【課題】ボンディングの際、基板の熱変形によって真空至達エラーが発生することを防止するダイボンディング装置及びボンディング方法を提供する。
【解決手段】供給される半導体ウェハから半導体チップを移動して基板上に搭載するダイボンディング装置は、基板を吸着及び保持して搬送するステージ３０と、先端に半導体チップを吸着及び保持するコレット１３０を含むボンディングヘッド１１と、ボンディングヘッドを保持して水平方向に移動する水平移動機構と、コレット１３０を上下方向に移動する垂直移動機構と、更に、半導体チップを前記基板上にボンディングする際、ステージ上に吸着及び保持される基板の表面にホットエアを吹き付けるホットエア吹付装置２０（又は、ホットエア吹付ノズル）を設けた。 （もっと読む）

【課題】硬化性に優れる熱伝導性シリコーン組成物およびこれを用いる実装基板の提供。
【解決手段】（Ａ）成分；１分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を２個以上有するシランおよび／または１分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を２個以上有するポリシロキサン、（Ｂ）成分；ジルコニウム化合物、ならびに（Ｃ）成分；１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する熱伝導性充填材を全シリコーン成分１００質量部に対して１００〜３０００質量部含有し、２５℃における粘度が１０〜１，０００Ｐａ・ｓであり、電子基板と半導体装置との接着剤として使用される、加熱硬化型の熱伝導性シリコーン組成物、ならびに電子基板と半導体装置とを、当該熱伝導性シリコーン組成物を用いて加熱し、接着させることによって得られる実装基板。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導を保持しながら剥離を低減することができる電子部品を得る。
【解決手段】セラミック基板１０のダイパッド１２に第１の接着剤１４が格子状に配置されている。セラミック基板１０のダイパッド１２の第１の接着剤１４に囲まれた部分に第２の接着剤１６が配置されている。第１及び第２の接着剤１６によりセラミック基板１０のダイパッド１２に半導体チップ１８が接合されている。第１の接着剤１４の硬化後の弾性係数は、第２の接着剤１６の硬化後の弾性係数より小さい。第２の接着剤１６の熱伝導率は、第１の接着剤１４の熱伝導率より高い。 （もっと読む）

【課題】どのウェハから取出されて実装された部品であるのかを把握し、もって生産効率の向上を図ること。
【解決手段】ＣＰＵ１０がウェハから全部品の取出が終了したと判定すると、取出が終了したウェハリング４をマガジン８に戻すと共にマガジン８内の新たなウェハリング４を取出す。そして、取出したウェハリング４の段数を記憶エリアＡに記憶させ、吸着ノズル５がウェハから部品を吸着して取出し、記憶エリアＡに記憶している前記段数を記憶エリアＢに転送し、吸着ノズル５が保持している部品をワーク２上に実装させる。そして、現在記憶している記憶エリアＣの段数と記憶エリアＢに転送されて記憶している段数とを比較して一致しないと判定すると、記憶エリアＢの段数を記憶エリアＣに転送して記憶したウェハリング４の段数をインデックスとして、現在実装中のワーク２のシリアル番号をＲＡＭ１１のファイルＡに保存させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体装置の小型化に対応できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ダイシングシートと対向配置される突上げ面を有する突上げ部材と、突上げ部材を上下移動させる突上げ部材移動手段とを備え、突上げ部材が、半導体チップとダイシングシートとの貼着面の平面視外周部に対向配置される外周突上げ面７１ｄを有する外周突上げ部材７１と、貼着面の平面視中心部に対向配置される中心突上げ面を有する中心突上げ部材７２とを備え、突上げ部材移動手段が、外周突上げ部材７１のみを独立して上下移動させる外周突上げ部材移動手段と、中心突上げ部材７２のみを独立して突き上げる中心突上げ面移動手段とを備える半導体チップの剥離装置７とする。 （もっと読む）

【課題】焼結プリフォームを使用する、少なくとも２つの部品を接続するための方法を提供すること。
【解決手段】本発明のプリフォームは、硬化したペーストを含有する少なくとも１つの構造化要素を有する表面を有する担体を含み、この硬化したペーストは、（ａ）少なくとも１つの有機化合物を含有するコーティングを有する金属粒子、ならびに（ｂ）（ｂ１）有機過酸化物、（ｂ２）無機過酸化物、（ｂ３）無機酸、（ｂ４）１〜４個の炭素原子を有する有機酸の塩、（ｂ５）１〜４個の炭素原子を有する有機酸のエステル、および（ｂ６）カルボニル錯体からなる群から選択される少なくとも１つの焼結助剤を含有し、硬化したペーストを有するこの担体の表面は、当該ペーストの構成成分と反応性ではない。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ接合領域からの接着剤のはみ出しを調整しながら、温度サイクル信頼性の高い半導体チップ実装体を得ることのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。また、該半導体チップ実装体の製造方法を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、基板又は他の半導体チップとを接合した半導体チップ実装体の製造方法であって、基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の４０〜９０％に、半導体部品用接着剤を塗布する工程（１）と、前記半導体部品用接着剤を介して、前記基板又は他の半導体チップ上に半導体チップを積層することにより、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の６０％以上１００％未満に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（２）と、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域全体に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせるとともに、前記半導体チップの側面にフィレットを形成する工程（３）と、前記半導体部品用接着剤を硬化させる工程（４）とを有し、前記半導体部品用接着剤を硬化させる工程（４）の後の半導体チップ実装体において、前記半導体チップの厚みをＤ、前記半導体チップの底面からの高さ方向のフィレット距離をｄ、半導体チップ接合領域の端部からの横方向のフィレット距離をＬとしたとき、ｄ／Ｄが０．２〜０．８、かつ、Ｌが３００μｍ未満となるようにフィレットを形成する半導体チップ実装体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を基板回路へ圧着させる固定部材提供する。
【解決手段】円筒形状を有する弾性芯体１の胴部分に、繊維形状の熱収縮連続体２を、弾性芯体１の胴部分の両端０．２ｍｍ以内を除き、コイル状に３０〜５００回巻き付け、弾性芯体１の胴部分の長さ方向の中央部の直径が、弾性芯体１の両端部の平均直径の１０〜７０％とし、熱収縮連続体２を熱収縮させて弾性芯体１を胴芯方向へ締め付けると共に胴長手方向へ形態を変化させる。 （もっと読む）

【課題】接着剤の充填性に優れ、ボイドの噛み込み及び樹脂引けを抑制することができ、更に、半導体チップ接合領域からの接着剤のはみ出しを調整することのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。また、該半導体チップ実装体の製造方法を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、基板又は他の半導体チップとを接合した半導体チップ実装体の製造方法であって、基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の４０〜９０％に、半導体部品用接着剤を塗布する工程（１）と、前記半導体部品用接着剤を介して、前記基板又は他の半導体チップ上に半導体チップを積層することにより、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の６０％以上１００％未満に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（２）と、室温下にて、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域全体に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）と、前記半導体部品用接着剤を硬化させる工程（４）とを有し、前記半導体チップ、及び、前記基板又は他の半導体チップは、厚さが５０〜３００μｍであり、前記半導体部品用接着剤は、２５℃でＥ型粘度計を用いて測定したときの０．５ｒｐｍにおける粘度が２０〜４０Ｐａ・ｓ、１０ｒｐｍにおける粘度が１０〜３０Ｐａ・ｓである半導体チップ実装体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】接着剤による半導体チップと回路基板との電気的接続において、接続時の排除性が良好で、接続荷重が小さくチップ割れを防止できると共に接続信頼性に優れたフィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】５０〜２５０℃のいずれかの温度で粘度が２００Ｐａ・ｓ以下に達し、硬化物の２５℃〜２６０℃における平均線膨張係数が２００ｐｐｍ／℃以下であるフィルム状接着剤。 （もっと読む）

【課題】半田箔の加工や配置に係り設備費をコストアップさせることなく、半田箔を使用して電子部品を基板に好適に接合すること。
【解決手段】基板２に、その板厚方向に貫通する複数の通り孔２ｃと、上面に位置するバンプ７を予め形成しておく。基板２の上面側にて、バンプ７に対し電子部品３をバンプ８により接続し、基板２を治具１にて水平に支持する。水平に支持された基板２の下面に半田箔６を密着させて配置すると共に、半田箔６を伝熱板１２により基板２へ向けて押圧する。そして、押圧された半田箔６に伝熱板１２を介して熱を加えることにより、半田箔６を溶融させ、その溶融した半田を複数の通り孔２ｃを介して基板２の上面側へ押し上げて基板２と電子部品３との間に流動させて拡げる。その後、拡げられた半田を冷やすことにより、電子部品３と基板２を半田により接合する。 （もっと読む）

【課題】金属製部材を強固に熱衝撃性よく接合できるペースト状銀粒子組成物、接合強度と熱衝撃性が優れた金属製部材接合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】(A)平均粒径が０.３μｍを越え１０μｍ以下であり、アスペクト比（平均粒径／平均厚さ）が５以上１００以下である加熱焼結性フレーク状銀粒子と、(B)平均粒径（メディアン径Ｄ50）が０.００５μｍ以上０.１μｍ未満である加熱焼結性銀微粒子と（(A)と(B)の質量比が、５０：５０から９５：５の範囲内である）、(C)揮発性分散媒とからなるペースト状銀粒子組成物、該ペースト状銀粒子組成物の加熱焼結により複数の金属製部材を接合する金属製部材接合体の製造方法、その製造方法による金属製部材接合体。 （もっと読む）

【課題】接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性を有する硬化物を与えるダイボンド剤の提供、および該ダイボンド剤で光半導体素子をダイボンディングした光半導体装置の提供。
【解決手段】（Ａ）（Ａ−１）少なくとも主鎖の両末端に（３，５−ジグリシジルイソシアヌリル）アルキル基を備えるオルガノポリシロキサン１００質量部（Ｂ）硬化剤・・（Ａ）成分中のエポキシ基１当量に対し（Ｂ）成分中の反応性を有する基が０．４〜１．５当量となる量（Ｃ）レーザー回折法で測定される累積頻度９９％の粒径２０μｍ以下を持ち、かつ比表面積０．２〜１．５ｍ^２／ｇを持つ導電性粉末・・（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し３５０〜８００質量部（Ｄ）硬化触媒・・（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し０．０５〜３質量部を含有することを特徴とするダイボンド剤。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く、接合信頼性にも優れた半導体接合用接着剤を提供する。また、該半導体接合用接着剤を用いて製造される半導体接合用接着フィルム、該半導体接合用接着剤を用いた半導体チップの実装方法、及び、該半導体チップの実装方法により製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、前記エポキシ樹脂と反応する官能基を有する高分子化合物、硬化剤及び応力緩和剤を含有する半導体接合用接着剤であって、前記応力緩和剤は、ゴム成分からなるコア層と、アクリル樹脂からなるシェル層とを有する平均粒子径が０．１〜２μｍのコアシェル粒子であり、前記応力緩和剤の含有量は、１〜２０重量％である半導体接合用接着剤。 （もっと読む）

【課題】配線基板上にペースト状の接着材を介して半導体チップを搭載する際に、ボイドの発生を抑制する。
【解決手段】配線基板４０が有するチップ搭載領域２０ａ上に、半導体チップを、接着材を介して搭載するダイボンディング工程を有している。配線基板４０は、コア層の上面に形成された複数の配線（第１配線）２３ａ、ダミー配線（第２配線）２３ｄを有している。また、チップ搭載領域２０ａは、複数の配線２３ａ、ダミー配線２３ｄ上に配置される。また、ダイボンディング工程には、チップ搭載領域２０ａ上の接着材配置領域上に接着材を配置する工程が含まれる。そして、複数のダミー配線２３ｄのそれぞれは、ダイボンディング工程において、接着材が広がる方向に沿って延在している。 （もっと読む）

【課題】ワークを破損や損傷させることなく装着対象に装着することができるコレットホルダを提供する。
【解決手段】コレットホルダは、弾性体シール８と先端部材７とコレット６との真空経路に印加される負圧でワーク５を吸着して装着対象に装着する。コレット６は弾性支持機構４で上下方向に変位自在に支持されていて上下方向に伸縮自在な弾性体シール８で配管されいる。このため、コレット６と先端部材７とを充分に小型化することができるので、ワーク５を装着対象に装着するときの衝撃力を充分に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】基板などの下地と半導体チップとの間に発生するボイドを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、第１主面５ａに電極パッド１７が形成され第２主面５ｂに接着層３が設けられた半導体チップ５と、半導体チップを載置する基板１２と、を有する半導体装置の製造方法であって、基板の表面において、半導体チップの第２主面の外縁に接触する部分にフィレット形成材１３ａを塗布する工程と、半導体チップの第２主面を、接着層を介して基板に接着する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】棒体の配置位置の自由度が向上した治具装置及び当該治具装置を備えた治具システムを提供することを課題とする。
【解決手段】治具装置１は、棒体３０と、棒体３０を収納した筒体２０と、筒体２０を保持した本体１０と、を備え、筒体２０は、棒体３０の移動を許容する胴部２１、２２、胴部２１、２２間に設けられ棒体３０の移動を規制可能な絞り部２３、を含み、絞り部２３が棒体３０により塞がれた状態で胴部２１、２２内の少なくとも一方の気圧が筒体２０外の気圧よりも大きくなることにより、絞り部２３は、棒体３０の移動を許容するように拡大する。 （もっと読む）

【課題】被接合部材に対する加工を行うことなく、被接合部材上における半導体チップの搭載領域外へのはんだの滲み・流れ出しを防止することができるダイボンディング方法を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１１をはんだ１２を介して基板１０に接合するダイボンディング方法において、半導体チップ１１が搭載されるチップ搭載領域１０ａの温度が、はんだ１２の融点以上であってチップ搭載領域１２ａの周辺領域１０ｂの温度よりも高くなるように基板１０を加熱して、はんだ１２をチップ搭載領域１０ａで溶融させて半導体チップ１１を基板１１に接合する。 （もっと読む）

【課題】装置がＸ方向に大きくなってしまうことを抑制することが可能な実装機を提供する。
【解決手段】この実装機１００は、基台１と、ベアチップを保持可能に構成されているとともに、基台１に対してＹ方向に移動可能なウエハ保持テーブル５と、ウエハ保持テーブル５に保持されたベアチップを下方から突き上げる機構を有し、基台１に対して少なくともＸ方向に移動可能な突上げ装置７と、突上げ装置７により突き上げられたベアチップを吸着する機構を有し、基台１に対して少なくともＸ方向に移動可能である取出装置６と、取出装置６からベアチップを受け取るとともに、ベアチップをプリント基板Ｐに実装するヘッドユニットとを備えている。 （もっと読む）