【課題】 光取出し効率を向上させることが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子１は、上面２ａ’を持つ複数の突起２ａを主面２Ａに有する単結晶基板２と、単結晶基板２上に形成された、複数の半導体層３ａ〜３ｃから成る光半導体層３とを備え、突起２ａは、上面２ａ’の一部に凹部４を有しており、光半導体層３は、最下層に位置する半導体層３ａが突起２ａの上面２ａ’に接しているとともに凹部４を埋めている。これにより、光半導体層３で発生した光が、凹部４内に入射した場合に、光半導体層３と単結晶基板２との界面で光半導体層３側に反射されにくくすることができ、光取出し効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜のエッチングを行うことなく素子分割溝（ストリート）を形成することができ、更に結晶成長の制御性を改善し、高歩留りを確保することができる半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体膜の結晶成長を行うための成長用基板に凹部を形成する。成長用基板の凹部内に気相成長法により半導体膜を成長させ、凹部内に発光素子を形成する。半導体膜の表面に支持体を形成した後、成長用基板を除去する。 （もっと読む）

【課題】シリコンおよび炭化ケイ素基板上に堆積されたＧａＮフィルムにおける応力の制御方法、およびこれによって生成されたＧａＮフィルムを提供する。
【解決手段】典型的な方法は、基板を供給すること、および供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上にグレーデッド窒化ガリウム層を堆積させることを含む。典型的な半導体フィルムは、基板と、供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上に堆積されたグレーデッド窒化ガリウム層とを含む。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、前記発光部は、組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層と組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）からなるバリア層との積層構造を有する活性層と、組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ２Ｉｎ_１−Ｙ２Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ２≦１）からなる第１のガイド及び第２のガイドと、該第１のガイド及び第２のガイドのそれぞれを介して該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ４Ｇａ_１−Ｘ４）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ４≦１，０＜Ｙ≦１）からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高偏光比、及び、高発光効率を有し、低コストで製造可能な半導体発光素子を実現することができる。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子１００は、屈折率の異なる複数の層の積層構造を有する多重干渉反射層１２０と、多重干渉反射層１２０上に形成された、電子及び正孔が注入された場合に発光する活性層１３２を含む光導波層１３０とを備え、光導波層１３０と多重干渉反射層１２０とに形成される光導波路１８０内を、活性層１３２で発光した光であり、ブラッグの反射条件に基づいて伝搬する光の積層方向からの傾斜角θは、多重干渉反射層１２０のブリュースター角度に略等しい。 （もっと読む）

【課題】高出力であり、高効率で動作電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、少なくとも支持基板１０、及び発光層５を含む半導体層１４と、金属反射層９と、誘電体層１５と、界面電極８と、絶縁性保護膜２４と、透明導電膜２１と、金属分配電極１２と、第一電極１３と、第二電極１７とを有している。界面電極８の深さ方向における直上の領域において、半導体層１４はエッチングによって除去され、界面電極８と接する半導体層１４の第二主表面の半導体層を残し、界面電極８上には発光層５が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】順電圧（Ｖｆ）が低減された半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、半導体層と、前記半導体層上に設けられた電極と、を有する半導体素子であって、前記電極は、最表面に第１金属層、前記第１金属層よりも前記半導体層側に第２金属層が少なくとも積層されて構成されており、前記第２金属層は、前記第１金属層に含まれる金属材料よりも電気導電率の高い金属材料であるＣｕが含まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体の結晶性を高め、窒化物半導体発光素子の動作電圧を高める。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたｐ型窒化物半導体層とを含み、ｎ型窒化物半導体層は、１層または２層以上を積層したものであり、ｎ型窒化物半導体層を構成する少なくとも１層は、ＳｉとＳｎとをｎ型ドーパントして含み、かつＩｎを等電子ドーパントとして含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイの逆バイアス状態のモレ電流を低減する。
【解決手段】垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイ１０Ａは、ｐ型閉じ込め層１２Ａと、光を放射するように構成されたｐ型閉じ込め層上の活性層１４Ａと、活性層を保護するように構成された少なくとも１つのエッチング停止層２２Ａを有するｎ型閉じ込め構造１６Ａとを含む。垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイを製造する方法は、キャリア基板２４Ａを提供するステップと、少なくとも１つのエッチング停止層を有するｎ型閉じ込め構造をキャリア基板に形成するステップと、ｎ型閉じ込め構造に活性層を形成するステップと、活性層にｐ型閉じ込め層を形成するステップと、キャリア基板を除去するステップとを含む。 （もっと読む）

【目的】
平坦性及び結晶品質に優れた結晶層を有し、高出力、高効率で信頼性に優れた半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
ＧａＡｓ基板上に形成された、Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＰ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１，Ｘ≧０．３）からなり起伏を有する第１導電型クラッド層と、上記第１導電型クラッド層上に形成された、Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＰ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１，０≦Ｘ≦０．１５）からなる第１緩和層及びＡｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＰ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１，Ｘ≧０．３５）からなる第２緩和層が交互に積層された多層緩和層と、上記多層緩和層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成された第２導電型クラッド層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた高発光効率の半導体発光素子を実現する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光素子の製造方法は、半導体発光素子ウエハを形成する工程、及びＰ型コンタクト層表面に多数の微細な凹凸を形成する工程を有する。半導体発光素子ウエハを形成する工程では、基板の第１主面にエピタキシャル成長法を用いて組成の異なるエピ層を積層形成して、最上層にＰ型コンタクト層を設ける。Ｐ型コンタクト層表面に多数の微細な凹凸を形成する工程では、エピ層形成後、エピタキシャル成長を実施した反応炉で水素とアンモニアの混合ガス中或いは窒素とアンモニアの混合ガス中で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板のＣ面上に凸部を有し、しかも高温環境下での出力低下が少ないランプの得られる半導体発光素子、これを備えたランプを提供する。
【解決手段】Ｃ面１１からなる主面上に複数の凸部１２が形成されてなる単結晶基板１０１と、単結晶基板１０１の主面を覆うように形成され、凸部１２上の膜厚ｔ_２は、前記Ｃ面１１上の膜厚ｔ_１よりも小さく、Ｃ面１１上の膜厚ｔ_１に対する凸部１２上の膜厚ｔ_２が６０％以上であり、Ｃ面１１上において単結晶相であるとともに凸部１２上において多結晶相であるＡｌＮからなる中間層１０２と、中間層１０２上に積層されたＩＩＩ族窒化物半導体からなる半導体層２０とを具備してなる半導体発光素子１とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子、発光素子の製造方法、及び発光素子パッケージを提供する。
【解決手段】発光素子１００は、第１導電型半導体層１１２、第２導電型半導体層１１６、及び上記第１導電型半導体層と上記第２導電型半導体層との間に活性層１１４を含む発光構造物１１０と、上記発光構造物の上の蛍光体層１３０と、上記蛍光体層の上に形成される光抽出構造１４０と、を含み、上記光抽出構造は、上記発光構造物の内部で生成されて上記蛍光体層と上記光抽出構造の界面に入射する光を上記発光構造物の外部に抽出することができる。 （もっと読む）

【課題】低減された酸素濃度のｐ型窒化ガリウム系半導体層を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子１１は、基板１３、ｎ型III族窒化物半導体領域１５、発光層１７、及びｐ型III族窒化物半導体領域１９を備える。基板１３の主面１３ａは、該第１の窒化ガリウム系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０度未満の範囲の角度で傾斜する。ｐ型III族窒化物半導体領域１９は、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１を含み、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１の酸素濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１のｐ型ドーパント濃度Ｎｐｄと酸素濃度Ｎｏｘｇとの濃度比（Ｎｏｘｇ／Ｎｐｄ）が１／１０以下である。 （もっと読む）

【課題】再成長層表面の結晶性に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層上に前記第一ｎ型半導体層の再成長層と第二ｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とを順次積層する第二工程とを具備し、前記第二工程において、前記再成長層を第一の成長温度Ｔ１で成長させた後に、前記第一の成長温度Ｔ１よりも高温の第二の成長温度Ｔ２に昇温して前記再成長層の成長を続けることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体発光素子の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態は、基板上にｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層を順次成長させて発光構造物を形成する段階と、上記ｐ型窒化物半導体層の上にスパッタリング工程を用いて透明電極を形成する段階と、上記スパッタリング工程の前又は上記スパッタリング工程中に当該スパッタリング工程が行われる反応室内部を窒素ガス雰囲気にする段階と、を含む半導体発光素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高いバッファ層を有する半導体発光素子を形成することができるスパッタ成膜装置、並びに半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタ成膜装置４０を用いて、スパッタ法により基板１１上に薄膜を成膜する工程を含む、半導体発光素子の製造方法であって、前記スパッタ法で成膜される薄膜の材料からなるコーティング原料粒子又は前記材料の構成元素からなるコーティング原料粒子を未溶融状態で、ガスの流れを用いて前記スパッタ成膜装置４０内の成長室４１ａの内壁に吹き付けて、前記成長室４１ａの内壁に前記コーティング原料粒子からなるコーティング膜１００を形成する工程と、前記コーティング膜１００を形成する工程の後に、前記基板１１上に前記薄膜を成膜する工程、を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】光の取り出し効率が高くかつ放熱性のよい発光装置を提供することにある。
【解決手段】棒状のｎ型ＧaＮからなる半導体コア１１と、上記半導体コア１１の一部を覆うように形成されたｐ型ＧaＮからなる半導体層１２とを有すると共に、半導体コア１１の一部の外周面が露出した棒状構造発光素子１０と、棒状構造発光素子１０の長手方向が実装面に平行になるように棒状構造発光素子１０が実装された絶縁性基板１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】基板表面内で半導体層の組成が均一な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、加熱手段の上に配置されたトレイ１の、前記加熱手段とは反対側の表面上にある基板搭載部３に搭載された基板４上に、ＩＩＩ族元素とＶ族元素とからなる化合物半導体の積層構造を有機金属気相成長法により成長する工程を含む。前記化合物半導体の積層構造を構成する少なくとも１つのＩＩＩ族元素と、前記化合物半導体層の積層構造を構成する少なくとも１つのＶ族元素と、を有する化合物半導体膜２が、前記積層構造の成長前に予め前記基板搭載部３の表面上に形成されている。前記基板４が、前記化合物半導体膜２を介して前記基板搭載部３に搭載されて、前記積層構造が前記基板４上に成長される。 （もっと読む）