【課題】膜を形成する基板の温度制御を安定して行なう真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置１００は、基板２０の上に膜を形成する真空蒸着装置であって、基板ホルダ１０３と、ホルダ加熱部１０５と、基板２０上に形成する膜の原料をその内部に収容する原料保持部と、第１遮断部１１１と、第２遮断部１１２と、を備えている。第１遮断部１１１は、前記原料保持部側から見て、基板ホルダ１０３よりも外周が外側に位置することが可能である。第２遮断部１１２は、第１遮断部１１１と選択的に、前記原料保持部側から見て、基板ホルダ１０３よりも外周が外側に位置することが可能であり、開口部１１２ａを有する。第２遮断部１１２の開口部１１２ａの内接円の半径は、基板２０の外接円の半径の１．５倍以下である。 （もっと読む）

【課題】シャワープレート等を取り外さずに、シャワープレートの有無を切り替えて基板の処理や成膜が可能なガス分散用装置、このガス分散用装置を備えた真空処理装置、並びにこの真空処理装置を用いた基板の処理方法及びカーボンナノチューブの形成方法を提供する。
【解決手段】ガス供給管に連通する第１の開口部３２及び真空処理装置内部にガスを供給するための第２の開口部３３をそれぞれ対向して上面及び下面に有するハウジング３１と、ハウジング内に設けられた水平方向に滑動自在のガス分散用部材３４であって、複数のガス供給用孔３４ｃが設けられている前方部分３４ａ及びこの孔が設けられていない後方部分３４ｂとからなるガス分散用部材と、ガス分散用部材を滑動せしめるための駆動機構３５とを備えてなり、ガス分散用部材を前方に滑動せしめた時に、第２の開口部に前方部分が位置するように構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の基板に同時に薄膜を形成したり熱処理するための基板加工装置に関し、加工工程のために加工チャンバーに搬入されるボートに積載された複数の基板が均一に加熱されるようにすることによって、複数の前記基板を均一に加工することができる基板加工装置に関する。
【解決手段】本発明は、基板を支持するための基板支持台および一つまたは複数の噴射口が形成された第１ガス配管を含む基板ホルダーと、複数の基板ホルダーが積載され、前記第１ガス配管に連結される第２ガス配管を含むボートと、前記ボートに積載された複数の基板を加工するための空間を提供する加工チャンバーと、前記ボートを前記加工チャンバーの内部に搬入および搬出させるための移送部と、前記加工チャンバーの外側に位置する第１加熱手段と、前記第２ガス配管に連結される第３ガス配管を含み、前記第２ガス配管へ加熱または冷却されたガスを供給するためのガス供給部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】処理されるワークが大型化する場合であっても、装置の大型化を抑制し、かつ、プロセスチューブに対するワークの搬入および搬出に要する時間を短くすることが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 縦型炉１０は、ボート２２および昇降機構２６を少なくとも備える。昇降機構２６は、ワーク２０がプロセスチューブ１６の内部に配置される第１の位置、およびワーク２０がプロセスチューブ１６の外部に配置される第２の位置を含む複数の位置にボート２２を移動させるように構成される。ボート２２は、その上部に設けられ、かつ、開口部１８８を通過可能に構成された閉塞板２２４を備える。閉塞板２２４は、ボート２２が第２の位置に配置された際に、開口部１８８を塞ぐように開口部１８８内に配置される。 （もっと読む）

【課題】成長させた酸化亜鉛系半導体の不純物濃度を低減できる酸化亜鉛系基板を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系基板２は、ＩＶ族元素であるＳｉ、Ｃ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＰｂの不純物濃度が、１×１０^１７ｃｍ^−３以下の条件を満たす。より好ましくは、酸化亜鉛系基板２は、Ｉ族元素であるＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＦｒの不純物濃度が、１×１０^１６ｃｍ^−３以下の条件を満たす。 （もっと読む）

高真空処理チャンバー、高真空処理チャンバーと連結されたトランスフォーマー型プラズマトロン、及び、トランスフォーマー型プラズマトロンに少なくとも１つのガスを導入するための、トランスフォーマー型プラズマトロンに連結された少なくとも１つのガス源とを具備するプラズマ発生装置であって、前記高真空処理チャンバーは少なくとも１つのエントリーポートを有し、前記トランスフォーマー型プラズマトロンは、交流電流を発生させるためのラジオ周波数電力源と、該ラジオ周波数電力源と接続された複数の導体と、前記ガスを閉じ込める閉ループ・ディスチャージチャンバーと、該閉ループ・ディスチャージチャンバーの周りに取り付けられ前記導体と接続された複数の透磁性の高い磁気鉄心と、該閉ループ・ディスチャージチャンバーの内側に沿って配置した複数の開口と、内側部分と外側部分とを連結する少なくとも２つの絶縁ガスケットを具備し、前記エントリーポートは、前記内側部分が前記高真空処理チャンバーに物理的に貫通するよう該内側部分を受け取るように構成され、前記導体は前記複数の透磁性の高い磁気鉄心の周りに１次巻き線を形成し、前記閉ループ・ディスチャージチャンバー中のガスは前記複数の透磁性の高い磁気鉄心の周りに２次巻き線を形成し、前記トランスフォーマー型プラズマトロンは、前記導体に前記交流電流が供給されたとき、それぞれのプラズマの少なくとも１つのガスに点火し、前記開口は、前記内側部分から該それぞれのプラズマを前記高真空処理チャンバーに放出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製膜速度を低減させずに、製膜初期の膜質低下を防止し、安定して基板上に製膜することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、このチャンバ内に原料ガスを供給するガス供給部と、チャンバ内のガスを排気するガス排気部と、前記チャンバ内に開口し、前記ガス供給部に連通接続されるガス供給孔を有するカソード電極と、前記カソード電極に対向する位置に配置されるとともに基板が載置されるアノード電極とを備えており、前記カソード電極の基板側表面付近に原料ガスのプラズマを発生させることにより、前記基板上に薄膜を形成するＣＶＤ装置であって、前記カソード電極と前記アノード電極との間に、少なくとも基板表面を覆う開閉可能なシャッター部を備えており、このシャッター部は、開状態で基板とカソード電極とを対面するのを許容し、閉状態で基板とカソード電極とが対面するのを遮断する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理時の圧力帯を正常な状態で維持する為に、真空処理室内の同じ環境下に校正用の第２の圧力計を配置し、制御用の第１の圧力計を実プロセス時の圧力値で校正する。
【解決手段】真空処理室１００において、制御用の第１の圧力計１０７と排気口１０３までの距離が同じとなる位置に校正用の第２の圧力計２００を設置し、第２の圧力計２００と真空処理室１００との間に、遮蔽バルブ２０１を設置し、第２の圧力計２００が、プロセスガスの雰囲気に曝されることを防止している。また、実プロセス後の任意のタイミングで、プロセスガスを真空処理室１００内より排気し、不活性ガスで置換した後に、第２の圧力計２００と真空処理室１００との間の遮蔽バルブ２０１を開放し、不活性ガスを用いて第２の圧力計２００にてプロセス圧力に制御した後、第１の圧力計１０７が、第２の圧力計２００と同じ値となるように校正する。 （もっと読む）

【課題】高い結晶性をもった物を製造することが可能なドライプロセス装置を提供する。
【解決手段】基板保持部１０ａに保持された基板１４の温度を所望の温度に保つ温度調整器と、前記基板保持部１０ａとターゲット保持部１０ｂとにそれぞれ配置された高周波電極１１ａ、１１ｂと、両電極の陰陽を切り替える陰陽切替器と、前記チャンバー内の気体を外部の排出するあたりその排気速度を調整する排気調整器と、前記チャンバー内へ供給する気体の供給速度を調整する給気調整器と、この給気調整器を介して前記チャンバーに供給する気体の種類を変更する気体切替器とからなり、前記基板保持部１０ａに保持された基板１４に対しスパッタリング法、イオン注入法、ＣＶＤ法等の異なった複数のドライプロセスを選択して連続実行する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の厚みの面内方向の均一性を向上できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】開閉部材の操作によって対応するガス流出口を開閉させ、エピ厚傾きの変化の傾向をモデル化し、エピ厚傾き変化傾向モデルを作成するモデル作成工程Ｓ１と、半導体ウェーハにエピタキシャル層を形成させるエピタキシャル層形成工程Ｓ２と、エピタキシャル層について半導体ウェーハの面内方向に配列する複数の測定位置においてエピタキシャル層の実厚みを測定する実厚み測定工程Ｓ３と、複数の測定位置におけるエピタキシャル層の実厚みに基づいて実厚みのエピ厚傾きである実エピ厚傾きを算出する実エピ厚傾き算出工程Ｓ４と、モデル作成工程Ｓ１により作成されたエピ厚傾き変化傾向モデルに基づいて開閉部材を操作することにより実エピ厚傾きを、その絶対値が小さくなるように修正する実エピ厚傾き修正工程Ｓ１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの混入を抑制した高品質なＳｉＣ単結晶薄膜を安定して製造することができる気相成長装置および単結晶薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】ガス供給口１とガス排気口２を有する反応容器内に、ウエハ搭載部を有するサセプタ３と、カバープレート８を固定保持するための支持部６と、を備えた気相成長装置を用い、前記ウエハ搭載部に単結晶ウエハ７を搭載し、前記支持部６により前記単結晶ウエハ７と前記サセプタ３に対向した壁面との間にカバープレート８を固定支持して、前記単結晶ウエハ７表面に単結晶薄膜をエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】発熱体４と基板ホルダー５間を遮蔽及び開口するためのシャッター７を備えた化学蒸着装置において、シャッター７の開閉制御を最適化して成膜開始初期の膜質の劣悪性を解消する。
【解決手段】前記シャッター７が遮蔽位置にある状態で前記発熱体４への通電を開始し、前記発熱体４を所定温度まで発熱させた後、原料ガスの供給を開始すると共に、排気速度を制御して、処理容器１内を所定の圧力とし、その後前記シャッター７を開口位置へ移動させる制御部８を設ける。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の成長完了までの時間を短縮し、基板上に成長させるエピタキシャル層の種類を選択成長可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】原料ガスが供給され、その原料ガスで基板９上に半導体膜を成長させる反応炉３と、その反応炉３内に設けられ、基板９を収納穴１０に収納して保持する成長用治具４とを備えた半導体製造装置１において、成長用治具４に、収納穴１０を開閉するシャッター１１を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】マスクの取り付け及び成膜と、成膜された基板の搬送工程を連続させる連続成膜搬送装置を提供する。
【解決手段】連続成膜搬送装置１は、成膜用の複数のマスク穴２１が所定の間隔をおいて形成され、基板１０が載置される一方の面を有する搬送用ベルト２０と、一方の面と反対側の面側に設置される成膜機構３０と、搬送用ベルト２０を移動させるモータ４０とを含む。各マスク穴２１は、搬送用ベルト２０における各マスク穴２１の外周辺縁が基板１０と重なるように基板１０と比べて小さい面積を有する。成膜機構３０は、マスク穴２１のいずれかが所定の位置に位置したときに、マスク穴２１のいずれかの上に配置される基板１０を成膜する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温下で、シリコンドットの欠陥発生や集合、プラズマダメージを抑制して、粒径の制御性よく、基板間での再現性よくシリコンドットを形成する。また、比較的低温下で、シリコンドット粒径の制御性及び絶縁膜厚さの制御性良好に基板間での再現性よくシリコンドット及び絶縁膜を形成する。
【解決手段】低インダクタンス内部アンテナ１２（２２）にてシリコンドット形成用ガス（絶縁膜形成用ガス）から誘導結合プラズマを生成させ、該誘導結合プラズマのもとで基板ＳにシリコンドットＳｉＤ（絶縁膜Ｆ）を形成し、且つ、プラズマが不安定状態にある間は基板Ｓを不安定プラズマに曝さない状態におき、プラズマが安定化すると基板Ｓを安定化プラズマに臨ませてシリコンドット形成（絶縁膜形成）を開始させるシリコンドット形成方法及び装置１（シリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成方法及び装置Ａ）。 （もっと読む）

【課題】良好な視野や計測状態を得られる位置から基板を観察することと、シャッタ表面に付着した成膜物質の落下による成膜物質源の汚染を防ぐこととを、同時に満足する。
【解決手段】シャッタ装置１１３には、シャッタ１１６と、シャッタ１１６を第１の位置１１８と第２の位置１１９との間で移動させるための直動機構１２０と、が設けられている。直動機構１２０によるシャッタ１１６の移動の際、シャッタ１１６直下にるつぼ１０８が配されないよう、シャッタ１１６の移動範囲が設定されている。直動機構１２０によりシャッタ１１６が第１の位置１１８に配された際、基板Ａへの成膜物質１０７の付着を遮断するシャッタ１１６による遮断領域が拡大される。 （もっと読む）

【課題】強いポテンシャル変調を有するとともに、ヘテロ界面においても急峻なN原子の濃度勾配を有する、GaNAs等のIII-V(N)族化合物半導体多層体の製造方法を提供する。
【解決手段】真空容器にGa(III族元素)粒子ビーム源、As(V族元素)粒子ビーム源、及びN(窒素)粒子ビーム源を設け、GaNAs層(N含有層)を形成する際にのみプラズマを点火して窒素粒子ビームを生成し、GaAs層(N非含有層)を形成する際にはプラズマを消火することによりGaAs層のN原子含量を1%未満としかつGaNAs層のN原子含量を1〜10%とする化合物半導体多層積層体の製造が可能となった。 （もっと読む）

【課題】反応室内で複数枚の基板を一括処理する際に各基板に所望の成膜条件を選択できる薄膜堆積装置および薄膜堆積方法を提供する。
【解決手段】原料ガスG1が供給される反応室内に、複数枚の基板Wを保持し回転する基板ホルダとしてのプラッタ2と、プラッタ2上の基板Wを加熱するヒータ5などの加熱手段とを有し、基板Wの表面に化学気相成長法で薄膜を形成する薄膜堆積装置において、任意の基板Wの表面を原料ガスG1から遮蔽する移動自在な遮蔽板9を設ける。任意の基板Wの表面への原料ガスG1の供給を遮蔽板9で遮断し、他の基板Wには原料ガスG1を供給することで、個々の基板Wの表面反応を制御することができ、膜種や膜厚が異なる薄膜、したがって品種の異なる積層膜を堆積させることが可能である。よって少量多品種生産を効率的に行える。 （もっと読む）

【課題】プラズマに影響を与えないでタクトタイムを短縮すること。
【解決手段】処理ガスを用いたプラズマを生成するプラズマ生成空間と、被処理物の搬入口と前記空間とを連通し被処理物を前記空間へ搬入するための搬入路と、被処理物の搬出口と前記空間とを連通し被処理物を搬出するための搬出路と、搬出路に搬出方向に間隔を有して設けられる複数のシャッタとを備え、被処理物が搬出方向に所定長さを有し、複数のシャッタは被処理物が搬出路を通過中に選択的に開閉され、前記空間と搬出口との間が常に気密的に閉鎖される。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット面上への不純物の混入、及び最終的には成膜基板への不純物の混入を防ぎ、外観特性の優れた成膜基板を提供する。
【解決手段】 プラズマ中の荷電粒子等からダメージを受けやすいシャッター機構の形状を従来の平面上の形状から、屏風型形状で、しかも板の折りたたんだ部分の角度が、ターゲット面から飛来する物質の突入角度に対して、２０度以下の入射角度となるように細かな折り込み構造手段をもったシャッター機構である。 （もっと読む）