【課題】複数個の発光ダイオードパッケージを配設した基板のＬＥＤを１枚のシートで覆って装着することにより容易に色変換ができ、かつ少ない蛍光物質量、着色剤量で色調ムラのない発光色を得ることができる発光色変換シートおよびこれを用いた発光装置を提供することをその目的とする。
【解決手段】複数個の発光ダイオードパッケージを配設した基板に、該複数個の発光ダイオードパッケージを１枚で覆うように装着される発光色変換シートであって、発光色変換シートは、各発光ダイオードパッケージのそれぞれと対向する部分に貫通孔を有するシート基材と、貫通孔を被覆または塞ぐ、蛍光物質および着色剤の少なくとも一方を含有する透光性部材と、を備える発光色変換シートを用いる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の駆動電圧は発光素子のバンドギャップ電圧に依存して赤色発光ダイオードでは約２ボルト、白色発光ダイオードでは４から６ボルトの電圧である。いずれも商用電源で利用する場合には低い電圧へ変換して使う必要があり変換損失や変換器が必要となる。
【解決手段】本発明は一つの発光ダイオード基板上に複数個の発光素子を電気的に分離される様に構成して、この複数個の発光素子を直列に接続することにより発光ダイオードの駆動電圧を高くすることを可能にするものである。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内においてＬＥＤチップからの発光のロスを低減すると共に、パッケージからの光取り出し効率を向上することが可能な高輝度の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】化合物半導体層２と透明基板４とが、接続層３を介して接合されており、化合物半導体層２の底面と接続層３の上面との間には、第１の反射面３ａが設けられ、接続層３の底面と透明基板４の上面との間には、第２の反射面３ｂが設けられていることを特徴とする発光ダイオード１を採用する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の位置精度を向上させること。
【解決手段】基体１１、基体１１上に形成された第１の導体パターン１２−１および第２の導体パターン１２−２を有している。第１の導体パターン１２−１は、第１の方向ｘに延在している。第２の導体パターン１２−２は、第１の方向ｘに交わる第２の方向ｙに延在している。発光装置は、半導体材料からなる発光素子１３をさらに有している。発光素子１３は、第１のパターン１２−１に電気的に接続された第１の電極１３ｎｐと、第２のパターン１２−２に電気的に接続された第２の電極１３ｐｐとが形成された実装面Ｍを有している。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるＩｎ偏析による発光特性の低下が抑制されたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、基板１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５は、主面１３ａ上に設けられている。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられている。活性層１７は、少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。半導体エピタキシャル層１９は、ＩｎＧａＮからなる。半導体エピタキシャル層１９の膜厚方向は、基準軸Ｃｘに対して傾斜している。この基準軸Ｃｘは、第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸の方向に向いている。 （もっと読む）

【課題】活性層における光吸収を低減しつつ、光取り出し効率を改善可能な発光素子を提供する。
【解決手段】井戸層及び障壁層を有する多重量子井戸を含み、非発光領域と前記非発光領域の周囲に形成される発光領域とを有する活性層と、前記活性層の第１の主面の上に設けられた第１のクラッド層と、前記第１の主面に対して垂直な方向からみて中心が前記非発光領域の中心近傍となるように、前記第１のクラッド層の上に設けられたパッド電極と、前記第１の主面とは反対側の前記活性層の第２の主面の下に設けられた第２のクラッド層と、を備え、前記非発光領域における前記井戸層のバンドギャップは、前記発光領域における前記井戸層のバンドギャップよりも広く、かつ前記第１のクラッド層のバンドギャップよりも狭いことを特徴とする発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】光の取り出し効率が高い半導体デバイスが得られる安価なＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板およびその製造方法ならびにＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板１は、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０ａと、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０ａと化学組成が異なる基礎基板１０と、が貼り合わせられた基板であって、ＩＩＩ族窒化物半導体層２０ａは、基礎基板１０と接合する主面２０ｎを有し主面２０ｎに平行な２次元方向に屈折率が周期的に変化するフォトニック結晶構造層２０ｐを含む。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７及びｐ型ＧａＡｓキャップ層８を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７は、ｐ型不純物としてＣをドーピングしたＣドープ層７ａと、ＭｇをドーピングしたＭｇドープ層７ｂとを有し、かつｐ型クラッド層７は、Ｃドープ層７ａが活性層５に近い側に形成され、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８のｐ型不純物はＺｎであり、活性層５中のＣ原子濃度、Ｍｇ原子濃度、Ｚｎ原子濃度は、それぞれ５．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下、１．０×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１．６×１０¹⁶ｃｍ^-3以下、１．１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上５．０×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ結晶層上に半導体素子を備えたＳｉ以外の半導体単結晶層を備えた半導体薄膜素子の製造方法並びに半導体ウエハ、及び、半導体薄膜素子を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板（第1の基板）１０１の表面にバッファ層１０２と半導体単結晶層１０３とを順次形成する第1の工程と、半導体単結晶層１０１ａとバッファ層１０２ａとＳｉ（１１１）基板の所定の厚さ部分１０２ｂとを含む分離島１５０を形成する第２の工程と、分離島の表面を覆う被覆層２００を形成する第３の工程と、被覆層をマスクに前記Ｓｉ（１１１）基板をＳｉ（１１１）面に沿ってエッチングして剥離する第４の工程と、分離島の剥離面を別の基板（第２の基板）２０１の表面に接合する第５の工程とを備える。 （もっと読む）

ある半導体基板上で成長したＩＩ−ＶＩ半導体素子の異常動作を認め、その異常動作は、インジウム原子が、成長中に、基板からＩＩ−ＶＩ層に移動した結果である可能性が高いと判断した。インジウムは、このようにして、基板上で成長したＩＩ−ＶＩ層、特に、成長基板に近接する層の１つ以上において、意図せぬドーパントとなり得、素子の性能に悪影響を及ぼし得る。良好な素子性能を維持するように、成長層において、短距離内で移動するインジウムを空乏させるか、又はインジウムが基板の外に移動することを実質的に防ぐか、又はそうでなければ、機能的ＩＩ−ＶＩ層を移動するインジウムから実質的に分離するために有効である、多様な半導体構造及び技術について説明する。
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【課題】 青色又は青紫色発光ダイオードを用い、高輝度でコンパクトな白色発光素子を提供しようとするものである。
【解決手段】 青色又は青紫色の発光ダイオードと、該発光ダイオードの発光を吸収して可視域に発光する１種又は２種類以上の蛍光体とを組み合わせた白色発光素子において、前記発光ダイオードの発光色と前記蛍光体の発光色とが互いに補色の関係になり、図１の色度座標中のＷで示した領域内の発光色度点を有する白色に発光するように、前記蛍光体を選択した白色発光素子である。 （もっと読む）

【課題】蛍光体を分散する材料として樹脂を用いると紫外線による劣化の問題があり、ガラス自体の成分として発光中心となる希土類元素を加えた場合、良好な波長変換効率が得られにくく、発光色が製造条件によって変化するため再現性が十分でなかった。本発明は係る問題を解決する。
【解決手段】軟化点が７００℃以上のガラス中に、分散された酸窒化物蛍光体の粒子または窒化物蛍光体の粒子の少なくともいずれかを含み、前記ガラスはオキシナイトガラスである波長変換部材である。この組み合わせによれば、蛍光体の粒子をガラス中に分散させる工程においても蛍光体中の希土類がガラスに溶けてしまうことがなく粒子状態を保つとともに、波長変換効率が向上し、紫色から紫外の励起光によっても劣化しない。また、蛍光体からの光取り出し効率が高く、水分などの雰囲気の影響を受けない安定した波長変換部材となる。この波長変換部材を窒化物半導体発光素子等と組み合わせることにより、小型で長寿命な発光装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】反射サブマウントを有する高抽出効率の発光ダイオードおよびそのＬＥＤを形成するための方法を提供する。
【解決手段】発光領域が上部接触子１６０および伝導性ホルダ１９０の間に配置される。その領域は、上部接触子の下に位置する領域以上に広がる。全方位リフレクタ１８０が、発光領域１２０および伝導性ホルダの間に配置される。１つの実施形態では、このリフレクタが、上部接触子の下に位置する領域以上の領域に対応するように構成される、１つ以上の電気伝導性の接触子を包含する。１つの実施形態では、このリフレクタが、約１．０から２．２５の屈折率とリフレクタを通して広がる接触子１８３と反射伝導性膜１８４とを有する誘電体層を包含する。 （もっと読む）

【課題】発光素子表面を異方性エッチング液に浸漬して粗面化する際に、電極周辺のＧａＰ等のエッチングを防止することで、電極剥がれによる発光強度の低下を防止することができ、また安定した電極を歩留りよく製造することのできる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、光を取り出す第一主表面がＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓのいずれかからなる発光素子基板に電極を形成する工程と、少なくとも該電極を覆う金属製保護膜を前記第一主表面に形成する工程と、該金属製保護膜形成後に、エッチングによって前記発光素子基板の表面を粗面化する粗面化工程と、該粗面化後に、前記金属製保護膜を除去する工程と、を有することを特徴とする発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】内部電界が小さくかつ平坦性の優れたエピタキシャル基板およびこれを用いたデバイスを提供する。
【解決手段】Ｒ面に対する基材１の表面の傾角を、基材１の表面がＣ面から遠ざかる場合に正の値をとり、基材１の表面がＣ面に近づく場合に負の値をとるように定義するとき、基材１の表面の傾角が−２５°以上−１５°以下であるサファイア単結晶基材１を準備し、サファイア単結晶基材１の上に、ＭＯＣＶＤ法によって、ａ軸方向がサファイア単結晶基材１のｒ軸方向に略平行であるＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１．０）からなる基板表面層を形成することにより、エピタキシャル基板を得る。 （もっと読む）

【課題】６５５ｎｍ以上の発光波長を有し、単色性に優れると共に、高出力・高効率であって応答速度が速い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】ｐｎ接合型の発光部７と、発光部７に積層された歪調整層８とを少なくとも含む化合物半導体層２を備え、発光部７は、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ≦０．１、０．３７≦Ｙ≦０．４６）からなる歪発光層とバリア層との積層構造を有しており、歪調整層８は、発光波長に対して透明であると共に歪発光層及びバリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有することを特徴とする発光ダイオード１を採用する。 （もっと読む）

【課題】従来の多接合型太陽電池等において、太陽電池セルを積層するため半導体層の構造上の制約が多く十分な特性が得られないという問題があったので、積層構造の自由度を高め、光電変換効率を増大させることを目的とする。
【解決手段】複数の光吸収スペクトルの異なる太陽電池セルを積層した多接合型太陽電池において、太陽電池セルは、両面に開口する貫通孔を有する透明基板上に形成され、透明基板の貫通孔内部及び太陽電池セルの形成されていない側の面が、透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 発光特性に優れているものの、化学的安定性に問題のある蛍光体を実用化可能とする半導体発光装置と、この半導体発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置を提供する。
【解決手段】 光源と、該光源からの光の少なくとも一部を吸収し、該光源からの光とは異なる波長を有する光を発する蛍光体とを備える発光装置において、該光源として導電性を有する基板上に形成された半導体発光素子を備え、かつ、該蛍光体としてＭｎ^４＋で付活されたフッ素錯体蛍光体を備えることを特徴とする、半導体発光装置。 （もっと読む）

【課題】基板の放熱性及び加工性に優れるとともに、製造工程において半導体層にクラック等の損傷が生じるのを防止でき、高電流の印加が可能で高い発光効率を有し、歩留まりに優れる発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】ヒートシンク基板（基板）１上に少なくとも発光層７を含む化合物半導体層１１が積層され、該化合物半導体層１１の上面側が発光面とされたチップ構造を有する発光ダイオードＡであり、ヒートシンク基板１は、基材部２と、該基材部２に囲まれた埋設部３とからなり、基材部２が、埋設部３よりも熱膨張係数が小さな材料からなる。 （もっと読む）

【課題】青色ＬＥＤ素子、緑色ＬＥＤ素子及び赤色蛍光体を用いる場合であっても、赤色蛍光体を効率よく励起することができ、使用時の発熱による発光色の変化を抑制することのできる発光装置及びバックライト装置を提供する。
【解決手段】青色光を発する第１ＬＥＤ素子１１と青色光により励起されると赤色光を発する第１蛍光体３１とが配された第１キャビティ２１と、緑色光を発する第２ＬＥＤ素子１２と緑色光により励起されると赤色光を発する第２蛍光体３２とが配され第１キャビティ２１と独立して形成される第２キャビティ２２と、を備えた発光装置１から、導光板１０１の端面１０２に光が入射するようにした。 （もっと読む）