【課題】光取り出し効率を高めた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０では、半導体層１１は第１の面と第１の面に対向する第２の面を有し、活性層を含む多層構造である。第１電極１５が、半導体層１１の第１の面に形成されている。複数のＩＴＯピラー１６が、半導体層１１の第２の面に、第２の面の一部が露出するように分散して形成されている。反射電極１７が、ＩＴＯピラー１６と隣接するＩＴＯピラー１６との間を埋め込み、ＩＴＯピラー１６を覆うように半導体層１１の第２の面に形成されている。接合金属層１８が、反射電極１７上に形成されている。支持基板１９が、接合金属層１８を介して半導体層１１に接合されている。ＩＴＯピラー１６と隣接するＩＴＯピラー１６との間に、半導体層１１の第２の面が露出し、その露出した面に反射電極１７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】新しい発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る発光素子は、基板と、前記基板の上に配置された発光ダイオードと、前記発光ダイオードを囲むガイドリングと、前記発光ダイオードを覆うように、前記ガイドリング内に形成された第１のモールディング部材と、前記第１のモールディング部材の上の第２のモールディング部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に反射膜を有したIII 族窒化物半導体発光素子の製造において、反射膜の耐熱性を向上させること。
【解決手段】サファイア基板１上にＳｉＯ₂ からなる第１絶縁膜２、反射膜３を順に形成した試料Ａと、サファイア基板１上にＳｉＯ₂ からなる第１絶縁膜２、反射膜３、ＳｉＯ₂ からなる第２絶縁膜４を順に形成した試料Ｂを作製し、試料Ａ、Ｂそれぞれにおいて熱処理前、熱処理後の反射膜３の波長４５０ｎｍにおける反射率を測定した。熱処理は６００℃で３分間行った。図１のように、Ａｌの厚さが１〜３０ÅのＡｌ／Ａｇ／Ａｌ、Ａｌの厚さが２０ÅのＡｇ／Ａｌ、Ａｌの厚さが２０ÅのＡｌ／Ａｇ／Ａｌ／Ａｇ／Ａｌでは、熱処理後も反射率が９５％以上であり、Ａｇと同等のもしくはそれ以上の反射率であった。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた発光素子用エピタキシャルウェハ、及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型基板１上に、少なくともＰ（燐）系結晶のｎ型クラッド層３、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ、又はＧａＡｓなどのＡｓ（砒素）系結晶で形成した量子井戸構造を有する発光層５、及びｐ型クラッド層７が順次積層された化合物半導体と、ｎ型クラッド層３と発光層５との間に、発光層５を構成するＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層とは異なるＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層４とを有している。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で十分な発光強度が得られる発光素子を提供する。
【解決手段】この発光素子１００は、ｎ型ＧａＮ半導体基部１１３と、ｎ型ＧａＮ半導体基部１１３上に立設状態で互いに間隔を隔てて形成された複数のｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１と、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１を覆うｐ型ＧａＮ半導体層１２３とを備えた。ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１は棒状半導体１２１にｎ型を与える不純物量を増やすことにより容易に低抵抗化できる。それゆえ、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１の長さを長くしても、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１の抵抗の増大が抑えられ、ｎ型ＧａＮ棒状半導体１２１の根元部から先端部にわたって一様に発光させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の剥がれや破壊などを発生させずに、異種の基板を接合する半導体装置の製
造方法を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、支持基板の一方の面に半導体積層体を設けて第１の基板を形成させ、第１の基板のうち半導体積層体が形成された面に、第１の基板の熱膨張係数とは異なる熱膨張係数を有する第２の基板を密着させ、第１の基板と第２の基板のうち、熱膨張係数が小さい一方の基板に対して、他方の基板より高い温度で加熱して接合する。第１の基板は、ナイトライド系半導体層を有するサファイア基板、またはＧａＡｓ基板であり、第２の基板は、シリコン基板、ＧａＡｓ基板、Ｇｅ基板、金属基板のいずれかであってもよい。第１の基板と第２の基板の間に、第１接合層と第２接合層と第３接合層と順に積層し、第１接合層と第２接合層と第３接合層とを介して、第１の基板と第２の基板を加熱して接合してもよい。 （もっと読む）

【課題】高い駆動電圧で動作できる発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に隣接して配置され、同じ極性の電圧が印加される電極を上面にそれぞれ備える第１と第２の発光部を有し、前記基板と一体形成された２つのＧａＮ系発光素子とを備える発光装置であって、前記２つのＧａＮ系発光素子それぞれの前記２つの発光部は互いに１つの電極を共有し、前記共有されている電極は前記２つの発光部と共通の半導体層の上に配置され、一方の前記ＧａＮ系発光素子の前記共有されている電極は、他方の前記ＧａＮ系発光素子の前記第１の発光部の電極に接続され、他方の前記ＧａＮ系発光素子の前記共有されている電極は前記一方の前記ＧａＮ系発光素子の前記第２の発光部の電極に接続されていることを特徴とする発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型III族窒化物半導体の電気特性を向上できるIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体領域１５及び窒化ガリウム系半導体領域１９は、基板１３の主面１３ａ上に設けられる。窒化ガリウム系半導体領域１９は、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含むIII族窒化物半導体膜２１を有しており、III族窒化物半導体膜２１は、III族構成元素としてアルミニウムを含む。III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。また、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】光の高出力化及び取出効率並びに低動作電圧化を向上させ、かつ、リーク電流の発生を阻止することができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１においては、半導体積層体１４のｎ型コンタクト層３に設けられた平面視ドット状の複数の分配電極１２、ｐ型コンタクト層７と導電反射層９とを接続する円環状の界面電極８、及び、複数の分配電極１２を覆う透明導電膜２１の中央に円形状に設けられた表面電極１７が、積層方向において互いに重ならないように配置されている。また、絶縁性保護膜２５は、少なくとも半導体積層体１４の側面の全面を覆っている。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に増加させずに、発光出力が高く、不要な波長の光の放出が少ない発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、反射部２１０が複数のペア層を有し、第１の半導体層２１０ａが、光のピーク波長をλ_ｐ、第１の半導体層２１０ａの屈折率をｎ_Ａ、第２の半導体層２１０ｂの屈折率をｎ_Ｂ、第１クラッド層２２０の屈折率をｎ_Ｉｎ、光の入射角をθとした場合に、式（１）で定められる厚さＴ_Ａ１を有し、第２の半導体層２１０ｂが式（２）で定められる厚さＴ_Ｂ１を有し、ペア層が４４以上６１以下のθの値の範囲で式（１）及び式（２）で規定される厚さの第１の半導体層２１０ａ及び第２の半導体層２１０ｂを含み、４４以上６１以下のθの値の範囲で式（１）で規定される厚さの第１の半導体層２１０ａと式（２）で規定される厚さの第２の半導体層２１０ｂとからなるペア層を含む。 （もっと読む）

【課題】反応ガス下で基板を回転させる横型ＭＯＣＶＤ炉を用いて結晶性が高く、かつ、面内のＡｌ組成分布が均一な化合物半導体ウェハを得る。
【解決手段】公転速度を高めることにより、膜厚方向における組成（ｘ値）の均一性を高めることができることは明らかであるが、これにより、成長層（ＡｌＧａＮ）の結晶性は充分とはならない。これに対して、本実施の形態のエピタキシャル成長方法では、膜厚方向における組成の均一性が最適とならない条件で公転を行い、成長層の結晶性を向上させる。実状態の速度比（成長温度（基板温度）における反応ガス流束と基板の交播速度との比）が１７２．０より大きく８５９．８以下となる場合、かつ１回転当たりの成長原子層数が１０層以上である場合に特に良好な結果（高い結晶性、高いキャリア濃度）が得られる。 （もっと読む）

【課題】発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子の製造方法は、基板上にｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を順次に形成し、水平面に対して勾配を有し且つｐ型半導体層から活性層まで連続して形成された少なくとも一つの斜面を有するようにｐ型半導体層及び活性層の一部を除去してｎ型半導体層の一部を露出させ、ｐ型半導体層の上部にｐ型金属バンプを形成し、露出されたｎ型半導体層上にｎ型金属バンプを形成し、サブマウント基板上にｐ型ボンディングパッド及びｎ型ボンディングパッドを形成し、ｐ型金属バンプ及びｎ型金属バンプと、ｐ型ボンディングパッド及びｎ型ボンディングパッドとがそれぞれ接続されるように、基板とサブマウント基板とをフリップチップボンディングし、フリップチップボンディングされた基板とサブマウント基板を発光素子ごとに切り出すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光の高出力化及び取出効率並びに低動作電圧化を向上させることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１は、半導体積層体１４の他方の表面側に積層された導電反射層９、半導体積層体１４の一方の表面に形成された透明導電膜２１、透明導電膜２１の表面に形成された表面電極１７を備える。表面電極１７は、透明導電膜２１の表面に形成される反射用電極層１７ａ、外部配線に接続される接続用電極層１７ｂの積層電極構造になっている。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることのできる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、第１半導体層と、第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる発光層とを有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の面上に設けられ、線状表面電極部を有する表面電極５０と、半導体積層構造１０の表面電極５０が設けられる側の反対の面側に設けられ、光を反射する反射層３２と、半導体積層構造１０と反射層３２との間に設けられる誘電体層と、半導体積層構造１０と反射層３２とを電気的に接続し、線状界面電極部を有する界面電極４０とを備え、線状表面電極部と線状界面電極部とがそれぞれ、平面視にて予め定められた方向に沿って延び、半導体積層構造１０が、半導体積層構造１０の反射層３２の反対側の表面に、予め定められた方向とは異なる方向に沿って設けられる溝８０を有する。 （もっと読む）

【課題】より高い透光特性を有する透光性電極を備え、優れた発光特性を有する化合物半導体発光素子を得る。
【解決手段】化合物半導体発光素子は、基板１１上に、化合物半導体からなるｎ型半導体層１２、発光層１３及びｐ型半導体層１４がこの順で積層され、さらに、ｐ型半導体層上の導電型透光性電極からなる正極１５及びｎ型半導体層上の導電型電極からなる負極１７を備えてなる化合物半導体発光素子であって、正極をなす導電型透光性電極が、スパッタ法で加熱されながら成膜されたＩｎ_２Ｏ_３なる組成の結晶を含む透明導電膜であり、ｐ型半導体層と前記透明導電膜との界面にはオーミック層が形成され、オーミック層の酸素濃度（相対元素濃度ｍｏｌ％）が、Ｉｎ_２Ｏ_３なる組成の結晶を含む透明導電膜のバルク中の酸素濃度（相対元素濃度ｍｏｌ％）よりも低い。 （もっと読む）

【課題】窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法を提供する。
【解決手段】III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。該基板は、該第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移送される。II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 （もっと読む）

【課題】基板から剥離後の材料層におけるクラックの発生を極力防止することができるレーザリフトオフ方法および装置を提供すること。
【解決手段】基板１と材料層２との界面で材料層２を剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通してパルスレーザ光を照射領域を刻々と変えながら照射する。レーザ光は、前記ワーク３の移動方向と平行方向に伸びる１辺を有する四角形状に形成され、隣接する各照射領域が重畳するように照射され、基板１から順次に剥離された前記材料層２の四角形状の剥離領域において、前記基板からはじめて剥離される材料層の剥離辺が２辺になるようにワーク３に照射される。これにより、ＧａＮの分解によって発生したＮ_２ガスが、剥離済の２辺から排出され、基板１上に形成された材料層２に割れを生じさせることなく、材料層２を基板１から剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】転位発生の防止と基板の反り低減を、中間層を構成する窒化物半導体層の積層数を少なくして実現できる窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶からなる基板１と、前記基板上に形成された窒化物半導体からなる中間層２と、前記中間層上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体３からなる活性層で構成される窒化ガリウム系化合物半導体基板であって、前記中間層は、前記基板上に第一層２１と第二層２２がこの順で積層された初期バッファ層２００と、前記初期バッファ層上に第三層２３と第四層２４をこの順で複数回繰り返し積層し最後に第五層２５を積層してなる複合層２０２を複数積層した周期堆積層２０３からなる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体発光素子に含まれる透光性酸化物導電膜の光透過率の向上、シート抵抗の低減、シート抵抗の面内分布の均一化、およびコンタクト層に対するコンタクト抵抗の低減の少なくともいずれかを可能ならしめる化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体発光素子の製造方法において、基板（１）上に発光層（３）を含む化合物半導体積層体（２−５）を堆積し、この化合物半導体積層体（２−５）上に透光性酸化物導電膜（８）を堆積し、この透光性酸化物導電膜（８）はアニールされてその後に真空雰囲気中で冷却されることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】凹凸加工されたサファイア基板を用いたIII 族窒化物半導体発光素子において、光取り出し効率をさらに向上させつつ、ピットの発生を抑制すること。
【解決手段】まず、ｃ面を主面とするサファイア基板１０表面に凹凸加工を施す。凹凸の深さは１〜２μｍ、凹凸側面の傾斜角度は４０〜８０°とする。次にサファイア基板１０上に、バッファ層１１を形成し、バッファ層１１上に、ＧａＮからなる防止層１２を、６００〜１０５０℃で形成し、バッファ層１１の全面を被覆する。次に、防止層１２上に、１０５０〜１２００℃でｎ型層１３をＭＯＣＶＤ法によって形成する。このとき、バッファ層１１の全面が防止層１２に覆われているため、バッファ層１１のマストランスポートが抑制される。そのため、結晶にピットが発生するのを抑制することができる。 （もっと読む）