【課題】
本発明は、ダイに余計な力を与えることなく確実にダイを剥離できる、又はクラックの異常が発生しても検出でき信頼性の高い、ダイボンダ又はボンディング方法を提供することである。
【解決手段】
本発明は、複数のダイを粘着しているダイシングテープを吸着保持し、凹部を備える支持ステージと、前記凹部の低部を摺動する剥離ステージとを備え、前記ダイを吸着し、前記ダイを吸着した状態で前記剥離ステージを前記ダイから離れる方向に摺動させ、摺動前に前記離れる方向とは反対側の前記剥離ステージの端部側において前記ダイシングテープを線状に突き上げ剥離起点を形成し、前記ダイと前記吸着部材との間に発生するエアリーク流量に基づいて前記ダイの状態を判断し、前記ダイを前記ダイシングテープから剥離し、前記ダイをワークに装着し、前記剥離した後に、前記剥離ステージを元の位置に戻すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産能力が高く、コストが安価なダイボンダ及びダイボンディング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ダイをピックアップするウェハ供給部と、前記ダイを所定の温度に加熱したダイボンディング部と、前記ウェハ供給部と前記ダイボンディング部とを所定の経路で往復し、前記ダイを吸着し前記ダイボンディング部に載置された基板に圧着するコレットとを備えたボンディングヘッドと、装置全体の動作を制御する制御部とを有するダイボンダにおいて、前記制御部は、前記ボンディングヘッドが前記ダイを前記基板に圧着後、前記所定の経路を通って前記所定の経路上の所定の第１の位置まで移動する間、前記コレットを所定の吸着流量で空吸着するダイボンダ及びダイボンディング方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、品質の安定したダイボンダ及びダイボンディング方法、小型化及び低製造コストのダイボンダ、及び、ダイボンディングの工数が低減可能なダイボンダ及びダイボンディング方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ヘッドを２つ設け、一方のヘッドは、ダイをピックアップしてステージ上の基板に仮付けし、他方のヘッドが仮付けされたダイを本圧着するものである。さらに、他方のヘッドが本圧着中に一方のヘッドが次のダイをピックアップしてステージ上の基板に仮付けするようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】単一の搬送レーンと単一のボンディングヘッドを有する、又は複数の搬送レーンと複数のボンディングヘッドを有するダイボンダにおいて、ウェハを取り外すことなくウェハのグレード処理ができるダイボンダ又はボンディング方法を提供する。
【解決手段】電気的特性の異なるダイＤを複数のグレード毎に分類した分類ダイＤ１、Ｄ２の分類マップを作成し、ウェハ１１からダイＤをピックアップし、ボンディングヘッド４１で基板Ｐ又はダイＤ上にボンディングし、搬送レーン５１によって分類ダイＤ１、Ｄ２に対応した分類基板Ｐ１、Ｐ２の単位で搬送し、単一の搬送レーン５１と単一のボンディングヘッド４１を有する、又は複数の搬送レーン５１と複数のボンディングヘッド４１を有するダイボンダ１０またボンディング方法であって、前記分類マップに基づいて、分類ダイＤ１、Ｄ２を対応する分類基板Ｐ１、Ｐ２にボンディング可能なように分類制御する。 （もっと読む）

【課題】減圧半田接合工程時に発生する溶融半田飛沫の飛散を防止し、前記飛沫による半導体チップの汚染や不良発生を抑制することのできる半導体チップの位置決め治具及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁回路基板の一面に載置される金属薄板に半導体チップを半田付けする際に用いられる半導体チップの位置決め治具３であって、位置決め治具３は、前記半導体チップを嵌め合わせる貫通孔２を有していて、貫通孔２の下端部に前記半導体チップに面して切り込まれた空間１３を有する半導体チップの位置決め治具とする。 （もっと読む）

【課題】印刷法で平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を付設でき、接着性に優れる接着剤付きウエハ、接着剤組成物及び接着剤付きウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】 レベリング作用を有する表面調整剤を含む接着剤組成物を用いて、半導体ウエハの表面に、平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を印刷法により付設したことを特徴とする接着剤付きウエハ。 （もっと読む）

【課題】ダイボンダにおいて一度エキスパンドした後、エキスパンドを解除してもチップ同士が接触しないようにする。
【解決手段】分断予定ラインが形成された半導体ウエーハが貼着された粘着シートがフレームにマウントされたワークを固定するフレーム固定手段と、固定されたワークの粘着シートを下から押し上げてエキスパンドし、前記半導体ウエーハを個々のチップに分割する突上げ用リングと、前記エキスパンドされた粘着シートの下側から前記個々のチップを突き上げるチップ突き上げピンと、前記突き上げられたチップをピックアップするコレットと、前記粘着シートを介して前記突上げ用リングと突き合わされて前記粘着シートをかしめるリング状の隔壁と、前記隔壁と前記突上げ用リングによってかしめられた前記隔壁の周囲の前記粘着シートを選択的に加熱する選択的加熱装置とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 短時間で、かつ高温を要しない熱硬化処理であっても被着体に対して十分な接着力を得られると共に、作製後も粘度の上昇を抑制可能な接着フィルム、及び当該接着フィルムを備えたダイシング・ダイボンドフィルムを提供する。
【解決手段】 本発明の接着フィルムは、カルボキシル基含有モノマーに由来する構成単位を含む熱可塑性成分と、エポキシ樹脂とを含む接着剤組成物により構成されており、上記熱可塑性成分におけるカルボキシル基含有モノマーに由来する構成単位の含有率が１．５ｍｏｌ％以上１１ｍｏｌ％以下である。 （もっと読む）

【課題】吸着孔を小径化せずにワークの基準マークを検出することが可能なワーク搬送装置、並びにワーク処理装置及びワーク処理方法を提供する。
【解決手段】ノズルユニット５０の吸着孔５２は、ワーク１００上面（被吸着面）の第１の基準マーク１０１を撮像装置７０により撮像可能で、且つワーク１００の上面の外形内側に収まる寸法及び形状を有する。透明体５３は、吸着筒体５１の他端（上端）を塞ぐ端面部である。透明体５３は、吸着筒体５１内部の負圧維持と撮像装置７０の光透過を両立させる。撮像装置７０は、ワーク１００の第１の基準マーク１０１を最低２箇所撮像する。ここで、撮像は、吸着孔５２に保持されたワーク１００の被吸着面を、透明体５３及び吸着孔５２を通して撮像する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を実装する際に、位置ずれが生じることを防ぎ、信頼性が高い半導体装置が得られるようにする。
【解決手段】
半導体装置は、第１の面１４ａ及び該第１の面１４ａと反対側の第２の面１４ｂを有する基板１４と、基板１４の第１の面１４ａに固着された半導体素子１１と、基板１４の第１の面１４ａから第２の面１４ｂまでを貫通するように形成された第１の透明樹脂部１５と、基板１４の第２の面１４ｂ側における第１の透明樹脂部１５の上に形成されたアライメントパターン１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電子部品において平坦な上面を有するパッドを作製する方法を提供する。
【解決手段】ａ）第一電子基板上２０２に硬化性シリコーン組成物の平坦な上面を有する堆積物２０５をステンシル印刷する過程であって、第一電子基板が半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択され、平坦な上面を有する堆積物のステンシル印刷がダウンステップステンシルを通したスクイジーにより行われる、堆積物をステンシル印刷する過程と、ｂ）平坦な上面を有する堆積物を硬化させる過程であって、それにより、平坦な上面を有するパッドを形成する、堆積物を硬化させる過程と、任意にｃ）平坦な上面を有するパッドの上面に第二電子基板２０６を接着する過程であって、第二電子基板は半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択される、第二電子基板を接着する過程、並びに、任意にｄ）過程ａ）、ｂ）及びｃ）を反復する過程を包含する、パッドを作製する方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ダイを確実にピックアップできるダイボンダ及び半導体製造方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、ダイボンダまたは半導体製造方法において、ウェハ上のダイを囲むダインシング溝を第１の照度で撮像し第1の撮像データを得、前記第１の撮像データから前記ダイシングク溝を検出し、前記ダイの所定位置の粗位置決め位置を定める粗位置決めし、前記ダイを第２の照度で撮像し第２の撮像データを得、前記第２の撮像データから前記粗位置決めに基づいて検索エリアを切り出し、前記検索エリアと予め定めたテンプレートとのマッチング処理を行ない前記所定位置の精細位置決め位置を定め、前記精細位置決め位置に基づいてボンディングヘッドのピックアップ位置を補正し、前記ダイをウェハからピックアップし基板にボンディングする。 （もっと読む）

【課題】高温環境下における回路基板からの電子部品の剥離を抑制することによって、信頼性を高めた電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】電子部品モジュール１は、セラミックス基板３の両面に第１および第２の金属板５、７が接合された回路基板２と、第１の金属板５に第１のろう材層８を介して接合され、少なくとも１２５℃で動作可能な電子部品９と、第２の金属板７に第２のろう材層１０を介して接合されたベース板１１とを具備する。第１のろう材層８は、電子部品９の使用温度より高く、かつ５７５〜７３０℃の範囲の融点を有するＡｇ−Ｃｕ系ろう材またはＡｌ系ろう材からなる。第２の金属板７の厚さに対する第１の金属板５の厚さの比は５０〜２００％の範囲である。 （もっと読む）

【課題】チップの反りを抑制する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】集積回路が表面に設けられたチップの側面に側面接着部材を形成する側面接着部材の形成工程と、前記チップの裏面に配置された裏面接着部材を介して前記チップをチップ搭載基板に押圧しながら前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に押圧して前記側面接着部材を前記チップ搭載基板に接着する第１の接着工程と、前記第１の接着工程の後に前記裏面接着部材を加熱して前記チップ搭載基板に前記チップを接着する第２の接着工程とを有すること。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チップ実装装置及びチップ実装方法に関する。
【解決手段】本発明によると、複数の基板ユニットがアレイされたワーキングパネル（Ｗｏｒｋｉｎｇ Ｐａｎｅｌ）が積載され、前記複数の基板ユニットのうち一部基板ユニットにチップ全体を実装する第１のフィーダステーション（Ｆｅｅｄｅｒ Ｓｔａｔｉｏｎ）を有する第１のチップマウンタと、前記第１のフィーダステーションによる前記一部基板ユニットへのチップ実装工程が終了したワーキングパネルを回転させる回転ユニットと、前記ワーキングパネルが積載され、前記複数の基板ユニットのうち残り基板ユニットにチップ全体を実装する第２のフィーダステーションを有する第２のチップマウンタと、を含むチップ実装装置及びチップ実装方法が提供される。本発明によると、ワーキングパネルにアレイされた複数の基板ユニットの不良認識及びチップ実装のための工程時間を短縮し、製品の生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体素子、及び半導体素子と多孔質状金属層との接合面等における、クラックや剥がれを抑制可能な半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板（Ｋ）またはリードフレーム（Ｌ）に設けられたパッド部（Ｐ）上に多孔質状金属層（Ｃ）を介して半導体素子（Ｓ）の金属層が接合されている半導体装置であって、前記多孔質状金属層（Ｃ）の外周側部位の金属密度がその内側に位置する中心側と比較して低いことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 イオン捕捉性の接着シートを採用してもその接着シートのイオン捕捉性の低下を防止することができるとともに、半導体装置の製造プロセスにおいて半導体チップに混入してくる金属イオンを捕捉して半導体装置の電気特性の低下を防止可能なダイシング・ダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材及び該基材上に積層された粘着剤層を有するダイシングフィルムと、上記粘着剤層上に積層された接着シートとを備え、上記接着シートは、金属イオンを捕捉し得るイオン捕捉剤を含み、上記粘着剤層の２６℃での貯蔵弾性率が１．０×１０^４Ｐａ以上１．０×１０^７Ｐａ以下である。 （もっと読む）

【課題】放熱効果及び層間熱膨張係数の差から発生する反り現象を防止できるとともに、層間熱膨張係数の差による内部変形率の差から発生する内部クラックを防止できる半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板１１０と、ベース基板１１０の上部に実装される実装材１２０と、ベース基板１１０と実装材１２０との間に形成される接着層１４０と、を含み、接着層１４０は、熱伝導性接着剤１４１と、熱伝導性接着剤１４１の外周に形成される軟性接着剤１４３と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】絶縁性を確保しつつ、はんだの厚さを制御可能な電子装置の製造方法及び電子装置を提供する。
【解決手段】金属板９上にはんだ５，１１を介して基板７を配置し、基板上にはんだ５を介して電子部品３，７を配置しはんだ５、１１をリフロー加熱してはんだ付けする電子装置１の製造方法において、はんだ５，１１の外周部に、絶縁性樹脂からなり、リフロー加熱時に溶融してはんだと密接するスペーサ２１，２２を配置し、リフロー加熱後に電子部品３，基板７を封止樹脂１５で樹脂封止する。 （もっと読む）

【課題】 高温に長時間晒されたとしても、ダイボンドフィルムと被着体との境界におけるボイドの発生を低減することができるダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 ニトリル基含有熱硬化性アクリル共重合体と硬化剤とを含有し、示差熱量計を用い、２５℃から３００℃まで１０℃／分の昇温速度にて測定した場合の発熱量が１０ｍＪ／ｍｇ以下であるダイボンドフィルム。 （もっと読む）