【課題】チップサイズを変えること無く、出力を下げることもなく、順方向電圧のみを下げることが可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの発光素子に１つのピーク波長を発する２つの発光層を具え、第１導電型の半導体層に接続する電極に対し、２つの第２導電型の半導体層に接続する２つの電極による並列回路を形成し、２つの発光層を並列で発光させることで、擬似的に発光層の面積を増やし、順方向電圧を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】色度ずれを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光部２０は、第１の主面と、前記第１の主面の反対面を形成する第２の主面と、前記第２の主面上に形成された第１の電極部５０および第２の電極部８０と、を有する。透光部３０は、前記第１の主面側に設けられ、凹状の面を有する。波長変換部４０は、前記透光部を覆うように設けられ、蛍光体４１を含有する。封止部１３０は、前記第２の主面側に設けられ、第１の導電部の端部および第２の導電部の端部を露出させつつ前記第１の導電部および前記第２の導電部を封止している。前記蛍光体は、前記透光部の側方に充填された第１の蛍光体と、前記第１の蛍光体の粒子径よりも大きく前記凹状の面の開口部よりも小さい粒子径を有し前記開口部に充填された第２の蛍光体と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、高出力化を低コストで実現可能な半導体発光装置およびその製造方法を目的とする。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体を備える。さらに、前記第２半導体層の表面に設けられ、前記発光層から放射される発光を透過させる透明電極層と、前記透明電極層に電気的に接続された第１電極と、前記第１半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。そして、前記透明電極層の縁に沿った領域であって、前記透明電極層の厚さが中央側よりも前記縁側で薄くなるように設けられた領域を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート層全体が発光層として機能する場合に比べて、温度変動によって生じる出射光の光量変動が少ない発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態のＲＣ構造を有する発光サイリスタ１００では、アノード層として機能するｐ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１０６とカソード層として機能するｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１１２との間に積層されたゲート層１０８のうち、発光層をバンドギャップの小さいｐ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ｂとし、一方、残りのゲート層１０８を発光層１０８Ｂよりもバンドギャップ（ＤＢＲ各層のバンドギャップの平均値）が大きいｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲゲート層１０８Ａとしている。 （もっと読む）

【課題】高性能の窒化物半導体発光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型窒化物半導体層を形成する工程と、ｎ型窒化物半導体層上に発光層を形成する工程と、発光層上にｐ型窒化物半導体層を形成する工程と、ｐ型窒化物半導体層を、酸素を含む雰囲気において、第１温度で熱処理する工程と、第１温度で熱処理したｐ型窒化物半導体層を、真空雰囲気において、第１温度よりも低い第２温度で熱処理する工程と、を含む窒化物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成でファブリ・ペローモードのレーザ発振を抑制して発光効率を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板１０１の上方に形成された発光層（活性層１０４）と、発光層が発する光を出射する光出射端面１３０ａとを有する半導体層積層体を備える半導体発光素子であって、発光層が発する光を閉じ込め導波する光導波路１２４と、光導波路１２４の光出射端面側の端面である光導波路端面１２４ａと光出射端面１３０ａとの間の領域であって、光導波路端面１２４ａから光出射端面１３０ａまでにおいて光導波路１２４からの光を基板１０１の主面と水平方向には実質的に光を閉じ込めずに通過させる領域である分離領域１２７Ａとを備え、光導波路端面１２４ａは、光出射端面１３０ａに対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、表面に凹凸を加工した基板上に、低転位で均一な窒化物半導体層を形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、主面上に凹凸構造が設けられた基板と、前記主面の全面に設けられ、ｐ型不純物およびｎ型不純物の少なくともいずれかがドープされた、多結晶および非晶質の少なくともいずれかである窒化物層と、前記窒化物層の上に設けられた窒化物半導体層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光取り出し面における局所的な電界集中を防止して光出力と静電気耐圧を向上できる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】カウンタ電極構造の半導体発光素子は、第１半導体層の支持基板側に設けられ、第１半導体層とオーミック接触し、少なくとも１つの線状の第１電極片を含む第１電極と、第２半導体層の上に設けられ、第２半導体層とオーミック接触し、少なくとも１つの線状の第２電極片を含む第２電極と、第２の半導体層上に形成された複数の錐状突起と、を有する。第１電極片と第２電極片とは、半導体発光積層体の積層方向に重ならずに配置される。第１電極片と第２電極片とは、上面視において平行に配置される。複数の錐状突起のうち、上面視において、相互に平行に配置された第１電極片と第２電極片との間に位置する錐状突起は、その軸が、いずれも、該第一電極片と該第２電極片の伸長方向との成す角度が、±２６度の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】単一基板上に複数の発光素子が設けられた半導体発光素子において、本構成を用いない場合に比べて光取出効率を向上する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板１０上に第１導電型層と第２導電型層とに挟まれた発光層を含む半導体積層構造２１を有する発光部１Ａと、基板１０上に発光部１Ｂと離間して異なる領域に設けられ、第１導電型層と第２導電型層とに挟まれた発光層を有する半導体積層構造２１を有する発光部１Ｂと、発光部１Ａの第１導電型層と、発光部１Ｂの第２の導電型層とを電気的に接続する内部配線層８３と、発光部１Ａの発光層及び発光部１Ｂの発光層の少なくともいずれかの発光層と、内部配線層８３との間に設けられ、発光部１Ａの発光層及び発光部１Ｂの発光層の少なくともいずれかの発光層から発光した光の少なくとも一部を反射する反射層９３とを有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート層をピーク波長が単一の発光層で構成する場合に比べて、温度変動によって生じる出射光の光量変動が少ない発光サイリスタ、光源ヘッド、及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態のＲＣ構造を有する発光サイリスタ１００では、アノード層として機能するｐ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１０６とカソード層として機能するｎ型ＡｌＧａＡｓ系のＤＢＲ層１１２との間に積層されたゲート層１０８を、Ａｌの組成が０．１２、ピーク波長λ＝７８８．０ｎｍのｎ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ａ、及びＡｌの組成が０．１４、ピーク波長λ＝７７５．７ｎｍのｐ型ＡｌＧａＡｓ系の発光層１０８Ｂの、ピーク波長が異なる２つの発光層で構成している。 （もっと読む）

【課題】小型且つ安価な発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、第１の絶縁層と、ｐ側配線層と、ｎ側配線層と、第２の絶縁層とを備えている。ｐ側配線層は、第１の絶縁層における半導体層に対する反対側に形成された配線面、および第１の面及び第２の面と異なる面方位の第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｐ側配線層を有する。第２のｐ側配線層は、第３の面で第１の絶縁層及び第２の絶縁層から露出されたｐ側外部端子を有する。ｎ側配線層は、第１の絶縁層の配線面および第３の面に沿う形状に設けられ断面がＬ字状の部分を有する第２のｎ側配線層を有する。第２のｎ側配線層は、第３の面で第１の絶縁層及び第２の絶縁層から露出されたｎ側外部端子を有する。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりを向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、（ａ）成長基板を準備する工程と、（ｂ）前記成長基板上に半導体層を形成する工程と、（ｃ）前記半導体層を複数の素子部に分割するとともに、各素子部間の半導体層の少なくとも一部を犠牲層として残す工程と、（ｄ）前記半導体層上に金属層を形成する工程と、（ｅ）前記半導体層に、前記金属層を介して支持基板を設ける工程と、（ｆ）前記成長基板に、前記素子部の全部を覆い、かつ前記犠牲層の外縁内に収まるようにレーザーを照射することにより、前記成長基板を前記半導体層から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】希土類元素が添加された窒化物半導体における４ｆ内殻電子のエネルギー遷移による発光効率を高めることが可能な窒化物半導体を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体発光素子１１は、基板１３と、バッファ層１５と、Ｓｉが添加された窒化物半導体層１６（クラッド層）と、不純物としてＥｕ及びＭｇが添加された窒化物半導体層１７（発光層）と、Ｍｇが添加された窒化物半導体層１９（クラッド層）と、を備えている。窒化物半導体層１７の形成は、たとえば、窒化物半導体層１６上に、ＮＨ_３を窒素源として用いたＭＢＥ法によりＥｕ及びＭｇが添加されたＧａＮを成長させることにより行う。窒化物半導体層１７におけるＭｇの濃度は、たとえば３×１０^１８ｃｍ^−３である。窒化物半導体層１７におけるＥｕの濃度は、たとえば２×１０^２０ｃｍ^−３である。 （もっと読む）

【課題】大口径かつ反りが少ない１３族窒化物結晶の製造方法、１３族窒化物結晶基板の製造方法、１３族窒化物結晶および１３族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】下地基板の主面上において、三角格子の格子点位置となるよう１３族窒化物結晶の成長開始領域１０５を配置する第１の工程と、前記各成長開始領域１０５から結晶方位を揃えて前記１３族窒化物結晶１０６を成長させる第２の工程と、結晶成長を継続させて、隣り合う前記成長開始領域から結晶成長した複数の前記１３族窒化物結晶１３を連結させて、前記下地基板の主面上に１３族窒化物結晶層１１００を形成する第３の工程と、前記１３族窒化物結晶層１１００の冷却過程において、前記１３族窒化物結晶層１１００と前記下地基板とを剥離させる第４の工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子線を均一に安定して放射することのできる電子線源装置および高い発光効率の得られる電子線励起型光源装置を提供すること。
【解決手段】 この電子線源装置は、カーボンナノチューブにより構成された面状の電子線放出部を有するカソード電極と、電子線放出部と離間して対向するよう設けられた、電子線通過用開口を有する電子引き出し電極とを備えてなり、カソード電極と電子引き出し電極との間の位置において、電子線放出部から放出される電子線を電子引き出し電極における電子線通過用開口に向かって指向させる電子線レギュレータが電子線放出部と離間して対向するよう配置されている。電子線励起型光源装置は、上記の電子線源装置と、この電子線源装置から放射された電子線によって励起される半導体発光素子とが真空容器の内部に配置されてなる。 （もっと読む）

【課題】従来にない新規な多波長発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多波長発光素子１０は、発光波長が異なる第１及び第２発光領域Ａ１，Ａ２が構成されている。第１発光領域Ａ１では、第１半導体下地層１４１と、その上に積層された第１半導体発光層１５１とが設けられている。第２発光領域Ａ２では、第１半導体下地層１４１の上に配置された第１半導体下地層１４１と同一の構成元素で且つ元素組成比が異なる半導体で形成された第２半導体下地層１４２と、その上に積層された第２半導体発光層１５２とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 複数の素子部の間の絶縁体へのクラックの侵入を防止できる半導体発光素の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、成長基板に達する分離溝を半導体積層体に形成して半導体積層体を複数の素子部として分離しかつ成長基板の表面を露出させる素子分離工程と、半導体積層体の第１膜厚より小なる第２膜厚を有する絶縁犠牲層を分離溝の成長基板の表面上に形成する絶縁犠牲層形成工程と、絶縁犠牲層の材料と異なる絶縁材料で分離溝を埋めて、半導体積層体の第１膜厚に達する絶縁犠牲層の第２膜厚より厚い第３膜厚を有する絶縁支持部を、絶縁犠牲層上に形成する絶縁支持部形成工程と、成長基板に形成されている半導体積層体上に支持基板を貼り付ける接合工程と、半導体積層体から成長基板を剥離して絶縁犠牲層を露出させる工程と、エッチングにより絶縁犠牲層を除去し絶縁支持部を露出させる除去工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】反射電極層の、反射率向上による高輝度化、接触抵抗の低減、剥がれの防止及び経時劣化に対する耐性の向上。
【解決手段】反射電極を有する半導体発光素子の製造方法であって、第１の導電型の第１半導体層、活性層および第２の導電型の第２半導体層を順次積層して半導体膜を形成する工程と、第２半導体層上に金属反射層と半導体膜との格子不整合を緩和する金属バッファ層を形成する工程と、金属バッファ層上に金属反射層を形成する工程と、金属反射層上に金属反射層の脱離を防止する金属パッシベーション層と、金属パッシベーション層上に金属パッシベーション層の酸化を防止する酸化防止層を形成する工程と、金属パッシベーション層と酸化防止層との間で相互拡散が生じるように熱処理を行って、これらの層の界面に合金層を形成する工程と、合金層の少なくとも一部を合金層上に形成された層とともに除去することにより反射電極を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、光取り出し効率を高めた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、無機膜とを備えている。半導体層は、第１の面と、その反対側に形成された第２の面と、発光層とを有し、窒化ガリウムを含む。ｐ側電極は、第２の面における発光層を有する領域に設けられている。ｎ側電極は、第２の面における発光層を含まない領域に設けられている。無機膜は、第１の面に接して設けられ、窒化ガリウムの屈折率と空気の屈折率との間の屈折率を有し、かつシリコンと窒素とを主成分とする。 （もっと読む）

【課題】配光パターンに横縞が生じない複数の発光素子を直線状に配列してなる輝度の均一性に優れた発光素子モジュールのための発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、矩形透明性基板２１ａ上に形成された下地半導体層と、下地半導体層上に島状に形成された複数の第１電極２１ｃと、複数の第１電極の各々を囲み各々に離間して下地半導体層上に形成された発光層を含む発光半導体層と、発光半導体層上に形成された第２電極と、を有する。第１電極は、矩形透光性基板の一辺と平行な複数の電極列を成すよう配置される。電極列に垂直でかつ矩形透光性基板の対向する二辺に平行な水平線のうち、第１電極の最大電極幅で第１電極に交差しかつ二辺に最も近接する２つの水平線を２つの基準水平線とする。 （もっと読む）