【課題】 ボンディングワイヤによる発光素子間の接続をできるだけ減らすことができ、発光効率を向上させたアレイ化用の発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子は、第１の発光素子の第１の接続部と第２の発光素子の第２の接続部とが平面視にて互いに重複して前記導電性基板同士を電気的に接続できる第１の接続部および第２の接続部を有する導電性基板と、導電性基板上に設けられた光半導体層と、光半導体層に、前記導電性基板との間に前記光半導体層を挟むように設けられた導電層と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】環境による劣化を抑制し、発光素子に用いたとき、蛍光体から放出される蛍光が充分に拡散され、発光素子からの発光に色むらが発生するのを抑制することができる蛍光体部材を提供する。特に、色むらが抑制された白色光を発光することができる発光素子や、これを用いた照明装置を提供する。
【解決手段】発光体からの発光に励起され波長変換光を放出する蛍光体粒子と、該蛍光体粒子を被覆する中間被覆層と、該中間被覆層を被覆するガラスを含むガラス層とを有し、外形が不斉である。 （もっと読む）

【課題】発光素子から出射される光の取り出し効率の低下を抑制するとともに発光に伴う発光素子の温度上昇を抑制する。
【解決手段】発光チップ２２は、凹部３１を有する容器３０と、凹部３１に露出するように設けられる第１リード部６１乃至第４リード部６４と、凹部３１に露出する第１リード部６１乃至第４リード部６４に実装される第１青色ＬＥＤ乃至第４青色ＬＥＤ７４とを備える。容器３０は、凹部３１において第１リード部６１乃至第４リード部６４が露出していない領域を覆うよう第１容器部４０と、凹部３１に露出することなく第１リード部６１乃至第４リード部６４に接触して第１容器部４０を収容する第２容器部５０とを備えており、第１容器部４０を第２容器部５０よりも光反射性の高い材料で構成し、第２容器部５０を第１容器部４０よりも熱伝導性の高い材料で構成する。 （もっと読む）

光変換要素を形成する方法は、第２フォトルミネセント要素と共にエピタキシャル成長した第１フォトルミネセント要素を有する半導体構造体を提供する工程を含む。第１領域は、半導体構造体の第１の側から、第１フォトルミネセント要素内でエッチングされ、第２領域は、半導体構造体の第２の側から、第２フォトルミネセント要素内でエッチングされる。一部の実施形態では、波長変換器は、エレクトロルミネセント要素、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）に取付けられる。
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【課題】ダブルヘテロ構造での欠陥を減少させることで、ダブルヘテロ構造中にキャリアが拡散することを抑制して面内キャリア濃度分布を均一なものとでき、これによって発光寿命のバラツキが小さく、かつ長寿命な発光素子を製造することのできる化合物半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなるダブルヘテロ構造が形成された化合物半導体基板であって、前記ＧａＡｓ基板と前記ダブルヘテロ構造との間に、組成の異なる層同士が接する成長界面を少なくとも５以上有するものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】第２電極の光反射効果の低減、光取出し効率の低下、輝度飽和現象による発光光量の低下を招くことがなく、マイグレーションの発生を抑制できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】（Ａ）第１化合物半導体層２１、活性層２３及び第２化合物半導体層２２から成る発光部２０、（Ｂ）第１電極４１、（Ｃ）第２化合物半導体層２２上に形成された透明導電材料層３０、（Ｄ）透明導電材料層３０上に形成され、透明な絶縁材料から成り、開口部３１ａを有する絶縁層３１、並びに、（Ｅ）開口部３１ａの底部に露出した透明導電材料層３０上から絶縁層３１上に亙り形成され、発光部からの光を反射する第２電極３２を備えており、発光部を構成する活性層の面積をＳ₁、透明導電材料層の面積をＳ₂、絶縁層の面積をＳ₃、第２電極の面積をＳ₄としたとき、Ｓ₁≦Ｓ₂＜Ｓ₃、及び、Ｓ₂＜Ｓ₄を満足する。 （もっと読む）

第１の波長領域と、該第１の波長領域と異なる第２の波長領域との混合光を放射するためのオプトエレクトロニクスデバイスは、第１の電流（４１）が供給されると該第１の波長領域内の第１の特徴的波長と第１の強度とを有する光を放射する、第１の発光ダイオード（１１）を有する第１の半導体光源（１）と、第２の電流（４２）が供給されると前記第２の波長領域内の第２の特徴的波長と第２の強度とを有する光を放射する、第２の発光ダイオード（２１）を有する第２の半導体光源（２）とを含む。当該オプトエレクトロニクスデバイスはさらに、両半導体光源（１，２）からそれぞれ放射された光の一部（１１０，５１０）を第１のセンサ信号（３４１）と第２のセンサ信号（３４２）とに変換する光センサと、該第１のセンサ信号（３４１）および該第２のセンサ信号（３４２）に依存して前記第１の電流（４１）および前記第２の電流（４２）を制御するための制御装置（４）とを有する。前記第１の半導体光源（１）および前記第２の半導体光源（２）からそれぞれ放射された光の特徴的波長および強度は、第１の温度依存特性（９３１，９４１）ないしは該第１の温度依存特性と異なる第２の温度依存特性（９３２，９４２）と、第１の電流依存特性ないしは第２の電流依存特性と、第１の経時変化依存特性ないしは第１の経時変化依存特性とを有し、前記光センサ（３）は前記第１の波長領域において、前記第１の温度依存特性（９３１，９４１）に適合された波長依存性の第１の感度を示し、前記第２の波長領域において、前記第２の温度依存特性（９３２，９４２）に適合された波長依存性の第２の感度を示し、前記制御装置（４）は、前記第１のセンサ信号（３４１）と前記第２のセンサ信号（３４２）とが所定の比になるように、前記第１の電流（４１）および前記第２の電流（４２）を制御する。
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【課題】半導体発光素子の光取出効率を向上する。
【解決手段】発光層５を有するIII−Ｖ族化合物半導体層２１の第一の主表面上に表面電極１３が形成され、第二の主表面側には反射金属膜１０が形成され、反射金属膜１０を介して半導体層２１と支持基板１１とが接合され、反射金属膜１０の半導体層２１側の面の一部にオーミックコンタクト接合部９が表面電極１３の直下以外の領域に配置された半導体発光素子２０において、半導体発光素子２０は１辺が３２０μｍ以下であり、表面電極１３は多角または丸形状で外周の長さが２３５μｍ以上７００μｍ以下であり、オーミックコンタクト接合部９が半導体発光素子２０の外周側又は外周近傍に配置され、表面電極１３側からみたときに、オーミックコンタクト接合部９が表面電極１３を包囲し、且つ表面電極１３の外縁部の各位置から最も近いオーミックコンタクト接合部９までの距離Ｌが等しくなるように配置される。 （もっと読む）

【課題】ダブルヘテロ構造中にキャリアが拡散することを抑制して面内キャリア濃度分布を均一なものとでき、これによって発光寿命のバラツキが小さく、かつ長寿命な発光素子を製造することのできる化合物半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１、０＜ｙ＜１）からなるダブルヘテロ構造およびＧａＰからなる窓層がこの順に形成された化合物半導体基板であって、前記ダブルヘテロ構造は、少なくとも下クラッド層と活性層と上クラッド層からなり、前記活性層と前記ＧａＰ窓層との間に、少なくとも２以上の界面を有するセットバック層を有するものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

本発明によると、ナノ構造デバイスは、基板から突き出した第１ナノワイヤ群を有し、第１ナノワイヤ群に含まれるナノワイヤのそれぞれは少なくとも一つのＰＮ又はＰＩＮ接合を有する。第１接触は、前記第１ナノワイヤ群に含まれるナノワイヤのそれぞれが有する前記ＰＮ又はＰＩＮ接合の第１側面を少なくとも部分的に取り囲んで、前記第１側面へと電気的に接続されている。第２接触手段は、前記基板から突き出した第２ナノワイヤ群を含み、前記ＰＮ又はＰＩＮ接合の第２側面との電気的な接続を提供するように設けられている。
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【課題】青色以上の長波長（４４０ｎｍ以上）を有するＩｎＧａＮ系窒化物半導体光素子において、Ｉｎ偏析や結晶性の劣化を抑制しながら、長波長化を実現する。
【解決手段】ＩｎＧａＮ井戸層とＩｎＧａＮ障壁層とを含むＩｎＧａＮ系量子井戸活性層６を備えたＩｎＧａＮ系窒化物半導体光素子の製造において、ＩｎＧａＮ障壁層を成長させる工程は、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気に１％以上の水素を添加してＧａＮ層を成長させる第１工程と、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気でＩｎＧａＮ障壁層を成長させる第２工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハの表面平坦度を改善でき、これにより発光ダイオードチップを製造する際の発光強度の歩留まりを向上できるＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】Ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層４、ＡｌＧａＩｎＰ系活性層５、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層６、およびＧａＰからなる電流拡散層７を順次積層するＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハ１の製造方法において、ＧａＰからなる電流拡散層７を、まず１以上１００以下のＶ／III比で成長し（低Ｖ／III比部分８）、その後１００以上２００以下のＶ／III比で成長させる（高Ｖ／III比部分９）ものである。 （もっと読む）

【課題】発光効率の向上を図れる半導体発光素子およびその製造方法、発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置の半導体発光素子１は、ｎ形ＧａＮ層２２およびｐ形ＧａＮ層２４を有するＬＥＤ薄膜部２と、ＬＥＤ薄膜部２の厚み方向の一面側に直接接合された六角錘状のｎ形ＺｎＯ基板（導電性を有するＺｎＯ基板）３とを備える。カソード電極４は、ｎ形ＧａＮ層２２におけるｐ形ＧａＮ層２４側とは反対側の表面側の平坦部２２ａ上でｎ形ＧａＮ層２２に対してオーミック接触となるように形成され、アノード電極５は、ｎ形ＺｎＯ基板３の下面３１側でｎ形ＺｎＯ基板３に対してオーミック接触となるように形成されている。ｎ形ＧａＮ層２２の上記表面においてカソード電極４が形成されていない領域には、ＬＥＤ薄膜部２で発生した光のうちｎ形ＧａＮ層２２の上記表面側に放射された光の進行方向を変える微細凹凸構造２２ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ａ−Ｓｉ感光体ドラムを露光する露光装置において、ａ−Ｓｉ感光体ドラムへの露光量を確保しつつ、省エネルギー化を可能にする。
【解決手段】 本発明に係る露光装置７は、シリコンを主体とする非晶質材料からなる光導電層を有している感光体ドラム３の表面に帯電した電荷を露光して静電潜像を形成する。露光装置７は、基板の上に形成されたＡｌＧａＩｎＰからなる発光体を有する発光素子アレイを備えている。 （もっと読む）

【課題】蛍光体の量のばらつきを軽減し、色むらを抑制することができる発光装置及び照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、第１の基板２と、この第１の基板２に複数配設され、発光素子３２が実装された第２の基板３１と、この各第２の基板３１を発光素子３２を含めて個別に覆う透光層３３と、この透光層３３に覆われた複数の第２の基板３１を一様に覆うとともに、蛍光体が分散された樹脂層４と備えた発光装置１である。 （もっと読む）

【課題】高品位で且つ低コストな発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型基板２上に、少なくともｎ型クラッド層６、活性層８、ｐ型クラッド層を順次積層する化合物半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｎ型基板２として、ほぼ円形であるｎ型基板の直径を（ａ）、ｎ型基板の厚さを（ｂ）としたとき、（ｂ）／（ａ）が０．００４７以下であるｎ型基板を用いて作製したものである。 （もっと読む）

【課題】ボールバンプを融解させることによって発光素子を基板上に固定する場合、発光素子の位置決めが容易でなく、発光素子と基板が近接してしまう可能性があった。
【解決手段】主面に凹部を有する基体と、前記凹部の表面上に配設される第１の接続導体と、該第１の接続導体の主成分よりも融点の高い部材を主成分として、前記第１の接続導体の表面上であって、前記凹部に少なくとも一部が配設される第２の接続導体と、前記基体の主面上に配設され、前記接続導体と電気的に接続される発光素子と、を備えた発光装置とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ照明装置において、集光性の確保と色むらの低減を両立させると共に、ＬＥＤの大きさの違いや位置ずれによる配光特性の違いを軽減する。
【解決手段】ＬＥＤ照明装置１は、ＬＥＤ２と、ＬＥＤ２から照射される光を受けて、その一部の光の波長を変換する波長変換部材３と、波長変換部材３から出てくる光を集光するレンズ４とを備える。レンズ４は、ＬＥＤ２に臨む凹部をなし、波長変換部材３からの光がレンズ４内部に入射する、全面に光拡散処理４５が施された光入射面４１と、光入射面４１より入射した光のうち一部の光が全反射される、レンズ４側面にある反射面４２と、反射面４２で反射された光が出射する、ＬＥＤ２に面しないレンズ４端面にある平面出射面４３と、光入射面４１より入射された光のうち反射面４２で反射されない光が出射する凸状出射面４４とを有する。これにより、光入射面４１の全面が擬似光源になる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型窒化ガリウム系半導体領域及び障壁層を形成する際に井戸層の劣化を低減可能な、窒化物系半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体領域１３を成長した後に、基板１１上に障壁層２１ａを成長する。障壁層２１ａは時刻ｔ１〜ｔ２の期間に成長温度ＴＢで形成される。成長温度ＴＢ（＝Ｔ２）は摂氏７６０度以上摂氏８００度以下の範囲である。時刻ｔ２で障壁層２１ａの成長が終了する。障壁層２１ａを成長した後に、成長中断を行うことなく基板１１上に井戸層２３ａを成長する。井戸層２３ａは、時刻ｔ２〜ｔ３の期間に成長温度ＴＷ（＝Ｔ２）で形成される。成長温度ＴＷは成長温度ＴＢと同じであり、また摂氏７６０度以上摂氏８００度以下の範囲であることができる。井戸層２３ａのインジウム組成は０．１５以上である。次いで、成長中断を行うことなく井戸層及び障壁層の成長を繰り返して行う。 （もっと読む）

【課題】基板上の所定位置に位置精度良好にチップが固定された実装基板を提供する。
【解決手段】実装基板１の中央部から放射状に突起部を突出させた平面形状の半田濡れ性パターン２１ａを実装基板上に形成し、半田濡れ性パターンと略同一の平面形状の半田パターン２３ａを、半田濡れ性パターン上に選択的に形成し、この半田パターンを押圧することにより半田パターンを表面平坦化する。次いで、表面平坦化した半田パターン上にチップ状の発光素子１０を載置する。その後、半田パターンをリフローすることにより、チップ状の発光素子を半田材料の表面張力により、自己整合的に中央部上に移動させて固定する。 （もっと読む）