【課題】フォトリソグラフィを用いたエッチング方法は、スパッタリングまたは蒸着などの方法により、クロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜し、レジストの塗布、硬化処理、露光、さらに現像およびレジスト膜の除去などの工程を必要とし、そして現像液や膜を除去するための溶液などを必要とし工程が複雑である。簡略なエッチング方法を実現する。
【解決手段】転写体１０は、基材１と、基材１上にパターン形成された剥離層２と、剥離層２上に形成された接合膜３とを備える。このような転写体１０を用いることで、フォトリソグラフィを用いることなく、被転写体２０の表面２５に、レジストからなるエッチングマスクを形成するので、従来のようにクロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）などからなる膜を成膜することなく、現像液などを用いることもなく、エッチングすることができ、被転写体２０の表面２５に、凹部２１を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基体のテクスチャ化方法において、改良されたテクスチャ化均一性、再現性、成分の蒸発の低減および改良された反射率性能を伴うテクスチャ化溶液を提供する。
【解決手段】１７０以上の分子量を有し、７５度以上の引火点を有する不揮発性アルコキシ化グリコール、そのエーテルおよびエーテルアセタート誘導体を含む水溶液で半導体がテクスチャ化される。このテクスチャ化された半導体は、光起電力素子の製造に使用されうる。 （もっと読む）

単結晶シリコン基板を加工する方法において、シリコン基板は水平方向の搬送経路に沿って平坦にして搬送され、表面を微細加工するエッチング溶液はノズルなどの手段によって上から供給される。エッチング溶液は、シリコン基板の上面に連続的に数回にわたって上から供給され、基板の上面に残り、シリコン基板と反応する。
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【課題】パターンの倒壊を防止つつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に希釈した撥水化剤を供給する。撥水剤と希釈剤との混合から基板表面に供給される迄の時間が長くなるほど撥水能力は低下するので、撥水化剤と希釈剤を混合する混合バルブ６１は、希釈撥水化剤を吐出するノズル６４の直前に設けられ、撥水化剤の撥水化能力の低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】基板に堆積した非結晶シリコンの膜を低温ポリＳｉ（ＬＴＰＳ）アニーリングすることにより製造される、概ね平面であるポリシリコン膜の表面から一般的には上向きに伸びている隆起または突起を、低減または本質的に排除すること。
【解決手段】ｐＨ１２以上を有し、水、少なくとも１種の強塩基および少なくとも１種のエッチング速度制御剤を含む、水性の高い強塩基性の平坦化溶液を提供する。その使用方法は、概ね平面であるポリシリコン膜を有意にエッチングすることなく、概ね平面であるポリシリコン膜の表面を、該水性の高い強塩基性の溶液と、概ね平面であるポリシリコン膜の表面から隆起または突起を選択的にエッチングするのに十分な時間、接触させることを含む。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に撥水化剤１０６を供給する。撥水化剤を供給する前に、酸化力の強い薬液１０３を供給するか、又はＵＶ光を照射して、凸形状パターン表面を強制的に酸化させる。これにより、凸形状パターン表面に撥水性保護膜が形成され易くなり、乾燥処理時の凸形状パターンの倒壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 被加工物の被加工面の平坦化加工を高い加工速度を維持して実施する。
【解決手段】 表面加工方法は、処理水中で光触媒活性を有する薄膜を被加工物の被加工面に対向配置し、薄膜に光を照射して薄膜上で酸化力を有する活性種を生成し、活性種と被加工面の原子とを化学反応させ、被加工面を溶出可能な化合物へと変化させて除去することにより、被加工面を平坦化する。表面加工方法は、温度Ｔ（Ｋ）、大気圧下における水への酸素の溶解度をモル分率χで表すと、モル分率χと温度Ｔ（Ｋ）とは、ｌｎχ＝−６６．７４＋｛８７．４８／（Ｔ／１００）｝＋２４．４５・ｌｎ（Ｔ／１００）の関係を有し、温度Ｔ（Ｋ）における処理水中の溶存酸素量Ｄ（ｍｇ／Ｌ）がＤ≧３．５５５×１０^５χとなる条件で化学反応を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】処理液補充方法と関連させることによって、より効率的に処理液を交換できるような、枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法を提供すること。
【解決手段】枚葉式の基板液処理装置１０であって、処理液を循環させる循環ライン１２と、前記循環ライン内に設けられたタンク１３と、前記タンクに設けられた液面レベルセンサ１４と、前記液面レベルセンサの出力に従って、前記タンク内に新しい処理液を補充する液補充部１５と、所定の液廃棄条件と連動して設定される所定の補充停止条件に従って、前記液補充部の作動を停止させると共に、前記所定の液廃棄条件で前記タンク内の処理液を全て廃棄させる液交換制御部１６と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、窒化物半導体素子の製造方法に関する。本発明の窒化物半導体素子の製造方法は、第１支持基板上に窒化ガリウムエピ層を形成する段階と、前記窒化ガリウムエピ層上に第２支持基板を形成する段階と、前記第１支持基板を除いた残りの領域の表面にパッシベーション層を形成する段階と、前記パッシベーション層をマスクとして前記第１支持基板をエッチングする段階と、前記パッシベーション層を除去して前記第２支持基板および前記窒化ガリウムエピ層を露出させる段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、シリコン基板を良好な寸法精度で加工することのできるシリコン基板の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるシリコン基板の加工方法は、シリコン基板１０の主面をスパッタリングする表面処理工程と、シリコン基板１０の主面にマスク層２０を形成するマスク層形成工程と、マスク層２０をパターニングしてマスクパターン２２を形成するパターニング工程と、マスクパターン２２の形状に従ってシリコン基板１０をウエットエッチングするエッチング工程と、を含み、マスク層２０は、クロムを含有し、表面処理工程およびマスク層形成工程は、同一のチャンバーＣ内で行われる。 （もっと読む）

【課題】基板に帯電した電荷が放電することによる静電破壊の発生を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板（２）に液処理を施すための基板液処理装置（１）及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体（４８）において、基板（２）の回路形成面を基板処理薬液で液処理する液処理工程を行う前に、基板（２）の回路形成面とは反対面を除電処理液で処理することによって基板（２）に帯電した電荷を放出させる除電処理工程を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体結晶内部からの光取り出し効率を向上させることにより、光出力を高めた半導体発光装置の製造方法および半導体発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光層２と、Ｇａ_{（１−ｘ）}Ａｌ_ｘＡｓ層（０≦ｘ＜０．８）を含み発光層から放出された光を外部に取り出す表面層８と、を有する半導体積層体を、０℃未満の液温に保持した硝酸水溶液に浸漬して表面層の表面を粗面化することを特徴とする半導体発光装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】直線状又は螺旋状の深い孔を有する単結晶基板を低コストで提供する。
【解決手段】単結晶基板１は、主成分がシリコンからなり、＜１００＞方向に孔３が形成されており、その孔の底に銀粒子及び／又はパラジウム粒子が存在し、孔径／粒子径の比が１以上２以下であることを特徴とする。また、単結晶基板１は、主成分がシリコンからなる単結晶基板であって、孔径１０〜２００ｎｍ、螺旋径１００〜６００ｎｍの螺旋状の孔が形成されており、その孔の底に銀、白金及びパラジウムのうちから選ばれる一種以上の金属の微粒子が存在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細半導体素子の加工方法にかかわり、特に、通常high-k/メタルゲートと呼ばれる構造の素子の微細化に適した加工方法に関する。
【解決手段】Si基板上に形成されたHfあるいはZrを含む絶縁膜とその上層あるいは下層あるいは膜中に存在するMg,YあるいはAlとを含む堆積膜の除去を、ドライエッチングとウエットエッチングを、ウエットエッチングを先にして少なくとも1回繰り返して行う。 （もっと読む）

【課題】微細な穴を有する板状体を処理液に浸漬して行う湿式処理において、穴に気泡が残留することをより十分に抑制し、より均一な湿式処理を実現することが可能な湿式処理方法及び湿式処理装置を提供する。
【解決手段】密閉容器１１内に板状体３を保持した状態で密閉容器１１内を減圧する減圧工程と、減圧工程の後，密閉容器１１内が減圧された状態で密閉容器１１内へ処理液２に溶解可能な溶解性気体８を導入する溶解性気体導入工程と、溶解性気体導入工程の後，密閉容器１１内が溶解性気体８で充満された状態で密閉容器１１内へ処理液２を導入する処理液導入工程とを備えることにより、微細な穴に気泡が残留しない状態で基板３の湿式処理ができるようにしている。 （もっと読む）

基板上に設けられるシリコン層をエッチングする方法は、シリコン層に第１のトレンチを異方性エッチングすること；第１のトレンチ内のシリコン表面を選択的に異方性ウェットエッチングすることであって、該ウェットエッチングが、シリコン表面を、芳香族トリ（低級）アルキル第四級オニウム水酸化物と、非対称テトラアルキル第四級ホスホニウム塩とを含む水性組成物に曝すことを含み、該ウェットエッチングが、シリコン層の（１１０）面及び（１００）面をおよそ等しい速度で（１１１）面よりも優先的にエッチングして、（１１１）面に側壁を有する拡大されたトレンチを形成する、選択的に異方性ウェットエッチングすることを含む。応力をシリコン層の少なくとも一部分に導入するプロセスの一環として、このようにして作製したトレンチ内にシリコン合金をエピタキシャル堆積させてもよい。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧（Ｖ_th）のばらつきの発生を抑制した、ゲートリセスの形成方法、ノーマリオフ型のＡｌＧａＮ／ＧａＮ−ＨＥＭＴの製造方法及びＡｌＧａＮ／ＧａＮ−ＨＥＭＴを提供する。
【解決手段】光電気化学エッチングにより、バンドギャップエネルギーが、ゲート開口部１９から層方向に変化する半導体層の表面から前記半導体層内の所定の半導体層のバンドギャップエネルギーに相当するエネルギーを有するＵＶ光を照射しながら、ＳｉＮ表面保護層１７の前記ゲート開口部から前記半導体層内の所定のバンドギャップエネルギーの半導体層をエッチングすることを特徴とするゲートリセス２０の形成方法。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜およびメタルゲート電極を有するＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置の信頼性向上を図る。
【解決手段】ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ用の高誘電率ゲート絶縁膜としてＨｆとＬａとＯとを主成分として含有するＨｆ含有絶縁膜４ａを形成し、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ用の高誘電率ゲート絶縁膜としてＨｆとＡｌとＯとを主成分として含有するＨｆ含有絶縁膜４ｂを形成する。それから、金属膜７とシリコン膜８を形成し、これらをドライエッチングでパターニングしてゲート電極ＧＥ１，ＧＥ２を形成する。その後、ゲート電極ＧＥ１，ＧＥ２で覆われない部分のＨｆ含有絶縁膜４ａ，４ｂをウェットエッチングで除去するが、この際、フッ酸を含有しない酸性溶液でのウェット処理とアルカリ性溶液でのウェット処理とを行ってから、フッ酸を含有する酸性溶液でのウェット処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板に疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合において、基板の周縁部においてエッチング不良が発生することなく、かつエッチング幅の精度を向上させることができる基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体を提供する。
【解決手段】まず、ポリシリコン膜が形成された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ酸を供給することにより基板Ｗの周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる。次に、ポリシリコン膜が露出された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する。このような動作は、基板液処理装置１の制御部５０が回転駆動部２０、フッ酸供給部５４およびフッ硝酸供給部５２を制御することにより行われる。 （もっと読む）

単結晶及び多結晶のシリコン基板の表面のテクスチャリングに適した水性酸エッチング溶液であって、溶液の総質量を基準として、３〜１０質量％のフッ化水素酸；１０〜３５質量％の硝酸；５〜４０質量％の硫酸；及び５５〜８２質量％の水、を含有する。単結晶及び多結晶のシリコン基板の表面をテクスチャリングする方法であって、（１）単結晶または多結晶のシリコン基板の少なくとも１の主表面を、上記水性酸エッチング溶液と接触させるステップと、（２）凹部及び凸部からなる表面構成を得るために所定時間、所定温度で基板の少なくとも１の主表面を十分にエッチングするステップと、（３）水性酸エッチング溶液との接触から基板の少なくとも１の主表面を除去するステップと、を備える。更に、上記溶液及び方法を用いて光発電セル及び太陽電池セルを製造する。 （もっと読む）