【課題】半導体製造用部材などの物品のＣＶＤ‐ＳｉＣ膜の表層を酸化と酸洗浄とにより清浄化する工程が、より効果的にかつより効率良く行える手段を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ‐ＳｉＣ膜１０６の表面汚染層１０８の厚さ（例えば０．２５μｍ）より幾分厚くなるように、ＣＶＤ‐ＳｉＣ膜１０６の表層から除去されるべき取代の厚さＤ１（例えば０．５μｍ）が設定される。次に、ＣＶＤ‐ＳｉＣ１０６の表層に成長させるべき酸化珪素膜１１０の厚さＴ１が取代厚さＤ１の２倍以上、好ましくはＴ１＝Ｄ１÷０．４５で設定される（例えばＴ１＝１１１１ｎｍ）。その後、設定された膜厚Ｔ１分の酸化珪素膜１１０を形成して除去するために要する、酸化と酸洗浄の工程を最適な実行回数が、各回の酸化時間とトータルの処理時間の計算結果に基づいて決定される。そして、決定された回数分だけ酸化と酸洗浄が繰り返される。 （もっと読む）

【課題】構造体に損傷を与えることなく犠牲層を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１１の上に犠牲層１２が形成され、この犠牲層１２の上に形成された半導体層１３が形成されたＳＯＩ基板１０において、半導体層１３を貫通した開口部１５により構成された可動部２０および固定部３０と開口部１５とを含んだ犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２に焦点を合わせてレーザ光を照射する。これにより、犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２を多孔質化する。そして、犠牲層１２を多孔質化した後、開口部１５からエッチング媒体を導入し、多孔質化した犠牲層１２をエッチングして除去する。これにより、支持基板１１に対して可動部２０の梁部２４等を浮遊させる。 （もっと読む）

【課題】基板における材料除去を適切に制御することである。
【解決手段】伝導性の基板（１２０）を用いており、かつ伝導性の工具（１００）を用いており、工具は表面構造（１３０）を有しており、前記基板の加工を前記工具を用いて電気化学的なエッチング工程を介して行い、前記エッチング工程を介して前記工具の表面構造に基づき基板の表面から材料を除去する、基板を電気化学的に加工する方法において、電気化学的なエッチング工程中に、前記基板及び前記工具を互いに運動させるようにし、また、上記方法に基づいて基板を電気化学的に加工する装置において、電気化学的なエッチング工程中に前記基板と前記工具とを互いに運動させる運動手段が設けられているようにした。 （もっと読む）

光電池において使用するための薄膜アモルファス、単結晶または多結晶シリコンウエハー基板であり、ｐｎまたはｎｐ接合および部分的なホスホシリケートまたはボロシリケートガラス層の少なくとも１つを該ウエハー基板の上面に有する該ウエハー基板を処理して、（ａ）該ウエハーのシート抵抗および（ｂ）前記ウエハーから作製された該光電池の出力密度レベルの少なくとも一方を増大させること。少なくとも１種の水酸化テトラアルキルアンモニウム、酢酸、少なくとも１種の非イオン性界面活性剤、少なくとも１種の金属キレート剤、アンモニアの無金属供給源、フッ化物イオンの無金属供給源および水を有する緩衝酸化物エッチング（ＢＯＥ）溶液を、酸化剤溶液および場合により水と混合した酸処理溶液である、処理溶液。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ外周部、特に円周方向の異方性の影響を排除しつつ、ＰＣＲにおける生産性及び生産コストの悪化を抑制し、かつ高平坦度化を達成する。
【解決手段】先ず複数枚のウェーハを各ウェーハの周面を揃えて直接又は間接的に重ね合わせ、積層体の最外層のウェーハにおける外周部を除く両主面に保護層を形成する。次いで積層体に酸エッチング液を接触させ、積層体の各ウェーハの外周部のみを酸エッチングする。次に積層体の少なくとも外周部に保護膜を形成する。次に保護膜を形成した積層体から、最外層の両主面に存在する保護層を分離するとともに、外周部に保護膜が存在した状態で各ウェーハを分離する。次に分離した外周部に保護膜が存在した状態の各ウェーハにアルカリエッチング液を接触させ、各ウェーハの表裏面のみをアルカリエッチングする。更に、アルカリエッチング後の各ウェーハの外周部に存在する保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】性能を確保しながらコストを低減することができる化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、外部に連通する開口部が設けられたｎ−ＧａＮ層４を形成し、その後、ｎ−ＧａＮ層４上に、ＧａＮ層５、ＡｌＧａＮ層６、ｉ−ＧａＮ層７、ｉ−ＡｌＧａＮ層８、ｎ−ＡｌＧａＮ層９及びｎ−ＧａＮ層１０を形成する。次いで、ＫＯＨ水溶液中において、ｎ−ＧａＮ層４に紫外線を照射して、光電気化学エッチングによりｎ−ＧａＮ層４を溶解させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置においてアンダーエッチングを測定する。
【解決手段】構造４０ａ〜４０ｅ中に犠牲層４１ｃ〜４１ｅの存在を判断する方法で、該方法は、平面にてなる主面を有する基板に配置された少なくとも一つの構造４０ａ〜４０ｅを設け、ここで上記少なくとも一つの構造は、少なくとも一つの側部で固定され、所定の大きさの力、例えば機械的力が当該構造に作用し、基板に垂直な部品を有し、かつ、基板の上記平面に垂直な上記少なくとも一つの構造の歪みを判断し、かつ、上記少なくとも一つの構造の歪みを、上記基板と上記構造との間の犠牲層の存在に関連づけることを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの平坦度を、エッチングレートと回転数に基づいて制御することにより、安定した平坦度を有する半導体ウェーハを製造する半導体ウェーハのエッチング方法を提供する。
【解決手段】２枚以上の半導体ウェーハを互いにウェーハ面を対向させて保持部材で保持し、エッチング槽内でウェーハ面の法線方向を軸として自転させる半導体ウェーハのエッチング方法において、あらかじめ、半導体ウェーハのエッチングレートと半導体ウェーハの回転数とを変数とする半導体ウェーハの平坦度の較正曲線を取得し、半導体ウェーハのエッチングに先立ち、エッチングレートを決定し、較正曲線と決定されたエッチングレートに基づき、回転数を決定し、エッチング槽内で、半導体ウェーハを決定された回転数で自転させてエッチングすることを特徴とする半導体ウェーハのエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンブロックからウェーハを切り出す際や、切り出したウェーハに発電層を積層する際に、ウェーハが破損するのを防止するためのシリコンブロックの処理方法を提供する。
【解決手段】多結晶または単結晶のシリコンブロック１をスライスしてシリコンウェーハを形成する前に行うシリコンブロックの処理方法において、シリコンブロックは、矩形の端面を有する四角柱形状に形成されていて、シリコンブロックを端面に平行な方向にスライスしてシリコンウェーハとする前に、シリコンブロックの柱面から加工歪みを除去する加工歪み除去工程を実施する。前記加工歪み除去工程としては、例えば、粒径が５μｍ以下のダイヤモンド砥粒を含む研削砥石６を用いて前記シリコンブロック１の柱面３を研削して加工歪を除去する方法が用いられる。このほかに、エッチングによって前記シリコンブロックの柱面から加工歪みを除去する方法を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】 電界効果トランジスタのためのゲート・スタックを形成する方法を提供すること。
【解決手段】 方法は、第１及び第２の型の電界効果トランジスタに対して指定された半導体基板の領域を覆う第１の窒化チタン（ＴｉＮ）層の上に直接、金属含有層を形成することと、金属含有層の上に第２のＴｉＮ層のキャッピング層を形成することと、第１の型の電界効果トランジスタに対して指定された領域を覆う第１のＴｉＮ層の第１の部分のみを覆うように、第２のＴｉＮ層及び金属含有層をパターン形成してすることと、第１のＴｉＮ層の第１の部分をパターン形成された金属含有層の厚さの少なくとも一部で覆うことによりエッチングから保護する一方で、パターン形成によって露出された第１のＴｉＮ層の第２の部分をエッチング除去することと、第２の型の電界効果トランジスタに対して指定された半導体基板の領域を覆う第３のＴｉＮ層を形成することとを含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハの被処理面に対する裏面の汚染が被処理面側へ回り込んでしまうことを抑制し、且つ、ウェハの被処理面に対する処理を清浄な処理液によって十分に且つ均一に行う。
【解決手段】ウェハ１を保持するウェハ保持部３と、内部に貯留している処理液１９によりウェハ１の被処理面１５に対し、剥離処理、洗浄処理又はエッチング処理が行われる処理槽２とを備える。処理槽２の上端２ｂから処理液１９がオーバーフローするように処理液１９を処理槽２へ供給する処理液供給手段（例えば、循環ポンプ７及び供給配管５１からなる）を備える。処理槽の上端２ｂの開口２ｃはウェハ１よりも大径に形成されている。ウェハ保持部３は、ウェハ１の被処理面１５を下向きにして保持し、その被処理面１５を処理槽２に貯留されている処理液１９に浸漬させる。 （もっと読む）

【課題】ＥＬＯＧ法を用いて形成された開口面積の大きい空洞を半導体層内部に導入することにより成長用基板をウェットエッチング処理または外力印加によって容易に剥離することができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
成長用基板上を部分的に覆う選択成長用のマスクを成長用基板上に形成する。次に、成長用基板上のマスクで覆われていない非マスク部において、マスクの膜厚よりも厚い緩衝層を成長させた後、緩衝層の表面に所定のファセットを表出させる。次に、緩衝層を起点として半導体膜を横方向成長させてマスク上部に空洞を形成しつつマスクを覆う横方向成長層を形成する。横方向成長層の上にデバイス機能層をエピタキシャル成長させる。空洞形成工程は、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上できるとともにクラックの低減ができる発光素子用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウエハの製造方法は、II-VI族またはIII-V族化合物系半導体からなる複数の半導体層がエピタキシャル成長され積層されたエピタキシャル層を含む発光素子用エピタキシャルウエハの製造方法であって、エピタキシャル成長されたウルツ鉱結晶体のＣ軸方向に沿って積層され複数の半導体層を形成するエピタキシャル工程と、複数の半導体層の最上部に形成された半導体層の表面を−Ｃ面とする工程と、−Ｃ面に複数の多角形凹凸からなる隆起面を形成する隆起工程と、隆起面における複数の多角形凹凸の各々の差し渡しより小なる差し渡しを各々が有しかつ隣接する複数の突起を、隆起面に形成する粗面化工程と、を含み、隆起工程において、複数の多角形凹凸を、ウルツ鉱結晶体のｍ面に垂直な方向以外に伸長する複数の稜線を有するように形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メタルマスクを用いて、簡易な方法により半導体基板に先細状ビア孔を形成するエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板上に金属導電層を形成する工程と、該金属導電層上に第１の開口を有する第１メッキ層を形成する工程と、該第１メッキ層の側壁に該第1の開口より幅の狭い第２の開口を有する第２メッキ層を形成する工程と、該第２メッキ層をマスクとして第1のドライエッチングを行い該半導体基板をエッチングする工程と、該第1のドライエッチングの後に該第1メッキ層を残す選択的ウェットエッチングを行い該第２メッキ層をエッチングする工程と、該第２メッキ層をエッチングした後に該第1メッキ層をマスクとして第２のドライエッチングを行い該半導体基板をさらにエッチングする工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｈｐ４５ｎｍ以降のＣＭＯＳ半導体装置のような微細構造において、ＬａＯ膜を高精度でエッチングして所定の領域にＬａＯ膜を残すことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜／金属ゲート構造を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板の上にｈｉｇｈ−ｋ材料膜とＬａＯ膜を順次形成する工程と、ＬａＯ膜の上に、所定の領域を覆うようにマスク層を形成する工程と、マスク層を用いて、ＬａＯ膜を選択的に除去するエッチング工程と、マスク層を除去した後に、ＬａＯ膜をｈｉｇｈ−ｋ材料膜中に熱拡散させる工程とを含み、エッチング工程が、ｐＨ４〜６．８の酸性水溶液を用いてＬａＯ膜を選択的にウエットエッチングする。 （もっと読む）

【課題】製造過程における機械的強度の低下および製造コストの増大を抑制することのできる導波路一体型半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本実施形態による導波路一体型半導体受光素子においては、リッジ型光導波路１２０を経由して半導体基板表面に平行な方向に伝送された光は、半導体受光素子１１０に入射され、半導体受光素子１１０と光導波路１２０とが接する面１３０Ａと反対側の面である順メサ反射面１３０Ｂにて下方向に反射される。半導体基板方向に反射された光は、半導体受光素子１１０にて検知され、電気信号に変換される。半導体受光素子１１０にて発生した電気信号は、Ｎ型コンタクト形成部１４０及びＰ型コンタクト形成部１５０に接続された電極（図示せず）にて外部回路に取り出される。 （もっと読む）

【課題】湿式エッチングで太陽電池用シリコン基板の表面にピラミッド状の凹凸を形成するに際し、エッチング水溶液の組成変化を防止し安価かつ効果的に低反射率化することが可能なエッチング液を提供する。
【解決手段】シリコン基板を浸漬して、該基板表面にピラミッド状の凹凸を均一に形成させるエッチング液であって、該エッチング液が、一分子中に一個以上の水酸基を有し、溶解度パラメータが８．０〜１３．０[ｃａｌ／ｃｍ³]^0.5の範囲内で、かつ大気圧下での沸点が９５℃以上の化合物（Ａ）と、水酸化アルカリ（Ｂ）とを含む水溶液からなるエッチング液。 （もっと読む）

【課題】透明であっても従来のＳｉ基板と同様の手法により存在を検出することが可能な基板、および当該基板の製造方法を提供する。
【解決手段】透明な基板１の端部（図１における基板１の左右側）に入射する光線１０は、基板１の中央部分に入射する光線１０のように基板１を透過せず、基板１の端部の少なくとも一部に存在する検出領域の全反射面２によって全反射される。基板１の端部において光線１０の透過する割合が小さくなったことを光電センサ３０が認識することにより、基板１の存在を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】特別の管理を必要とすることなく、アルカリ濃度が高くてもエッチング後のシリコンウェハー上に鉄分、ニッケル分、銅分、特にニッケル分が残留し難いシリコンウェハーエッチング剤を提供する。
【解決手段】本発明は、アルカリ水溶液を含むシリコンウェハーエッチング剤であって、前記アルカリ水溶液は、ジアミノプロパン四酢酸を含有し、かつアルカリ濃度が３０〜５５質量％であるシリコンウェハーエッチング剤を提供する。 （もっと読む）

【課題】曲線を含む輪郭からなるシリコン単結晶微細構造を基板空洞上に形成するに際して，ドライエッチングを使わず１回のフォトリソグラフィだけで形成可能なシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン窒化膜３０１を介し２枚のシリコン基板２０、３０を貼り合わせた後一方の基板を微小構造体の厚さにあわせて薄膜化する．特定の結晶異方性エッチング液で薄膜部をエッチングすることにより曲線輪郭の構造体を加工する。その後，ＬＯＣＯＳ酸化膜を選択的に微細構造体表面に形成しこれを保護膜として，通常の結晶異方性エッチング液で構造体下部のエッチングを行ことにより，１枚のフォトマスクのみで膜厚を制御した構造体の加工ができる。 （もっと読む）