【課題】 クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないようにする。
【解決手段】 耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物をエッチングする工程と、付着物をエッチングした後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁の表面をエッチングする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】保守点検の作業をする空間が狭まるのを抑制することができる基板処理装置及び基板処理装置の保守点検方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、筺体１２と、筺体１２内と作業者が保守点検する保守点検空間８４とを連通する保守点検口に接続部材１０６を軸として開閉自在に設けられた保守点検開閉部１０４と、保守点検開閉部１０４の開閉動作を干渉する位置と干渉しない位置との間で移動する操作部９８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜の一括的又は選択的エピタキシャル堆積の清浄な基板表面を調製する方法を提供する。更に、シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜を成長させる方法であって、基板洗浄方法と膜成長方法の双方が７５０℃未満、典型的には約７００℃〜約５００℃の温度で行われる前記方法を提供する。
【解決手段】洗浄方法と膜成長方法は、シリコン含有膜が成長している処理容積において波長が約３１０ｎｍ〜約１２０ｎｍの範囲にある放射線の使用を用いる。反応性洗浄又は膜形成成分化学種の具体的な分圧範囲と組み合わせたこの放射線の使用は、業界で以前に知られている温度より低い温度で基板洗浄とエピタキシャル膜成長を可能にする。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスに含まれた元素を有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に複数の反応ガスを交互に供給して基板に膜を形成する工程と、処理室から基板を搬出する工程と、処理室内にクリーニングガスを供給し、処理室内をクリーニングする工程と、複数の反応ガスの全てを処理室内に供給し、処理室内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率を向上させることのできる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、第１半導体層と、第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる発光層とを有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の面上に設けられ、線状表面電極部を有する表面電極５０と、半導体積層構造１０の表面電極５０が設けられる側の反対の面側に設けられ、光を反射する反射層３２と、半導体積層構造１０と反射層３２との間に設けられる誘電体層と、半導体積層構造１０と反射層３２とを電気的に接続し、線状界面電極部を有する界面電極４０とを備え、線状表面電極部と線状界面電極部とがそれぞれ、平面視にて予め定められた方向に沿って延び、半導体積層構造１０が、半導体積層構造１０の反射層３２の反対側の表面に、予め定められた方向とは異なる方向に沿って設けられる溝８０を有する。 （もっと読む）

【課題】被処理体を載置する載置台の電極にバイアス用の高周波電力を供給する方式のプラズマ処理装置において、プラズマ電位の振動を抑制し、安定なプラズマを生成させると共に、金属製の対向電極のスパッタリングによるコンタミネーションの発生を防止する。
【解決手段】蓋部材２７の内周側には、拡張突出部６０が形成されている。拡張突出部６０は、プラズマ生成空間Ｓに臨んで形成されており、載置台５の電極７に対してプラズマ生成空間Ｓを隔てて対をなす対向電極として機能する主要部分である。バイアス用電極面積に対する対向電極表面積の比（対向電極表面積／バイアス用電極面積）は、１以上５以下の範囲内が好ましい。 （もっと読む）

【課題】
バッファ層に導電性を持たせつつもバッファ層上に形成されるデバイス層において良好な結晶性を得ることができる積層半導体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
前記ＧａＮ系窒化物半導体膜とは異種の材料からなる基板上に第１のバッファ層および第２のバッファ層を交互に３回以上繰り返し積層した中間層を形成する。前記中間層の上にＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させてデバイス層を形成する。前記第１のバッファ層は、単結晶成長温度よりも低い温度でシリコンをドープしつつＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させることにより形成される。前記第２のバッファ層は、単結晶成長温度でシリコンをドープしつつ互いに組成の異なる２種類のＧａＮ系窒化物半導体膜を交互に繰り返し成長させることにより形成される。前記第１のバッファ層は、前記第２のバッファ層よりも高濃度でシリコンドープされる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料を堆積させる新規な方法及び堆積システムを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板に堆積させる方法は、複数のガスコラムに対する基板の空間的位置づけを変更することによってＩＩＩ族元素のガス状前駆体及びＶ族元素のガス状前駆体を基板に連続的に導入するステップを含む。例えば、基板は、各々が異なる前駆体を配置する複数の実質的に位置合わせされたガスコラムに対して移動することができる。前駆体を生成するための熱運動化ガス噴射器は、入口と、熱運動化管路と、液体試薬を保持するように構成された液体容器と、出口とを含むことができる。１つ又は複数のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板の表面に形成するための堆積システムは、前駆体を複数のガスコラムを介して基板に誘導するように構成された１つ又は複数のそのような熱運動化ガス噴射器を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ窒化処理によって形成した酸化窒化珪素膜からのＮ抜けによる膜中窒素濃度の低下を抑制し、被処理体間・ロット間での窒素濃度のばらつきを最小限にする。
【解決手段】 絶縁膜の改質方法は、被処理体の表面に露出した酸化珪素膜をプラズマ窒化処理し、酸化窒化珪素膜を形成する窒化処理工程と、前記酸化窒化珪素膜の表面を酸化処理する改質工程とを行い、窒化処理工程の終了から前記改質工程の開始までの間、真空雰囲気を維持する。また、プラズマ窒化処理は、窒化処理工程直後の酸化窒化珪素膜の膜中窒素濃度をＮ_Ｃ０とし、改質工程後の酸化窒化珪素膜の膜中窒素濃度の目標値をＮ_ＣＴとしたとき、Ｎ_Ｃ０＞Ｎ_ＣＴとなるように行う。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないようにする。
【解決手段】 耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内の温度を第１の温度とし、反応管内にクリーニングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物を除去する工程と、付着物除去後の反応管内の温度を第１の温度以上の第２の温度とし、反応管内にクリーニングガスを供給して、反応管内壁の表面に残留した残留物を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時に塩化水素発生の原因となる不安定な塩素含有化合物が排気管等に残留することを抑制できる窒化シリコン膜のＣＶＤ技術を提供する。
【解決手段】処理室２０４内に基板２００を搬入する基板搬入工程と、シリコンおよび塩素を含有する第１の処理ガス２４０ａと窒素を含有する第２の処理ガス２４０ｂと、を処理室内の雰囲気中において窒素原子よりもシリコン原子が多くなるように前記処理室２０４内へ供給しつつ、前記処理室２０４内の第１および第２の処理ガスを含む雰囲気を排気ライン２２７から排気して前記基板２００上にシリコン窒化膜を形成する成膜工程と、該成膜工程中に、窒素を含有する第３（第２）の処理ガスを前記排気ライン２２７へ供給し、前記排気ライン２２７内に存在する前記第１の処理ガスと反応させる窒素供給工程と、から構成する。 （もっと読む）

【課題】基板の温度分布を任意に調整することのできる成膜装置を提供する。また、基板を均一に加熱して、所望の厚さの膜を形成することのできる成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１０３と、チャンバ１０３内に設けられてシリコンウェハ１０１が載置されるサセプタ１０２と、サセプタ１０２を回転させる回転部１０４と、サセプタ１０２の下方に位置するインヒータ１２０およびアウトヒータ１２１と、これらのヒータの下方に位置するリフレクタ集合部１０５とを有する。リフレクタ集合部１０５は、環状のリフレクタと円盤状のリフレクタとが組み合わされてなる。 （もっと読む）

【課題】空隙の発生を抑制しつつ、迅速に開口を埋め込むことができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】Siからなる金属膜２０２上に絶縁膜２０４が形成されたウエハ１２であって、絶縁膜２０４の一部に開口部２０６が形成されこの開口部２０６に金属膜２０２が露出したウエハ１２を処理室１０６内へ搬送し処理室１０６内へ少なくともDCSとCl₂とを供給してウエハ１２の金属膜２０２上に選択的に第１のSi膜２５２を形成し、処理室１０６内へ少なくともDCSを供給してウエハ１２の絶縁膜２０４及び第１のSi膜２５２上に第２のSi膜２５４を形成する。 （もっと読む）

【課題】触媒成長によって成長したワイヤの表面上の金属触媒残渣を取り除く方法を提供する。
【解決手段】触媒成長によって得られた、第１材料で作られたソリッド構造体（３）の表面上に存在する触媒残渣（２）を取り除くこの方法は、以下の段階：第２材料で作られたソリッド構造体（４）を前記触媒残渣（２）から触媒成長させる段階と、前記第２材料で作られたソリッド構造体（４）を選択的に取り除く段階と、を含む。前記ソリッド構造体（３，４）はワイヤであり、且つ有利にナノワイヤである。前記触媒（２）は、銅、金、白金及びアルミニウムを含む群から有利に選ばれた金属触媒である。 （もっと読む）

【課題】反応管下部周囲に設置されるガスノズルや熱電対等の石英部品と干渉することがなく、取り付けや取り外しが容易な耐震構造を実現する基板処理装置を提供する。
【解決手段】下端が開放された筒状であって内部に基板を収容して処理する反応容器と、反応容器の下端が開放された状態を保ちつつ前記反応容器の外方向から下端部まで水平に延在し、反応容器の下端部を下方から支持する支持部と、該支持部に固定され反応容器の揺れを抑制するための固定具とを備え、反応容器は、反応容器の下端部内壁に内方向に突出して設けられる内側鍔部、若しくは、前記反応容器の下端側壁を内から外へ貫通して形成される貫通口を有し、固定具は、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から前記内側鍔部の側方及び上方まで延在するか、若しくは、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から反応容器の内壁及び貫通口内部まで延在するよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】処理室から搬出される基板保持具から基板を搬送する搬送機構の電装部が高温になるのを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを保持するボートと、このボートに保持されたウエハを処理する処理室と、この処理室からボートが搬出される移載室と、この移載室に設けられ、ボートに保持されたウエハを搬送するウエハ搬送機構と、を有し、ウエハ搬送機構は、ウエハを搬送するウエハ移載装置を昇降させる昇降部に動力を伝える動力部と、この動力部の電気的回路を形成する電装部と、この電装部を冷却する冷却装置と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物上へゲルマニウム・スペーサを選択的に堆積するための構造及び方法を提供すること。
【解決手段】 半導体製造プロセス中でゲルマニウム構造体を選択的に形成する方法は、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスにおいて自然酸化物を除去し、次いで、加熱された窒化物及び酸化物表面を加熱されたゲルマニウム含有ガスに曝して、ゲルマニウムを選択的に窒化物表面上にだけ形成し、酸化物表面上には形成しない。 （もっと読む）

【課題】基板面内のコンタクト抵抗を低く抑えることを可能とした化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法と、トランジスタ用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】基板１上に有機金属原料化学気相成長法で化合物半導体層を形成する気相エピタキシャル成長装置１０によってｎ型不純物がドーピングされたｎ型コンタクト層を成長させる際に、原料ガスが供給される上流側に設けられた第１ヒータ１６のヒータ温度を５００℃以上とし、第１ヒータ１６より下流側に設けられた他のヒータ１７，１８のヒータ温度を第１ヒータ１６のヒータ温度よりも低く、かつ、３５０℃以上５００℃以下に調整する。 （もっと読む）

【課題】トレンチをエピタキシャル膜にて埋め込んで半導体基板を製造する上においてトレンチ開口部の塞がりの抑制と成長速度の向上の両立を図ることができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ^＋シリコン基板１の上に形成したｎ型エピタキシャル膜２に、複数のトレンチ４を、トレンチ幅Ｗｔよりも、隣接するトレンチ４間の間隔Ｌｔを大きく形成する。トレンチ４内を含めたエピタキシャル膜２上に、エピタキシャル膜２の不純物濃度よりも高濃度なｐ型エピタキシャル膜２３を、少なくともトレンチ４の埋め込みの最終工程において、ｐ型エピタキシャル膜２３の成膜のために供給するガスとして、シリコンソースガスとハロゲン化物ガスとの混合ガスを用いて成膜し、トレンチ４の内部をｐ型エピタキシャル膜２３で埋め込む。 （もっと読む）

【課題】カーボン基材またはＳｉ含浸ＳｉＣ基材の基板支持具表面に形成された高純度ＳｉＣ膜の、処理室クリーニング時におけるエッチングを抑制し、処理室内や基板の汚染を回避する。
【解決手段】基板支持具の表面にＳｉ含有層を形成する工程と、減圧下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを用いて前記Ｓｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことにより基板支持具の表面にＳｉＯ膜を形成する工程Ｓ１，Ｓ２と、表面にＳｉＯ膜が形成された基板支持具により基板を支持した状態で基板上に薄膜を形成する工程Ｓ４と、基板支持具に付着した堆積物をフッ素含有ガスを用いて除去する工程Ｓ５と、その後に再度、基板支持具の表面にＳｉ含有層を形成する工程と、減圧下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを用いてＳｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことにより基板支持具の表面にＳｉＯ膜を形成する工程Ｓ６と、を有する。 （もっと読む）