【課題】 セレン化を均一に且つ短時間で行うことができるセレン化炉及び化合物半導体薄膜の製造方法並びに化合物薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンバー１１、１４と、前記チャンバー１１内にセレン化ガスを含む処理ガスを高圧で導入するガス供給源２５、２６と、前記ガス供給源と前記チャンバーとの間に設けられて当該チャンバー内に導入されるガスを常圧より高く所定の圧力に調整するガス圧調整手段２８と、前記チャンバー内を加熱する加熱手段１２と、前記チャンバー１１内のガスを排出する排出手段２２、２９と、前記チャンバー内に被処理物２を載置するための置台１８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ロールから引き出す連続した基板に半導体の結晶膜を成長させるには、高気密の大気遮断機構が必要である。結晶を成長させるために、それを７００℃以上の高温で可能にさせる第１の課題がある。また半導体ｐｎ接合を切断すると切断面にそれが現れてリークパスとなる。切断してもｐｎ接合端面が切断面に現れない製造方法が第２の課題である。第１、第２の課題を同時に解決する必要がある
【解決手段】シリコン基板を使わないで金属基板の上に半導体膜を積層して、安価で堅牢な太陽電池を製作する。そのために、鉄板をリング状の突起で押さえて機密なＣＶＤ反応室を作り半導体シリコン膜を成長させる第１の発明をした。鉄板を切断するとき接合の端が外部に露出しないように接合を絶縁膜で分離して膜を積層する第２の発明をした。高温で塗布材料を印刷する本発明によれば、鉄板の上の結晶半導体の太陽電池の連続製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ケイ素含有膜の堆積に用いることができる有機アミノシラン前駆体を提供する。
【解決手段】ケイ素を含むケイ素含有膜の堆積に用いることができる有機アミノシラン前駆体及びこれらの前駆体の製造方法を開示する。また、ここに記載した有機アミノシラン前駆体を用いてケイ素含有膜を製造するための堆積方法も開示する。例えば、ケイ素含有膜を堆積させるために前駆体を反応器に供給するのに用いることができる、上記有機アミノシラン前駆体又はその組成物を含む容器も開示する。 （もっと読む）

【課題】長波長のレーザ発振においてしきい値電流を低減できるクラッド構造を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層２１、活性層２５及びｐ型クラッド層２３は主面１７ａの法線軸ＮＸの方向に配置される。この主面１７ａは、六方晶系窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸Ｃｘに直交する面を基準に６３度以上８０度未満の範囲の角度ＡＬＰＨＡで六方晶系窒化物半導体のｍ軸の方向に傾斜している。活性層２５はｎ型クラッド層２１とｐ型クラッド層２３との間に設けられる。
活性層２５は波長４８０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲にピーク波長を有する光を発生するように設けられる。ｎ型クラッド層２１及びｐ型クラッド層２３の屈折率はＧａＮの屈折率よりも小さい。ｎ型クラッド層２１の厚さＤｎは２μｍ以上であり、ｐ型クラッド層２３の厚さＤｐは５００ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるＧａＰの析出数を制御することができるハイドライド気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光ダイオードの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードの製造方法は、結晶成長のための前記結晶面を有する前記基板を提供する第一ステップと、前記基板の前記結晶面にカーボンナノチューブ層を設置する第二ステップと、前記基板の前記結晶面に第一半導体層、活性層及び第二半導体層を順に成長させる第三ステップと、前記第二半導体層の表面に第二電極を設置する第四ステップと、前記基板を除去する第五ステップと、前記第一半導体層の表面に第一電極を設置する第六ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥が発生することを防止した発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１０は、基板１００と、第一半導体層１２０と、第二半導体層１４０と、活性層１３０と、第一電極１５０と、第二電極１６０と、を含む。第一半導体層、活性層、及び第二半導体層は、基板から離れる方向に沿って、基板に順次的に積層され、第一電極は、第一半導体層に電気的に接続され、第二電極は、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の基板と隣接する表面は、複数の空隙を含むパターン化されたカーボンナノチューブ層１０２である。第一半導体層のパターン化された表面が基板に接続することによって複数のキャビティが形成される。 （もっと読む）

【課題】電流量の減少や断線などの問題を抑制した状態で、電界効果トランジスタをより微細化できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域１０２と、ゲート電極１０４およびゲート電極１０４を挟んでチャンネル領域１０２に接続されたソース電極１０５およびドレイン電極１０６とを備える。例えば、チャンネル領域１０２は、グラフェンが１層から４層程度積層されたものである。図１に示す例では、ゲート電極１０４は、チャンネル領域１０２にゲート絶縁層１０３を介して形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉオフ基板上にＧａＡｓを低欠陥密度でヘテロエピタキシャル成長させることのできる半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体基板４は、主表面を｛１ ０ ０｝面から＜０ １ １＞方向へ傾斜させたＳｉオフ基板１と、Ｇａ_１−ｘＩｎ_ｘＰ（０≦ｘ≦０．５）からなり、積層方向に沿って組成比ｘが連続的に増大するバッファ層２と、バッファ層２上に形成されたＧａＡｓ層３とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉオフ基板上にＧａＡｓを低欠陥密度でヘテロエピタキシャル成長させることのできる半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体基板の製造方法は、主表面を｛１ ０ ０｝面から＜０ １ １＞方向へ傾斜させたＳｉオフ基板１に、（ＣＨ_３）_３Ｉｎガスを供給しながらＧａＡｓ層の成長温度よりも高い温度で熱処理するステップと、（ＣＨ_３）_３Ｉｎガスの供給を停止して熱処理されたＳｉオフ基板１の温度をＧａＡｓ層の成長温度まで低下させるステップと、Ｓｉオフ基板１上にＧａＡｓ層を成長させるステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の空孔生成領域、および、第１の空孔生成領域より水素との親和性が高い空孔拡散促進領域を含む半導体層を形成する工程と、密度の異なる２種類の誘電体膜を半導体層上の異なる領域に堆積する工程と、アニール処理により、空孔を第１の空孔生成領域に生成させ、且つ、半導体層に拡散させて、半導体層の領域を混晶化して第１領域を形成し、半導体層の領域に第１領域よりも混晶度の小さい第２領域を形成する工程とを備える製造方法。 （もっと読む）

【課題】異なる処理を含む一連の処理工程において他の処理からの影響を抑制することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを載置する載置部を四つ備え移動する回転トレーと、ウエハを処理する第一のガスを供給する第一のシャワーヘッドと、ウエハを処理する第二のガスを供給する第二のシャワーヘッドと、回転トレーの移動を抑制する制御部と、を有し、制御部は、第一のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第一の処理室と、第二のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第二の処理室と、を形成するように制御する。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング後に実施するプリコートにおいて、処理室内壁に形成される薄膜の膜厚を薄くさせ、これによりクリーニング周期を長くでき、生産性を向上させる。
【解決手段】 処理室内を所定の成膜温度に加熱させつつ、処理室内にシリコン含有ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ供給させて基板上に窒化シリコン膜を形成する成膜処理と、処理室内を所定のクリーニング温度に加熱させつつ、処理室内にクリーニングガスを供給させて処理室内壁に堆積した窒化シリコン膜を除去するクリーニング処理と、加熱部により処理室内を成膜温度よりも低い所定のプリコート温度に加熱させつつ、処理室内にシリコン含有ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ供給させて処理室内壁に所定の厚さの窒化シリコン膜を形成するプリコート処理と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＴＩプロセスにおけるシリコンのトレンチの内壁面に沿って、酸素の拡散に対するバリア性を有する数ｎｍ程度の厚みの薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００では、平面アンテナ３１からマイクロ波透過板２８を経て処理容器１内に放射されたマイクロ波により、処理容器１内で電磁界が形成され、ＡｒガスおよびＮ_２ガスがそれぞれプラズマ化する。プラズマ中の活性種の作用によりウエハＷのトレンチの内壁面が極薄く窒化されることにより、緻密なライナーＳｉＮ膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】装置内部に付着した付着物に対するエッチングレートを高くすることができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して反応管２内を所定の温度に加熱した状態で、処理ガス導入管１７から反応管２内にフッ素ガスとフッ化水素ガスと塩素ガスとを含むクリーニングガスを供給する。供給されたクリーニングガスは反応管２内で活性化され、薄膜形成装置１の内部に付着した付着物を除去して薄膜形成装置１の内部を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】装置内部に付着した付着物に対するエッチングレートを高くするとともに選択比を高め、ガス供給装置への負担を低減させた薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して反応管２内を所定の温度に加熱した状態で、処理ガス導入管１７から反応室２内にフッ素ガスとシランガスとを含むクリーニングガスを供給する。供給されたクリーニングガスは反応管２内で活性化され、薄膜形成装置１の内部に付着した付着物を除去して薄膜形成装置１の内部を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】強い酸化力で基板上に均一な酸化膜を形成することができる。
【解決手段】基板に酸素含有ガスを供給する工程と、前記酸素含有ガスに対して触媒作用を有する反応促進ガスを供給する工程と、を交互に複数回繰り返して、基板を酸化することにより基板に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する搬入工程と、ガリウム原子を含有する有機金属化合物ガスとアンモニアガスとを前記処理室内に供給し、初期膜を形成する初期膜形成工程と、前記初期膜形成工程の後に、前記処理室内にガリウム塩化物ガスと前記アンモニアガスを同時に供給し、エピタキシャル膜を形成するエピ膜形成工程とによりＧａＮ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 低温領域において、膜中の塩素濃度が低く、フッ化水素に対する耐性の高いシリコン窒化膜を形成する。
【解決手段】 処理室内の基板に対してモノクロロシランガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起させた水素含有ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起または熱励起させた窒素含有ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対してプラズマ励起させた窒素ガスおよびプラズマ励起させた希ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上にシリコン窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】
サセプタの大型化を可能にし、大型化に伴うデメリットを抑制する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ装置用サセプタは、良熱伝導体で形成され、内側部分と外側部分に分割されたサセプタ主部分と；良熱伝導体より高い熱伝導率を有する高熱伝導体で形成され、内側部分と外側部分の外部側壁との間の熱移動を促進する熱伝導部材であって、内側部分を包囲して配置された内側包囲部分と、外側部分の外部側壁と面一に配置された外面延在部分と、内側包囲部分と外面延在部分との間で熱移動を行う熱伝導部分と、を含む熱伝導部材と；を有する。 （もっと読む）