【課題】低温成長などの方法でＧａＮ系半導体膜に形成された粗化面を有するＧａＮ系ＬＥＤ素子において、電極として形成される金属膜の光吸収に基づく損失を低減するための素子構造を提供する。
【解決手段】上面が粗化されたｐ型導電層と、該ｐ型導電層の下面側に配置された発光層と、該ｐ型導電層とで該発光層を挟むように配置されたｎ型導電層とを含む、積層構造のＧａＮ系半導体膜から、少なくとも該ｐ型導電層および該発光層の一部を除去することによって、該ｐ型導電性層、該発光層および該ｎ型導電層を含む積層部と、該ｎ型導電層の平坦な露出面とが隣接する構造が形成されており、該露出面上に第１電極金属膜を含むｎ側電極が形成され、該ｐ型導電性層の上面にＴＣＯ膜からなる透光性電極が形成されている、ＧａＮ系ＬＥＤ素子。 （もっと読む）

【課題】出射光量を増加させるとともに、順方向電圧の増大を抑制した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、基板１１０と、基板１１０上に積層される中間層１２０と、中間層１２０上に積層される下地層１３０と、下地層１３０上に積層されるｎ型半導体層１４０と、ｎ型半導体層１４０上に積層される発光層１５０と、発光層１５０上に積層されるｐ型半導体層１６０と、ｐ型半導体層１６０上に積層され、発光層１５０が出射する光に対して透光性を有する透光性電極１７０を備える。透光性電極１７０には、第１型電極１９０に近接した領域（Ｃ）と、第２型電極２００に近接した領域（Ａ）とで、ｐ型半導体層１６０の表面が露出する割合（開口率）が異なるように貫通孔１８０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】反射層に混入する酸素濃度を低減し、半導体発光素子の信頼性を向上させる。
【解決手段】基板と、基板上に設けられるバッファ層２０と、バッファ層２０上に低屈折率層と高屈折率層とを複数ペア積層して設けられる反射層３０と、反射層３０上に第１クラッド層、活性層、第２クラッド層を積層して設けられる発光層４０と、を有する半導体発光素子１において、バッファ層２０は、酸素吸着層を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体積層体の結晶欠陥密度が低減可能な窒化物半導体の積層構造およびその製造方法並びに窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体の積層構造は、基板１０、第１バッファ層１２、第１結晶層１４、第２バッファ層１６、第２結晶層２０とを備える。基板１０には、段差部１０ｄが形成されている。第１バッファ層１２は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、段差下面１０ｂと段差側面１０ｃとを覆う。第１結晶層１４は、前記第１バッファ層１２の上に設けられ、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記基板１０の上面１０ａよりも上方に設けられた上面１４ａを有する。第２バッファ層１６は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１結晶層１４の前記上面１４ａと前記基板１０の前記上面１０ａとを連続して覆う。第２結晶層２０は、前記第２バッファ層１６を覆い、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１の面２０ａを有する。 （もっと読む）

【課題】高効率の半導体発光素子及び発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、発光層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、を備えた半導体発光素子が提供される。前記ｎ型半導体層は、窒化物半導体を含む。前記ｐ側半導体層は、窒化物半導体層を含む。前記発光層は、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられる。前記ｐ側電極は、前記ｐ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第１主面において、前記ｐ型半導体層の一部に接する。前記ｎ側電極は、前記ｎ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第２主面において、前記ｎ型半導体層の一部に接する。前記ｎ側電極は、平面視において、前記ｐ側電極よりも外側で前記ｐ側電極の周りに設けられている。 （もっと読む）

【課題】成膜用の成長基板を剥離した発光素子面から機械的に安定した配線電極を確実に形成できる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】成長基板１１上にデバイス構造層１２を形成する工程と、発光素子に対応した位置に第１電極層１３を形成する工程と、第１電極層の周辺に構造保護犠牲層１４を形成する工程と、デバイス構造層に素子分離溝１７を形成する素子分離工程と、デバイス構造層側に支持基板２０を貼り付ける接合工程と、成長基板の剥離を行う工程と、デバイス構造層を第１電極層を有する発光素子と構造保護犠牲層上の逆テーパ部２６とに分離する順テーパ溝２４形成工程と、構造保護犠牲層をエッチングして逆テーパ部をリフトオフするリフトオフ工程と、デバイス構造層の露出面に第２電極層２８を形成する工程と、発光素子の側壁に絶縁層を形成して第２電極層と電気的に接続した配線電極層２９を形成する配線電極層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】窓電極層からの光抽出効率の向上およびｐ型ＧａＮに接する窓電極層の接触抵抗の低減を同時に達成する。
【解決手段】単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜１１はＩｎだけでなくＧａをも含有し、単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜（１１）は、０．０８以上０．５以下のＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）のモル比を有し、単結晶ｎ型ＩＴＯ透明電極膜１１は、１．１ｎｍ以上５５ｎｍ以下の厚みを有する。この発光ダイオードは、単結晶ｎ型ＺｎＯ透明電極膜１２上に形成された複数の単結晶ＺｎＯロッド１３をさらに具備する。単結晶ＺｎＯロッドの各先端部は、複数の針の形状を有するように分岐している。単結晶ＺｎＯロッドの各下部は、下方向の突起を有する。 （もっと読む）

【課題】所謂縦型の半導体発光装置において、オーミック電極と半導体膜との電気的接続を害することなく半導体膜内における電流集中を緩和することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体膜２０は支持体１０に接合された半導体膜と、半導体膜の支持体との接合面１２とは反対側の面を部分的に覆う第一電極３０と、半導体膜の支持体との接合面側に設けられた第二電極４０と、を含み、第二電極は、互いに同一の金属酸化物透明導電体からなり且つ互いに電気的に接続された第一の透明電極４２および第二の透明電極４４を含み、第二の透明電極は、半導体膜を挟んで第一電極と対向する位置に設けられ且つ半導体膜に対する接触抵抗が第一の透明電極よりも高い。 （もっと読む）

【課題】静電耐圧特性を向上させ、かつ発光効率を向上させること。
【解決手段】III 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０上に、ｎ型コンタクト層１１、ＥＳＤ層１２、ｎ型クラッド層１３、発光層１４、ｐ型クラッド層１５、ｐ型コンタクト層１６が積層された構造である。ＥＳＤ層１２はピット２０を有し、このピット２０を埋めずにｎ型クラッド層１３、発光層１４が形成されている。ｎ型クラッド層１３と発光層１４との界面でのピット２０の直径は１１０〜１５０ｎｍである。また、発光層１４の障壁層はＡｌ組成比が３〜７％のＡｌＧａＮである。 （もっと読む）

【課題】半導体層に接するコンタクト電極の信頼性を高めた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、絶縁膜と、ｐ側コンタクト電極と、ｎ側コンタクト電極と、ｐ側金属保護膜と、ｎ側金属保護膜とを備えている。半導体層は、発光層と、第１の面と、第１の面の反対側に形成された第２の面とを有する。ｐ側コンタクト電極は、絶縁膜に形成された第１の開口の内側で、第２の面における発光部に接して設けられている。ｎ側コンタクト電極は、第２の開口の内側で、第２の面における非発光部に接して設けられている。ｐ側金属保護膜は、ｐ側コンタクト電極の表面及び側面を覆っている。ｎ側金属保護膜は、ｎ側コンタクト電極の表面及び側面を覆っている。 （もっと読む）

【課題】望ましい光抽出効率を有すると同時に、ｐ電極の接触領域を増大させ、これによりオーム接触抵抗を改善するＬＥＤを提供する。
【解決手段】発光ダイオード（ＬＥＤ）が、その製造方法とともに提供される。上記ＬＥＤは、基板１上に形成される導電性のｎ型領域２と、上記ｎ型領域上に形成される活性領域３と、上記活性領域上に形成される第１のｐ型領域４と、上記活性領域からの光抽出を行うように上記第１のｐ型領域上に形成される複数のナノ構造であって、５００ｎｍ未満の直径を有するナノ構造５と、上記第１のｐ型領域上に、上記ナノ構造との組み合わせによって非平面の表面を形成するように再成長した第２のｐ型領域６と、上記非平面の表面上に形成されるｐ型電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い半導体層を有するｎ−ｄｏｗｎ型の半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイス５は、支持基板６０と、支持基板６０上に配置された導電層５０と、導電層５０上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層２００とを含み、ＩＩＩ族窒化物半導体層２００のうち導電層５０に隣接する導電層隣接ＩＩＩ族窒化物半導体層２００ｃは、ｎ型導電性を有し、転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下であり、酸素濃度が５×１０¹⁸ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、基板に設けられる凹凸の形状を改善し光出力を向上させることが可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態は、発光層を含む窒化物半導体の積層体を有する半導体発光装置の製造方法であって、前記発光層から放射される発光に対して透光性の基板の表面に形成された炭素を含むマスクを用い、塩素および窒素を含む雰囲気中で前記基板を選択的にエッチングする工程と、前記基板のエッチングされた表面に、前記基板よりも屈折率が大きい窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層を含む前記積層体を前記基板上に形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】外部端子の極性を識別可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、ｐ側金属ピラーと、ｎ側金属ピラーと、絶縁材とを備えている。ｐ側金属ピラーは、ｐ側電極と接続された面とは異なる面で絶縁材から露出されたｐ側外部端子を有する。ｎ側金属ピラーは、ｎ側電極と接続された面とは異なる面で絶縁材から露出されたｎ側外部端子を有する。ｐ側外部端子とｎ側外部端子とは、面積及び平面形状の少なくともいずれかが互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】支持基板との接合を容易にすることが図られた半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光装置の製造方法は、基板上方に、第１導電型の第１半導体層を形成する工程と、第１半導体層上方に、第１導電型と反対の第２導電型の第２半導体層を形成する工程と、第２半導体層及び第１半導体層をエッチングして、深さが基板に達し、基板の面内に複数の発光素子領域を画定する第１分離溝を形成する工程と、第２半導体層をエッチングして、深さが第１半導体層に達し、各々の発光素子領域の内部に複数の発光部分と電極配置部分とを画定する第２分離溝を形成する工程と、各々の発光部分の第２半導体層上に、第１電極を形成する工程と、第２分離溝の底に露出した第１半導体層上から、電極配置部分の第２半導体層上に延在した形状で、第２電極を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】第一ｎ型半導体層のドーパント濃度に起因する結晶性の低下が生じにくく、かつ、高い出力の得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層上に、前記第一ｎ型半導体層のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する前記第一ｎ型半導体層の再成長層、第二ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【解決すべき課題】
結晶性および光取り出し効率に優れ、かつ高電流域での順電圧増加が抑制された発光素子用基板、その発光素子基板の製造方法、およびその発光素子基板を用いた発光素子を提供する。
【解決手段】
基板上の第１主面上に半導体結晶を成長させることによって半導体発光素子が製造される半導体発光素子基板であって、
前記半導体結晶の成長が抑制される傾斜面を各々有する複数の凸部が前記第１主面上に形成されており、
前記複数の凸部は、前記傾斜面が前記第１主面上で偏在し、かつ前記第１主面に対して平行に伝搬する光がいずれかの凸部において反射されるように配置されていることを特徴とする、半導体発光素子基板。 （もっと読む）

【課題】 結晶性を向上させることが可能な発光素子の製造方法および発光素子を提供する。
【解決手段】 本発明の発光素子１の製造方法は、窒化アルミニウムからなる多結晶基板２（２ａ）を酸素雰囲気中で加熱して多結晶基板２（２ａ）の表面を酸化させることによって、多結晶基板２（２ａ）の表面に酸窒化アルミニウムからなる酸化領域を形成する工程と、多結晶基板２（２ａ）を窒化アルミニウムの融点よりも低い温度であって酸窒化アルミニウムの融点よりも高い温度で加熱して酸化領域を溶解した後、多結晶基板２（２ａ）を酸窒化アルミ二ウムの融点よりも低い温度に冷却することによって、溶解した酸化領域を固化して緩衝層３を形成する工程と、緩衝層３上に窒化アルミニウムを含む光半導体層４を成長させる工程とを有している。これにより、緩衝層３上に成長させる光半導体層４の結晶性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜の被覆率を向上させた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０の製造方法では、発光部１３を含む多層構造の半導体層１１上に、発光部１３から放射される光に対して透明な透明導電膜１５を形成する。透明導電膜１５の一部にマスク材２０を形成する。マスク材２０を用いて、透明導電膜１５をウェットエッチングし、半導体層１１を露出させる。マスク材２０を用いて、露出した半導体層１１を異方性エッチングし、発光部１３を除去する。マスク材２０を除去し、半導体層１１であって活性層１３が除去されて露出した部分上に第１電極１６を形成し、透明導電膜１５上に第２電極１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の炭化アルミニウム薄膜、結晶性の炭化アルミニウム薄膜を形成した半導体基板及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によると、炭化アルミニウムの結晶を含むことを特徴とする炭化アルミニウム薄膜が提供される。また、本発明によると、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、基板上に炭化アルミニウムの結晶を成長させて、炭化アルミニウム薄膜を形成することを特徴とする炭化アルミニウム薄膜の製造方法が提供される。 （もっと読む）