【課題】ｐ型窒化ガリウム系半導体領域及び障壁層を形成する際に井戸層の劣化を低減可能な、窒化物系半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体領域１３を成長した後に、基板１１上に障壁層２１ａを成長する。障壁層２１ａは時刻ｔ１〜ｔ２の期間に成長温度ＴＢで形成される。成長温度ＴＢ（＝Ｔ２）は摂氏７６０度以上摂氏８００度以下の範囲である。時刻ｔ２で障壁層２１ａの成長が終了する。障壁層２１ａを成長した後に、成長中断を行うことなく基板１１上に井戸層２３ａを成長する。井戸層２３ａは、時刻ｔ２〜ｔ３の期間に成長温度ＴＷ（＝Ｔ２）で形成される。成長温度ＴＷは成長温度ＴＢと同じであり、また摂氏７６０度以上摂氏８００度以下の範囲であることができる。井戸層２３ａのインジウム組成は０．１５以上である。次いで、成長中断を行うことなく井戸層及び障壁層の成長を繰り返して行う。 （もっと読む）

【課題】AlGaInP半導体層を有する光半導体装置の全反射成分及びフレネル反射成分の抑制が不充分であり、光取り出し効率が低かった。
【解決手段】ｎ型AlGaInPクラッド層１１’の光取り出し面側を、側面が波状斜面であるライン状凸部よりなる波状斜面２次元周期凸構造Ｓとした。 （もっと読む）

本発明は、オプトエレクトロニクス部品（１）であって、少なくとも２個の放射放出半導体チップ（３）が上に配置されている接続支持体（２）と、接続支持体（２）に固定されている変換要素（４）と、を備えており、変換要素（４）が、半導体チップ（３）が変換要素（４）と接続支持体（２）とによって囲まれているように、半導体チップ（３）を包囲している、オプトエレクトロニクス部品（１）、に関する。放射放出半導体チップ（３）の少なくとも２個は、動作時に放出する電磁放射の波長が互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】偏光度を高めることが可能な構造を有する窒化ガリウム系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード１１ａは、半導体領域１３と、ＩｎＧａＮ層１５と、活性層１７とを備える。半導体領域１３は半極性を示す主面１３ａを有し、ＧａＮまたはＡｌＧａＮからなる。半導体領域１３の主面１３ａは、該主面１３ａにおける［０００１］軸方向の基準軸Ｃｘに直交する平面Ｓｃに対して角度αで傾斜する。半導体領域１３の厚さＤ_１３はＩｎＧａＮ層１７の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}より大きく、ＩｎＧａＮ層１５の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}は１５０ｎｍ以上を有する。ＩｎＧａＮ層１５は半導体領域１３の主面１３ａの直上に設けられて、主面１３ａに接している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ層１５の主面１５ａ上に設けられ、この主面１５ａに接触している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ井戸層２１を含む。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤが固着された第１の基板のＬＥＤと反対側の面に対向するように入射光を均一に拡散する第２の基板を配設して、極めて薄く、発光光量を大きくする。
【解決手段】透光性の第１の基板と、ｐｎ接合デバイスとして積層形成され、第１の基板の第１の面に固着された積層薄膜発光素子と、積層薄膜発光素子に形成されたアノード電極及びカソード電極と、積層薄膜発光素子を駆動して発光させるアノードドライバＩＣ及びカソードドライバＩＣと、第１の基板の第１の面に形成され、アノードドライバＩＣと積層薄膜発光素子のアノード電極とを接続するアノード配線、及び、前記カソードドライバＩＣと積層薄膜発光素子のカソード電極とを接続するカソード配線と、透光性を有し、入射光を均一に拡散する機能を有する第２の基板とを有し、第１の基板における第１の面と対向する第２の面と、第２の基板とは密着配置される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を基板とする光を発する活性層を含む窒化物半導体ウエハーをチップ状に分割する際に、切断面、界面のクラック、チッピングの発生を防止し、結晶性を損なうことなく優れた発光性能を有する窒化物半導体チップを得ると共に、歩留良く所望の形とサイズに切断する方法を提供する。
【解決手段】塩素がドーピングされた窒化物半導体基板上に、ｐ型層とｎ型層によって挟まれた活性層を有する多層構造からなる窒化物半導体層を積層したウエハーの基板側に、幅広の第１の割り溝を所望のチップ形状に形成する工程と、前記ウエハーの他方の面を構成する結晶成長側であって前記第１の割り溝を形成する位置に相対向する位置に幅狭の第２の割り溝もしくは欠け溝を所望のチップ形状で形成する工程と、窒化物半導体結晶で構成された領域を、前記第１の割り溝の方からチップ分割する工程とからなることを特徴とする窒化物半導体チップの製造方法。 （もっと読む）

本発明は実装面と該実装面に対向する上面と電気的に絶縁された支持体プレートと電気的な構成素子とハウジングとを有している表面実装可能な装置に関する。この装置は実装面方向で前記支持体プレートによって終端し、支持体プレートは実装面に対向する固定面を有し、電気的な構成素子との電気的なコンタクト形成のために固定面に配設された複数の導体線路と実装面に配設された複数のコンタクト面と複数の貫通孔部とを有する。前記コンタクト面は貫通孔部を介して導体線路と導電接続され構成素子は支持体プレートの固定面に配設されハウジングに取り囲まれる。少なくとも１つの貫通孔部は構成素子下方に配置され、ハウジングは支持体プレート固定面に配設され、それによってハウジングと支持体プレートが相互に面一となり、さらに装置は上面方向で前記ハウジングによって終端する。
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【課題】窒化物半導体層をクラックが生じる臨界膜厚よりも薄く形成しつつ、転位密度の低い窒化物半導体層を得ることのできる発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０２の成長面１０２ａに窒化物半導体層がエピタキシャル成長される発光素子１００において、基板１０２は窒化物半導体層と熱膨張係数が異なり、基板１０２の成長面１０２ａは１μｍ以下の周期で形成された複数の凹部１０２ｃを有し、窒化物半導体層は横方向成長を利用して成長される。 （もっと読む）

【課題】
半導体ナノ構造体において、分子同士の干渉を排除し、ゲスト材料の性能劣化を改善し、表面を改質し、高品質のデバイスを実現すること。
【解決手段】
ホスト材料１０内にゲスト材料として複数のナノ構造２０，３０−２，４０を内包させる半導体デバイスにおいて、前記ゲスト材料の間に新しいサブナノ構造５０がサンドイッチされることを特徴とする。製造方法としての本願は、半導体基板上に、ホスト材料層を形成し、前記ホスト材料層上に単数もしくは複数層のゲスト材料による第１のナノ構造体層を形成し、前記第１のナノ構造体層の上に薄層のサンドイッチサブナノ構造層を形成し、前記サブナノ構造層上に単数もしくは複数層のゲスト材料による第２のナノ構造体層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】波長４０５ｎｍ以下の窒化ガリウム系発光装置の発光出力を増大させる。
【解決手段】基板１０上にバッファ層１２，１４を形成する工程と、バッファ層１４上にｎ−コンタクト層１６を形成する工程と、ｎ−コンタクト層１６上にｎ−クラッド層１８を形成する工程と、ｎ−クラッド層１８上にｎ−ブロック層２０を形成する工程と、ｎ−ブロック層２０上に活性層２２を形成する工程と、活性層２２上にｐ−ブロック層２４を形成する工程と、ｐ−ブロック層２４上にｐ−クラッド層２６を形成する工程と、ｐ−クラッド層２６上にｐ−コンタクト層２６を形成する工程とを有し、ｎ−コンタクト層１６を形成する工程は、Ｓｉ層とｕ−Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ層を交互に積層する工程からなる。 （もっと読む）

本発明は、半導体積層体と第１の電気的な接続層を含み、前記半導体積層体は電磁ビームの生成に適した活性層を有し、前記第１の電気的な接続層は、複数のコンタクト面を備えた半導体積層体に接触し導電的にコンタクト形成する発光ダイオードチップに関している。本発明によれば、前記半導体積層体において不均一な電流密度分布が半導体積層体の主要延在面に沿ったコンタクト面の面密度の不均一な分布によって所期のように設定され、それによって前記半導体積層体又は発光ダイオードチップの主要出射面の第１の領域が前記半導体積層体又は発光ダイオードチップの主要出射面の少なくとも１つの第２の領域よりも少なくとも３倍高い照射強度又は照明強度を有するようになる。
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【課題】光取り出し効率を向上させることが可能な発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この発光素子は、光出射面１１とは反対側に設置された導電性の支持基板１と、支持基板１に接合され、光出射面１１に対して所定の角度傾斜した側面９ａを有する窒化物系半導体素子層９とを備えている。また、この発光素子の製造方法は、成長用基板１２上に、少なくとも光出射面１１に対して所定の角度傾斜した側面を有する半導体素子層を形成する工程と、光出射面とは反対側に支持基板を設置する工程と、支持基板に、半導体素子層を接合する工程と、成長用基板を除去する工程とを備えている （もっと読む）

【課題】 発光ピーク強度比の安定した２ピークの発光スペクトルを得ることが可能な窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体発光素子１は、ｎ型窒化物半導体層１１とｐ型窒化物半導体層１３との間に活性層１２を備える。活性層１２は、第１の井戸層１４と、井戸層の中で最も外側に設けられ、第１の井戸層１４を挟む第２の井戸層１５と、各井戸層間に設けられた障壁層１６、１７と、を有し、第２の井戸層１５は第１の井戸層１４を構成する窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーの大きい窒化物半導体からなり、第１の井戸層１４及び第２の井戸層１５のそれぞれに対応した発光スペクトルのピークを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＩＩＩ族窒化物半導体の表面処理方法、ＩＩＩ族窒化物半導体及びその製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体構造物に関する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体の表面処理方法が開示される。本ＩＩＩ族窒化物半導体の表面処理方法は、ＩＩＩ族元素極性を有する第１表面と、第１表面と反対に位置し、窒素極性を有する第２表面とを有するＩＩＩ族窒化物半導体を備える段階と、窒素極性を有する第２表面がＩＩＩ族元素極性に変換されるように第２表面にレーザーを照射する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 混色により白色となる２色以上の発光部を、単一の発光層内に、任意の面積比率で緻密に形成することができる白色ＬＥＤの製造装置と方法を提供する。
【解決手段】 基板上に有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により結晶を成長させる結晶成膜装置１０と、基板表面に加熱用レーザ光２１を照射する加熱レーザ照射装置２０とを備える。加熱用レーザ光２１は、成長基板のバンドギャップより大きいエネルギー範囲の波長を有する。加熱レーザ照射装置２０は、加熱用レーザ光２１を基板２上で１次元もしくは２次元的に照射するレーザ照射光学装置２３を備え、基板上の一部に加熱用レーザ光を局所的に照射し、発光層成膜時に、同一発光層１に混色により白色となる複数の発光部１ａ，１ｂ，１ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも部分的に緩和されている材料の層を作製するための、迅速で、効果的で、実用的な方法を提案する。
【解決手段】 本発明は、少なくとも部分的に緩和されている材料層（５、５ａ、５ｂ）を作製する方法に関し、リフロー層（２、２ａ、２ｂ）と補剛材層（４、４ａ、４ｂ）との間にひずみ材料層（３、３ａ、３ｂ）を備える構造（１０）を供給するステップと、リフロー層（２、２ａ、２ｂ）をそのガラス転移温度以上の温度まで至らせる熱処理を適用するステップとを備え、熱処理適用ステップ中に補剛材層（４、４ａ、４ｂ）の厚さ削減工程を含む。また、本発明は、半導体デバイスを作製する方法に関し、少なくとも部分的に緩和されている材料層（５、５ａ、５ｂ）を供給するステップを備え、材料層（５、５ａ、５ｂ）上に、少なくとも１つの活性層（６、６ａ、６ｂ）を形成するステップを更に備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化物半導体素子に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態は、ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、複数の量子井戸層及び複数の量子障壁層が交互に積層されて成る活性層とを含み、上記複数の量子井戸層及び複数の量子障壁層の交互積層構造は、第１量子井戸層と、上記第１量子井戸層より高い量子準位を有する第２量子井戸層と、キャリアがトンネリングされることができる厚さのトンネリング量子障壁層と、上記トンネリング量子障壁層より厚い量子障壁層である結晶品質改善層とを有する単位積層構造と、上記第１及び第２量子井戸層より厚い厚膜量子井戸層とを具備することを特徴とする窒化物半導体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】電極を両側面に有する半導体素子を回路基板上に横倒しした状態実装する半導体装置の製造方法において、製造工程を簡略化する。
【解決手段】導電性基板の一方の側にｐ側電極と該ｐ側電極上に形成される厚さ３〜２０μｍの第１金属層とを備え、前記導電性基板の他方の側にｎ側電極と該ｎ側電極上に形成される厚さ３〜２０μｍの第２金属層とを備える半導体素子、を準備するステップと、第１パッド及び第２パッドを有する所定パターンが形成された実装基板上に、前記第１金属層が前記第１パッド上に位置するとともに、前記第２金属層が前記第２パッド上に位置するように、前記半導体素子を載置するステップと、前記実装基板上に載置した前記半導体素子の前記第１金属層と前記第１パッドとを固相接合し、前記第２金属層と前記第２パッドとを固相接合するステップと、を含む、半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電力変換効率の低い補助電力供給モジュールの使用を減少することで、電力割当装置全体の電力変換効率を向上させる。
【解決手段】電力割当装置は第一スイッチ素子と制御装置とを含む。第一スイッチ素子は、複数の電力供給モジュールのうち変換効率が相対的に高い電力供給モジュールの出力端と、変換効率が相対的に低い電力供給モジュールの出力端にそれぞれ結合される第一接続端と第二接続端を備え、導通または切断状態により変換効率が相対的に高い電力供給モジュールから出力された電力を所定数量の負荷に同時に割り当てる。制御装置は第一スイッチ素子に結合され、制御信号を生成して第一スイッチ素子の導通または切断状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】蛍光体を備え、搭載形態を問わずに採用できると共に光損失を低下させることができ、かつ、化合物半導体薄膜から発する光を効率良く蛍光体に照射することができる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、基板１０と、基板１０の表面上に設けられ発光層２４を有する化合物半導体層２０と、基板１０の裏面に形成される凹部１２と、凹部１２の内部に配置され発光層２４が発する光により励起されると当該光と異なる波長の光を発する蛍光体４０と、凹部１２を覆い蛍光体４０が発する光に対して透過性を有し無機材料からなる透明層３０と、を備える。 （もっと読む）