【課題】液晶用基板上の導電性金属酸化物の除去を効率良く行う。
【解決手段】ガラス基板１３上の導電性金属酸化物膜１７及びその他の層１４〜１６を除去してガラス基板１３を回収すると共に、除去した残渣から加熱及び比重差により導電性金属酸化物１７からの還元金属を回収する技術である。ガラス基板１３との相対移動方向に、導電性金属酸化物膜１７に対向して正電極１１と負電極１２を順に配置する。負電極１２を導電性金属酸化物膜１７の近傍に又は接触するように位置させる。正電極１１及び負電極１２と、導電性金属酸化物膜１７間に電解液２０を介在させ、正電極１１と負電極１２に電圧を印加する。正電極１１は、導電性金属酸化物膜１７に対向する端面を湾曲状に形成したものを使用する。
【効果】導電性金属酸化物の除去効率が向上して希少金属の回収率が良くなる結果、液晶用基板の再生も容易に行える。 （もっと読む）

【課題】基材に残留する微小導電性金属酸化物を除去する。
【解決手段】それぞれの対向面に絶縁膜１３ａａ，１３ｂａを形成した正負電極１３ａ，１３ｂを、基材１２との相対移動方向に順に配置した平板状電極体１３の外周部を絶縁体１３ｃで覆う。正負電極１３ａ，１３ｂと、両絶縁膜１３ａａ，１３ｂａの、それぞれの基材１２と対向する端面の面積Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3の比を、Ｓ1／Ｓ2＝０．８〜１００、Ｓ2／Ｓ3＝０．０１〜１．１５とする。前記平板状電極体１３の端面を、基材１２に対向すべく，複数個隣接配置する。この平板状電極体１３と基材１２間に電解液１４を介在させた状態で、正負電極１３ａ，１３ｂに電圧を印加しつつ、平板状電極体１３と基材１２とを相対移動させ、基材１２の表面に残留する微小な導電性金属酸化物１２ａを還元反応により除去する。
【効果】微小導電性金属酸化物を、基材の全面に亘って効果的に除去できる。 （もっと読む）

【課題】基材に残留する微小金属、微小導電性金属酸化物を除去する。
【解決手段】円筒形状の絶縁体１２ｃと、この絶縁体１２ｃの内外周面側に設けられた正電極１２ａ及び負電極１２ｂとで構成された円筒状電極体１２を、基材１１に対向すべく、複数個、隣接して設ける。正電極１２ａと絶縁体１２ｃと負電極１２ｂの、それぞれの基材１１と対向する面の面積をＳ1、Ｓ2、Ｓ3とした場合、Ｓ1／Ｓ2＝０．８〜１００、Ｓ2／Ｓ3＝０．０１〜１．１５の範囲とする。円筒状電極体１２と基材１１間に電解液１３を介在させた状態で、正電極１２ａと負電極１２ｂに電圧を印加する。円筒状電極体１２と基材１１とを相対移動させることで、基材１１の表面に残留する微小な導電性金属酸化物１５を還元反応により除去する。
【効果】基材に残留する微小導電性金属酸化物を、基材の全面に亘って効果的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】導電膜を効率よくエッチングすることが可能で、しかも、エッチング後に残渣を生じることがなく、かつ、エッチング時の発泡を抑制することが可能で、さらには、シュウ酸インジウムの溶解性が高く、操業安定性、経済性にも優れた導電膜用エッチング液組成物を提供する。
【解決手段】シュウ酸と、塩酸と、界面活性剤とを含有する水溶液をエッチング液（導電膜用エッチング液組成物）として用いる。
界面活性剤は陰イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、フッ素系界面活性剤の少なくとも１種を用いる。
本発明の導電膜用エッチング液組成物を用いて、酸化インジウム錫または酸化インジウム亜鉛を主たる成分とする透明導電膜のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクスデバイス構造から少なくとも１種の材料を除去するための改善された組成物及びプロセスを提供する。
【解決手段】
少なくとも１つの材料層を、表面にそれを有する拒絶されたマイクロエレクトロニクスデバイス構造から除去するための、除去組成物及びプロセス。除去組成物は、フッ酸を含む。この組成物は、前記構造を再生し、再加工し、リサイクルし、及び／又は再使用するために、保持される層に損傷を及ぼすことなく、除去される（１種又は複数の）材料の実質的な除去を実現する。 （もっと読む）

【課題】エッチング残渣を発生させず平坦にエッチングできる酸化亜鉛系材料のエッチング方法を提供すること。
【解決手段】蓚酸を含有する溶液で酸化亜鉛系材料をエッチングする第１の工程（Ｓ１）と、アルカリ性溶液を用いて、前記第１の工程におけるエッチング残渣を除去する第２の工程（Ｓ２）を有している。酸化亜鉛系材料、とりわけ（０００−１）の結晶面を有する酸化亜鉛系材料を、エッチング残渣を発生させず平坦にエッチングできるという効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】コスト低減の図れるスイッチング素子の基本構造であるＭＩＳ積層構造体およびそれらの作製方法を提供する。
【解決手段】支持基板上に、少なくとも半導体材料層〔S〕、絶縁材料層〔I〕、および導電性酸化物材料層〔M〕(照射するレーザ光を吸収し、薄膜の少なくとも一部がアモルファス相である導電性酸化物材料層)を順次成膜してMIS積層構成体を形成する成膜工程(a)と、集光した状態のレーザ光を前記導電性酸化物材料層側から照射して該導電性酸化物材料層の一部を熱変化させると共に、MIS積層構成体内部に伝播した熱により前記半導体材料層の一部を熱変化させる熱処理工程(b)と、前記MIS積層構成体の熱変化していない部分をエッチング処理で除去するエッチング処理工程(c)とによりＭＩＳ積層構造体を作製し、これに電極を設けてスイッチング素子とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、液晶ディスプレイなどに使用されるＩＴＯ膜などの透明導電膜のエッチング処理において、シュウ酸インジウムの結晶析出の少ない透明導電膜用エッチング液組成物を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、シュウ酸と、アルカリ性化合物（ただし、トリエタノールアミンを除く）とを含む、透明導電膜用エッチング液組成物とすることにより、透明導電膜のエッチング工程においてエッチング液中のインジウムが高濃度であっても、シュウ酸インジウムの結晶析出を効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液の取り替えサイクルを長くしたり、基板処理効率の低下を防止したり、基板処理コストを抑えることができる基板処理装置などを提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、貯留槽１１と基板処理機構１２と間で処理液を循環させる第１処理液循環機構２０と、基板処理機構１２における基板処理によって処理液中に含まれるようになった金属イオンを吸着する２つの吸着塔３２，３３と、貯留槽１１内の処理液を吸着塔３２，３３のいずれか一方に選択的に供給して循環させる第２処理液循環機構３４と、処理液の供給される吸着塔３２，３３が所定時間間隔で交互に切り換わるように第２処理液循環機構３４の作動を制御する制御装置２８とを備える。 （もっと読む）

【課題】特定のセリウム（IV）化合物を使用する導電性高分子のエッチングの管理を簡便かつ容易に行うことができ、安定したエッチングを行うことができるエッチング方法、及び、前記エッチング方法によりエッチングされた導電性高分子を有する基板を提供すること。
【解決手段】特定のセリウム（IV）化合物を含むエッチング液を用い、導電性高分子をエッチングするエッチング工程、酸化還元電位測定、酸化還元滴定、及び、電気伝導度測定よりなる群から選ばれた少なくとも１つの分析手段により、エッチング液を分析する分析工程、並びに、前記分析工程によって得られた結果に応じてエッチング工程を管理する管理工程、を含むことを特徴とするエッチング方法、並びに、前記エッチング方法によりエッチングされた導電性高分子を有する基板。 （もっと読む）

【課題】アモルファスＩＴＯ透明導電膜に適用した場合にエッチング残渣除去性能に優れ、しかも、固形物の析出がなく従来品より液寿命が長い、エッチング液組成物を提供する。
【解決の手段】（Ａ）硫酸３〜３０重量％、（Ｂ）炭素数が１２以上の炭化水素基を有するアニオン性界面活性剤、分子量が１０００以上であるナフタレンスルホン酸の縮合物及び／又はその塩、分子量が１０００以上であるポリスチレンスルホン酸及び／又はその塩、並びに、炭素数が１２以上の炭化水素基を有し、しかもＨＬＢ値が１２以上であるノニオン性界面活性剤からなる群から選択される少なくとも１種の界面活性剤０．００５〜１重量％、（Ｃ）水残部の合計１００重量％からなり、燐酸、硝酸、塩酸、酢酸、シュウ酸及びこれらの塩を含有しない、アモルファスＩＴＯ透明導電膜用エッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】熱処理（レーザ光照射による）とエッチング処理のみの簡便なプロセスにより、従来技術よりも低コストな方法で、導電性酸化物の薄膜が加工された基板を作製すること及びこのような基板を提供すること。
【解決手段】導電性酸化物付き基板の作製方法において、導電性酸化物の薄膜を基板上に積層する成膜工程と、レーザ光を集光させた状態で照射することにより前記基板面内の積層された導電性酸化物の薄膜の一部を熱変化させる熱処理工程と、熱処理工程により熱変化していない部分をエッチング処理により除去するエッチング処理工程とを含み、前記導電性酸化物の薄膜は、前記レーザ光を吸収し、該薄膜の少なくとも一部がアモルファス相であることを特徴とする導電性酸化物付き基板の作製方法及び得られた基板。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の表面に直接透明電極膜を成膜した場合であっても、レーザの照射熱によるガラス基板の損傷を可及的に低減した上で、高精細な透明電極のパターニングを実現する。
【解決手段】ガラス基板１上に透明電極膜２を成膜した後、透明電極膜２の不要部位Ｘ１にレーザ光３を照射して不要部位Ｘ１を除去することにより、透明電極膜２の必要部位Ｘ２を残してガラス基板１に透明電極のパターニングを施す透明電極のパターニング方法であって、ガラス基板１の表面に所定の初期厚みを有する透明電極膜２を成膜する成膜工程Ｓ１と、成膜工程Ｓ１で成膜された透明電極膜２の不要部位Ｘ１に初期厚みよりも薄い透明電極膜２が残存するように、不要部位Ｘ１にレーザ光３を照射するレーザ光照射工程Ｓ２と、レーザ光照射工程Ｓ２で不要部位Ｘ１に残存させた透明電極膜２をエッチング液４により除去するエッチング工程Ｓ３とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ透明導電膜に対して優秀なエッチング性能を有し、その組成が安定的であり、エッチング工程時フォトレジストなどの光反応物質に対する侵食を減少させ、残渣または析出物を残さない優秀な特性を有するエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】ＩＴＯ透明導電膜用のエッチング液組成物であって、エッチング液組成物総質量に対して、ａ）硫酸４〜１０質量％、ｂ）硝酸２．５〜６．０質量％、ｃ）エッチング調整剤０．５〜５質量％および組成物総質量を１００質量％にする量の水を含むエッチング液組成物を提供する。これにより、ＴＦＴ−ＬＣＤをはじめとする、ＩＴＯ膜を利用する表示装置などの電子部品製造の生産性を顕著に向上させ、硫酸のような安価でかつ高安定性の成分を活用して工程時間におけるエッチング液の組成変化を抑え、生産コストを低減させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、絶縁層に影響を与えることなく、窒化チタン被膜を剥離することができる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】フッ酸、過酸化水素、及び水溶性有機溶剤を含有し、前記水溶性有機溶剤が多価アルコール又はそのアルキルエーテルを含む、窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液がグリコールエーテルを含有するので、窒化チタン被膜を剥離する際に、窒化チタン剥離液による絶縁層への浸食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体層のｎ型層とｎ側電極とのオーミックコンタクトを改良し、動作電圧を下げる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に設けられ、少なくともｎ型層４を有するＺｎＯ系化合物半導体の積層により発光層を形成する発光層形成部１１を有するＺｎＯ系化合物半導体素子であって、ＺｎＯ系化合物半導体のｎ型層４に接触して設けられるｎ側電極９は、ｎ型層４に接する部分がＡｌを含まないＴｉまたはＣｒにより形成されている。 （もっと読む）

【目的】コンタクトプラグを従来よりも低抵抗化する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、半導体基体上にＳｉＯ_２膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、ＳｉＯ_２膜にコンタクトホールを形成する工程（Ｓ１０４）と、コンタクトホール内にＴｉ膜を形成する工程（Ｓ１０６）と、Ｔｉ膜を窒化処理する工程（Ｓ１０８）と、コンタクトホール側壁に形成されたＴｉＮ膜を除去する工程（Ｓ１１０）と、コンタクトホール内にＷ膜を堆積させる工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ウエット処理時に異種材料接触部で発生する腐食を防ぎ、また、ウエハ上の微小粒子の除去も可能にする半導体プロセスおよびウエット処理装置を提供する。
【解決手段】 ウエハを静電吸着すると共にウエハを回転駆動する下部電極１と、下部電極１に向かって移動可能であると共に注入された薬液を下部電極１に通す上部電極４とを備え、下部電極１と上部電極４との間に電圧を印加しながらウエット処理する。 （もっと読む）

【課題】エッチング液の安定性が高く、エッチング速度が速く、サイドエッチングも少なく、パターンの直線性も良好なエッチング剤を提供する。
【解決手段】本発明のエッチング剤は、ハロゲンを含まない銅塩および塩酸を含む、インジウム錫酸化物合金（ＩＴＯ）膜を含む合金のエッチング剤であって、前記塩酸の濃度が４．５モル／リットル以上である。前記銅塩の濃度は銅イオン濃度で０．００１モル／リットル以上０．４５モル／リットル以下が好ましく、ピロリン酸銅、硫酸銅、硝酸銅、ギ酸銅、酢酸銅及びアセチルアセトン銅から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ほぼ全域に亘って導電性金属酸化物薄膜を除去可能な方法と装置を提供する。
【解決手段】基材１１表面の導電性金属酸化物薄膜１２に対向すべく、基材１１の移動方向に、絶縁体１７を介し、多孔体の正電極１４と、負電極１５を順に配置する。負電極１４を導電性金属酸化物薄膜１２と接触させ、両電極１４，１５と導電性金属酸化物薄膜１２間に電解液１３を介在させた状態で、両電極１４，１５間に電圧を印加し、基材１１を移動させて導電性金属酸化物薄膜１２を還元反応により除去する。その際、正電極１４から負電極１５へ向く方向と反対方向に電解液１３を供給し、還元反応により発生した基材１１表面の気泡を除去する。正電極１４表面や電解液１３中の気泡を正電極１４の背面側から吸引する。
【効果】基材の移動方向後端部に未還元のまま残留する導電性金属酸化物薄膜を減少でき、また加工速度を速くすることができる。 （もっと読む）