【課題】特性が高いＧａＮ系半導体デバイスを歩留まりよく製造することができるＧａＮ系半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ系半導体デバイス５の製造方法は、イオン注入分離法を用いて、ＧａＮの熱膨張係数に対する比が０．８以上１．２以下の熱膨張係数を有する支持基板１０と、支持基板１０に貼り合わされたＧａＮ層２１と、を含む複合基板１を準備する工程と、複合基板１のＧａＮ層２１上に少なくとも１層のＧａＮ系半導体層４０を成長させる工程と、複合基板１の支持基板１０を溶解することにより除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化を伴うことなく製造中におけるウエハの割れを防止すること。
【解決手段】窒化物半導体素子形成用ウエハは、基板の上に、下地層、第１導電型窒化物半導体層、活性層、および第２導電型窒化物半導体層が順に積層されて構成されている。基板は、窒化物半導体素子材料とは異なる材料からなる。また、下地層および／または第１導電型窒化物半導体層の膜厚は、基板の中央側と基板の周縁側とで異なっており、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて大きくても良いし、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて小さくても良い。窒化物半導体素子は、窒化物半導体素子形成用ウエハを用いて作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が向上した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、半導体層と、前記半導体層の上面に配置された第１電極と、前記半導体層の下面に配置された第２電極と、を備える半導体発光素子であって、前記半導体層の上面は第１領域と、前記第１領域よりも前記半導体層の厚みが厚い第２領域とを有し、前記第１電極はパッド電極と、前記パッド電極から延伸する補助電極と、を備え、前記第１電極は前記第２領域上にあり、前記第２領域は、前記補助電極に沿ったものと、前記補助電極と異なる方向に延伸するものと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶を基板とする半導体発光チップの製造において、得られる半導体発光チップにおける半導体発光素子の欠けを抑制する。
【解決手段】表面がサファイア単結晶のＣ面で構成された基板の表面に複数の半導体発光素子が形成された素子群形成基板に対して、基板表面側から、基板表面およびサファイア単結晶のＭ面に沿う第１方向に向かう割溝を基板表面に形成し（Ｓ１０３）、基板裏面側からレーザ光を照射することで、第１方向に向かう第１改質領域および基板表面に沿いかつ第１方向とは異なる第２方向に向かう第２改質領域を基板内部に形成し（Ｓ１０４、Ｓ１０５）、第１改質領域および第２改質領域を用いて素子群形成基板を分割し（Ｓ１０６）、半導体発光チップを得る。 （もっと読む）

【課題】新たな構造を有する発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】本発明は発光素子パッケージに対するものであって、このパッケージはキャビティが形成されているセラミック胴体と、上記キャビティの内に形成された紫外線発光ダイオードと、上記セラミック胴体の上に形成され、上記キャビティを囲む支持部材と、上記支持部材と結合し、上記キャビティを覆うガラスフィルムとを備える。したがって、紫外線発光素子パッケージにおいて、セラミック胴体を適用して放熱性が向上し、セラミック胴体の上に直接ガラスフィルムを付着して他の構成要素無しで製造工程が単純化されて製造費用が低減する。 （もっと読む）

【課題】半導体に給電するための電極の接合性および電極の信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】半導体発光素子１は、ｎ型半導体層１４０、発光層１５０、ｐ型半導体層１７０、透明導電層１７０、透明導電層１７０上に形成されるｐ電極３００、ｎ型半導体層１４０上に形成されるｎ電極４００を備える。ｐ電極３００は、Ａｕを含む金属材料で構成され、外部に露出するように設けられるｐ側第２金属層３３２と、Ａｕを含むとともにｐ側第２金属層３３２よりも硬度が高い金属材料で構成され、ｐ側第２金属層３３２よりも透明導電層１７０に近い側に、ｐ側第２金属層３３２に沿って設けられるｐ側第１金属層３３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の反りを抑制しつつ、バッファ層及び化合物半導体の厚さを稼ぐことができ、素子耐圧を向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板２と、バッファ層３と、窒化物系化合物半導体４とを備える。バッファ層３は、ＡｌＮ層とＧａＮ層とを積層した第１のバッファ領域３２１，３３１と、ＧａＮ層を有する第２のバッファ領域３２２，３３２とを交互に積層して構成される。バッファ層３において窒化物系化合物半導体４側の第１のバッファ領域３３１とそれに隣接する第２のバッファ領域３３２との１組の全体のＡｌ組成は基板側の１組のＡｌ組成に対して大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】放射パターンが良好で、高出力かつ小型化を図りつつ、出射面の間隔を大きく形成することができる発光装置を提供する。
【解決手段】第１利得領域１６０は垂線Ｐに対して一方側に傾いて第１面１３０と接続され、第２利得領域１７０は垂線Ｐに対して他方側に傾いて第１面１３０と接続され、第３利得領域１８０は第１利得領域１６０または第２利得領域１７０に沿って形成されている。第１利得領域１６０および第２利得領域１７０は、同じ傾きで第２面１３２と接続され、第１利得領域１６０の端面１９０と第２利得領域１７０の端面１９２とは、第１面１３０において重なり、第１利得領域１６０は第１の曲率を備えた第１利得部分１６２を有し、第２利得領域１７０は第２の曲率を備えた第２利得部分１７２を有し、第３利得領域１８０において共振する光は、第１利得領域１６０または第２利得領域１７０を導波する光に結合し第２面１３２から出射される。 （もっと読む）

【課題】光吸収が低減された電極構造を有すると共に、耐薬品性に優れた金属基板を用いることにより収率が向上し、特性が安定した発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、金属基板１は一体とされた複数の金属層１ｂ、１ａ、１ｂと上面１ｂａ及び下面１ｂｂを覆うエッチャントに対して耐性を有する金属保護膜２とからなり、金属基板と化合物半導体層間には接合層４と反射層６とオーミックコンタクト電極７とが設けられ、化合物半導体層１０の金属基板の反対側１０ａにはオーミック電極１１と、パッド部１２ａ及び線状部１２ｂからなる表面電極１２とが設けられ、オーミック電極１１の表面１１ａは線状部により覆われ、オーミックコンタクト電極７及びオーミック電極１１はパッド部１２ａに重ならない位置に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐薬品に優れた金属基板を用い、金属基板のレーザー切断時に生成するデブリの低減と金属基板に適したレーザー照射の位置決めの両方の目的を同時に果たす工程を含む発光ダイオードの製造方法、切断方法及び発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、複数の金属板と該複数の金属板の少なくとも上面及び下面を覆う金属保護膜とからなる金属基板と、化合物半導体層とを備えたウェハを作製する工程と、化合物半導体層の切断予定ライン上の部分を、エッチングによって除去する工程と、金属保護膜のうち化合物半導体層を備えた面とは反対側の面の少なくとも一つの膜の少なくとも一部を、エッチングによって除去して位置決めマークを形成する工程と、位置決めマークに基づいて、化合物半導体層を備えた面とは反対側の面にレーザーを照射して金属基板を切断する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤの成長技術により、先端が平坦な形状のナノオーダの寸法の柱状構造体が、より容易に形成できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、直径が５ｎｍ以下の粒子径の金属微粒子１０２を形成する。次に、金属微粒子１０２を触媒とした化学的気相成長法により化合物半導体のナノワイヤ１０３を形成する。次に、化学的気相成長法により、化合物半導体からなる半導体層１０４を、ナノワイヤ１０３を覆って形成することで柱状のナノピラー１０５を形成する。半導体層１０４は、ナノワイヤ１０３の側面および上面を覆って柱状に成長する。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子において、駆動電圧を上昇させることなく、発光効率を向上させること
【解決手段】各層はIII 族窒化物半導体から成り、ｎ型層側クラッド層１０３、Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ（０＜ｘ＜１）層を障壁層１４１とする多重量子構造を有した発光層１０４、ｐ型層側クラッド層１０６を少なくとも有するIII 族窒化物半導体発光素子である。発光層１０４は、ｎ型層側クラッド層１０３からｐ型層側クラッド層１０６の方向の厚さ方向に沿って、３区分の第１区分、第２区分、第３区分に分ける時、第１区分と第３区分における障壁層１４１の層数を等しくし、第１区分における障壁層１４１のＡｌ組成比をｘ、第２区分における障壁層１４１のＡｌ組成比をｙ、第３区分における障壁層１４１のＡｌ組成比をｚとする時、ｘ＋ｚ＝２ｙ、且つ、ｚ＜ｘを満たすように、それぞれの障壁層１４１のＡｌ組成比を設定した。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生が抑制された高品質のバッファ層を異種基板上に形成することが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体とは異なる材料から構成される異種基板１０と、異種基板１０の主面１０ａ上に形成され、窒化物半導体から構成されるスパッタ膜２０と、スパッタ膜２０上に形成され、窒化物半導体から構成される発光素子部とを備えている。異種基板１０は、主面１０ａ部分に形成される凹部１５を含み、凹部１５は、傾斜面１６を有するとともに、断面的に見て、略Ｖ字状に形成されている。また、傾斜面１６は、凹部１５の底側の傾斜角度が主面１０ａ側の傾斜角度以下とされている。 （もっと読む）

【課題】ｎ側電極にＡｌ単体またはＡｌ合金からなるｎ側第１金属層を含み、ｐ側電極にＡｌよりも酸化還元電位の貴な金属の酸化物を含む導電性酸化物膜を含む、ＧａＮ系ＬＥＤの製造工程において、該導電性酸化物膜が腐食することを防止する。
【解決手段】第１のマスクパターンを形成する工程に含まれるフォトレジスト現像工程では、該第１のマスクパターンによって導電性酸化物膜の表面を保護し、第２のマスクパターンを形成する工程に含まれるフォトレジスト現像工程では、該第２のマスクパターンによってｎ側第１金属層の表面を保護することによって、ｎ側第１金属層および導電性酸化物膜を同時にアルカリ現像液に接触させないようにする （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させること。
【解決手段】平面視においてｎ電極１７の配線状部１７Ｂおよび、ｐ電極１８の配線状部１８Ｂに重なる領域には、ｐ型層１３表面からｎ型層１１に達する深さの溝１４が設けられている。溝１４の側面、底面、ｐ型層１３上、ＩＴＯ電極１５上に連続して、絶縁膜１６が設けられている。絶縁膜１６中であって、ｎ電極１７、ｐ電極１８の下側（サファイア基板１０側）にあたる領域には、反射膜１９が形成されている。そのうち、ｎ電極１７の配線状部１７Ｂ、ｐ電極１８の配線状部１８Ｂの下側にあたる領域の反射膜１９は、発光層１２よりも下側に位置している。ｎ電極１７、ｐ電極１８上は、絶縁膜２２によって覆われている。絶縁膜２２中であって、配線状部１７Ｂ、１８Ｂの上部にあたる領域には、反射膜２３が埋め込まれている。反射膜２３は、発光層１２よりも下側に位置している。 （もっと読む）

【課題】 電極の断線等を抑制するとともに、発光部の上面からの電極の引き出し方向の制約を低減することができる発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性基板と、半導体素子部と、導電性基板の一方主面の少なくとも一部を覆う第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に配置されたパッド電極と、パッド電極の上面に接合したボンディングボールを備えるボンディングワイヤとを有する半導体装置であって、パッド電極の周辺領域で第１絶縁膜を被覆する第２絶縁膜をさらに備え、第２絶縁膜は、第１絶縁膜の周辺領域からパッド電極の側面のうち第１絶縁膜側の一部領域にかけて連続して被覆している被覆部分と、被覆部分に連なってパッド電極の側面から内部に入り込んで延在している延在部分とを備え、延在部分の少なくとも一部が、ボンディングボールの下方に位置していることを特徴とする半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、小型で利便性が高く、且つ、製造歩留りを向上させることが可能な半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第１半導体層と、第２半導体層と、発光層と、を含む積層体と、第１半導体層に接続された第１配線層と、第２半導体層に接続された第２配線層と、第１配線層に接続された第１ピラー部と、第２配線層に接続された第２ピラー部と、第１配線層と、第２配線層と、第１ピラー部と、第２ピラー部と、を覆う絶縁層と、を備える。第１ピラー部は、絶縁層の表面に露出した第１のモニタパッドを有し、第１配線層は、絶縁層の１つの側面に露出した第１のボンディングパッドを有する。第２ピラー部は、絶縁層の表面に露出した第２のモニタパッドを有し、第２配線層は、絶縁層の側面に露出した第２のボンディングパッドを有する。 （もっと読む）

【課題】反射膜のマイグレーションを防止すること。
【解決手段】図１に示すフリップチップ型のIII 族窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１０と、サファイア基板１０上に順に形成されたｎ型層１１、発光層１２、ｐ型層１３を有している。ｐ型層１３表面には、ｎ型層１１に達する深さの孔１４が複数設けられている。ｐ型層１３表面のほぼ全面に、ＩＴＯ電極１５が設けられ、ＩＴＯ電極１５上にＳｉＯ₂ からなる絶縁膜１６が設けられている。また、絶縁膜１６中に埋め込まれたＡｇからなる反射膜１９を有している。反射膜１９の上部には、絶縁膜１６を介して導電膜２３が形成されている。また、導電膜２３は、ｐ型層１３上に設けられたＩＴＯ電極１５に接続されている。このような構成により、反射膜１９は等電位な領域に位置することとなり、マイグレーションが防止される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に真性半導体エピタキシャル層を成長させる第三ステップと、前記真性半導体エピタキシャル層の上に、ドープされた半導体エピタキシャル層を成長させる第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】チップサイズを変えること無く、出力を下げることもなく、順方向電圧のみを下げることが可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの発光素子に１つのピーク波長を発する２つの発光層を具え、第１導電型の半導体層に接続する電極に対し、２つの第２導電型の半導体層に接続する２つの電極による並列回路を形成し、２つの発光層を並列で発光させることで、擬似的に発光層の面積を増やし、順方向電圧を下げることができる。 （もっと読む）