【課題】レーザー光で切削して半導体素子用ウェハをチップ化するときのデブリの飛散による汚染を防止する。
【解決手段】半導体積層部と、前記半導体積層部の第二の面側に設けられる金属層と、前記金属層の前記半導体積層部とは反対側に設けられる支持基板と、前記半導体積層部の第一の面側に設けられ前記半導体積層部に電気的に接続される第一電極と、前記支持基板の前記金属層とは反対側に設けられ前記半導体積層部に電気的に接続される第二電極と、前記半導体積層部の前記第一の面側および前記半導体積層部における素子加工により露出した前記半導体積層部の表面を被覆する絶縁性保護膜と、を備える半導体素子用ウェハにおいて、前記絶縁性保護膜は、前記半導体素子用ウェハをチップ化するレーザー光が照射される切削領域上には形成されず、前記半導体積層部の表面の一部が露出していることを特徴とする半導体素子用ウェハである。 （もっと読む）

【課題】開いたピット中に延びる能動層を有する発光デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光デバイスは、複数の層を備える能動領域と、能動領域が配置されるピット開き領域とを含んでいる。ピット開き領域は、複数の層の能動領域がピット中に延びて入るのに十分な大きさまで複数のピットの開口の大きさを広げるように構成されている。能動領域は複数の量子井戸層を備えている。ピット開き領域は、超格子構造を備えている。ピットは、その対応する転位を取り囲むことがあり、複数の層はそれぞれの転位まで延びている。複数のピットのうちの少なくとも１つは、ピット開き層とピット開き層が形成された基板との間に配置された層で生じる。能動領域は、ＩＩＩ族窒化物をベースにした能動領域であってもよい。そのような発光デバイスの製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】反射率の高いＡｌ層をｎ側電極に使用してｎ型導電層とのコンタクト層に使用した場合でも、加熱によるｎ側電極のコンタクト性の悪化を抑制して、電圧低下を抑制することができる窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体材料により形成されたｎ型導電性基板と、ｎ型導電性基板に、ｎ型導電層、発光層、ｐ型導電層、ｐ型半導体層上に設けられたｐ側電極と、ｐ型導電層とは反対側のｎ型導電性基板上に設けられたｎ側電極とを備えている。ｎ側電極をｎ型導電性基板上に設けるときには、まず、ｎ型導電性基板にＳｉを含む塩素系化合物ガスの雰囲気中でプラズマ照射してｎ型導電性基板にイオン照射層を形成する（照射工程、ステップＳ５２）。次に、イオン照射層上に、Ａｌ電極とボンディング電極とを含む電極を形成してｎ側電極とする（電極形成工程、ステップＳ６０）。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、半導体積層体の上で、半導体積層体に直接的に接続された第１上部電極と、半導体積層体の上で、半導体積層体に第１コンタクト層を介して接続され、第１上部電極から延出された、少なくとも１つの第２上部電極と、半導体積層体の下に設けられた下部電極と、を備える。発光素子は、半導体積層体と、下部電極と、の間に設けられ、発光層から発せられる光を透過する透明導電層と、透明導電層と、下部電極と、の間に設けられた光反射層と、半導体積層体と、透明導電層と、の間および半導体積層体と、第１上部電極および第２上部電極と、の間の少なくともいずれかに設けられ、発光層の主面に対して垂直な方向からみて少なくとも１つのスリットが選択的に設けられた電流阻止層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光抽出効率を改善して、光効率を向上させること。
【解決手段】実施例は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、前記発光構造物の下部に形成されて、前記活性層から放出される光を放出する透明支持層と、前記透明支持層の下部に形成され、前記透明支持層を取り囲む反射層と、前記反射層の下部に形成され、前記反射層を取り囲む伝導層と、を含む発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、サファイア基板にバッファ層として形成したＡｌＮ膜に含まれるこれらの不純物により、該ＡｌＮ膜上に形成されるＧａＮ層の結晶性が劣化するのを低減することができ、これにより歩留まりの向上を図る。
【解決手段】サファイア基板１１と、該サファイア基板１１上に格子不整合を緩和するバッファ層として形成されたＡｌＮ膜１２と、該ＡｌＮ膜１２上に形成されたノンドープＧａＮ層１３と、該ノンドープＧａＮ層１３上に形成され、発光領域を含む積層構造を有する半導体発光素子１０において、サファイア基板１１上にＡｌＮ膜１２をその炭素濃度が０．２ａｔ％以下になり、かつ塩素濃度が０．０１ａｔ％以下になるよう形成している。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、基板と、前記基板上に形成された共晶層と、前記共晶層上方に形成された絶縁層と、各々が前記絶縁層上に形成された密着層と、前記密着層上に形成されたＡｇ反射膜と、前記Ａｇ反射膜上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成され、第１導電型の第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層の上に形成され、電流が流れることにより発光する第２の窒化物半導体層と、該第２の窒化物半導体層の上に形成された、第２導電型の第３の窒化物半導体層とを含んだ半導体積層とを有する複数の半導体発光素子と、前記密着層及びＡｇ反射膜上方に形成され、隣接する半導体発光素子の一方の前記第１導電型の第１の窒化物半導体層と他方の前記第２導電型の第３の窒化物半導体層とを接続し、積層の最下層が前記密着層と同一の材料からなる配線電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い光出力の発光ダイオードチップの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードチップの製造方法は、サファイア基板にＳｉＯ_２パターン層を形成するステップと、前記サファイア基板の表面に半導体発光構造を成長させるステップと、ドライエッチング方法により、前記半導体発光構造を複数の発光区域に分割することで、半導体発光構造の上表面からサファイア基板に延伸する分割溝を形成し、前記ＳｉＯ_２パターン層の一部を露出させるステップと、バッファ酸化物エッチング液で前記ＳｉＯ_２パターン層を除去し、前記半導体発光構造とサファイア基板との間にスルーホールを形成させるステップと、各々の前記発光区域の一部をエッチングして電極プラットフォームを形成し、半導体発光構造に電極を設置するステップと、分割溝に沿ってサファイア基板を切断するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は発光ダイオードの製造方法に関する。
【解決手段】本発明によると、第１反応チャンバで、基板上に第１導電型窒化物半導体層及び活性層を成長させる段階と、上記第１導電型窒化物半導体層及び活性層が成長された状態の上記基板を第２反応チャンバに移送する段階と、上記第２反応チャンバで、上記活性層上に第２導電型窒化物半導体層を成長させる段階とを含み、上記基板を上記第２反応チャンバに移送する段階の前に上記第２反応チャンバの内部は窒化物ソースガス及び上記第２導電型窒化物半導体層に含まれるドーピング元素のソースガス雰囲気に組成されることを特徴とする発光ダイオードの製造方法を提供する。本発明による発光ダイオードの製造方法を利用すると、発光ダイオードを製造するにおいて、工程システムの運用能力と生産性を向上させ、さらには、これにより得られた半導体層の結晶性、ドーピングの均一性などが向上することができる。 （もっと読む）

【課題】反り量を低減できる窒化物半導体の積層体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体の積層体は、主面に凸部を有する基板と、前記基板の前記主面上に直接設けられて前記凸部を覆う単結晶層と、前記単結晶層上に設けられた窒化物半導体層と、を備えている。前記基板は窒化物半導体を含まない。前記単結晶層はクラックを内在している。 （もっと読む）

【課題】高電圧交流電源下で最大光出力を増加させることができるように改善された発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、サファイア基板より熱伝導率が高い熱伝導性基板１１０、例えばＳｉＣ基板を含む。熱伝導性基板の上部に複数の発光セル１００−１〜ｎが直列接続される。一方、熱伝導性基板と発光セルとの間に半絶縁性バッファ層１２０が介在する。半絶縁性バッファ層は、例えばＡｌＮまたは半絶縁性ＧａＮであることができる。サファイア基板より熱伝導率が高い熱伝導性基板を採用することによって、従来のサファイア基板に比べて熱放出性能を改善することができ、高電圧交流電源下で駆動される発光装置の最大光出力を増加させることができる。また、半絶縁性バッファ層を採用して熱伝導性基板を介した漏洩電流基板を通じた漏洩電流及び発光セル間の漏洩電流増加を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】高輝度かつ低順方向電圧の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第一の導電型層１１と第二の導電型層１２に挟まれた発光層１３を有する化合物半導体１４において、第一の主表面１１ａを光取り出し面とし、第二の主表面１２ａに発光層１３からの光を第一の主表面１１ａ側に反射させる反射金属膜１５を介して、支持基板１６と化合物半導体１４が結合され、化合物半導体１４の第二の主表面１２ａと反射金属膜１５間に透明絶縁膜１７を有し、透明絶縁膜１７の一部に貫通して化合物半導体層と電気的にオーミック接合する界面電極１８を有する半導体発光素子において、発光波長が７８０ｎｍ以上の赤外光であり、第一の導電型層１１の内、Ｖ族がＡｓ系層である総膜厚が１．０μｍ以上であり、第一の導電型層１１、発光層１３、第二の導電型層１２および各層内のアンドープ層の各ヘテロ接合界面におけるバンドギャップの差が、０．３０ｅＶ以下である。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】導電性を有する支持基板Ｓ上に、反射金属膜２６を介して、円錐台形状を有し発光領域となる活性層２３２を有する化合物半導体からなる化合物半導体発光ユニットＵを複数個並設した構造を有している。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、発光効率の高い、高輝度で発光させることのできる発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び発光ダイオードの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、発光層を含む発光部に機能性基板が接合された発光ダイオードであって、発光部の外周側方に発光部から離間して配置し、発光部の側面から発せられた光を機能性基板から遠ざかる方向へ反射する反射部を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作電圧を低減した半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子の製造方法は、ｎ形の第１半導体層と、ｐ形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられ、前記第２半導体層から前記第１半導体層に向かう第１方向に沿って積層され窒化物半導体を含む複数の障壁層と、前記障壁層どうしの間に設けられＩｎを含む窒化物半導体を含む井戸層と、を含む発光層と、を備えた半導体発光素子の製造方法であって、前記障壁層の形成は、反応炉内を第１温度よりも低い第２温度に設定して第１低温度形成層を形成する工程と、前記第１低温度形成層を形成した後、前記反応炉内を前記第１温度に設定して高温度形成層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】支持基板及び半導体成長膜におけるクラック等の欠陥の発生を防止ししつつ、半導体発光素子の電気的特性の向上を図ることができる半導体発光素子の製造方法、及びこれよって形成される半導体積層構造を提供すること。
【解決手段】成長用基板の上に半導体成長膜、電極及び成長基板側接合金属膜を順次形成して発光体部を形成する工程と、支持基板の裏面に凹部及び／又は凸部を形成し、支持基板の表面に支持基板側接合金属膜を形成して支持体部を形成する工程と、成長基板側接合金属膜と支持基板側接合金属膜とを密着するとともに加熱し、成長基板側接合金属膜及び支持基板側接合金属膜を溶融させて支持体部及び発光体部を接合する工程と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】動作電圧を低減した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、ｎ形の第１半導体層と、ｐ形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を備える。前記発光層は、前記第２半導体層から前記第１半導体層に向かう第１方向に沿って積層され窒化物半導体を含む複数の障壁層と、前記障壁層どうしの間に設けられＩｎを含む窒化物半導体を含む井戸層と、を含む。前記井戸層は、前記井戸層からみて前記第２半導体層の側の前記障壁層との界面を含むｐ側界面部分と、前記井戸層からみて前記第１半導体層の側の前記障壁層との界面を含むｎ側界面部分と、を有する。前記ｐ側界面部分の前記第１方向に対して垂直な面内におけるＩｎの濃度のばらつきは、前記ｎ側界面部分の前記第１方向に対して垂直な面内におけるＩｎの濃度のばらつき以下である。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高い発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、支持基板２０と、支持基板２０の上に設けられる第１導電型の第１導電型層と、第１導電型層の上に設けられ、光を発する活性層１６と、活性層１６の上に設けられ、第１導電型とは異なる第２導電型の第２導電型層と、第１導電型層の表面の一部に接する第１電極と、第２導電型層の表面の一部に接する第２電極とを備え、第１電極が、活性層１６の直上又は直下に対応する第１導電型層の表面とは異なる第１導電型層の表面に接し、第２電極が、活性層１６の直上又は直下に対応する第２導電型層の表面とは異なる第２導電型層の表面に接する。 （もっと読む）

【課題】ｎ電極とｐ電極が半導体膜の同一面側に設けられた半導体発光素子において、半導体膜内における横方向および積層方向における電流拡散を促進させ、発光効率の改善、発光強度の面内均一化、順方向電圧の低減および信頼性の向上を達成することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層を含む半導体膜と、ｐ型半導体層の表面からｐ型半導体層、活性層およびｎ型半導体層の一部を除去することにより表出したｎ型半導体層の表出面に形成されたｎ電極と、ｐ型半導体層の表面に形成されたｐ電極と、を含む半導体発光素子において、ｎ型半導体層上またはｎ型半導体層内であってｐ電極の上方に設けられ且つｎ型半導体層の導電率よりも高い導電率を有する電流誘導部を有する。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高く光取り出し効率が高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光層と、透光層と、半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記発光層は、活性層を含む。前記透光層は、前記発光層から放出される光に対して透光性を有する。前記半導体層は、前記発光層と前記透光層との間において前記透光層に接する。前記半導体層は、前記透光層の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有し、前記活性層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、面内方向の引っ張り応力を有する。 （もっと読む）