【課題】放熱性に優れ、接合の際の基板の割れを抑制でき、高電圧を印加して、高輝度で発光させることのできる発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び発光ダイオードの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】発光層２を含む発光部３にヒートシンク基板５が接合された発光ダイオード１であって、ヒートシンク基板５は、第１の金属層２１と第２の金属層２２とが交互に積層されてなり、第１の金属層２１は、熱伝導率が１３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であって、熱膨張係数が発光部３の材料と略等しい材料からなり、第２の金属層２２は、熱伝導率が２３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である材料からなる発光ダイオード１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】明るく且つ長期に亘る使用や使用環境条件に係らず良好な光学特性の維持及び高い信頼性の確保が可能な半導体発光装置を実現することにある。
【解決手段】基材２上に銀系材料からなる高反射率を有する光反射層６を形成して該光反射層６の上に透明なシリカガラス膜７を成膜し、該シリカガラス膜７に透明なシリコーン接着剤８を介して透光性を有する半導体発光素子９を接着・固定するようにした。 （もっと読む）

【課題】非極性ＩＩＩ族窒化物層を有する多層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に複数の核形成層を形成する工程と、該核形成層上に非極性ＩＩＩ族窒化物層を形成する工程とを備え、複数の核形成層がそれぞれ独立して下記式（Ｉ）で表される窒化物から選択される。


上記式において、ＡとＢは異なっており、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、ＩＮ又はＴｌから選択され、且つ０≦ｘ≦１である。該複数の核形成層によって、応力の緩和、格子不整合（ｍｉｓｍａｔｃｈ）の減少、転位延長の阻止、転位密度の低減に有利になるため、表面が平坦で且つ結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】複数のＬＥＤチップの位置精度を高めることができ且つ各ＬＥＤチップの交換が容易な発光装置を提供する。
【解決手段】複数のＬＥＤチップ１への給電用の導体パターン２３，２３が一表面側に形成された基板２と、基板２との間に各ＬＥＤチップ１を保持した透光性基台３とを備える。透光性基台３は、各ＬＥＤチップ１それぞれの錐体１１が各別に挿入され各錐体１１を位置決めする複数の六角錘状の位置決め凹所３１が基板２に対向する上記一表面に形成されている。また、基板２が透光性基台３に着脱自在であり、且つ、各導体パターン２３，２３上に固着されたバンプ３０，３０がＬＥＤチップ１のアノード電極１７およびカソード電極１８それぞれに圧接されており、各ＬＥＤチップ１が交換可能となっている。位置決め凹所３１は、三角錘状の形状としてもよい。 （もっと読む）

【課題】井戸層の膜厚方向に関するインジウム組成の不均一を改善可能であると共に井戸層内の欠陥密度を低減可能な、窒化物系半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】 井戸層成長の第１の期間Ｐ１では、III族原料としてガリウム原料及びインジウム原料を成長炉１０に供給してＩｎＧａＮ薄層を成長する。第２の期間Ｐ２では、ガリウム原料を供給すること無くインジウム原料を成長炉１０に供給する。第２の期間Ｐ２は第１の期間Ｐ１に連続して行われる。第１の期間Ｐ１は、時刻ｔ３〜ｔ４、時刻ｔ５〜ｔ６において行われる。時刻ｔ３〜ｔ４では、ＩｎＧａＮ薄層２４ａが成長され、時刻ｔ５〜ｔ６ではＩｎＧａＮ薄層２６ａが成長される。第２の期間Ｐ２は、時刻ｔ４〜ｔ５において行われる。活性層２１の井戸層２５は複数のＩｎＧａＮ薄層２４ａ、２６ａからなる。 （もっと読む）

【課題】発光効率の向上を図れる発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１０は、ｐ形窒化物半導体層１６に接合されｐ形窒化物半導体層１６よりも平面サイズが大きなｎ形ＺｎＯ基板１１を備え、複数の島状のカソード電極１８がｎ形窒化物半導体層１４に対してオーミック接触となるように形成されるとともに、アノード電極１７がｎ形ＺｎＯ基板１１におけるｐ形窒化物半導体層１６側でｎ形ＺｎＯ基板１１に対してオーミック接触となるように形成され、ｎ形ＺｎＯ基板１１よりもＬＥＤ薄膜部１２が実装基板２０に近くなる形で実装基板２０に実装されている。実装基板２０は、ＬＥＤチップ１０から実装基板２０側に放射された光をＬＥＤチップ１０側へ反射する反射膜２５が形成されている。ＬＥＤチップ１０の各カソード電極１８の平面形状は、直径Ｌ２がバンプ３８における導体パターン２８との円形状接合面の直径Ｌ１以下の円形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＰ厚膜の成長を伴う発光素子において、従来のバルク型活性層の長寿命、低抵抗という利点を維持しつつ、多重活性層型発光素子の持つ高い発光効率（特に内部量子効率）を両立させた発光素子を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層及びｎ型クラッド層と、前記ｐ型クラッド層及び前記ｎ型クラッド層に挟まれたＡｌＧａＩｎＰからなる少なくとも２層以上の活性層と、該活性層よりＡｌ組成が高いＡｌＧａＩｎＰからなる障壁層とを有する構造の化合物半導体基板を用いて製造された発光素子であって、前記活性層と前記障壁層は交互に積層されたものであって、前記活性層と前記障壁層の界面に、該活性層よりＡｌ組成が高く、かつ該障壁層の最大Ａｌ組成より低い、厚さ０．５〜１．７ｎｍの領域を有する発光素子。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、光出力の再現性が高い半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。
【解決手段】第１半導体層と、第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有し、第２半導体層と発光層とが選択的に除去されて第２半導体層の側の第１主面に第１半導体層の一部が露出した積層構造体と、第１主面上において第１及び第２半導体層とそれぞれ接続された第１電極及び反射性の第２電極と、前記第２電極の一部と前記第２半導体層との間に設けられ透光性を有する絶縁層と、を備え、前記第２電極と前記絶縁層とが重なる領域における前記第２電極の外側の縁端から前記絶縁層の内側の縁端までの距離は、前記第１主面の周辺部よりも中心部において短いことを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

【課題】安定した表面を有する、３族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層付きIII族窒化物基板１０は、III族窒化物基板と、エピタキシャル層と、を備えている。III族窒化物基板とエピタキシャル層との界面における１ｃｍ^３当たりのＣ原子の個数が２×１０^１６個以上５×１０^１７個以下であり、当該界面における１ｃｍ^３当たりのｐ型金属元素の原子の個数が２×１０^１６個以上１×１０^１７個以下である。 （もっと読む）

【課題】 安定した表面を有するIII族窒化物基板を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係るIII族窒化物基板は、表面層を有している。当該表面層は、３ａｔ．％の〜２５ａｔ．％の炭素を含み、且つ、５×１０^１０原子／ｃｍ^２〜２００×１０^１０原子／ｃｍ^２のｐ型金属元素を含んでいる。このIII族窒化物基板は、安定した表面を有するものとなる。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＮ層の裏面（Ｎ原子面）上に低抵抗なオーミック電極を形成することが可能なオーミック電極、半導体装置、オーミック電極の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】オーミック電極１６は、表面１３ａと、この表面１３ａと反対側の裏面１２ｂとを有し、表面１３ａが（０００１）面で、導電型がｎ型であるＡｌＧａＮ層１１の裏面１２ｂに形成されたオーミック電極１６において、オーミック電極１６において裏面１２ｂに接触している領域はＷを含むことを特徴としている。オーミック電極１６の製造方法は、裏面１２ｂに接触する領域にＷおよびＭｏの少なくとも一方を含むオーミック電極１６を形成することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】急激な金属−絶縁体転移半導体物質を利用した２端子半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の一形態に係る２端子半導体素子は、第１電極膜と、第１電極膜上に配置される２ｅＶ以下のエネルギーギャップと正孔準位内の正孔とを有する急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜と、急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜上に配置される第２電極膜と、を備えている２端子半導体素子である。これによれば、第１電極膜と第２電極膜との間に印加される電界によって急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜では、構造的な相転移ではない正孔ドーピングによる急激な金属−絶縁体転移が発生する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れた半導体発光素子を高い収率で製造が可能な半導体発光素子用テンプレート基板とその製造方法等を提供する。
【解決手段】表面に複数の凸部１０２が形成された基板１０１と、基板１０１の複数の凸部１０２が形成された面上に成膜されたＩＩＩ族窒化物半導体からなるバッファ層１２と、を少なくとも有し、凸部１０２が形成された基板１０１の表面の、均一な形状に形成されていない凸部１０２が占める面積の割合を示す不良面積率が１０％以下である半導体発光素子用テンプレート基板Ｉ_０。 （もっと読む）

【課題】活性層の結晶性を確保でき、かつ光効率を向上させることができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明による窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物層とｐ型窒化物層との間に形成される活性層を含む窒化物半導体発光素子であって、活性層は交互に形成される複数の量子井戸層及び量子障壁層を含み、複数の量子障壁層のうち、ｐ型窒化物層に隣接して形成される量子障壁層は残りの量子障壁層より薄いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子を形成する半導体チップとサブマウントとが半田層により接合され、高い放熱効率および接触抵抗の増加を抑制した半導体発光素子を提供する
【解決手段】 半導体チップ（I）と電極層を有するサブマウント（II）とを基本の構成要素とする半導体発光素子（III）において、半導体チップのｐ電極とサブマウントの電極層とが金と錫とからなる合金などの半田を介して接合され、しかも、ｐ電極と半田層との間にニッケルやアルミニウムなどのバリア金属層を形成することで、接触抵抗の増加原因となる半田層中の金属拡散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の向上と、発光の均一性を両立させたIII 族窒化物半導体発光素子の実現。
【解決手段】発光素子１００は、ｎ型層１０６のｎ電極１０７側の面に、凹部１０８と微細な凹凸１０９とによる、深さ、幅の異なる２段階の凹凸加工が施されているため、微細な凹凸１０９のみを施した場合に比べて光取り出し効率が向上している。また、凹部１０８のパターンとｎ電極１０７の配線部１１０のパターンは格子状パターンであり、凹部１０８の正方形の各格子内に必ずｎ電極１０７の配線部１１０が形成されているようなパターンとなっている。そのため、素子面内に電流が均一に拡散し、発光の均一性を保持することができる。 （もっと読む）

【課題】輝度を向上することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子は、基板と、当該基板の上に形成される第一クラッド層と、当該第一クラッド層の上に形成される活性領域と、当該活性領域の上に形成される第二クラッド層と、を含み、前記活性領域は、不純物が添加されている第一型の障壁層、及び、不純物が添加されていない第二型の障壁層を含み、且つ、前記第一型の障壁層は、前記第二型の障壁層よりも前記第一クラッド層に接近する。 （もっと読む）

【課題】環境による劣化を抑制し、発光素子に用いたとき、蛍光体から放出される蛍光が充分に拡散され、発光素子からの発光に色むらが発生するのを抑制することができる蛍光体部材を提供する。特に、色むらが抑制された白色光を発光することができる発光素子や、これを用いた照明装置を提供する。
【解決手段】発光体からの発光に励起され波長変換光を放出する蛍光体粒子と、該蛍光体粒子を被覆する中間被覆層と、該中間被覆層を被覆するガラスを含むガラス層とを有し、外形が不斉である。 （もっと読む）

【課題】発光素子から出射される光の取り出し効率の低下を抑制するとともに発光に伴う発光素子の温度上昇を抑制する。
【解決手段】発光チップ２２は、凹部３１を有する容器３０と、凹部３１に露出するように設けられる第１リード部６１乃至第４リード部６４と、凹部３１に露出する第１リード部６１乃至第４リード部６４に実装される第１青色ＬＥＤ乃至第４青色ＬＥＤ７４とを備える。容器３０は、凹部３１において第１リード部６１乃至第４リード部６４が露出していない領域を覆うよう第１容器部４０と、凹部３１に露出することなく第１リード部６１乃至第４リード部６４に接触して第１容器部４０を収容する第２容器部５０とを備えており、第１容器部４０を第２容器部５０よりも光反射性の高い材料で構成し、第２容器部５０を第１容器部４０よりも熱伝導性の高い材料で構成する。 （もっと読む）