【課題】減圧した後、上端面が外側に湾曲している縦型の反応管内に処理ガスを供給して、反応管内の基板に対して例えば成膜処理などの熱処理を行うにあたり、面内及び基板間において均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】反応管内における基板が保持される処理領域の上方の領域に、多数の板状体などの構造物を設置することにより基板保持具の収納領域の上方側空間を埋める。反応管の外周面に沿って処理ガス導入ダクトを上下方向に設け、このダクト内を処理ガスを上昇させ、反応管の上端面のガス導入口から処理空間に導入する。前記構造物を配置することで上方領域における処理ガスの滞留が抑えられて過剰な反応活性種の生成が抑制される。 （もっと読む）

【課題】減圧雰囲気下で基板を予備加熱する際に、予備加熱時間の短縮を可能にして省電力化及び置換ガスの費消の低減ができるインライン式プラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】外部に基板トレー５の搬入部及び搬出部並びに内部に所定容積の空間部を有し密閉された密閉室からなる予備加熱室２及び成膜室３がこの順に連設されて、基板トレー５に基板Ｗが収容されて、基板トレー５が予備加熱室２及び成膜室３へ連続して搬入及び搬出されて処理されるインライン式プラズマＣＶＤ装置１であって、予備加熱室２は、予備加熱室２の床面側に上下動可能に配設された第１の加熱ヒータＨ１と、予備加熱室２の外側にあって第１の加熱ヒータＨ１に連結されて加熱ヒータＨ１を基板トレー５に接触させると共に基板トレー５を昇降させる昇降機構Ｅ１と、この昇降機構Ｅ１を制御する制御手段Ｃとを有し、予備加熱室２は減圧装置Ｐ１に接続されている。 （もっと読む）

半導体層を堆積する装置に関し、中心11に対して回転対称に配置されたプロセスチャンバ１、サセプタ2、プロセスチャンバ天井部3、鉛直方向に重なるガス入口室8,9,10を有するガス入口部品4、サセプタ2の下方のヒーター27を有し、最上部のガス入口室8はプロセスチャンバ天井部3に隣接し搬送ガスとともに水素化物をプロセスチャンバ1に供給するために供給ライン14に接続され、最下部のガス入口室10はサセプタ2に隣接し搬送ガスとともに水素化物を供給するために供給ライン16に接続され、中間のガス入口室9は有機金属化合物を供給するために供給ライン15に接続される。ガス入口室8,9,10はプロセスチャンバ1に向かって環状壁22,23,24により閉鎖され、環状壁22,23,24は互いに近接して配置された多数のガス出口開口25を具備し、均一な外径を有し、突出部分がない。
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【課題】混合室の大きさを調整して、様々な条件の成膜に対応する。
【解決手段】気相成長装置１は、反応炉１４内の被処理基板１５を載置するための基板保持部材１６に対向して配置されて被処理基板１５に向かって第１ガスを供給するために設けられたシャワープレート２と、シャワープレート２に対して基板保持部材１６の反対側に配置されて被処理基板１５に向かって第２ガスを供給するために設けられたシャワープレート３とを備え、シャワープレート２には、被処理基板１５に向かって第１ガスが流れるガス流路４ａが形成されており、シャワープレート３は、被処理基板１５に向かって第２ガスを流すために設けられてシャワープレート３から突出してガス流路４ａの内部に挿入されたガス導管５を有しており、ガス導管５は、シャワープレート３に着脱可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】炉口部を非金属製とし、基板処理中の基板の金属汚染を防止すると共に、シール部に設けられるＯリングの温度上昇を抑制し、劣化、焼損を防止することにより長寿命化した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を内部で処理する反応管と、該反応管を加熱する加熱装置と、前記反応管に連設され非金属部材で構成されるマニホールド２２と、該マニホールド２２を蓋する蓋体と、前記マニホールド２２と前記蓋体との間に設けられる密閉部材とを備え、前記マニホ―ルド２２には、前記反応管の軸心に対し直交する方向の外壁から内壁にかけてガス供給部が配設され、前記加熱装置と前記密閉部材との間に中空部７１が形成され、該中空部７１内に金属部材が配置された。 （もっと読む）

【課題】冷媒をシャワープレートの全域に流れるようにすることにより、シャワープレートの冷却を均一に行い、ガスのシャワープレートでの反応によるシャワープレートにおけるガス吐出孔の目詰まりを回避し得る気相成長装置を提供する。
【解決手段】冷媒バッファエリア２２ｂの周囲には、冷媒用リング状壁２２ｄを介して環状の冷媒外環室２７が設けられる。冷媒外環室２７は、冷媒導入口３８ａから冷媒が導入される冷媒外環導入室２７ａと、冷媒導入口３８ａの対向位置に設けられた冷媒排出口３９ａから冷媒が排出される冷媒外環排出室２７ｂと、冷媒外環導入室２７ａと冷媒外環排出室２７ｂとを区画する冷媒外環室隔壁２８とを備えている。冷媒外環室隔壁２８の一部には、冷媒外環導入室２７ａと冷媒外環排出室２７ｂとを連通する隔壁連通開口２８ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】設計の自由度を向上させたシャワープレート及びシャワープレートの製造方法を提供する。
【解決手段】シャワープレート２００は、所定の角度で交差する格子が形成された第１の平板２０１と第２の平板２０２と第３の平板２０３と、を備える。所定の角度で交差する格子が形成された第１の平板２０１に流路２０１ａとして機能する溝を形成し、更に所定の角度で交差する格子が形成された第２の平板２０２を第１の平板２０１と重ね合わせ、熱拡散接合によって第１の平板２０１と第２の平板２０２とを接合させる。第３の平板２０３についても同様に流路２０３ａとして機能する溝を形成した上で、熱拡散接合によって第２の平板２０２と接合させる。 （もっと読む）

【課題】制御された蒸気の供給を可能とする。
【解決手段】液体又は固体の物質を保持する保持部４と、保持部を冷却する冷却手段５と、保持部の温度を検知する検知手段６と、検知手段により検出した温度に基づき、冷却手段を制御する制御手段７と、を有し、制御手段により、冷却手段を用いて保持部の温度を制御することで、液体又は固体の物質の気化又は昇華を制御して、物質の蒸気を供給する。蒸気供給装置の置かれた雰囲気での、液体又は固体から気化又は昇華した蒸気の圧力を測定する手段９又は１０を有し、制御手段は、測定された圧力に基づき蒸気の圧力が所定の値になるように保持部の温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】膜の堆積を抑制することが可能な基板載置機構を提供すること。
【解決手段】被処理基板載置面２１ａを有し、被処理基板Ｗを、膜が堆積される成膜温度に加熱する加熱体２１ｂが埋設されたヒータープレート２１と、少なくともヒータープレート２１の被処理基板載置面２１ａ以外の表面を覆うように形成され、温度が成膜温度未満の非成膜温度とされる温調ジャケット２２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 多段のシャワーヘッドを実用的に実現する方策を確立する。
【解決手段】 本発明の多層構造のＣＶＤ用マルチシャワーヘッドの製造方法は、反応ガスを被処理物の近傍で混合しＣＶＤ法で被処理物の表面に被膜を形成するシャワーヘッドであって、貫通孔が形成された３枚の板を積層して形成される多層構造のＣＶＤ用マルチシャワーヘッドにおいて、貫通孔に、その内径よりも十分に小さい外径の流体通路パイプを挿通し、両者間の間隙にパイプガイドを挿入して気密接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガス吐出部分が金属とセラミックスの２層構造のシャワープレートを有するシャワーヘッドを用い、均一な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャワーヘッド１８は、ガス導入孔６１ａが形成された金属製の上部プレート６１と、複数のガス通過孔６６が形成された金属製の下部プレート６２と、上部プレート６１と下部プレート６２との間に設けられたガス拡散空間Ｓと、下部プレート６２の下側全面を覆うように設けられ、ガス通過孔６６に対応して複数のガス吐出孔６７が形成されたセラミックス製のカバー部材６４と、ガス拡散空間Ｓ内に上部プレート６１と下部プレート６２との間を接続するように設けられ、処理にともなって発生する熱を上方へ伝熱する複数の伝熱部材７０ａ，７０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】シャワープレートの温度を所望の温度に維持すると共に面内温度の均一性を向上させて、ガス供給部材の変形、歪みの発生を抑え、安定した基板の処理ができるようにする。
【解決手段】処理容器２内に基板Ｗを収納し、処理ガスをプラズマ化して基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１であって、処理容器２内に処理ガス供給用のガス供給部材５０が配置され、ガス供給部材５０の内部に、熱媒を流通させる熱媒流路５５が形成され、熱媒流路５５における熱媒の流通方向を変更させる流路切替機構７０，７１を有する。熱媒の流通方向を交互に変更することにより、ガス供給部材５０に対する熱媒の入り口側と出口側で発生する温度偏差を抑制する。 （もっと読む）

【課題】シャワープレートの温度を所望の温度に維持すると共に面内温度の均一性を向上させて、シャワープレートの変形、歪みの発生を抑える。
【解決手段】処理容器２内に基板Ｗを収納し、処理ガスをプラズマ化して基板Ｗを処理するプラズマ処理装置１であって、処理容器２内に処理ガス供給用のガス供給部材５０が配置され、ガス供給部材５０の内部に、熱媒を流通させる熱媒流路５５が形成され、熱媒流路５５へ所定の圧力で熱媒を供給する状態と、熱媒流路５５への熱媒の供給を中断する状態とに切り替え自在な熱媒供給機構６０を備え、熱媒供給機構６０は、熱媒流路５５に熱媒を供給する時間と供給を中断する時間の割合を可変である。熱媒流路５５へ熱媒を供給する際には、常に等しい圧力で熱媒が供給されて、熱媒流路５５内に一定の流量で熱媒が流通させられる。 （もっと読む）

【課題】ノズル内部における膜の形成を抑制し、該ノズルの交換又はメンテナンス周期を延長し、もって装置の稼働率の向上を実現する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、基板２００上に複数の元素を含む膜を生成する処理を行う反応容器２１０と、反応容器２１０内を加熱するヒータ２０６と、少なくとも一部がヒータ２０６と対向するように反応容器２１０内に設けられ、前記膜を構成する複数の元素のうち少なくとも一つの元素を含み、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガスを反応容器２１０内に供給する少なくとも一つのノズル２３０と、ノズル２３０の少なくともヒータ２０６と対向する部分を覆うように設けられ、前記膜を構成する複数の元素のうち少なくとも一つの元素を含み、それ単独では膜を堆積させることのできない第２ガスを内部に流通させて反応容器２１０内に供給する流通管２７０とを有する。 （もっと読む）

【課題】１３００℃と非常に高い温度領域でも、高価な炭化硅素材料を使用せずに、輻射熱の遮断が可能で、かつの高さを押さえた縦型熱処理装置の提供。
【解決手段】遮熱ユニットとして、石英ガラス製の遮熱用真空容器体１ａと、その内部空間に封入された輻射熱遮熱部材１６とからなる遮熱用真空バッファー体１０，石英ガラス板に輻射熱遮熱部材が封入されている輻射熱遮熱板，及び，少なくとも一つの石英ガラス板と少なくとも一つのその輻射熱遮熱板とを所定面間隔で配列させてなる輻射熱遮熱板構造体を使用できる。熱処理装置は、遮熱ユニットとを有する。ここで、遮熱ユニットは、上述の遮熱用真空バッファー体を有する。あるいは遮熱ユニットは、輻射熱遮熱板構造体を有する。又は遮熱ユニットは、２以上の石英ガラス板を所定面間隔で配列させてなる石英ガラス板構造体と、その被熱処理材保持具側表面に載置された上述の輻射熱遮熱板とを有する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ生成室１０２と基体１０４の処理室１０３との間にガスの流れを制御する仕切り板１１１を有する装置において仕切り板の交換なしにガスコンダクタンスの変更を行う。
【解決手段】 仕切り板１１１内部に仕切り板を加熱あるいは冷却する手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板面内の膜厚の均一性を向上させ、もって基板の処理枚数を増大させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板５４を処理する処理室４１と、処理室４１内の基板５４を加熱するヒータ４６と、処理室４１内で複数枚の基板５４を多段に支持する基板支持具３０と、基板支持具３０の下方に設けられ複数枚の断熱板８６を多段に支持するように構成された断熱板ホルダ８１とを有する。断熱板８６は基板５４と中心が異なるように配置される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ点灯に伴いプラズマ発生ノズルで発生された熱の伝搬によって導波管が高温になり、プラズマ消灯によって放熱してゆく際に、導波管内が多湿になり結露生じ、導波管内が腐食されることを抑えるプラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置を提供する。
【解決手段】導波管１０内を換気する通風ファン４５，６５を設けるとともに、導波管１０の温度を検出する温度センサ９８１を設け、プラズマ発生によって所定温度以上になると、プラズマ消灯から所定時間、通風ファン４５，６５をＯＮして、導波管１０を風洞として、その内部を換気する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶の品質を向上させることが可能な結晶成膜装置及びそれに用いるガス噴出板を提供することを目的とする。
【解決手段】加熱板２と、前記加熱板２上であって前記加熱板２に対して対向配置したガス噴出板３とを備え、ガスを前記加熱板２に噴出し、前記加熱板２上に結晶を成膜する結晶成膜装置において、前記ガス噴出板３は、熱を吸収する冷媒を前記ガス噴出板２の外側から中央側へ流入する流入部８ａと、前記流入部８ａと接続されるとともに冷媒を中央側から外側へ流出する流出部８ｂとを有する冷却管８を備えており、前記流入部８ａと冷媒が接する接触面積Ｓ１は、前記流出部８ｂと冷媒が接する接触面積Ｓ２よりも小さいことを特徴とする結晶成膜装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマの生成室と処理室との間のコンダクタンス調整手段の温度上昇を防止し、プラズマ処理時の処理再現性、処理精度を向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成室１０１と、被処理基体１０３が設置されるプラズマ処理室１０２と、その双方の間を仕切って処理用ガスが通過するコンダクタンス調整手段１０８とを有するプラズマ処理装置であって、コンダクタンス調整手段１０８を、少なくとも３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する部材（シリコン）から構成し、かつ、コンダクタンス調整手段１０８を支持する部分を第１の温度に冷却する冷却手段１１１と、冷却された冷媒をコンダクタンス調整手段１０８内を循環させる冷却手段（図示せず）とを備える。 （もっと読む）