【課題】従来よりも効率良く光を取り出すことができる半導体発光素子、発光装置、照明装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】基板１表面には、アンドープＧａＮ層２、ｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５がこの順に積層した半導体層３０を形成してある。半導体層３０の一部には、ｐ型半導体層５及び活性層４をエッチングなどにより除去して露出したｎ型半導体層３の表面にオーミック電極９を形成してある。基板１上にボンディング電極（ｎパッド）７を形成してあり、ボンディング電極７は、オーミック電極９を覆うようにして延設され、オーミック電極９に接続してある。半導体層３０の他の一部の側面には、半導体層３０の外周側面を被覆する被覆膜１１を形成してあり、被覆膜１１が形成された半導体層３０の近傍には、基板１上にボンディング電極（ｐパッド）８を形成してある。 （もっと読む）

【課題】広い注入電流範囲において、発光効率が改善可能な発光装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる第１の層と、第２導電型の半導体からなる第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に設けられた多重量子井戸を含む活性層であって、前記多重量子井戸のそれぞれの障壁層内の第１導電型の不純物濃度は略平坦な分布であるかまたは前記第２の層に向かって増加し、前記多重量子井戸のそれぞれの井戸層からみて前記第２の層側の障壁層の不純物濃度の平均値は前記第１の層側の障壁層の不純物濃度の平均値以上であり、前記第２の層に最も近い障壁層の不純物濃度の平均値は前記第１の層に最も近い障壁層の不純物濃度の平均値よりも高い活性層と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 保護素子を発光素子に併用可能とすることにより、より耐圧強度を確保しながら、リードと透光性樹脂との密着性の低下やワイヤの断線を防止して、その特性を向上させ、信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】 発光素子と、前記発光素子が載置される第１のリード部材と、所定の間隙をあけて前記第１のリード部材と、その隅部が対向する第２のリード部材と、前記発光素子の電極と前記第２のリード部材とを電気的に接続する導電性ワイヤと、前記発光素子、第１のリード部材および第２のリード部材の一部、導電性ワイヤを被覆する透光性樹脂と、を有する発光装置であって、前記第１のリード部材の第１の隅部が鋭角であり、第２の隅部が鈍角であり、前記第２のリード部材の第３の隅部が鈍角であり、第４の隅部が鋭角であり、前記第１の隅部と前記第３の隅部が対向しており、前記第２の隅部と前記第４の隅部が対向しており、前記第１の隅部と前記第４の隅部は、リード部材の厚みが肉薄であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は二重スケール粗化構造を有する光電素子を提供する。
【解決手段】 光電素子の半導体層でエピタキシャル成長を行う過程において、ドーパントを高濃度ドープ（ｈｅａｖｉｌｙ−ｄｏｐｅ）することにより、この半導体層に複数個の島状体を成長させることができる。その後、エピタキシャル温度を下げることで、複数個のピンホール（ｐｉｎ ｈｏｌｅｓ）を複数個の島状体に持続的に形成する。その内、ピンホールは島状体の頂部と側面に分布し、光の光電素子内部における全反射率を大幅に下げることができ、さらには光電素子の光強度を増加させる。そして、従来の技術と比較して言えば、本発明が提示する製造工程は、低汚染、製造工程が簡単、コストが低廉、光取り出し効率がより優れている、二重スケールの出光面の有効面積が比較的大きい（平滑な出光面がほとんど存在しない）等の優位性を有している。 （もっと読む）

【課題】 発光効率を高めると共に、繊細な色度調整が可能な発光装置を提供することにある。
【解決手段】 第１の青色発光素子６は、緑色蛍光体１０が混入された緑色封止樹脂１２で封止されている。第２の青色発光素子８は、赤色蛍光体１４が混入された赤色封止樹脂１６で封止されている。発光装置２では、第１及び第２の青色発光素子６，８がそれぞれ発光すると共に、第１及び第２の青色発光素子６，８からの光にそれぞれ励起されて緑色蛍光体１０と赤色蛍光体１４が発光することで白色光を発生する。緑色蛍光体１０と赤色蛍光体１４の励起は、第１及び第２の青色発光素子６，８の発光をそれぞれ可変することで個々に調整する。 （もっと読む）

【課題】発光素子及びこの製造方法並びにこれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】本発明は、基板、及び基板上に形成されて、それぞれＮ型半導体層とＰ型半導体層とを有する複数の発光セルを含む発光素子であって、交流電源電圧の順方向及び逆方向の電圧印加時の両方で光を出射する少なくとも１つの発光セルを有する第１の発光セルブロックと、交流電源電圧の順方向の電圧印加時でのみ光を出射することが可能な少なくとも１つの発光セルと、交流電源電圧の逆方向の電圧印加時でのみ光を出射することが可能な少なくとも１つの発光セルと、を含む第２の発光セルブロックと、を含む発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 構成及び製造工程をより簡単にした発光素子アレイ及びこれを備えた画像表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る発光素子アレイ１は、基板３と、基板３上に形成され、行列状に配置された複数の発光素子５と、行方向Ｈに並ぶ発光素子５間を接続する複数の第一電極配線Ｘ１，Ｘ２と、第一電極配線Ｘ１，Ｘ２から分岐して列方向Ｖに引き出された電極リード配線Ｚ１，Ｚ２と、を備え、複数の第一電極配線Ｘ１，Ｘ２の少なくとも１つは、複数の部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂに分割されており、該分割部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂ間の領域を経由して、他の第一電極配線Ｘ２から分岐した前記電極リード配線Ｚ２が引き出されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子に対するダメージを抑制できる発光装置及び発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置２は、はんだ層が表面に設けられた電極を有する発光素子１と、バンプ１１０を有する搭載基板１００とを備え、発光素子１は、はんだ層がバンプ１１０へ接合することにより搭載基板１００に固定される。 （もっと読む）

【課題】単一の発光素子を用いて、線状光源装置の端部にわたって、均一及び光強度の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板と、該基板に配置された発光素子と、該発光素子を挟むように前記基板に設けられる一対の反射部材と、該発光素子と前記一対の反射部材の少なくとも一部を被覆する透光性部材と、を備えた発光装置であって、前記透光性部材は、前記発光装置の側面において露出する第１の側面及び該第１の側面と対面する第２の側面を有しており、前記発光素子の上方に、第１の側面から第２の側面まで延伸する溝部を有する事を特徴とする発光装置。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱型結晶構造を有する化合物半導体のｃ軸に平行な面を主表面とした結晶基板を用い、より高い結晶品質のエピタキシャル成長薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】結晶基板１０１は、ウルツ鉱型結晶構造を有する化合物より構成され、ｃ軸１１１に平行な結晶面に略平行な基板面（主表面）１０２を備え、基板面１０２は、全域にわたって、ｃ軸１１１に垂直で基板面１０２を通る軸を中心として同一方向に回転している。例えば、結晶基板１０１は、ＧａＮの結晶基板であり、基板面１０２は、ｃ軸１１１に平行な結晶面であるＭ面１０３に略平行とされ、全域にわたって、ｃ軸１１１に垂直な仮想のｓ軸１１２を中心として、同一方向に０．４°回転している。 （もっと読む）

本発明の様々な実施形態は、エネルギー効率の良い、１０Ｇビット／秒を超える高速変調レートを実現する半導体発光デバイスを対象とする。これらのデバイスは、２つの相対的に厚い半導体層の間に埋め込まれた発光層を含む。エネルギー効率の良い、高速変調レートは、適切な発光電圧が印加されたときに光放出のためにキャリアの発光層への注入を容易にし、適切な消光電圧が印加されたときにキャリアの除去を容易にする電子状態を有する半導体材料から構成された発光層に隣接する層から結果として得られる。 （もっと読む）

【課題】従来のｐ型III族窒化物半導体超格子からなるｐ型半導体よりも低抵抗のｐ型特性を示す所望の屈折率とバンドギャップを有するｐ型III族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】このｐ型III族窒化物半導体は、サファイア基板２０上に低温ＧａＮバッファー層２１，ＧａＮ層２２が順次積層された積層構造上にエピタキシャル成長された、Ｉｎ_0.04Ａｌ_0.2Ｇａ_0.76Ｎ層とｐ型Ｉｎ_0.1Ａｌ_0.04Ｇａ_0.86Ｎ層との超格子構造からなるｐ型III族窒化物半導体２３である。 （もっと読む）

【課題】色むらをより低減させることが可能で、かつ、蛍光体の励起効率および光の取り出し効率が低下するのを抑制することが可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】このＬＥＤランプ１０（半導体発光装置）は、ＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１の光の出射方向（Ｂ２方向）側に少なくとも２層以上設けられ、ＬＥＤチップ１から出射された光の波長を変換する蛍光体を含む蛍光体層５および６と、蛍光体層５および６の間に挟まれるように配置されたＡｌからなる薄膜状の光拡散部７とを備える。 （もっと読む）

【課題】半極性を利用する窒化ガリウム系半導体において、歪みの緩和により転位の発生を抑制されたIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード２１ａの支持基体２３の主面２３ａは、ｃ面に対して１０度より大きく８０度未満のオフ角で傾斜する。半導体積層２５ａは、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長範囲内の発光ピークを有する活性層２７を含む。ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ３）とバッファ層３３ａの（０００１）面との傾斜角Ａは０．０５度以上であり、傾斜角Ａは２度以下である。また、ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ４）と井戸層３７ａの（０００１）面との傾斜角Ｂは０．０５度以上であり、傾斜角Ｂは２度以下である。傾斜角Ａ及び傾斜角Ｂは、ＧａＮ支持基体のｃ面に対して互いに逆方向に傾斜している。 （もっと読む）

本発明は射出成形によって少なくとも１つの光学素子が取り付けられた保持フレームに関する。前記少なくとも１つの光学素子は少なくとも内部全反射および／または回折によってビーム成形するために形成されている。
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【課題】色のばらつきに対する安定性に優れ、経時的変化に対する色の安定性が確保された照明装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子３と、白色樹脂からなり、半導体発光素子３を収納する凹部３１ｂが上面３１ａに開口されてなり、半導体発光素子３からの光を出射させるリフレクタ３１と、リフレクタ３１の凹部３１ｂに充填されて半導体発光素子３を覆うように形成され、半導体発光素子３が発する光を吸収してより長波長の光を発する蛍光体及び透明樹脂からなる蛍光体含有樹脂層２とを備え、蛍光体の真密度が３ｇ／ｃｍ^３以上４．７ｇ／ｃｍ^３以下の範囲とされるとともに質量平均粒径が７μｍ以上１５μｍ以下の範囲とされ、蛍光体含有樹脂層２は、その上面２ｃが上面３１ａよりも凹んでおり、その凹み量ｄが上面３１ａから−２０μｍ〜−１００μｍの範囲に設定されている照明装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】無極性面の主面を有する窒化物系半導体結晶基板を含む窒化物系半導体発光素子の動作特性を改善する。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子は、窒化物系半導体結晶の基板とこの基板の一主面上に形成された窒化物系半導体結晶の半導体積層構造とを含み、この半導体積層構造はｎ型層とｐ型層とに挟まれた発光層を含み、基板の主面は窒化物系半導体結晶の｛１０−１０｝面を基準として＜０００１＞軸の周りに−０．５°以上−０．０５°以下または＋０．０５°以上＋０．５°以下の角度だけ回転させられた傾斜面を有していることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】人間の可視感度が高い波長帯域の光を増加させ、発光光度の向上を図った発光ダイオード用エピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】ウエル層６ａとバリア層６ｂを交互に積層した多重量子井戸構造の活性層６を有する発光ダイオード用エピタキシャルウエハにおいて、活性層６の少なくとも１つのウエル層６ａの厚さが、他のウエル層６ａの厚さと異なるものである。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂を備えた発光装置は、発光素子から放射された光のうち、基体に平行に近い方向に放射される光ほど、封止樹脂中を長い距離進むことになる。放射光は封止部材の中を進むことにより樹脂などの封止部材に吸収されるので、発光装置の輝度の低下の原因となっていた。
【解決手段】基体と、該基体上に配設された複数の発光素子と、前記複数の発光素子上に互いに離隔するようにそれぞれ配設された複数の封止部材とを備えている。また、前記封止部材は、側面が曲面形状であって、前記基体の主面に対して垂直な断面における前記基体の主面に対して平行な方向の幅が、前記基体の主面から離隔するにしたがって大きくなる形状である。 （もっと読む）

【課題】歪みを形成することなく、単層または多層の量子ドット層を成長させる。
【解決手段】Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ層と、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ層の上に配置された（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ量子ドットと、を備えた半導体デバイスにおいて、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ層におけるインジウム比率がゼロではない（１−ｘ−ｙ≠０）。 （もっと読む）