【課題】多結晶シリコン及び／又はアモルファスシリコンについて、シリコン等を的確かつ高速に除去し、一方で残される電極部材等を損傷させずに維持することができるシリコンエッチング液及びこれを用いたエッチング方法、これを用いた半導体基板製品を提供する。
【解決手段】アニオン性基を有する炭素数３以上の化合物と硝酸とフッ化水素酸とを水性媒体中に含有するシリコンエッチング液を準備し、該シリコンエッチング液を多結晶シリコン及び／又はアモルファスシリコンからなるシリコン膜に適用して、キャパシタとなる凹凸形状を形成するエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】発光素子の発光効率と信頼性を向上させる。
【解決手段】ｐ−型窒化物半導体層３０と、該ｐ−型窒化物半導体層３０上に位置する発光層２０と、該発光層２０上に位置するｎ−型窒化物半導体層１０と、該ｎ−型窒化物半導体層１０上に位置するエッチング障壁層４０と、該エッチング障壁層４０上に位置する光抽出構造５０と、を含んで構成され、前記エッチング障壁層４０は、前記ｎ−型窒化物半導体層１０よりも大きいエネルギーバンドギャップを有し、前記エッチング障壁層４０の少なくとも一部が前記光抽出構造５０と接している。 （もっと読む）

【課題】バルクＡｌＮ上にエピタキシャル成長させた１層以上の層からバルク窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を実質的に除去する方法を提供する。
【解決手段】このバルクＡｌＮはエッチング処理中にエッチング液へさらされる。エッチング処理中、バルクＡｌＮの厚さを測定しこれをエッチングを調整するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】処理槽内への基板の降下時及び処理槽内からの基板の上昇（引き上げ）時の双方において、隣接する基板同士の接触や、基板の浮き上がりを確実に防止する。
【解決手段】処理液で満たされた処理槽内に被処理基板を収納したキャリアを浸漬して処理を行う被処理基板の浸漬処理方法であって、キャリアを処理液の表面に対して水平に保持して処理槽内に下降させる降下工程と、キャリアを傾斜させて処理槽内より上昇させる上昇工程と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、半導体基板の表面に溶液を投下し、触媒として作用する転写部の表面を溶液が投下された半導体基板の表面に接触するべく水平移動する。
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【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板表面に転写する半導体製造装置が、溶液が通過する穴があり、溶液の触媒として作用する転写部を、半導体基板の表面近傍に配置する配置手段と、溶液を転写部よりも上部から、穴を介して半導体基板の表面近傍に供給する供給手段を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、溶液を、溶液の触媒として作用する転写部の裏面に供給し、転写部の表面を半導体基板の表面に接触すべく転写部の裏面を押圧し、転写部の裏面を押圧したまま水平移動し、水平移動とともに、裏面に供給された溶液を、接触している転写部の表面及び半導体基板の表面に貫通する転写部の裏面の穴に挿入する。
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【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、触媒として作用する転写部の表面に溶液を塗布し、溶液が塗布された転写部の表面を半導体基板の表面と接触すべく配置する。
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【課題】物品に付着しているよごれなどの有機物を大気中に飛散させることなく分解または除去でき、かつ物品の損傷が抑えられる表面処理方法、物品の損傷を抑えながら、物品表面をエッチングする表面処理方法、および表面を高度に洗浄し、損傷がほとんどない物品や表面をエッチングしながら、損傷のない物品を提供する。
【解決手段】水を含む液体中の水蒸気気泡内に発生したプラズマを、該液体中において、水に対する接触角が９０度以下である材料に付着している有機物に接触させて、該有機物を材料から除去する表面処理方法；水を含む液体中の水蒸気気泡内に発生したプラズマを、前記液体中において、水に対する接触角が９０度以下である材料に接触させて、該材料を破壊せずに、該材料の表面をエッチングするエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】基板に液体を供給する供給部からの液体の液だれを防ぐことが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理の対象となる基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部が保持する基板に対して前記所定の液体を供給する供給手段と、液体供給部から前記供給手段に液体を供給する供給管と、前記供給管に設けられ、前記液体の供給を開始し、又は停止する供給弁と、前記供給弁に対して設けられ、前記供給弁の開閉速度を制御する速度制御器と、前記供給弁よりも前記液体供給部側において前記供給管から分岐し、前記供給管を流れる前記液体を排液するドレイン管と、前記ドレイン管に設けられる第１の開閉弁とを備える液処理装置により上記の課題を達成する。 （もっと読む）

【課題】基板の膜種、表面状態、基板の検出位置等に影響されることなく、基板の保持状態を正確に検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、基板を載置する載置台３２と、載置台３２を基板とともに回転させる回転部３５と、基板の表面に光を照射する光源８８と、基板の表面に照射された光が表面で反射した光の光量を検出する検出部８９と、回転部３５及び検出部８９の動作を制御する制御部１００とを有し、制御部１００は、検出した光量の検出値が予め決められた所定値よりも小さいか否かを判定する判定処理を、回転部３５により基板の検出位置を変えながら複数回行い、検出値が所定値よりも小さいと判定された回数の合計が予め決められた回数に達したとき、基板の保持状態が正常でないと判定する。 （もっと読む）

【課題】バットジョイント構造を構成する第１及び第２の半導体積層部上に成長する半導体層に生じる結晶欠陥を低減する。
【解決手段】エッチングマスク３０を用いて第１の半導体積層部２０にエッチングを施す工程と、Ａｌを含む光吸収層４２、及び光吸収層４２上に設けられるＩｎＰクラッド層４４を有する第２の半導体積層部４０を、エッチングマスク３０を用いて選択的に成長させる第１の再成長工程と、エッチングマスク３０を除去するマスク除去工程と、第１及び第２の半導体積層部２０，４０上に第３の半導体積層部を成長させる第２の再成長工程とを行う。第１の再成長工程において、ＩｎＰに対してエッチング選択性を有するＩｎＰ系化合物半導体を含むキャップ層４６を第２の半導体積層部４０上に更に成長させる。マスク除去工程の前に、エッチングマスク３０上に生じたＩｎＰ系堆積物Ｄｅを除去する。 （もっと読む）

【課題】多結晶半導体ウェーハの表面を新たな方法でエッチングし、変換効率の高い太陽電池を作製できる太陽電池用ウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池用ウェーハの製造方法は、多結晶半導体ウェーハの少なくとも片面にアルカリ溶液を接触させて、前記少なくとも片面をエッチング深さが５０００ｎｍ以下となるようエッチングした後、酸溶液を接触させて太陽電池用ウェーハとすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高抵抗なダメージ層を形成しない窒化物半導体層のエッチング方法と、これを用いた低抵抗なオーミック電極を備える窒化物半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の窒化物半導体層のエッチング方法は、（ａ）窒化物半導体層に不純物イオンを注入し、その表面から所定深さまで不純物領域を形成する工程と、（ｂ）前記不純物領域を熱処理する工程と、（ｃ）前記不純物領域の前記表面側の所定領域をウェットエッチングで除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】第１基板上の複数の半導体層から選択した半導体層を第２基板に高精度かつ少ない不良率で移設する方法を提供する。
【解決手段】第１基板１の上に犠牲層２を介して形成された半導体層３を複数の領域に分割する工程と、複数の領域のうち、第１領域において、半導体層の上面の一部にフォトレジスト５が残存し、第２領域において、犠牲層の側面をすべて覆うようにフォトレジストが残存し、かつ、第１領域の半導体層の上面に残存するフォトレジストの厚さは、第２領域の半導体層の上面に残存するフォトレジストの厚さよりも大きくなるようにフォトレジストを露光し、パターニングする工程と、第１領域の半導体層の上面に残存するフォトレジストに移設用基板を接合させた状態で第１領域の犠牲層をエッチングすることで第１領域の半導体層を第１基板から分離し、当該分離された第１領域の半導体層を第２基板に移設する工程とを含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成されたエピタキシャル層の層厚測定用試料を簡便に製造できる層厚測定用試料製造装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層３が形成されたウエハ片１を、そのエピタキシャル層３の一部を残してエピタキシャル層３をエッチングして層厚測定用試料を製造し、エッチング後のウエハ片１上に段差として残ったエピタキシャル層３の層厚を測定するための層厚測定用試料製造装置１０において、ウエハ片１を挟み込む開閉自在の２枚の樹脂板１１，１２と、これら２枚の樹脂板１１，１２の一方に設けられ、ウエハ片１上に形成されたエピタキシャル層３の一部をエッチングから保護すべくエピタキシャル層３の一部と密着するエッチング防止ゴム１３とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】エッチングにより、適切に、エッチング対象物の表面に凹凸形状を形成して粗面化を行うことができるエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、エッチング対象物の表面１６をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング液組成物であって、過酸化水素水と、有機酸とを含む。 （もっと読む）

【課題】各種の生産設備から排出される排水を処理するための効率的な排水処理方法を提供する。
【解決手段】排水処理装置１０は、処理対象成分の濃度が低い排水を処理するための低濃度排水処理手段１３と、処理対象成分の濃度が高い排水を処理するための高濃度排水処理手段１４と、生産設備から低濃度排水処理手段と高濃度排水処理手段とに排水を送る排水路４，１１，１２と、排水路を通る排水を前記低濃度排水処理手段又は前記高濃度排水処理手段に切り替えて排水させる流路切り替え手段１５，１６と、生産設備での生産工程のプロセスデータ信号を送信するプロセスデータ信号送信手段１７と、プロセスデータ信号を受信して、該プロセスデータ信号に基づいて、排水路を通る排水の処理対象成分の濃度を判断して、該濃度に基づいて、流路切り替え手段に動作信号を送る制御手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】エッチングにより、適切に、エッチング対象物の表面に凹凸形状を形成して粗面化を行うことができるエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、エッチング対象物の表面１６をエッチングして凹凸形状を形成するエッチング液組成物であって、有機酸、有機酸塩、無機酸、無機酸塩、キレート剤、界面活性剤、糖アルコール類、フェノール類、アゾール類、および複素環化合物からなる群から選択される少なくとも一つと、酢酸と、フッ化水素酸と、硝酸とを含む。 （もっと読む）

【課題】オン電流が大きい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、単結晶シリコンからなり、上面が（１００）面であり、前記上面にトレンチが形成された基板と、少なくとも前記トレンチの内部に設けられたゲート電極と、前記基板における前記トレンチを挟む領域に形成されたソース・ドレイン領域と、前記基板と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜と、を備える。前記トレンチは、シリコンの（１００）面からなる底面、前記底面に接し、シリコンの（１１１）面からなる一対の斜面、及び前記斜面に接し、シリコンの（１１０）面からなる一対の側面により構成されており、前記ソース・ドレイン領域は、前記側面及び前記斜面に接し、前記底面の中央部には接していない。 （もっと読む）