【課題】ダイシングシートからダイを剥離してピックアップする工程とダイを回路基板に実装する工程とを１台の部品実装機で実行するものにおいて、生産性を高める。
【解決手段】部品実装機のベース台１１上に、回路基板１２をＸ方向に搬送するコンベア１３と、ウエハパレットを取替え可能にセットするためのウエハパレットセット台１５と、ウエハパレットのダイシングシートから剥離したダイを複数個載置可能なダイ移載ステージ３２と、２台のＸ−Ｙロボット２２，２３を設ける。２台のＸ−Ｙロボット２２，２３にそれぞれ作業ヘッド２８，２９を取り付け、一方の作業ヘッド２８でウエハパレットのダイシングシート上のダイをピックアップしてダイ移載ステージ３２に載置する動作を繰り返すと共に、他方の作業ヘッド２９でダイ移載ステージ３２上のダイをピックアップして回路基板１２に実装する。 （もっと読む）

【課題】接着剤の量や形状の制御が容易で歩留まりを向上でき、さらに工程全体のタクトタイムを短くできる、ＬＥＤ加工用シートを提供する。
【解決手段】基材１２a上に、粘着剤層１２bと複数の接着剤層１３とがこの順に形成されたＬＥＤ加工用シート１０であって、接着剤層１３は、当該接着剤層１３上に設けられるチップ２のサイズに対応した大きさで、複数の接着剤層１３が、粘着剤層１２b上に非連続に形成されている。 （もっと読む）

【課題】低温で半導体ウェハに貼り付け可能であって、熱時の弾性率が高い半導体用接着フィルムを提供する。
【解決手段】半導体素子を被着体に接着するために用いられる接着フィルムにおいて、熱可塑性樹脂、３官能以上のアクリレート化合物（Ａ）、熱硬化性樹脂、平均粒子径の異なる二種類の無機フィラーを含有してなり、３官能以上のアクリレート化合物（Ａ）の含有量が、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、６０〜８０質量部である、接着フィルム。 （もっと読む）

【課題】 Ａｕ−Ｓｎ合金はんだより低温で接合可能な接合用ペースト、およびこの接合用ペーストを用いる半導体素子と基板の接合方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 （Ａ）平均粒子径が１００ｎｍ以下の金属ナノ粒子と、（Ｂ）沸点が５０〜１００℃の溶剤と、（Ｃ）沸点が１５０〜２００℃の溶剤を含有し、（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の合計１００質量部に対して、（Ｂ）成分を１０〜３０質量部含有することを特徴とする、接合用ペーストである。 （もっと読む）

【課題】
低粘度化による液状性と反応性を保持しつつ硬化物の低弾性率化と高靭性化をはかることができる、液状エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】
常温で液状であるエポキシ樹脂組成物であって、組成成分として、
ａ）常温で液状であるエポキシ樹脂、
ｂ）ポリビニルアセタール系改質材、
ｃ）硬化剤及び硬化促進剤、
ｄ）フィラー
を含有し、前記したポリビニルアセタール系改質材の配合割合は、常温で液状であるエポキシ樹脂１００質量部に対して、０．５〜２０質量部の範囲内であり、かつ、液状エポキシ樹脂組成物の全体量に対して、０．５〜７質量％の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時およびその後の保管や移送の際にはチップを十分に保持でき、一方、ピックアップ時には高速化を可能にするピックアップ方法を提供する。
【解決手段】半導体チップのピックアップ方法は、基材と、基材上に剥離可能に形成された接着剤層とからなる接着シートの接着剤層に半導体ウエハを貼着し、半導体ウエハをダイシングして半導体チップとし、半導体チップ裏面に接着剤層を固着残存させて基材から剥離する半導体チップのピックアップ方法であって、接着シートの、剥離角９０°、剥離速度５０ｍｍ／分における基材と接着剤層との間の剥離力（低速剥離力）が０．０１〜１Ｎ／２５ｍｍであり、接着シートの、剥離角９０°、剥離速度５００ｍｍ／分における基材と接着剤層との間の剥離力（高速剥離力）が低速剥離力以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】加重をかけることなく３００℃以下の硬化温度で接合した場合であっても、高い電気伝導性及び熱伝導率を有し、かつ大気雰囲気で接合した場合であっても、卑金属面への十分な接着強度を有する接着剤組成物及びこれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の接着剤組成物は、Ｘ線光電子分光法で測定される銀酸化物由来の酸素の状態比率が１５％未満である片状の銀粒子（Ａ）、及び３００℃以上の沸点を有するアルコールまたはカルボン酸（Ｂ）を含む。 （もっと読む）

【課題】
本発明の樹脂組成物は、作業性に優れかつ、２６０℃以上という高温環境下においても半導体装置にクラック等の不具合が生じず優れた信頼性を半導体装置に付与することができる熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】
繊維状支持基材に熱硬化樹脂を含浸させてなる樹脂支持体の上に熱硬化性接着剤組成物を塗布し、接着剤組成物を介して半導体素子を配置したのち、所定の加熱条件Ａにて接着する工程と、前記工程により接着された支持体と半導体素子とを所定の加熱条件Ｂにて封止用樹脂組成物により封止する工程と、前記工程により封止された後、熱処理する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、熱硬化性接着剤組成物の機器認識に係わる色彩[評価試験１]（Ｒ、Ｂ、Ｇ）が（１００＜Ｒ≦２５５、１００＜Ｂ≦２５５、１００＜Ｇ≦２５５）であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】実装基板に半導体チップを半田付けする際に、組立治具と実装基板面の隙間寸法が半導体チップの厚みと半田の厚みを合わせた寸法以下にできる半導体装置の組立治具および半導体装置の組立方法を提供することである。
【解決手段】半田が溶融する温度で実装基板２１が凹状に湾曲した場合でもチップコマ１の底面２ａの一部が実装基板面２２に常に自重で接触させることで、組立治具１００と実装基板２１の間の隙間寸法Ｔ１を半導体チップ３１の厚さＷ１と溶融半田３２ａの厚さＷ２ａを合わせた寸法Ｔ２以下にできる。その結果、半田溶融時に半導体チップ３１が横方向にズレしてチップコマ１の開口部５からはみ出ることがなく、半導体チップ３１の実装基板２１への位置決めを精度よく行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ現像液によるパターン形成性に優れ、露光後の十分な再接着性を有するとともに、低温貼付け性にも優れたフィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性ポリマーと、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）一種又は複数の放射線重合性化合物と、（Ｄ）光開始剤と、を含有する感光性接着剤組成物をフィルム状に成形してなる、フィルム状接着剤であって、（Ｃ）放射線重合性化合物が、下記一般式（Ｉ）で表されるイソシアヌル酸エチレンオキシド変性ジ又はトリアクリレートを含有するものであり、フィルム状接着剤の５％重量減少温度が２６０℃以上である、フィルム状接着剤１。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は水素原子又は−ＣＯＣＨ＝ＣＨ_２を示す。］ （もっと読む）

【課題】ダイシング・ダイボンドフィルムに引張張力を加えることにより半導体ウェハを分断して半導体チップを形成する際に、ダイボンドフィルムと半導体ウェハの間、及びダイボンドフィルムとダイシングフィルムの間に剥離や位置ズレが生じることのないダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】基材上に少なくとも粘着剤層を有するダイシングフィルムと、粘着剤層上に設けられたダイボンドフィルムを有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、ダイボンドフィルムにウェハを仮接着したときの２５℃における剪断接着力をτ１（ＭＰａ）、ダイボンドフィルムとダイシングフィルムの間の２５℃における剪断接着力をτ２（ＭＰａ）としたとき、τ１とτ２は０．５≦τ２≦３、４≦τ１−τ２≦２０の関係を満たし、ダイボンドフィルムの破断伸び率は４０〜５００％である。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、耐湿性、耐リフロー性、圧着による凹凸の埋込性及びチップとの密着性に優れ、小片化したチップをダイシングテープから容易に剥離できる接着シートを提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）エポキシ樹脂とフェノール樹脂とを含む熱硬化性樹脂１００重量部、（ｂ）架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万〜８０万で、Ｔｇが−５０〜５０℃であるアクリル系樹脂１５〜４０質量部、（ｃ）平均粒径０．０５〜５．０μｍの無機フィラー３０〜１００質量部、（ｄ）硬化促進剤０．０５〜０．２０質量部、（ｅ）式（Ｉ）で表されるシリコーン骨格を有する樹脂を含む接着剤から形成されたフィルム状接着剤。
【化１】


（式（I）中、Ｒ_１、Ｒ_２は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アミノ基、アリール基又はハロゲン原子、ｎは３〜５０の整数。） （もっと読む）

【課題】 一定期間保管した後においても、厳しい熱湿条件およびリフロー工程を経た場合のパッケージ信頼性や接着性に優れた半導体用接着剤組成物等を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体用接着剤組成物は、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化樹脂（Ｂ）、熱硬化剤（Ｃ）、有機官能基を有し、分子量が３００以上でアルコキシ当量が１３ｍｍｏｌ／ｇより大きいシラン化合物（Ｄ）、および有機官能基を有し、分子量が３００以下でアルコキシ当量が１３ｍｍｏｌ／ｇ以下であるシラン化合物（Ｅ）を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの高信頼性化を可能とする接着剤組成物および接着シートを提供すること。また、多段スタックの半導体パッケージを製造する際に、製造工程を容易にし、生産性を良好にできる接着剤組成物および接着シートを提供する。
【解決手段】接着剤組成物は、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ系熱硬化性化合物（Ｂ）、熱硬化剤（Ｃ）および多孔質シリカ（Ｄ）を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄型化しつつある半導体チップを多積層し高密度化された半導体装置において、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面の剥離やパッケージクラックの発生がない、高いパッケージ信頼性を達成できる接着剤組成物を提供する。
【解決手段】常圧下、５０〜３００℃の測定範囲で１０℃／分の昇温速度で昇温したときのＤＳＣ測定で発熱反応のピーク温度が２２０℃以上で、その時の発熱量が３２Ｊ／ｇ以下であり、アクリル重合体（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、および融点もしくは軟化点が１３０℃以上である硬化剤（Ｃ）を含む接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング時におけるボンダビィリティーを良好にすることができ、更に硬化物の耐熱クラック特性を高めることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】光半導体装置用ダイボンド材は、下記式（１）で表され、かつアリール基と珪素原子に結合した水素原子とを有する第１のシリコーン樹脂と、下記式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含む。光半導体装置用ダイボンド材では、上記第１のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さず、かつ上記第２のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さない。
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【課題】粒子径が小さく、流動性に優れ、樹脂への分散性に優れたシリカ系微粒子と樹脂とからなる半導体装置実装用ペ−ストを提供する。
【解決手段】流動性に優れ、樹脂への分散性に優れたシリカ系微粒子と樹脂とからなる半導体装置実装用ペ−ストであって、シリカ系微粒子の平均粒子径が５０〜１０００ｎｍの範囲にあり、該シリカ系微粒子は限外濾過膜処理および／またはイオン交換処理し、ついで乾燥して得られたものである。シリカ系微粒子のアルカリ金属の含有量は２０ｐｐｍ以下であり、ペ−スト注のシリカ系微粒子の含有量は３０〜９０重量％の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】シリンジ内の接着剤の残量が少なくなると描画動作開始時に塗布線幅が細くなることがわかった。塗布線幅が細くなると、チップの裏面の一部でペーストにぬれない領域が発生する恐れがある。ぬれない部分があると半導体集積回路装置の信頼性が著しく低下する可能性がある。
【解決手段】シリンジにかかるエア圧をモニタして、それが設定値を越えた時点で描画動作を開始させるものである。すなわち、シリンジにかかるエア圧をモニタして、それが設定値（正常圧力値）を越えた時点で、はじめて描画動作（シリンジ先端のノズル部がペーストを吐出しながらXY平面で移動）を開始させるので、描画開始時に塗布線幅が細くなる問題を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】加圧を始めてから液体が吐出口から押出されるまでの時間遅れを防止して設定量の液体を正確に塗布できる流体供給装置を提供する。
【解決手段】液体Ｌがその吐出口５３から吐出されるシリンジ１と、開状態で流体供給源からの加圧流体をシリンジ１に供給して液体Ｌを吐出口５３から吐出させ、閉状態で流体供給源からの流体のシリンジ１への供給を停止する開閉弁２とを備える。流体供給源をシリンジ１から離間した位置に配設し、開閉弁２の流体排出口とシリンジ１の反吐出口側とを連結した。 （もっと読む）

【課題】階段状に積層される半導体チップの強度の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数のチップ領域がダイシング領域を介して形成された半導体ウェーハのチップ領域の第１の面１ｂに接着層１０を形成する。ダイシング領域に沿って半導体ウェーハを分割してチップ領域を有する半導体チップ９を個片化し、接着層を介して半導体チップを階段状に積層する。接着層の形成において、第１の面のうち積層された状態で他の半導体チップに接触しない第１の領域Ｐ１の少なくとも一部には、他の半導体チップに接触する第２の領域Ｐ２よりも接着層が厚く形成された凸部１０ａが設けられる。 （もっと読む）