【課題】光度の高いＬＥＤランプを提供すること。
【解決手段】樹脂製リフレクタを備えるＬＥＤランプの製造方法において、樹脂製リフレクタが形成するキャビティの中に充填される熱硬化性封止樹脂の硬化工程を、不活性ガス雰囲気下、還元雰囲気下又は真空雰囲気下で実施する。 （もっと読む）

【課題】発光素子への加工等が容易で、且つ良好な発光をする発光素子を提供する。
【解決手段】導電性基板8がFe-Ni合金であって、前記導電性接着剤がAu-Sn半田7である。本発明による半導体発光素子の製造方法は、GaAs（111）Ａ基板1に発光層を含むGaN系半導体層の積層を成長した後、導電性の接着剤により前記積層表面に設けた電極面と導電性基板とを接着した後、GaAs（111）Ａ基板1を除去する。GaAs（111）Ａ基板1をアンモニア系エッチャントによるウェットエッチングによって除去する。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に複数のＧａＮ系発光ダイオード素子を形成してなる発光装置であって、前記複数の発光素子が前記絶縁基板上に一体として形成され、直列に接続されていることを特徴とする発光装置を提供する。また、複数の発光ダイオード素子は、前記絶縁基板上にニ次元配置されていてもよい。また、複数の発光ダイオード素子は２つの組に分けられ、前記２つの組は２個の電極に互いに反対極性となるように並列接続されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能で、ディスプレイとして使用する場合には、解像度を高くすることが可能な発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２上には、一導電型半導体層３ａと、一導電型半導体層３ａに積層される逆導電型半導体層３ｂを含み、離間して設けられる複数の発光素子３が設けられる。これらの発光素子３を覆うように複数の蛍光体が設けられ、この蛍光体は、発光素子３から放射される光によって励起され、異なる波長の蛍光を発光する複数の蛍光物質をそれぞれ含む。共通カソード電極４は、同じ蛍光体に覆われた発光素子３に含まれる一導電型半導体層３ａと電気的に接続され、共通アノード電極５は、異なる蛍光体に覆われた発光素子３に含まれる逆導電型半導体層３ｂと電気的に並列接続される。 （もっと読む）

【課題】長波長の発光を提供でき小さなブルーシフトを示す構造の発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系発光ダイオード１１では、窒化ガリウム基板１３の主面１３ａは半極性を示しており、また該六方晶系窒化ガリウムの（０００−１）面に対して１８度以上２８度以下の角度θで所定の方向に傾斜している。活性層１９は量子井戸構造２３を有しており、量子井戸構造２３は、Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０．２＜Ｘ＜１）からなる井戸層２５ａと窒化ガリウム系半導体からなる障壁層２５ｂとを含む。活性層１９は、５１０ｎｍ以上の波長範囲にピーク波長を有する光を生成する。井戸層２５ａは、井戸層２５ａのＩｎ_ＸＧａ_１−ＸＮの（０００−１）面に対して傾斜した所定の平面（Ｘ軸及びＹ軸によって規定される平面）に沿って延びている。 （もっと読む）

【課題】 黄色光を高い発光効率で放射することができ、使用個数、消費電力及びコストの削減に寄与し、光害を招きにくく、また寿命が長いＬＥＤランプを用いて、害虫防除するとともに草花の開花をきめ細かく制御することができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】 半導体からなりピーク波長３７０〜４８０ｎｍの青色光ないし近紫外光を発光する発光素子と、前記発光素子が発光した青色光ないし近紫外光を励起光としてピーク波長５６０〜５８０ｎｍの黄色光を放射する蛍光体とを組み合わせてなるＬＥＤランプ８を、栽培中の草花の上方に設置し、前記ＬＥＤランプ８を発光させることにより、前記ＬＥＤランプ８の発光により照らされる草花の上端での照度が１２ｌｘ以上で設定される任意の値とすることにより、害虫防除しながら草花の開花を制御する。 （もっと読む）

【課題】 フォトニック結晶構造を用いて外部量子効率を向上させるにあたって、凹凸の高さを低減して、結晶欠陥に起因する非発光準位の発生を抑制することができる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の半導体結晶層が積層されてなり、発光層１２を備える発光素子２と、発光素子２の一方の主面２１側に配置され、発光素子２を支持する支持基板３と、金属膜４とを備え、発光素子２の前記一方の主面部には、発光層１２からの光を他方の主面２２の側に反射するフォトニック結晶構造体２３が形成されており、発光素子２の一方の主面２１が、前記金属膜４によって覆われている。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体の単結晶基板の両面に、III族極性の発光素子を作製することが可能な発光素子用基板、およびそれを具備し、１素子当たりの電流注入量を低下させ、また1素子のサイズを大きくすること無く高輝度化した発光装置を提供する。
【解決手段】 III族極性を示す第１の主面１ａと、Ｎ極性を示す第２の主面１ｂと、を有する窒化物半導体の単結晶基板１と、前記第２の主面１ｂ上に設けられ、化学式Ｇａ_1-x-yＡｌ_xＩｎ_yＮ（ただし、０＜ｘ≦１，０＜ｘ＋ｙ≦１，０≦ｙ＜０．１である）で表される極性反転層２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】無機マトリックス前駆体溶液に均質に分散される量子ドット前駆体を用いて、比較的低温で発光量子ドット−無機マトリックス複合体を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、量子ドット前駆体を含む無機マトリックス前駆体溶液を製造した後、前記マトリックス前駆体溶液を基板上にスピンコーティングして熱処理して量子ドット−無機マトリックス複合体を得るという量子ドット−無機マトリックス複合体の製造方法に関する。本発明により製造される量子ドット−無機マトリックス複合体は、無機マトリックス中に高効率の量子ドットが高密度で充填され、発光効率に優れ、低温工程で容易に製造することができ、様々なディスプレイ及び電子素子の材料として有用に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】高い光出力パワー用に適した光電子半導体素子を実現することである。
【解決手段】光電子半導体素子１は、ガリウムまたはアルミニウム物質のうち少なくとも１つを含む半導体結晶材料から構成され、表面に少なくとも１つの光学表面３が形成された、少なくとも１つの光学活性領域２と、光学活性領域２の、光学表面３に面する部分に形成された、硫黄またはセレンを含む、単分子層の１０層分までの層からなる、少なくとも１つの境界層４とを備える。 （もっと読む）

【課題】静電気対策の施された小型化可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、基板上に形成された配線パターン上に複数の半導体発光素子を備える。配線パターンの封止樹脂部から露出した部分のうち、実装面側から離れる方向に遠い位置に延設された配線パターンに電気的に接続された半導体発光素子は、他の半導体発光素子より静電耐圧の高いものが選択される。静電耐圧の高い半導体発光素子に接続された配線パターンは、他の半導体発光素子に接続された配線パターンと電気的に独立していることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物系超格子と超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性領域とを有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】活性領域は、少なくとも１つの量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも１つの量子井戸構造を含む活性領域を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。量子井戸構造は、ＩＩＩ族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のＩＩＩ族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のＩＩＩ族窒化物を含むキャップ層とを含む。またＩｎ_XＧａ_1-XＮとＩｎ_YＧａ_1-YＮとの交互層（ここで０≦Ｘ＜１および０≦Ｙ＜１、ならびにＸはＹに等しくない）の少なくとも２つの周期を有する窒化ガリウム系超格子を含む。 （もっと読む）

【課題】発光特性に優れる化合物半導体発光素子及びその製造方法、ランプ、電子機器並びに機械装置を提供する。
【解決手段】基板１１上に、化合物半導体からなるｎ型半導体層１２、発光層１３及びｐ型半導体層１４がこの順で積層され、さらに、導電型透光性電極からなる正極１５及び導電型電極からなる負極１７を備えてなり、正極１５をなす導電型透光性電極は六方晶構造を有するＩｎ_２Ｏ_３なる組成の結晶を含む透明導電膜である。 （もっと読む）

【課題】従来の蛍光体よりもさらに高い輝度を示す蛍光体および製造方法ならびにそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】Ｍ（０）元素（ただしＭ（０）は、Ｓｒ、Ｌａから選ばれる一種または二種の元素である）と、Ｍ（１）元素（ただし、Ｍ（１）は、Ｍｎ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂから選ばれる一種以上の元素である。）と、Ｓｉと、Ａｌと、窒素とを少なくとも含み、α型窒化珪素結晶と同一の結晶構造を持つ、α型サイアロン結晶構造からなる蛍光体を採用する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物系超格子と超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性領域とを有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】活性領域は、少なくとも１つの量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも１つの量子井戸構造を含む活性領域を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。量子井戸構造は、ＩＩＩ族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のＩＩＩ族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のＩＩＩ族窒化物を含むキャップ層とを含む。またＩｎ_XＧａ_1-XＮとＩｎ_YＧａ_1-YＮとの交互層（ここで０≦Ｘ＜１および０≦Ｙ＜１、ならびにＸはＹに等しくない）の少なくとも２つの周期を有する窒化ガリウム系超格子を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の一方に発光層を形成し、発光層を形成した同じ側にｎ側電極とｐ側電極を形成した半導体発光装置では、投入電力が大きくなるとｎ側電極の近傍で発熱が生じ発光効率が低下するという課題があった。
【解決手段】ｎ側電極のオーミック電極とｐ側電極のオーミック電極との間の距離は一定の範囲になるように形成し、印加された電圧による素子内部の電界をオーミック電極間でほぼ一定値となるようにする。特に１Ａ以上を流す半導体発光素子の場合は、電極間距離は５０μｍ以上にして形成するのが好適である。 （もっと読む）

【課題】 実装面に設けられたキャビティに載置された保護素子を封止した発光装置において、封止部材が給電部まで流れることを抑制し、実装不良等のない信頼性の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 支持体１０１と、該支持体の上面側に載置された発光素子１０６と、前記支持体の下面側に形成されたキャビティと、該キャビティに載置された保護素子１０２を被覆する封止部材１０３とを備えた発光装置であって、前記キャビティの内側壁に凹部または凸部を有し、前記封止部材は前記凹部または凸部の少なくとも一部を覆い、かつ、前記キャビティの内側に配置され、前記下面側に端子電極１０５を有することを特徴とする発光装置。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減させるとともに出力を向上させることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、積層半導体層と、透明電極層１７と、ｐ型電極パッド１８と、ｎ型電極パッド１９とを具備してなり、平面視形状が四辺形であり、透明電極層１７がＩｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｎｉのいずれか一種以上を含む透明導電性酸化物から構成され、ｐ型電極パッド１８とｎ型電極パッド１９の端間距離ｍが０．７Ｌ＜ｍ（Ｌはｐ型電極パッド１８とｎ型電極パッド１９の重心Ｏ_１、Ｏ_２同士を結ぶ直線ｎ上における透明電極層１７の長さからｐ型電極パッド１８の外径ｄを引いた長さ）を満たすとともに、長辺の長さをＸとし、短辺の長さをＹとしたときに、１．５≦Ｘ／Ｙを満たすＩＩＩ族窒化物半導体発光素子１を採用する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子層のｐｎ接合部分が電気的に短絡するのを抑制することが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子（半導体発光素子）５０は、半導体レーザ素子部１０と、所定の金属（たとえばＡｌなど）からなる金属基板３０とを備える。そして、半導体レーザ素子部１０は、金属基板３０の表面で支持されるとともに、金属基板３０の側面は、半導体レーザ素子部１０を支持する側の金属基板３０の表面と鋭角をなす傾斜面３１を有している。 （もっと読む）

【課題】露光パターンに応じて個々の半導体光源の点消灯を制御することにより、細部に渡って正確な露光制御が可能とすること。
【解決手段】設定された露光パターンでプレート６００を露光するための露光装置１００は、二次元に配置された複数の半導体光源２０１と、複数の半導体光源２０１の各々の点消灯を露光パターンに応じた照明モードテーブルデータ７０３を参照して制御する光源コントロール部７００と、を備える。 （もっと読む）