【課題】 低温領域での成膜により基板上に形成された薄膜の膜質を向上させる。
【解決手段】 所定の成膜温度で形成された薄膜を有する基板が搬入される処理室と、処理室内に酸素又は窒素の少なくともいずれかを含む処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスを励起する励起部と、処理室内の基板を加熱する加熱部と、加熱部により基板を加熱させ、ガス供給部により供給させた処理ガスを励起部により励起させ、励起した処理ガスを基板の表面に供給して基板を処理する際、基板の温度が成膜温度以下の温度となるように、少なくともガス供給部、励起部及び加熱部を制御する。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン膜の移動度を高める。
【解決手段】高密度プラズマを用いて少なくとも（２２０）の結晶方位配列に成長させるように微結晶シリコン膜を形成する第１の工程を有し、第１の工程時、微結晶シリコン膜の結晶方位配列（１１１）に対する結晶方位配列（２２０）への成長比率が高くなるように、被処理体近傍の温度を３００〜３５０℃の範囲内に設定し、総流量に対する水素ガスの流量比を高めた成膜ガスを供給する。これにより、ダングリングボンドの少ない微結晶シリコン膜２０を形成して、移動度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性の高いアモルファスカーボン膜を提供する。
【解決手段】上部電極および下部電極が処理容器内に配設された平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を用い、下部電極上に基板を配置する工程と、処理容器内に一酸化炭素および不活性ガスを供給するとともに、少なくとも上部電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させることにより一酸化炭素を分解し、基板上にアモルファスカーボンを堆積して成膜する工程とを有する。上部電極が炭素電極であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法やＡＬＤ法等によってシリコン絶縁膜を形成する際に、成膜温度を増加させることなく薄膜成長速度を増加させて生産性の向上が可能なシリコン絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン源としてアミノシラン化合物を用いるシリコン絶縁膜の形成方法であって、前記アミノシラン化合物は、分子内の全てのＳｉ−ＮＲ_１Ｒ_２（Ｒ_１及びＲ_２は、水素（Ｈ）又は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状アルキル基）結合が、Ｈ_３Ｓｉ−ＮＲ_１Ｒ_２構造としたときの正規化双極子モーメントが１．３７以上を有するとともに、分子内にアミノ基を３個有するトリスアミノ構造又は分子内にアミノ基を４個有するテトラキスアミノ構造を有することを特徴とするシリコン絶縁膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低温かつ安価な製造工程により作製可能であり、トランジスタ特性に優れる薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタの製造方法であって、酸化性ガスを含む雰囲気で酸化物半導体層を形成する酸化物半導体層形成工程と、上記酸化物半導体層形成工程後、上記酸化物半導体層の少なくともチャネル領域に酸素欠損を付与して上記チャネル領域のキャリア濃度を制御するキャリア濃度制御工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】反応室内の熱環境を一定に保ち、パーティクルの混入を防止して安定した成膜を行うことが可能な構造を有する自公転方式の気相成長装置及びこの装置を用いた気相成長方法を提供する。
【解決手段】サセプタを回転させるとともに基板を加熱した状態でガス導入管から原料ガスを導入して基板表面に薄膜を成長させる成膜操作を基板を交換して繰り返し行うことが可能な気相成長装置であって、成膜操作を終了したときに仕切板及びサセプタカバーをチャンバー内から取り外し、清浄な状態の仕切板及びサセプタカバーをチャンバー内に配置してから次の成膜操作を開始する。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子の駆動電圧を低減すること。
【解決手段】ｐクラッド層１５は、厚さ０．５〜１０ｎｍのｐ−ＡｌＧａＮ層と、ＩｎＧａＮ層とを繰り返し成長させて積層させた超格子構造とする。ｐ−ＡｌＧａＮ層の成長温度は８００〜９５０℃とする。ｐ−ＡｌＧａＮ層上にＩｎＧａＮ層を形成する際、ｐ−ＡｌＧａＮ層の成長温度を保持したまま、ＴＭＡの供給を停止してＴＭＩを供給し、Ｇａ源ガスの供給量を増やし、厚さ１〜２分子層のＩｎＧａＮ層を形成する。ｐクラッド層１５の結晶品質を良好に保ちつつ、厚さを薄くできるため、駆動電圧を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】大気開放することなく真空槽内に付着したＺｒ化合物を除去することのできるＺｒＢＯ膜の形成装置を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１０は、基板Ｓを収容して接地電位に接続される真空槽と、載置された基板Ｓを加熱する基板ステージ１３と、真空槽内に活性状態の酸素ガスと、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４とを各別に供給するシャワープレート１６とを備え、加熱された基板Ｓ上でＺｒＢＯ膜を形成する。シャワープレート１６は、チャンバ本体１１に対して電気的に絶縁された導体であり、シャワープレート１６に接続された高周波電源ＲＦ１と、真空槽内にフッ素ガスを供給するクリーニングガス供給部とを備え、基板Ｓが真空槽内に収容されていない状態で、クリーニングガス供給部は、真空槽内にフッ素ガスを供給し、高周波電源ＲＦ１は、シャワープレート１６に供給する高周波電力でフッ素ガスをプラズマ化して真空槽内に付着したＺｒ化合物を除去する。 （もっと読む）

【課題】 低温下においても成膜速度を向上させ、生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理室内に収容され、第１の温度に加熱された基板に対して、原料ガスを供給することで、基板上にシリコン含有層を形成する工程と、第１の温度よりも高い第２の温度に加熱された大気圧未満の圧力下にある反応予備室内で、酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて酸素を含む反応種を生成し、その反応種を大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理室内の第１の温度に加熱された基板に対して供給することで、基板上に形成されたシリコン含有層を酸化してシリコン酸化層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する。シリコン含有層をシリコン酸化層に変化させる工程では、水素含有ガスリッチな条件下でシリコン含有層の酸化を行う。 （もっと読む）

【課題】光励起によりテラヘルツ波を発生、検出する素子において低温成長半導体の歪みや欠陥がテラヘルツ波発生効率などを制限していた点を解決した光伝導素子等を提供する。
【解決手段】光伝導素子は、半導体低温成長層１４を有し、半導体低温成長層１４と半導体基板１０との間に位置し且つ半導体低温成長層１４よりも薄い半導体層１１、１２、１３を有する。半導体低温成長層１４は、半導体層１１、１２、１３と格子整合し半導体基板１０と格子整合しない半導体を含む。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭキャパシタの誘電体膜に求められる高誘電率化および低リーク電流化を両立させることができる、酸化ジルコニウム膜を含む誘電体膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】 酸化ジルコニウム膜を含む誘電体膜を成膜する成膜方法は、シクロペンタジエニル環を構造中に含むＺｒ化合物からなるジルコニウム原料と酸化剤とを供給して被処理基板上に酸化ジルコニウム膜を成膜する工程と、シクロペンタジエニル環を構造中に含むチタン化合物からなるチタン原料と酸化剤とを供給して前記酸化ジルコニウム膜の上に酸化チタン膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりを向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、（ａ）成長基板を準備する工程と、（ｂ）前記成長基板上に半導体層を形成する工程と、（ｃ）前記半導体層を複数の素子部に分割するとともに、各素子部間の半導体層の少なくとも一部を犠牲層として残す工程と、（ｄ）前記半導体層上に金属層を形成する工程と、（ｅ）前記半導体層に、前記金属層を介して支持基板を設ける工程と、（ｆ）前記成長基板に、前記素子部の全部を覆い、かつ前記犠牲層の外縁内に収まるようにレーザーを照射することにより、前記成長基板を前記半導体層から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの結晶層の中に、ボロンのデルタドープ層が容易に形成できるようにする。
【解決手段】励起光を、第１半導体層の表面に照射した状態で（ステップＳ１０１）、第１半導体層の上にボロン原子を含む第１ソースガスを導入してボロン導入層を形成し（ステップＳ１０２）、引き続き、励起光が照射されているボロン導入層の上に第２ソースガスを導入して第２半導体層を形成する（ステップＳ１０３）。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングによるクリーニングの頻度を低減させることができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、内部が真空に維持される成膜容器と、成膜容器の内部に配置される加熱部と、成膜容器の開口に取り付け可能な筒状のインジェクタと、インジェクタを介して成膜容器の内部に薄膜の原料である原料ガスを供給する原料ガス供給部と、インジェクタを介して成膜容器の内部に原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを供給する反応ガス供給部と、不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を備え、インジェクタは、原料ガスが流れる原料ガス供給口と、反応ガスが流れる反応ガス供給口と、不活性ガスが流れる不活性ガス供給口と、を備え、不活性ガス供給口は、インジェクタと成膜容器との隙間に不活性ガスが流れるように、インジェクタの外表面に設けられていることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で形成することが可能な高抵抗のバッファ層を備えた窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、原料ガスとして有機金属ガリウムを供給しながら、エピタキシャル成長温度とｎ型不純物のドーピングガスの供給量を制御することにより、有機金属ガリウムに起因する炭素がドーピングされて所望の抵抗率となる窒化ガリウム層をバッファ層としてエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】低温で高品質な生成膜の生成を可能とし、デバイスの性能の向上を図ると共に歩留りの向上を図る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室に基板を搬入する工程と、処理室及び基板を所定の温度に加熱する工程と、処理室に所定のガスを給排するガス給排工程とを含み、ガス給排工程は、シラン系のガスと水素ガスとを処理室に供給する第１の供給工程と、少なくともシラン系のガスを処理室から除去する第１の除去工程と、塩素ガスと水素ガスとを処理室に供給する第２の供給工程と、少なくとも塩素ガスを処理室から除去する第２の除去工程とを、所定回数繰返して実行させる。 （もっと読む）

【課題】ＨＥＭＴの移動度の低下を抑制することが可能なトランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ構造層３を、気相成長法により成長温度６００℃以上７５０℃以下、Ｖ／III比１５０以下の条件で成長し、バイポーラトランジスタ構造層４を、気相成長法により成長温度４００℃以上６００℃以下、Ｖ／III比７５以下の条件で成長し、さらにノンアロイ層１８を、３８０℃以上４５０℃以下の成長温度で成長する。 （もっと読む）

【課題】シンプルな製造工程により界面状態の良好な結晶性薄膜を立体形状を含む所望のパターンに形成可能であり、結晶化に要する熱処理温度を低減させることが可能な結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法、及び当該製造方法により形成された結晶性薄膜を備えた構造体を提供する。
【解決手段】結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法においては、蒸着・結晶化促進工程において、スパッタリング法による金属酸化物の蒸着、及びレーザー光照射による金属酸化物の結晶化促進が同時に行われる。蒸着・結晶化促進工程を経た基板３４は、所定の温度条件下においてアニールされる。これにより、金属酸化物が完全に結晶化された状態になる。 （もっと読む）

【課題】化学気相堆積により、基板上にＧｅの連続した層を堆積する方法を提供する。
【解決手段】非反応性キャリアガスと、高次のゲルマニウム前駆体ガス、即ちゲルマン（ＧｅＨ_４）より高次のゲルマニウム前駆体ガスとの混合物が適用される。好適には、約２７５℃と約５００℃との間の堆積温度で堆積が行われ、混合物中の前駆体ガスの分圧は、約２７５℃と約２８５℃との間の温度で少なくとも２０ｍＴｏｒｒであり、約２８５℃と約５００℃との間の温度で少なくとも１０ｍＴｏｒｒである。 （もっと読む）

【課題】爆発の危険性が高いＳｉＨ_４を用いずとも、安全、比較的低温度で、しかも低廉なコストでＳｉ系膜を提供できる技術を提供することである。
【解決手段】Ｓｉ系膜を形成する為の膜形成材料であって、前記膜形成材料が、ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３（Ｘは任意の基）と、前記ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３と反応する反応性化合物とを有する。 （もっと読む）