【課題】低減された酸素濃度のｐ型窒化ガリウム系半導体層を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子１１は、基板１３、ｎ型III族窒化物半導体領域１５、発光層１７、及びｐ型III族窒化物半導体領域１９を備える。基板１３の主面１３ａは、該第１の窒化ガリウム系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０度未満の範囲の角度で傾斜する。ｐ型III族窒化物半導体領域１９は、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１を含み、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１の酸素濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１のｐ型ドーパント濃度Ｎｐｄと酸素濃度Ｎｏｘｇとの濃度比（Ｎｏｘｇ／Ｎｐｄ）が１／１０以下である。 （もっと読む）

【課題】一度に成膜する多数のウエハの面内・面間の膜厚均一性向上を可能にする。
【解決手段】複数枚配置される基板を処理可能な処理室を内部に有する反応管と、反応管の外周を囲うように設けられる加熱装置と、を備え、反応管の側面には、少なくとも加熱装置の外側まで達するガス導入管と、少なくとも加熱装置の外側まで達するガス排気管と、がそれぞれ設けられ、ガス導入管は、垂直方向に区画された複数のガス導入区画部と、複数枚の基板に跨るような大きさで設けられて処理室内にガスを噴出するガス噴出口と、を有し、ガス排気管は、垂直方向に区画された複数のガス排出区画部と、複数枚の基板に跨るような大きさで設けられて処理室内からガスを排気するガス排出口と、を有し、各ガス導入区画部と各ガス排気区画部とがそれぞれ同じ高さに配置され、反応管を挟んで水平に対向している。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないようにする。
【解決手段】 耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物をエッチングする工程と、付着物をエッチングした後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁の表面をエッチングする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料を堆積させる新規な方法及び堆積システムを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板に堆積させる方法は、複数のガスコラムに対する基板の空間的位置づけを変更することによってＩＩＩ族元素のガス状前駆体及びＶ族元素のガス状前駆体を基板に連続的に導入するステップを含む。例えば、基板は、各々が異なる前駆体を配置する複数の実質的に位置合わせされたガスコラムに対して移動することができる。前駆体を生成するための熱運動化ガス噴射器は、入口と、熱運動化管路と、液体試薬を保持するように構成された液体容器と、出口とを含むことができる。１つ又は複数のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板の表面に形成するための堆積システムは、前駆体を複数のガスコラムを介して基板に誘導するように構成された１つ又は複数のそのような熱運動化ガス噴射器を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】
バッファ層に導電性を持たせつつもバッファ層上に形成されるデバイス層において良好な結晶性を得ることができる積層半導体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
前記ＧａＮ系窒化物半導体膜とは異種の材料からなる基板上に第１のバッファ層および第２のバッファ層を交互に３回以上繰り返し積層した中間層を形成する。前記中間層の上にＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させてデバイス層を形成する。前記第１のバッファ層は、単結晶成長温度よりも低い温度でシリコンをドープしつつＧａＮ系窒化物半導体膜を成長させることにより形成される。前記第２のバッファ層は、単結晶成長温度でシリコンをドープしつつ互いに組成の異なる２種類のＧａＮ系窒化物半導体膜を交互に繰り返し成長させることにより形成される。前記第１のバッファ層は、前記第２のバッファ層よりも高濃度でシリコンドープされる。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時に塩化水素発生の原因となる不安定な塩素含有化合物が排気管等に残留することを抑制できる窒化シリコン膜のＣＶＤ技術を提供する。
【解決手段】処理室２０４内に基板２００を搬入する基板搬入工程と、シリコンおよび塩素を含有する第１の処理ガス２４０ａと窒素を含有する第２の処理ガス２４０ｂと、を処理室内の雰囲気中において窒素原子よりもシリコン原子が多くなるように前記処理室２０４内へ供給しつつ、前記処理室２０４内の第１および第２の処理ガスを含む雰囲気を排気ライン２２７から排気して前記基板２００上にシリコン窒化膜を形成する成膜工程と、該成膜工程中に、窒素を含有する第３（第２）の処理ガスを前記排気ライン２２７へ供給し、前記排気ライン２２７内に存在する前記第１の処理ガスと反応させる窒素供給工程と、から構成する。 （もっと読む）

【課題】一度に処理できる基板の枚数を増加させたコールドウォール型の基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理炉２０２内に複数のウエハ２００を積載したボート２１７を配置し、該ボート２１７の外周側に、リング状に形成されたリング状プレート３１１をリングボート３１２により支持して、前記ウエハ２００の積載方向に複数並べて配置する。前記リング状プレート３１１を誘導加熱装置２０６で誘導加熱し、その輻射熱により前記ウエハ２００を外周縁全体から加熱する。前記リング状プレート３１１の外周側にガス供給ノズル２３２を配置し、該ガス供給ノズル２３２のガス供給口２３２ａから吐出されたガスを、隣り合う複数の前記リング状プレート３１１の間の隙間部分を通して前記ウエハ２００に供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の温度分布を任意に調整することのできる成膜装置を提供する。また、基板を均一に加熱して、所望の厚さの膜を形成することのできる成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１０３と、チャンバ１０３内に設けられてシリコンウェハ１０１が載置されるサセプタ１０２と、サセプタ１０２を回転させる回転部１０４と、サセプタ１０２の下方に位置するインヒータ１２０およびアウトヒータ１２１と、これらのヒータの下方に位置するリフレクタ集合部１０５とを有する。リフレクタ集合部１０５は、環状のリフレクタと円盤状のリフレクタとが組み合わされてなる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物上へゲルマニウム・スペーサを選択的に堆積するための構造及び方法を提供すること。
【解決手段】 半導体製造プロセス中でゲルマニウム構造体を選択的に形成する方法は、化学的酸化物除去（ＣＯＲ）プロセスにおいて自然酸化物を除去し、次いで、加熱された窒化物及び酸化物表面を加熱されたゲルマニウム含有ガスに曝して、ゲルマニウムを選択的に窒化物表面上にだけ形成し、酸化物表面上には形成しない。 （もっと読む）

【課題】反応管下部周囲に設置されるガスノズルや熱電対等の石英部品と干渉することがなく、取り付けや取り外しが容易な耐震構造を実現する基板処理装置を提供する。
【解決手段】下端が開放された筒状であって内部に基板を収容して処理する反応容器と、反応容器の下端が開放された状態を保ちつつ前記反応容器の外方向から下端部まで水平に延在し、反応容器の下端部を下方から支持する支持部と、該支持部に固定され反応容器の揺れを抑制するための固定具とを備え、反応容器は、反応容器の下端部内壁に内方向に突出して設けられる内側鍔部、若しくは、前記反応容器の下端側壁を内から外へ貫通して形成される貫通口を有し、固定具は、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から前記内側鍔部の側方及び上方まで延在するか、若しくは、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から反応容器の内壁及び貫通口内部まで延在するよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】反応容器を大型化すること無く、ノズルでのガスの加熱効率を向上させる。
【解決手段】ガス供給ノズル３００は、ウェハ２００の周方向に延在する第一延在部３２１，第三延在部３２３および第五延在部３２５と、ウェハ２００の積載方向に延在する第一延在部３２１，第二延在部３２２，第四延在部３２４および第六延在部３２６とを備える。従前のように処理炉を大型化すること無く、アウターチューブとインナーチューブとの間の間隙に、ガス供給ノズル３００を省スペースで配置できる。ガス供給ノズル３００のガスが流通する経路を長くして、各サセプタ２１８の輻射熱によりガス供給ノズル３００内のガスを充分に加熱できるので、ガスの加熱効率を向上させて各ウェハ２００上でのスリップの発生やヘイズの発生等を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】トレンチをエピタキシャル膜にて埋め込んで半導体基板を製造する上においてトレンチ開口部の塞がりの抑制と成長速度の向上の両立を図ることができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ^＋シリコン基板１の上に形成したｎ型エピタキシャル膜２に、複数のトレンチ４を、トレンチ幅Ｗｔよりも、隣接するトレンチ４間の間隔Ｌｔを大きく形成する。トレンチ４内を含めたエピタキシャル膜２上に、エピタキシャル膜２の不純物濃度よりも高濃度なｐ型エピタキシャル膜２３を、少なくともトレンチ４の埋め込みの最終工程において、ｐ型エピタキシャル膜２３の成膜のために供給するガスとして、シリコンソースガスとハロゲン化物ガスとの混合ガスを用いて成膜し、トレンチ４の内部をｐ型エピタキシャル膜２３で埋め込む。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、ドライエッチングされた基板の表面に、良好な結晶性を有する窒化物半導体を形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態は、ドライエッチングにより処理された基板の表面をハロゲン元素を含む雰囲気中で熱処理し、前記熱処理した前記基板の前記表面に窒化物半導体層を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 トレンチの内部に酸化障壁となる膜を形成しなくても、トレンチの内部に埋め込まれた埋め込み材料に空隙が発生することを抑制することが可能なトレンチの埋め込み方法を提供すること。
【解決手段】 少なくともトレンチ６の側壁に酸化膜７が形成されている半導体基板１を加熱し、半導体基板１の表面にアミノシラン系ガスを供給して半導体基板１上にシード層８を形成し、シード層８が形成された半導体基板１を加熱し、シード層８の表面にモノシランガスを供給してシード層８上にシリコン膜９を形成し、シリコン膜９が形成された半導体基板１のトレンチ６を、焼成することで収縮する埋め込み材料１０を用いて埋め込み、トレンチ６を埋め込む埋め込み材料１０を、水及び／又はヒドロキシ基を含む雰囲気中で焼成するとともに、シリコン膜９、及びシード層８をシリコン酸化物に変化させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体の結晶性を向上させることが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体基板の製造方法は、単結晶基板２の上に単結晶基板２を覆うように半導体層を結晶成長させた半導体基板の製造方法であって、平坦な上面４Ａを有する複数の突起４が第１主面２Ａに設けられた単結晶基板２を準備する工程と、複数の突起４のうち、上面４Ａから半導体層３を結晶成長させるものを第１突起４ａとし、第１突起４ａ同士の間に位置する、上面４Ａに半導体層３を結晶成長させないものを第２突起４ｂとして、第２突起４ｂの上面４Ａを被覆するように実質的に半導体層３が結晶成長しないマスク層５を形成する工程と、第１突起４ａの上面４Ａからそれぞれ第２突起４ｂの上面４Ａのマスク層５を越えて単結晶基板２を覆うように半導体層３を結晶成長させる工程とを有する。そのため、単結晶基板２上に成長させる半導体層３の単結晶基板２に対する平坦性を向上させることができ、半導体層３の結晶性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】枚葉移載と一括移載を切り替える際に、パーティクル発生を抑制することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板が収容される基板収容器と、複数の基板が積載されるボートと、複数の基板が積載されたボートを収容し前記ボート上の複数の基板を処理する処理室と、前記基板収容器と前記ボートとの間で基板の移載を行う基板移載装置とを備え、前記基板移載装置は、１枚の基板を移載するための枚葉移載用プレートを駆動する第１の駆動部と、複数枚の基板を移載するための一括移載用プレートを駆動する第２の駆動部とを備え、１枚の基板を移載する場合は、第１の駆動部により枚葉移載用プレートを駆動し、複数枚の基板を移載する場合は、第１の駆動部と第２の駆動部により、枚葉移載用プレートと一括移載用プレートを同期して駆動するように、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供すること。
【解決手段】ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも低い基板温度である第２の設定値Ｔ２でTMG又はTEGを供給する。これにより、テラス２０２の上にGaNの２次元核３０１が発生するが（図３（ａ）参照）、発生する２次元核３０１の個数が１個以上100個以下発生するだけの時間だけこの第２の成長工程を行う。次に、基板温度をＴ２よりも高い第３の設定値Ｔ３にする（第３の成長工程）。これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる（図３（ｂ）参照）。第２と第３の工程を交互に繰り返すことにより、２分子層以上の厚さのGaN薄膜３０３を成長可能である（図３（ｃ）参照）。 （もっと読む）

【課題】凹凸を有する基層上に均一な結晶を成長させる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】凹凸が設けられた主面を有する基層の前記主面に窒化物半導体の結晶を成長させる工程を備えた半導体発光素子の製造方法であって、前記主面に、Ｇａ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０．１≦ｘ＜０．５）を含み、厚さが２０ナノメートル以上５０ナノメートル以下のバッファ層を、０．１マイクロメートル／時以下の速度で堆積し、前記バッファ層の上に、前記バッファ層の堆積における前記基層の温度よりも高い温度で、窒化物半導体を含む結晶を成長させることを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】活性層の劣化を抑制した半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体を含む結晶層を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。窒化物半導体は、Ｉｎ原子及びＧａ原子を含み、Ｉｎ原子の数とＧａ原子の数との合計に対するＩｎ原子の数の比であるｘｓが０．２以上０．４以下である。製造方法は、基体の主面に、Ｇａ原子を含む第１分子とＩｎ原子を含む第２分子とを含む原料ガスを供給して結晶層を形成する工程を備える。第１分子及び第１分子の分解種の原料ガスに対する第１分圧と、第２分子及び第２原料分子の分解種の原料ガスに対する第２分圧と、の合計に対する第２分圧の比をＩｎの気相供給量比ｘｖとする。（１−１／ｘｖ）／（１−１／ｘｓ）を０．１よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】ヒータ素線同士の接触を防止することができる素線接触防止部材を提供する。
【解決手段】加熱すべき被加熱体の外周に螺旋状に巻回して配置したヒータ素線５２を有するヒータ装置４８において、前記ヒータ素線の間隔が、前記ヒータ素線の変形により前記ヒータ素線の配置時よりも狭まった箇所７０に対応させて前記ヒータ素線間に絶縁性の素線接触防止部材６０を配置する事により、ヒータ装置４８に設けたヒータ素線同士の接触を防止して、ヒータ素線の溶断等の発生を阻止する。 （もっと読む）