【課題】被処理面のエッチング液が供給されている領域内でのエッチングレートを均一化し、被処理物に対して所望のエッチングを行うことができる表面加工装置を提供すること。
【解決手段】表面加工装置１は、ワーク１０を支持するチャッキングプレート２１と、チャッキングプレート２１に対して移動可能に設けられ、チャキングプレート２１に支持されたワーク１０の被処理面１０１に対してエッチング液を送出する送出口４ａおよび送出口４ａから送出されたエッチング液を吸引する吸引口４ｂを有するノズル４とを有する。また、ノズル４は、送出口４ａから送出され被処理面１０１に供給されたエッチング液を、吸引口４ｂから偏りなく均一に吸引することにより、エッチング液が供給された被処理面１０１内の領域のエッチングレートを均一化する。 （もっと読む）

【課題】酸を用いたエッチング処理に比して製造コストを低減することができるエッチング方法を得ること。
【解決手段】Ｐ型シリコン基板１２の表面にＮ型拡散層１０１を形成する第１の工程と、Ｐ型シリコン基板１２の一の主面に、Ｎ型拡散層１０１を貫通し、Ｐ型シリコン基板１２に到達する開口部５１ａを形成する第２の工程と、Ｐ型シリコン基板１２をアルカリ溶液１０２中に浸漬し、光１０３を照射しながらエッチングする第３の工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】搬送ロボットの待機時間を短縮できるとともに、装置の大型化が抑制または防止された基板処理装置および基板搬送方法を提供すること。
【解決手段】インデクサロボットＩＲ１は、上下方向Ｄ１に配列された３個の基板保持部２７のうち上側の２個の基板保持部２７に基板Ｗを１枚ずつ搬入する。その後、３個の基板保持部２７は、回転軸線Ｌ１まわりに１８０度回転する。これにより、基板Ｗが搬入された上側の２個の基板保持部２７が下側に移動する。メイン搬送ロボットＴＲ１は、下側に移動した２個の基板保持部２７のうち上側の基板保持部２７から基板Ｗを搬出する。その後、インデクサロボットＩＲ１は、再び上側の２個の基板保持部２７に基板Ｗを一枚ずつ搬入する。 （もっと読む）

【課題】突起部との接触による小さなエッチング異常の発生を防止することが可能なウェーハエッチング用治具を提供する。
【解決手段】ウェーハエッチング用治具１０は、円板形状を有する側板１１Ａ，１１Ｂと、側板１１Ａと側板１１Ｂとを連結する複数のシャフト１２ａ〜１２ｅと、側板１１Ａと側板１１Ｂとの間において個々のウェーハの収容空間を規定する複数のプレート１３と、各プレート１３の両面に設けられた突起部と、シャフト１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの上方に設けられた撹拌フィン１５ａ，１５ｂ，１５ｃとを備えている。撹拌フィン１５ａ，１５ｂ，１５ｃは、シャフト１２ｂ，１２ｃ，１２ｄと平行に延設された板状部材であり、治具と共に回転してエッチング槽内のエッチング液を撹拌する。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理の精度を維持しつつ、フィルタの目詰まりを抑制する半導体製造装置および処理方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１００は、半導体ウエハをエッチング処理するための所定処理液を収容するエッチング処理槽２と、エッチング処理にて前記所定処理液中に生じるパーティクルを捕捉する第１および第２フィルタ５ａ，５ｂと、前記パーティクルを溶解する液体として、前記所定処理液と同じ液体の予備液を収容する予備槽７と、処理槽２内の処理液を第１フィルタ５ａに通して循環させるとともに予備槽７内の液体を第２フィルタ５ｂに通して循環させ、その後、処理槽２内の処理液を廃棄した後、該処理槽に予備槽７内の液体を供給し、かつ、該予備槽に新たな予備液を供給して、処理槽２内の液体を第２フィルタ５ｂに通して循環させるとともに予備槽７内の液体を第１フィルタ５ａに通して循環させる制御部９０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、基板の表面を液滴で処理する基板処理方法と基板処理装置とを提供する。
【解決手段】円形の仮想線に沿って設けられた開口から気体を噴き出し可能になった治具１０と前記治具１０の内部での内部圧力を検出する圧力センサとを準備し、基板５の表面の直交方向から基板５を見て基板５の表面に付着した液滴を前記開口で囲う様に前記治具１０を保持して前記開口から噴き出した気体を基板５の表面に吹き付けながら前記内部圧力と特定圧力値との差圧を小さくする様に前記治具１０の基板５の表面の直交方向に沿った位置を調整し、基板５の表面の直交方向から基板を見て基板の表面に付着した液滴を前記開口で囲う様に前記治具１０を保持して前記開口から噴き出した気体を基板の表面に吹き付けながら前記治具１０を基板の表面に沿って相対移動させる。 （もっと読む）

【課題】イソプロピルアルコール等の従来のエッチング抑制剤を使用することなく、微細なピラミッド状の凹凸（テクスチャー構造）を有するシリコン基板を安定的に形成することが可能なエッチング液を提供する。
【解決手段】シリコン基板を浸漬して、該基板表面にピラミッド状の凹凸を形成させるエッチング液であって、
下記一般式（１）で表わされる化合物（Ａ）又はそのアルカリ塩より選択される１種以上と、濃度が０．１重量％以上３０重量％以下である水酸化アルカリ（Ｂ）とを含有することを特徴とするエッチング液。
【化１】


(式中、Ｒは、炭素数４以上１５以下のアルキル基、アルケニル基、及びアルキニル基のいずれかを表し、Ｘは、スルホン酸基を表す。)
該エッチング液を使用することにより、シリコン基板表面に微細なテクスチャー構造を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の削減が可能な側壁加工プロセスを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基板301上に被加工膜302を形成し、被加工膜の上に芯材膜304を形成し、芯材膜の一部であって被加工膜の加工時まで残存させる残存部分とそれ以外の芯材膜である除去予定部分との間が所定距離の間隙となるように芯材膜をパターニングする。パターニングの後に芯材膜の側面に側壁305を形成して除去予定部分および残存部分の側面を側壁で覆うとともに残存部分と除去予定部分との間の所定距離の間隙を側壁で閉塞する。さらに、側面が側壁で覆われた残存部分の上面を覆うようにレジスト306を形成し、レジストの形成後にウェットエッチングを行うことにより除去予定部分を除去し、ウェットエッチングの後にレジストを除去する。レジストを除去した後に側壁および残存部分をマスクとして被加工膜を加工する。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に安価な方法で且つ高い位置精度で処理液を供給する。
【解決手段】処理液供給方法であって、表面６０ａにおいて、所定の位置に対応する箇所に開口部９０が複数形成され、且つ表面６０ａに形成された開口部９０から裏面６０ｂに連通する流通路９１を備えたテンプレート６０を、テンプレート６０の裏面６０ｂを保持して回転させるスピンチャック６２に載置する。次いで、テンプレート６０の表面６０ａに処理液を供給すると共にスピンチャック６２を回転させて流通路９１に処理液を充填する。処理液が充填されたテンプレート６０の表面６０ａにウェハＷを密着させ、次いで、テンプレート６０とウェハＷとの密着を維持したまま、テンプレート６０とウェハＷとを上下反転させる。 （もっと読む）

【課題】基板が支持部に支持されることに起因する基板の未処理部分をなくすことができ、処理液のミストの発生も防止することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の下面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を下方より支持する支持部に支持されている基板を、支持部に対する基板の相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第１の処理工程Ｓ１１と、第１の処理工程Ｓ１１の後、支持部を回転させる回転部の回転数を変更することによって、相対角度位置を変更する位置変更工程Ｓ１４と、位置変更工程Ｓ１４の後、支持部に支持されている基板を、相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第２の処理工程Ｓ１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の位置に安価な方法で且つ高い位置精度でエッチングを施す。
【解決手段】表面６０ａにおいて、所定のパターンに対応する箇所に複数の開口部９０が形成され、開口部９０から裏面６０ｂに連通する流通路９１が形成され、流通路９１における開口部９０と反対側の端部には、流通路９１を塞ぐ開閉自在に構成された蓋体が設けられ、且つ流通路９０にエッチング液が充填されたテンプレート６０の表面６０ａを、ウェハＷに密着させる。次いで、蓋体を開操作して流通路内９１の空気抜きを行うことで開口部９０からウェハＷに対してエッチング液を供給し、エッチング液を供給する際に、テンプレート６０の流通路９１の内面に配置された加振機構を振動させることによりエッチング液を振動させる。
加振機構は、平面視においてエッチング液が流通路９１で渦流を形成するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング後の絶縁膜のテーパ角が大きく、かつ、直線的なテーパ形状が確保され、更に、テーパ角の基板面内でのバラツキを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された絶縁膜２０上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストパターン９０を形成するフォトレジストパターン形成工程と、前記フォトレジストパターン９０をマスクとしてウェットエッチングにより前記絶縁膜２０の不要部分を除去する工程と、からなる半導体装置の製造方法において、前記フォトレジストパターン形成工程の前及び／又は後に、前記フォトレジストパターンの有無に応じて、前記絶縁膜２０の表面に形成される損傷領域２１，２２の深さを変化させてイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】発光層がストライプ状の凹凸形状に沿って形成されたIII 族窒化物半導体発光素子において、発光層を均一な厚さに形成すること。
【解決手段】まず、基板１０１の一方の表面に、ノコギリ歯状ストライプの凹凸形状を形成する（図２（ａ））。次に、基板１０１のノコギリ歯状ストライプの凹凸形状が形成された側の表面上に、減圧ＭＯＣＶＤ法によって、その凹凸形状に沿って、ｎ型層１０２、発光層１０３、ｐ型層１０４を順に積層させる。これにより、各層が凹凸形状に沿ってうねったノコギリ歯状ストライプの形状となるよう形成する（図２（ｂ））。ここで、ガス流方向は、凹凸形状のストライプ方向に平行な方向とした。これにより、発光層１０３の面内膜厚分布、組成分布を均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 凹凸構造を形成することに適するような、微細なエッチング用の開口穴が適度に間隔を開けて散在するエッチングマスクを容易に形成する。
【解決手段】 基板１の上に樹脂膜５を形成する樹脂膜形成工程と、前記樹脂膜５の膜厚よりも粒径の大きい粒子９を前記樹脂膜５の上に付着させる付着工程と、付着した前記粒子９を前記基板側に押して前記粒子９の一部が前記樹脂膜５の底面に接するようにする押圧工程と、前記粒子９を除去して前記樹脂膜５に穴を形成する穴形成工程と、を有するエッチングマスクの形成方法とした。 （もっと読む）

【課題】水素アニール処理を必要とせず、かつ従来よりも低い温度の真空アニールで高品質のグラフェンを形成することが可能なＳｉＣ基板へのグラフェン成膜方法及びグラフェン付きＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】スクラッチが除去されてステップテラス構造が出現する程度に単結晶ＳｉＣ表面を平坦化加工することが可能な触媒基準エッチング（ＣＡＲＥ）法による精密加工工程と、洗浄工程と、真空中で８００〜１１００℃、１〜１０分間熱処理してＳｉＣ表面にグラフェンを形成するアニール工程と、からなるグラフェン成膜方法とし、前記アニール工程の熱処理条件を制御することによりグラフェンの層数を単層又は２層に制御する。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎ極性面（＋ｃ面）を有する酸化亜鉛系基板中の不純物含有量を十分に低減できる酸化亜鉛系基板の処理方法、不純物含有量が十分に低減された酸化亜鉛結晶を含有する酸化亜鉛系薄膜、及び該薄膜の形成に好適な、不純物含有量が十分に低減された酸化亜鉛系基板の提供。
【解決手段】一般式「Ｚｎ_ｘＭｇ_１−ｘＯ（式中、ｘは、０＜ｘ≦１を満たす数である。）」で表される組成を有する酸化亜鉛系基板の処理方法であって、前記基板の表面のうち、Ｚｎ極性面（＋ｃ面）をドライエッチングすることにより、化学的に安定な第一の不純物含有層を除去する工程と、前記ドライエッチング面をさらにウェットエッチングすることにより、前記第一の不純物含有層よりも深い位置にある第二の不純物含有層を除去する工程と、を有することを特徴とする酸化亜鉛系基板の処理方法。 （もっと読む）

【課題】反りのある基板に容易に凹凸構造を形成可能な治具を提供する。
【解決手段】被加工物７０の上面に被覆された液状樹脂７６に凹凸構造６４を形成するための治具６２であって、中央に形成された円形凹部と、該円形凹部を囲繞する環状凸部５８と、該円形凹部の背面上に形成された凹凸構造６４とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】シリコンウェハに形成する溝の深さを高精度に制御できる半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ２１に形成する溝の深さをモニタウェハ２２の貫通時間と追加エッチング時間により制御する。まず、所望の深さの溝をシリコンウェハ２１に形成する時間より短い時間で貫通するモニタウェハ２２を準備し、このモニタウェハ２２をシリコンウェハ２１と同時にエッチングする。続いて、モニタウェハ２２が貫通する時間（貫通時間）からエッチングレートを算出する。続いて、このエッチングレートから追加エッチング時間を割り出す。さらに、この追加エッチング時間でシリコンウェハ２１をエッチングすることで、実験によるエッチングレートに関する事前データに頼ることなく、リアルエッチングでシリコンウェハ２１に所望の深さの溝を正確に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の上面側からガスを供給するとともに基板の下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する液処理装置において、トッププレートの位置を精度良く位置決めすることができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの上面側からガスを供給するとともに基板Ｗの下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板Ｗの下面を処理する液処理装置２２において、上面に開口１０５を有する処理容器１００と、処理容器１００内に設けられ、基板Ｗの周縁部ＷＥを支持する支持部７０、７２と、昇降可能に設けられ、下降した状態で開口１０５を塞ぐ天板部１１０と、天板部１１０が下降する際に、処理容器１００に対する天板部１１０の相対位置を所定の位置に位置決めする位置決め機構１３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板上面の周縁部における処理幅を精密に制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷはスピンチャックにより水平姿勢で保持されている。スピンチャックに保持されたウエハＷの下面の中央部には、下ノズル６からの処理液が供給される。下下ノズル６は、ウエハＷの下面から間隔Ｇ１を隔てて対向する上面５２を有している。上面５２には、処理液吐出口６ａが形成されている。ウエハＷを回転させつつ、処理液吐出口６ａから処理液を吐出すると、その吐出された処理液によって、ウエハＷの下面と下ノズル６の上面５２との間の空間５３が液密状態にされる。ウエハＷの下面に接液する処理液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて回転半径外方側へと広がり、ウエハＷの周端面１０２から上面に回り込む。 （もっと読む）