【課題】実用上十分なプロセスマージンを備える状態で、リーク電流の増大およびキャリア濃度の低下を招くことなく、ゲート電極とチャネル層との距離が短縮できるようにする。
【解決手段】ＩｎＰからなる基板１０１の上に形成された電子供給層１０２と、電子供給層１０２の上に形成されたスペーサ層１０３と、スペーサ層１０３の上に形成されたチャネル層１０４と、チャネル層１０４の上に形成された障壁層１０５とを備え、障壁層１０５は、ＧａおよびＡｌの少なくとも１つと、Ｉｎと、Ｐとを含んだアンドープの化合物半導体から構成し、ＩｎＰよりショットキー障壁高さが高いものとされている。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率を有する発光ダイオード(LED)基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板を含む発光ダイオード(LED)基板を提供する。サファイア基板は、複数の上部三角・下部六角テーパー部からなる表面を有する。上部三角・下部六角テーパー部の各々は、六角テーパー部と、該六角テーパー部上の三角テーパー部とからなる。上部三角・下部六角テーパー部どうしの間隔幅は、10μｍ未満である。このLED基板は、高い発光効率を有する。 （もっと読む）

【課題】入射光反射率が低減した多結晶シリコン半導体テクスチャを形成するためのエッチング液を提供する。
【解決手段】アルカリ化合物、フッ化物イオンおよび酸化剤を含む酸性水性組成物を用い、多結晶シリコンの等方性エッチングを行なうことにより、露出した粒界を含まず、４００ｎｍ〜１１００ｎｍの入射光波長での入射光反射率が２０％以下となるテクスチャが得られる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に対して安価に且つ安定して高密度のテクスチャを形成可能なエッチング方法を得ること。
【解決手段】シリコン基板表面でのエッチング反応を阻害する添加剤と水とを含むアルカリ性のエッチング液をシリコン基板の表面に供給してウェットエッチングにより前記シリコン基板の表面に凹凸を形成するエッチング処理を複数バッチにわたって繰り返し実施するシリコン基板のエッチング方法であって、１バッチ目の前記エッチング処理の終了後において、前回のバッチのエッチング処理における前記エッチング液中のシリコン濃度の増加量と、前回のバッチのエッチング処理終了後における前記エッチング液中へのアルカリ濃度の追加量と、の比が一定となるように、バッチ毎に前記エッチング液にアルカリを追加して前記エッチング処理を複数バッチにわたって繰り返し実施する。 （もっと読む）

【課題】金属汚染を抑制し、表面欠陥が低減された光電変換装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板の表面をアルカリ溶液に浸漬させてエッチングすることにより、微細な略四角錐状の複数の凸部、及び隣接する凸部間で構成される凹部からなる凹凸形状とし、凹凸が形成された単結晶シリコン基板を混酸液に浸漬させてエッチングすることにより、凸部の頂点を含み、凸部の一面及び該一面と対向する面を二等分する断面において、頂点は鈍角をなすように形成し、かつ、凹部の底が曲面をなすように形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板の表裏両面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽１１にエッチング液を貯留するエッチング液供給工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送してエッチング液が貯留された処理槽１１内に進入させる基板搬入工程と、ガラス基板１００の下面からエッチング液を吐出することによりガラス基板１００を搬送ローラ２１より上方で、かつ、処理槽１１に貯留されたエッチング液の液面より下方の位置まで浮上させるエッチング液吐出工程と、エッチング液の吐出を停止してガラス基板１００を搬送ローラ２１と当接する位置まで下降させる基板下降工程と、処理槽２１に貯留されたエッチング液を排出するエッチング液排出工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送して処理槽１１より退出させる基板搬出工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ポーラスＳｉＣ部が好適な条件で処理されている発光ダイオード素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード素子１において、半導体発光部と、ドナー及びアクセプタが添加されたポーラス状の単結晶６Ｈ型ＳｉＣからなり半導体発光部から発せられる光により励起されると可視光を発するポーラスＳｉＣ部１２４と、ポーラスＳｉＣ部１２４の表面を覆う保護膜と、を有し、ポーラスＳｉＣ部１２４は、８５０℃以下で保護膜を形成するための熱処理が行われている。 （もっと読む）

【課題】少なくともシリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜が積層された積層膜を微細加工する際に、シリコン酸化膜を選択的に微細加工することが可能な微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る微細加工処理剤は、（ａ）０．０１％〜１５重量％のフッ化水素、又は０．１〜４０重量％のフッ化アンモニウムの少なくとも何れか1種類と、（ｂ）水と、（ｃ）０．００１％〜１０重量％のスチレンスルホン酸、スチレンスルホン酸アンモニウム、及びスチレンスルホン酸エステルからなる群より選択される少なくとも１種類の水溶性重合体とを含み、少なくともシリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜が積層された積層膜を微細加工する際に、シリコン酸化膜を選択的に微細加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ない転写用シリコン層を有するシリコン層転写用基板を提供する。
【解決手段】第１の基板であるシリコン基板１２と、前記シリコン基板上に配置された犠牲層であって、シリコンとゲルマニウム及び炭素から選ばれる少なくとも一種の元素との化合物からなる少なくとも１層のシリコン化合物層を有し、該犠牲層を構成する化合物層が全て臨界膜厚以下の厚みを有する犠牲層１４と、前記犠牲層上に配置されたシリコン層であって、第２の基板に転写される転写用シリコン層１６と、を備え、前記シリコン基板及び前記シリコン層の少なくとも一方に前記犠牲層に通じる溝又は穴が設けられているシリコン層転写用基板１０。 （もっと読む）

【課題】ＡｇまたはＡｇまたはＡｇ合金からなる反射膜を、反射率を低下させず、均一な膜厚でパターニングすること。
【解決手段】スパッタや蒸着などによって、第１絶縁膜１６ａの全面に反射膜１９を形成し、リフトオフ法によって反射膜１９上に所定のパターンのバリアメタル膜２３を形成する。次に、銀エッチング液を用いて、反射膜１９をウェットエッチングする。ここで、バリアメタル膜２３は銀エッチング液によってウェットエッチングされないため、マスクとして機能し、上部にバリアメタル膜２３が形成された領域の反射膜１９はウェットエッチングされずに残る。これにより、第１絶縁膜１６ａ上に所望のパターンの反射膜１９を均一な厚さで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイド領域とシリコン領域との間に大きな段差を形成することなくシリコン酸化膜を除去することのできる湿式エッチング溶液を提供する。
【解決手段】金属シリサイド膜およびシリコン酸化膜を備えるシリコン基板用の湿式エッチング溶液であって、フッ化水素とフッ化アンモニウムの含有比が、質量比で、フッ化水素：フッ化アンモニウム＝１：７〜１：８０であり、かつ、湿式エッチング溶液全体におけるフッ化水素濃度が０．０１〜１０質量％であり、フッ化アンモニウム濃度が０．８〜８０質量％であることを特徴とする湿式エッチング溶液である。前記金属シリサイド膜が、ＷＳｉ_ｘ膜、ＴｉＳｉ_ｘ膜、ＭｏＳｉ_ｘ膜、ＮｉＳｉ_ｘ膜、ＴａＳｉ_ｘ膜、ＣｕＳｉ_ｘ膜、および、ＣｏＳｉ_ｘ膜（ここで、ｘは任意の数）のうちいずれか１種であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ディップ式による絶縁層の表面粗化において、Ａ３サイズ以上の大きな面積の基板の両面に形成された絶縁層を、同時に均一に低コストで粗化処理を行うことが可能なビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置を提供する。
【解決手段】エッチング液１を循環させながら粗化処理を行う表面粗化装置であって、第１供給パイプ５１、第１排出パイプ７１、第２供給パイプ５２、第２排出パイプ７２を挿入し、基板３の処理中は該第１供給パイプ５１と該第１排出パイプ７１からなる第１循環路と、該第２供給パイプ５２と該第２排出パイプ７２からなる第２循環路とを交互に使用することによりエッチング液１を循環させ、基板処理後は第２循環路を使用することによりエッチング液１を循環させながら、排出口２１の高さまで液位を上げてオーバーフローさせることを特徴とするビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置である。 （もっと読む）

【課題】基板の周端面への処理液の回り込みを制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平姿勢で保持して鉛直な回転軸線Ｃまわりに回転するスピンチャック１と、基板Ｗの上面に処理液を供給する処理液ノズル２，３と、リング部材１０とを含む。リング部材１０は、基板Ｗの周端面に回転半径外方から隙間を開けて対向する対向面を有し、この対向面に気体吐出口１１０を有している。スピンチャック１には、基板Ｗの周縁部下面に密接し、かつ気体吐出口１１０よりも下方においてリング部材１０に密接する周縁シール部材２１を有している。スピンチャック１は、センターチャック７と、回転ベース８とを有している。回転ベース８に形成された不活性ガス経路６８空、気体吐出口１１０への不活性ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】エッチング水溶液を用いたエッチング速度の向上したエッチング装置を提供する。
【解決手段】本明細書に開示するエッチング装置１０は、放射線１１をエッチング水溶液２０に照射する放射線源１２と、放射線１１が照射されるエッチング水溶液２０を収容するエッチング槽１３と、放射線源１２から照射される放射線１１を反射して、放射線１１をエッチング水溶液２０に照射する反射部とを備える。エッチング槽１３は、放射線１１を透過する放射線窓１５を有し、放射線窓１５の内側には、被エッチング物３０の表面を水酸基によって官能化する活性種のエッチング水溶液２０からの生成を促進する触媒層１６ａが配置される。 （もっと読む）

【目的】
原子レベルで平坦な表面を有し、シリカやシリケート等の表面付着のない基板処理方法を提供する。
【解決手段】
ＥＤＴＡキレート化合物とＥＤＡとの混合溶液を用いて化合物単結晶基板の加工変質層をエッチングして除去する第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程後、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）によりエッチングを行う第２のエッチング工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜された被処理膜の初期膜厚に基板毎のばらつきに左右されることなく、各基板の被処理膜の残膜を均一にすることのできる半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、被処理膜を有するウエハを処理チャンバー内に載置する工程（ステップＳ１）と、処理前における被処理膜の初期膜厚を測定する工程（ステップＳ２）とを有する。また、ウエハを所望の薬液処理時間で薬液処理する工程（ステップＳ５）と、処理後における被処理膜の最終膜厚を測定する工程（ステップＳ６）を有する。また、初期膜厚と、最終膜厚と、初期膜厚から最終膜厚になるまで要した薬液処理時間とから、薬液処理に用いられた薬液の処理速度を算出する工程（ステップＳ８）と、算出した処理速度から、次に処理するウエハの薬液処理時間を算出する工程（ステップＳ１２）とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理体のエッチング量をより正確に把握することが可能なエッチング装置及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】処理槽１１では、ＡＴカットの水晶からなる被処理体９をエッチング溶液でエッチングする処理が行われ、ＡＴカットの水晶片３１の両面に互いに対向するように励振電極３２、３３を設けると共に、これらの面の少なくとも一部に露出領域を設けたエッチングセンサ３は、この露出領域の水晶がエッチングされるように前記処理槽１１に配置される。発振回路２２は、このエッチングセンサ３の励振電極３２、３３に接続され、前記露出領域の水晶片の厚さに対応する周波数信号を取得し、演算部４は発振回路２２から取得した周波数信号の周波数の変化に基づき、前記処理槽１１内の被処理体９のエッチング量を算出する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が高く、高出力、高効率で信頼性に優れた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸からなる活性層１３を有する発光ダイオードにおいて、光取り出し層であるｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２の表面に光取り出し効率向上のための凹凸構造を設ける。凹凸構造は臭化水素酸を含む水溶液をエッチャントとして用い、マスクを形成する工程を用いることなく異方性エッチングにより形成する。 （もっと読む）

【課題】高精細なパターニングを可能としたエッチングマスク付基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に感光材を塗布し、露光・現像せしめてレジストパターンを形成し、該基材及びレジストパターンの表面にＤＬＣ被覆膜を形成し、該レジストパターン上に形成されたＤＬＣ被覆膜を該レジストパターンごと剥離せしめ、基材の表面にＤＬＣパターンを形成してなるようにした。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクに生じる不具合を低減すること。
【解決手段】半導体装置は、第１面及び第２面を有し、第１面と第２面とを貫通するバイアホールを有する半導体基板と、第１面上に、バイアホールの開口と少なくとも部分的に重複するように形成された配線又は電極と、第２面上に形成され、バイアホールの開口と少なくとも部分的に重複する開口を有する応力緩衝層と、応力緩衝層上からバイアホールの内壁面に沿って延在し、配線又は電極と電気的に接続されたヒートシンクと、を備える。バイアホールの第２面における開口の大きさは、第１面における開口の大きさよりも大きい。応力緩衝層の熱膨張係数は、ヒートシンクの熱膨張係数未満である。 （もっと読む）