【課題】処理液の再生により処理液に含まれる界面活性剤の濃度が低くなるのを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、界面活性剤が含まれた処理液を貯留する貯留槽１１と、処理液によって基板を処理する処理機構１２と、貯留槽１１内の処理液を貯留槽１１と処理機構１２との間で循環させる第１循環機構２０と、処理機構１２での基板処理によって処理液に含まれるようになった金属イオンを吸着する吸着材が内部に充填された吸着容器３２，３３と、貯留槽１１内の処理液を吸着容器３２，３３内に供給して流通させるとともに、流通させた処理液を吸着容器３２，３３から貯留槽１１に回収し、貯留槽１１と吸着容器３２，３３との間で処理液を循環させる第２循環機構３４と、貯留槽１１に貯留された処理液又は吸着容器３２，３３から貯留槽１１に回収される処理液に界面活性剤を供給する供給機構７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】エッチング特性が優れており、安定した導電性を有する高微細精度の導電膜パターンを与える導電膜用エッチング液および導電膜パターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムを含有する導電膜用エッチング剤と、界面活性剤とを水中に含有してなり、上記界面活性剤が直鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩６０質量％〜８２質量％と分岐鎖のフッ化炭素基を有するパーフルオロアルキルスルホン酸塩１８質量％〜４０質量％との混合物（Ｗ）であることを特徴とする導電膜用エッチング液、および該エッチング液を使用する導電膜パターンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】導電膜を効率よくエッチングすることが可能で、しかも、エッチング後に残渣を生じることがなく、かつ、エッチング時の発泡を抑制することが可能でエッチング作業性にも優れた導電膜用エッチング液組成物を提供する。
【解決手段】シュウ酸と、分子中に−ＳＯ₃基を有する化合物である陰イオン性界面活性剤とフッ素系界面活性剤とを含有する水溶液をエッチング液（導電膜用エッチング液組成物）として用いる。
分子中に−ＳＯ₃基を有する化合物である陰イオン性界面活性剤として、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、フェノールスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、フェニルフェノールスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物から選択される１種または２種以上を用いる。
また、フッ素系界面活性剤として、フッ素系非イオン性界面活性剤、フッ素系陰イオン性界面活性剤から選択される１種または２種以上を用いる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ上に形成されたＳｉＧｅをエッチングする際に、Ｓｉに対するＳｉＧｅのエッチング選択比の劣化を抑制できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層１１を形成し、ＳｉＧｅ層１１上にＳｉ層１３を形成する。次に、Ｓｉ層１３とＳｉＧｅ層１１とを部分的にエッチングして、ＳｉＧｅ層１１の側面を露出させる溝Ｈを形成し、Ｓｉ基板１又はＳｉ層１３の少なくとも一方の表面をＳｉＧｅ層１１下から露出するダミーパターンＤＰを形成する。その後、溝Ｈを介してＳｉＧｅ層１１をウェットエッチングすることによって、Ｓｉ基板１とＳｉ層１３との間に空洞部２５を形成する。空洞部２５を形成する工程では、ダミーパターンＤＰにエッチング液を触れさせながらＳｉＧｅ層１１をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】間便に所望の形状のパターンを得ることのできる多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる多層薄膜パターンの製造方法は、基板上に金属膜３を形成する工程と、金属膜３上に第２の透明導電性膜４を形成する工程と、第２の透明導電性膜４上にレジストパターン５を形成する工程と、レジストパターン５を介して第２の透明導電性膜４をエッチングする工程と、有機溶媒もしくはＲＥＬＡＣＳ材料を用いてレジストパターン５を変形させ、第２の透明導電性膜４のエッチング後の端面を覆う工程と、第２の透明導電性膜４の端面がレジストパターン５により覆われた状態で、金属膜３をエッチングする工程と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】導電性高分子に対し優れたエッチング処理能力を有する導電性高分子用エッチング液を提供すること。
【解決手段】（１）塩酸を５重量％以上含有し、硝酸を２０重量％以上含有し、（塩酸濃度＋０．５１×硝酸濃度）の値が３５重量％以下であり、かつ（塩酸濃度＋０．５×硝酸濃度）の値が３０重量％以上であるエッチング液、（２）臭素酸化合物を３重量％以上４０重量％以下含有し、かつ無機酸を４重量％以上含有するエッチング液、（３）塩素酸化合物を６重量％以上４０重量％以下含有し、かつハロゲン化水素を７重量％以上含有するエッチング液、（４）過マンガン酸化合物を０．００１重量％以上２０重量％以下含有するエッチング液、又は、（５）６価クロム化合物を３重量％以上３０重量％以下含有するエッチング液、よりなる導電性高分子用エッチング液。 （もっと読む）

本発明は、太陽電池の製造プロセスで使用するための改良された特性を有する新規な印刷可能なエッチング媒体に関する。この媒体はこれに対応する粒子を含有した組成物であり、これを用いて、隣接した領域を損傷または浸食することなく、非常に微細なラインおよび構造を非常に選択的にエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】導電性高分子に対し優れたエッチング処理能力を有する導電性高分子用エッチング液を提供すること、さらには前記導電性高分子用エッチング液を用いたパターニング方法を提供すること。
【解決手段】有効塩素濃度が０．０６重量％以上であり、かつ、ｐＨが３を超え８未満である次亜塩素酸塩水溶液であることを特徴とする導電性高分子用エッチング液。前記次亜塩素酸塩水溶液は、次亜塩素酸アルカリ金属塩水溶液であることが好ましい。また、導電性高分子は、ポリアニリン類またはポリチオフェン類であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】等方性エッチングを用いた微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】この方法は、半導体基板に被エッチング層を形成し、この被エッチング層の上部にフォトレジスト層をコーティングする段階と、該フォトレジスト層のコーティングされた被エッチング層にリソグラフィを行い、リソグラフィにより生成されたフォトレジストパターンを含む被エッチング層に第１等方性エッチングを行なう段階と、このフォトレジストパターンを含む被エッチング層の上部にパシベーション層を溶着する段階と、溶着されたパシベーション層のうち、第１等方性エッチングされた所定の部分のパシベーション層を除去する段階と、パシベーション層の除去された所定の部分に第２等方性エッチングを行なう段階と、を含む。ここで、パシベーション層の所定の部分を除去する段階を省略し、直接第２等方性エッチングを行なう段階に移行しても良い。 （もっと読む）

【課題】基板上に金属窒化物層を介して選択成長した高性能の化合物半導体素子を得るとともに、素子を基板及び金属窒化物層から容易に分離できるようにすることを課題とする。
【解決手段】単結晶基板上に金属窒化物層を形成し、その上に多様な方法で任意の形態のパターンを形成して制限された金属窒化物層上でだけIII−Ｖ族窒化物半導体あるいはＬＥＤ構造を選択成長し、ＬＥＤ構造の上に金属電極形成と電気メッキによる金属支持層を形成した後エッチング溶液注入口を利用したＣＬＯにより最初の単結晶基板とＬＥＤ素子を分離することである。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル基板上に室温成膜した比較的厚いＩＴＯ薄膜をエッチングにより残渣やサイドエッチなくパターニングすること。
【解決手段】不純物ドープ酸化インジウム薄膜のパターニング方法において、ドライエッチング法により該不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程と、
ウェットエッチング法により前記ドライエッチング法を行った不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程とを行うパターニング方法を用いる。具体的には、ＩＴＯ薄膜を約５０ｎｍ残すように上部をドライエッチングによりエッチングによりエッチングし、連続してウェットエッチングによりエッチングしてパターニングを行うパターニングを方法。 （もっと読む）

【課題】 透明電極であるＺＡＯ（アルミニウム酸化物添加亜鉛酸化物）膜のエッチング液として工業的に有効なものを提供する。
【解決手段】 クエン酸及び／又はクエン酸塩を含有する水溶液からなるエッチング用組成物をＺＡＯのエッチング液として使用する。 （もっと読む）

【課題】近年、基板上に様々の透明酸化物半導体素子が試作されており、なかでも電気伝導性が高いインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）が透明電極としてよく使われている。多くの場合、基板上に成膜されたＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ等を含み構成される透明酸化物半導体膜をエッチングする過程又はエッチング終点において、前記膜はＩＴＯ層又は他のインジウムを含む酸化膜と共存する。その際、半導体素子性能の安定するために、酸化物積層構造の選択性エッチング方法が必要になる。本発明は、物質の違いによって顕著にエッチング速度が異なり、高選択性エッチングの出来るエッチング液を用いたインジウムを含む酸化物エッチング方法を提供する。
【解決手段】酢酸、有機酸、塩酸又は過塩素酸のいずれか一種を含むエッチング液を利用することを特徴とする前記インジウムを含む酸化物膜の選択性エッチング方法を提供する。ここで、前記有機酸はクエン酸を含む。 （もっと読む）

【課題】導電性ガラス基板から酸化物半導体電極材料を除去することにより、この導電性ガラス基板の再利用を可能とし、さらには、製造ラインにおける歩留まり向上、破棄した太陽電池からの導電性ガラス基板の回収、これらにおける廃棄物量の削減等を可能とし、引いては製造コストを低減した太陽電池の提供を可能とし、その結果、太陽電池の電力コストの低下を図ることができる酸化物半導体電極材料の除去方法を提供する。
【解決手段】反応容器３１内に電解質溶液３２を貯留し、この電解質溶液３２を所定の温度に加熱し、この電解質溶液３２に、透明導電性ガラス基板５の表面に色素を吸着した酸化物半導体電極６からなるアノード電極１及び電極３３を浸漬し、電源３４によりアノード電極１と電極３３との間に所定の電圧を印加し、透明導電性ガラス基板５から酸化物半導体電極６を除去する。 （もっと読む）

本発明は、太陽光発電モジュールにおいて相互接続部を形成する方法を提供する。一態様によれば、本発明の方法は、従来の集積回路製造に行われたものと同様の処理ステップを含む。例えば、前記方法は、マスキングとエッチングをして、セルの間にアイソレーション溝を形成するステップと、追加エッチングして、セルの間に相互接続部を形成するために使用し得る溝に隣接した導電性段差を形成するステップとを含むのがよい。他の態様によれば、導電性段差を形成するための方法は、例えば、モジュールの上にミラーを位置決めして、フォトレジストを基板の下からある角度で一回以上露光し、エッチングして、導電性段差を露光することにより、自己整合させることができる。他の態様によれば、プロセスは、モジュールにおいてグリッド線を形成して、構造における電流輸送を改善する段差を含むことができる。
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【課題】電流拡散特性、及び光取り出し効率に優れた発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層、酸化チタン系導電膜層がこの順で積層された発光素子であって、前記酸化チタン系導電膜層が、光取り出し層としてなる第１層と、該第１層の前記ｐ型半導体層側に配され、電流拡散層としてなる第２層とを有して構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、積層構造体を有する基板及び積層構造体を有する基板の製造方法において、銀又は銀を主成分とする銀合金からなる金属膜と保護膜とを同一のエッチング液によって一括してウェットエッチングすることを可能とすることである。
【解決手段】積層構造体を有する基板１０は、基板２０の表面に、少なくとも金属膜３１と保護膜３２をこの順に形成した積層構造体を有する基板１０において、金属膜３１は、銀又は銀を主成分とする銀合金からなり、保護膜３２は、厚さが８Å以上３２Å以下であり、かつ、金属膜３１及び保護膜３２は、同一のエッチング液によって一括してウェットエッチングできることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に下地膜なしに形成されたＩＴＯ透明導電膜のみならず基板上の下地膜上に形成されたＩＴＯ透明導電膜についても、エッチング残渣除去性能に優れ、しかも発泡を抑制することができるエッチング液組成物を提供する。
【解決の手段】シュウ酸、フッ化アルキル基含有燐酸系界面活性剤、ポリエチレンオキサイドアルキルエーテル型ノニオン系界面活性剤及び水を含有する酸化インジウムスズ透明導電膜用のエッチング液組成物。 （もっと読む）

シリコンウェーハー（２）の表面を処理する装置（１、１’）に関し、移送ローラ（３）によって定められる移送平面（５）内でシリコンウェーハー（２）を移送するための移送ローラ（３）と、シリコンウェーハー（２）を液状の処理媒体（１０）によって湿潤するように形成された、少なくとも１つの給送装置（３ａ）とを有している。給送装置（３ａ）は、下を向いた基板表面を処理媒体（１０）によって湿潤するべく移送平面に接触するように、移送平面（５）の下方に配置されている。移送装置と基板表面を直接接触している。
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【課題】本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物に関する。
【解決手段】本発明のエッチング組成物は、同一組成物を使用して、薄膜トランジスタ液晶表示装置の画素電極を構成する非晶質ＩＴＯ及びＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＭｏ/Ａｌ−Ｎｄ二重膜を単一工程によって、下部膜であるＡｌ−Ｎｄのアンダーカット現象なしにエッチングして、優れたテーパーを得ることができると同時に、ソース/ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルが形成できる効果がある。 （もっと読む）