【課題】薬液用噴射部材からウエハの下面に噴射された薬液がリンス処理用噴射部材に付着することを防止低減する液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板Ｗを水平に保持する基板保持部２２と、基板保持部を回転させる回転駆動部と、基板保持部に保持された基板の下面に薬液を吐出する複数の第１の吐出口６１が設けられた第１の部分６０Ａと、基板保持部により保持された基板の下面にリンス処理用流体を吐出する複数の第２の吐出口６２が設けられた第２の部分６０Ｂとを有するノズル備え、ノズルの第１の部分６０Ａは、基板保持部により保持された基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間で延びており、ノズルの第２の部分６０Ｂは、基板保持部２２により保持された基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間で延びており、第１の部分と前記２の部分とはＶ字を成すように配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体の表面の酸化物を含む不純物を、エッチングあるいは、他の層を積層する前に除去する。
【解決手段】第１の半導体層１１０の少なくとも一部に接し、第１の半導体層１１０に含まれる不純物の固溶度が、第１の半導体層１１０より高い第１の犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程と、第１の犠牲層および第１の半導体層をアニールするアニール工程と、第１の犠牲層をウェットプロセスで除去する除去工程と、第１の半導体層の少なくとも一部を覆う絶縁層１２０を形成する工程および第１の半導体層の一部をエッチングする工程の少なくとも一の工程と、第１の半導体層に電気的に接続された電極層１２６を形成する電極形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】洗浄品質の高い枚葉式ウェーハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１１内においてウェーハ１を支持する回転テーブル１２と、ウェーハ１の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル１３と、回転テーブル１２の外周部に設けられたスピンカップ１４と、回転テーブル１２の外周部に設けられた排気口１５と、スピンカップ１４を昇降制御するスピンカップ昇降機構１６と、チャンバー１１の側面側に設けられた排気口１７と、排気口１７を開閉するシャッター１８とを備え、シャッター１８は、スピンカップ１４に連動して昇降し、スピンカップ１４が上昇して排気口１５を開放しているときには排気口１７を閉止し、スピンカップ１４が降下して排気口１５を閉止しているときには排気口１７を開放する。これにより、チャンバー１１の内圧をほぼ一定に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の乾燥後にリフトピンに処理液が残ることを防止することができ、かつ、基板の下面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板（Ｗ）の周縁を保持する保持プレート（３０）と、基板を下方から支持するリフトピン（２２）を有するリフトピンプレート（２０）と、保持プレートを回転させる回転駆動部（３９）と、保持プレートおよびリフトピンプレートの貫通穴を通る処理流体供給管（４０）と、基板の下面に処理流体を吐出するノズル（６０）と、処理流体供給管、ノズルおよびリフトピンプレートを連動させて昇降させる昇降機構（４４，４６，５０，５２）を備える。ノズルは、基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間に配列されている複数の吐出口（６１）を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンをエッチング処理したアルカリエッチング液をエッチング槽から引き抜き、膜分離手段で膜分離処理してエッチング槽に循環するアルカリエッチング液の処理において、シリカ除去効率の向上、不純物の蓄積を防止して低シリカ濃度の透過水をエッチング槽に返送する。
【解決手段】２以上のＮＦ膜モジュールを２段目以降のＮＦ膜モジュールにそれぞれ前段のＮＦ膜モジュールの濃縮水を供給するように直列に連結し、１段目のＮＦ膜モジュール１Ａ，１Ｂの透過水をエッチング槽１０に循環し、２段目以降のＮＦ膜モジュール２〜４の透過水を１段目のＮＦ膜モジュール１Ａ，１Ｂの供給水側に循環する。従来の濃縮水循環に起因する系内のシリカ濃度の上昇によるシリカ除去性能の低下、不純物の蓄積の問題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との間に、仮固定剤を用いて優れた密着性をもって薄膜を形成して、これにより、この薄膜を均一な膜厚を有するものとし、その結果、精度に優れた基材の加工を行い得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、仮固定剤を支持基材１の一方の面にスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）２を形成する第１の工程と、犠牲層２を介して、半導体ウエハ３と支持基材１とを貼り合わせる第２の工程と、半導体ウエハ３の機能面３１と反対側の面を加工する第３の工程と、犠牲層２を加熱して前記樹脂成分を熱分解させることで、半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させる第４の工程とを有し、支持基材１は、その仮固定剤に対する親和性が、機能面３１の仮固定剤に対する親和性とほぼ等しくなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング装置のリンス用純水の使用量を削減し、処理能力を高める。
【解決手段】半導体基板２を化学薬液処理にてエッチングし水洗するウェットエッチング装置１において、前記半導体基板に化学薬液処理を行う薬液槽４と、前記半導体基板に付着した前記薬液を希釈・除去する粗水洗槽５と、該粗水洗槽処理後に、前記半導体基板に残留・付着した前記薬液を純水に置換させるＱＤＲ（クイックダンプリンス）槽６と、を備えたウェットエッチング装置とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、洗浄によるウェーハの表面粗さの悪化を低減し、かつ、効果的にウェーハの洗浄を行うことができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハを洗浄する方法であって、前記半導体ウェーハをＳＣ１洗浄液により洗浄する工程と、前記ＳＣ１洗浄液により洗浄された半導体ウェーハをフッ酸により洗浄する工程と、前記フッ酸により洗浄された半導体ウェーハを、オゾン濃度が３ｐｐｍ以上のオゾン水により洗浄する工程とを含み、前記ＳＣ１洗浄液による半導体ウェーハのエッチング代を０．１〜２．０ｎｍとすることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との距離を一定に保持して、精度に優れた基材の加工を行い得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、半導体ウエハ（基材）３と、支持基材１と、樹脂成分を含む樹脂組成物で構成される仮固定剤とを用意する工程と、支持基材１の一方の面に、仮固定剤をスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）２１を形成するとともに、半導体ウエハ３の一方の面に、仮固定剤をスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）２２を形成する工程と、犠牲層２１と犠牲層２２とを接触させることで、半導体ウエハ３と支持基材１とを貼り合わせる工程と、半導体ウエハ３の他方の面を加工する工程と、犠牲層２１、２２を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に基板処理を行う際に、基板処理による基板上パターンへの損傷を小さくする。
【解決手段】実施の形態によれば、基板処理装置が提供される。前記基板処理装置においては、基板を処理対象面の裏面側から固定して支持する基板支持部を備えている。また、前記基板処理装置は、所定の液体を染み込ませるパッドが配置されるとともに前記液体で前記基板の処理対象面の基板処理を行う基板処理部を備えている。そして、前記基板処理を行う際には、前記基板を支持している基板支持部を前記パッド側へ近づける。これにより、前記基板および前記パッドを回転させることなく前記基板の処理対象面を前記パッド表面の液体に接触させる。これにより、前記基板および前記パッドを回転させることなく前記基板処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板から飛散した処理液が基板へ再付着することを防止できる基板液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板液処理装置１０は、基板保持台１２に保持されて回転する基板Ｗから飛散した処理液を案内する案内回転カップ２１と、案内回転カップ２１により案内された処理液を下方へ案内する案内カップ３１と、を備えている。案内カップ３１は、案内カップ本体３２の内周端部３２ａから下方に延びる下方延長部３３と、この内周端部３２ａから下方延長部３３より内周側に延び、案内回転カップ２１および下方延長部３３と共に案内回転カップ２１が回転することにより旋回する気体を下方へ案内する気体案内空間３５を形成する内周側延長部３４とを有している。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜が表面に形成された被処理体について、窒化シリコン膜を選択的にエッチングすると共に速やかに窒化シリコン膜をエッチングすることができる技術を提供する。
【解決手段】フッ化アンモニウム水溶液と酸性薬液とを含みｐＨが制御された処理液を処理容器に供給する工程と、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜がその表面に形成された被処理体を前記処理容器内の前記処理液に浸漬する工程と、前記処理容器内の前記処理液を１００℃よりも高い温度に加熱すると共に該処理容器内を加圧し、前記窒化シリコン膜を選択的にエッチングする工程と、からなるエッチング処理とする。 （もっと読む）

【課題】基板を均一にエッチングするために有利な技術を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、第１面および第２面を有する基板の前記第１面をフッ化水素および硝酸を含むエッチング液によってエッチングするように構成され、前記基板の前記第２面を保持するチャックと、前記チャックを回転させることによって前記基板を回転させる回転機構と、フッ化水素および硝酸を含むエッチング液を前記回転機構によって回転させられている前記基板の前記第１面の中央部分に供給する第１供給部と、前記回転機構によって回転させられている前記基板の前記第１面の前記中央部分より外側の外側部分に補充液を供給する第２供給部とを含む。前記補充液は、フッ化水素および硝酸のうちの一方の酸を含み他方の酸を含まない。 （もっと読む）

【課題】基板を保持する機構を工夫することにより、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置を提供する。
【解決手段】貯留槽９内に配置されている第１支持ユニット５７と第２支持ユニット７３とが離反され、複数枚の基板が第１支持ユニット５７に載置されることにより、前記基板の周面のうちの下部だけが電解質溶液に対して液密に支持される。第２支持ユニット７３が第１支持ユニット５７に対して連結されると、前記基板の周面の残り部分が前記電解質溶液に対して液密にされた状態で前記複数枚の基板が支持され、これにより前記基板の周面が全周にわたって前記電解質溶液に対して液密にされる。第１支持ユニット５７と第２支持ユニット７３とを着脱自在な基板ホルダー４１とすることによって前記複数枚の基板を機械的に搬入搬出させ、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置を得る。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたる基板の処理を行うことができるとともに、設置面積を削減することができる基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した２流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理室内に、ノズルの内部で２流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に２流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを設け、前記基板の表面側に前記外部混合手段を配置するとともに、前記基板の裏面側に前記内部混合手段を配置することにした。 （もっと読む）

【課題】 基板面内や基板間の処理のバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理基板１が収容される槽ＴＫと、処理槽ＴＫ内に液体、気体、又は液体と気体との両方を送り出す送出機構ＴＢ、Ａと、処理基板１に対して、液体、気体、又は気体と液体との両方が槽ＴＫ内へ送り出される位置と対向する位置から槽ＴＫ内の液体、気体、又は気体と液体との両方を排出する排出手段１０、２０、３０、４０と、を備えた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板（太陽電池セル）から離脱した気泡が再度付着して不均一なエッチングや形状欠陥が生じないようにするエッチング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】太陽電池セル２を浸漬させるエッチング液４を貯留するエッチング槽５と、このエッチング槽５内の上層のエッチング液４を回収するとともに、この回収したエッチング液４をエッチング槽５の底部から噴出させて、エッチング液４をエッチング槽５内で循環させる循環水路系２０Ａと、エッチング槽５内の太陽電池セル２とエッチング液４の液面との間に沈められ、太陽電池セル２から発生してエッチング槽５内を浮上する気泡７を捕獲して収集する気泡捕獲収集器１Ａとを含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】低反射率をもたらす、シリコンウェハー表面でのピラミッドの均一かつ密な分布を与える。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を有する、シリコンウェハーをテクスチャ形成するためのテクスチャ形成前処理組成物。１種以上の界面活性剤を有するテクスチャ形成前処理組成物でシリコンウェハーを濡らす工程に続いて、テクスチャ形成工程を有する、シリコンウェハーのテクスチャ形成方法。 （もっと読む）

【課題】薬液に関する問題を低減するとともに、洗浄効果を高めるＳｉＣ半導体装置の製造方法およびＳｉＣ半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置の製造方法は、ＳｉＣの表面に酸化膜を形成する工程（ステップＳ３）と、酸化膜を除去する工程（ステップＳ５）とを備え、酸化膜を形成する工程（ステップＳ３）では、オゾンガスを用いる。酸化膜を除去する工程（ステップＳ５）では、ハロゲンプラズマまたは水素プラズマを用いることが好ましい、 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハの処理表面の性状に応じたリンス処理に好適なリンス液の調製方法を提供する。
【解決手段】汚染防止物質を超純水に添加して調製されるリンス液における超純水に添加する汚染防止物質の量を、所定の条件におけるシリコンウェハ表面に存在する吸着活性点の量の分析値と、所定の条件におけるシリコンウェハ表面を洗浄した際の金属不純物の吸着量と、条件変更後のシリコンウェハ表面に存在する吸着活性点の量の分析値とからシリコンウェハへの金属不純物の予想吸着量を算出し、この予想吸着量に応じて決定する。 （もっと読む）