡｌＮバッファ層２が形成される。ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。各ＧａＮ系半導体素子Ｄのｐ側透明電極８及びｎ電極７が半導体素子Ｄの光の取り出し面又は受光面側に形成される。各電極を接続する配線１２、１３の一部は、ｐ側透明電極８と同じ材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】素子基板と通電部との間に透光性樹脂を充填することにより、絶縁体による発光ロスを低減することができる。しかしながら、絶縁体による発光ロスが低減できる一方で、素子基板の側面、通電部の側面及び素子基板と通電部との間に位置する基体の主面において発光ロスが生じるようになる。
【解決手段】透光性部材が、素子基板と通電板との間に位置する第１の部材と、第１の部材上に位置する第２の部材とを有し、第１の部材が、第２の部材よりも屈折率が小さいことにより、素子基板及び通電部の側面の反射による光の減衰の影響を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子を用いて、観察の対象となる生体対象物のための光源となる半導体発光装置であって、生体対象物内の観察対象部位の物体色を、より詳細に認識することが可能となるように照明を行う半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置において、半導体発光素子からの発光に基づいて、生体対象物に対して、ベースとなる所定の白色光を出射する白色光出射部と、白色光出射部による所定の白色光の出射とともに、生体対象物の物体色であってマンセル表色系の色相がＲ領域又はＲＰ領域の物体色の補色に相当する、マンセル表色系の色相がＢＧ領域又はＧ領域の所定のシアン色光を出射するシアン色光出射部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光取り出し面上の凹凸をより均一に形成することができ、光取り出し効率の高い窒化物系化合物半導体ＬＥＤを安定的に量産できる製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル用基板上に少なくとも第１導電型半導体層と発光層と第２導電型半導体層とをこの順に結晶成長させてＧａを含有する窒化物半導体積層体を形成する工程と、上記窒化物半導体積層体の上記第２導電型半導体層側の表面に反射電極層を形成する工程と、上記エピタキシャル用基板を剥離する工程と、上記窒化物半導体積層体の上記エピタキシャル用基板を剥離した面をドライエッチングして上記窒化物半導体積層体に凹凸形状を作製する工程と、上記ドライエッチングした窒化物半導体積層体をＯ_２プラズマ処理あるいはＯ_３アッシング処理する工程と、を含むことを特徴とする窒化物系化合物半導体ＬＥＤの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】より放熱しやすい構造を備えたＬＥＤランプおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のＬＥＤチップ３１を備えるＬＥＤランプＡであって、ＬＥＤチップ３１を支持する金属放熱基材２０と、ＬＥＤチップ３１のうちの一つにおける一方の電極と導通している金属配線層１３２と、ＬＥＤチップ３１における他方の電極と導通している金属配線層１３３と、金属配線層１３２、金属配線層１３３のうち少なくとも１つと金属放熱基材２０との間に存在する絶縁膜６０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高度の結晶性を有し、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAｌN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いＧａＮ系薄膜を得、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ素子等を得る。
【解決手段】サファイア基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体において、該サファイア基板表面にシード層としてスパッタ法で堆積されたＡｌＮ結晶膜を有し、そのＡｌＮ結晶膜は、結晶粒界の間隔が２００ｎｍ以上であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。好適には、ＡｌＮ結晶膜表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が２Å以下であるのが好適である。さらに、ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量は５原子％以下である。 （もっと読む）

【課題】0.9〜1.2μｍの中心波長の光を発光する、高出力化可能な光半導体素子を得る。
【解決手段】 GaAs基板1と、該GaAs基板1の上方に設けられた、InGaAsからなる２層以上の量子井戸層を有する多重量子井戸構造5とを備えてなる、発光ストライプ幅が４μｍ以下の光半導体素子において、レーザ発振を抑制するレーザ発振抑制機構を有し、多重量子井戸構造5に、少なくとも、1.05μｍ以上の第１の中心波長の光を発光する量子井戸層5a₁と、第１の中心波長とは異なる第２の中心波長の光を発光する量子井戸層5a₂と、該量子井戸層間に設けられた、30ｎｍ以上、50ｎｍ以下の厚みの、GaAs基板に格子整合する組成の障壁層5bとを備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】橙色蛍光を発する蛍光体及びその製造方法、及び、蛍光体を用いた発光デバイス並びに表示デバイスを提供すること。
【解決手段】蛍光体は、１＞ｘ≧０．１とする（Ｓｒ_1-x，Ｂａ_x）₃ＳｉＯ₅を母材としＥｕを賦活剤として含み、Ｓｒ、Ｂａ及びＥｕの組成比によって発光中心波長が６００ｎｍ以上とされ、好ましくはｘ≧０．２であり、青色光によって励起され橙色の蛍光を発し、赤色領域の演色性を改善できる蛍光体である。好ましくは０．８≧ｘであり、より好ましくは０．５≧ｘである。賦活剤の濃度は、好ましくは２ｍｏｌ％以上、８ｍｏｌ％以下であり、より好ましくは６ｍｏｌ％以上、８ｍｏｌ％以下である。 （もっと読む）

【課題】蛍光体を含有して半導体発光素子を４００℃以下で封止し、封止後の発光効率を向上させることができる発光素子被覆用混合ガラス粉末、それを用いたガラス被覆発光素子及びガラス被覆発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子を封止することのできる発光素子被覆用ガラス粉末であって、レーザー回折式粒度分布測定による、ガラス粉末中の粒径１μｍ以下の粒子の相対粒子量が１％以下であるガラス粉末と、蛍光体粉末とを備え、電流１０ｍＡで操作した半導体発光素子を封止した際の発光効率は、電流１０ｍＡで操作した半導体発光素子の発光効率に比べて２倍以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光度の高いＬＥＤランプを提供すること。
【解決手段】樹脂製リフレクタを備えるＬＥＤランプの製造方法において、樹脂製リフレクタが形成するキャビティの中に充填される熱硬化性封止樹脂の硬化工程を、不活性ガス雰囲気下、還元雰囲気下又は真空雰囲気下で実施する。 （もっと読む）