【課題】基板の表面高さ測定を、生産性を低下させず低コストで精度よく行なうことにより適正な処理を実行することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓを厚さ方向に挟持するグリッパ２０と、該グリッパを半導体製造装置における処理装置間に移動させる搬送装置１０と、基板Ｓを挟持した際のグリッパ２０における上側の把持位置の高さを測定する距離センサ７１と、該距離センサの測定値から得られる処理装置における基板表面高さに基づいて、処理装置におけるアクセス部材が基板厚さ方向へ接近すべきアクセス距離を算出する演算部７５と、該演算部の演算結果に基づいて前記処理装置におけるアクセス部材を基板Ｓに対し厚さ方向へ接近離反させる制御部ｐｓ、ｑｓとを備えたことを特徴とする半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、片面樹脂封止型の半導体装置において、２６０℃以上という高温環境下においても耐半田クラック性に優れる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
金属製支持体のダイパット上に熱硬化性接着剤組成物を介して半導体素子を載置する工程と、所定の加熱条件Ａにより前記接着剤組成物を硬化するとともに前記金属製支持体と前記半導体素子とを接着する工程と、前記金属製支持体のダイパットの前記半導体装置が接着された面と反対面の側を露出させた状態で、前記金属製支持体と半導体素子とを封止用樹脂組成物により封止する工程と、を有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物であって、前記熱硬化性接着剤組成物の所定の反り評価試験Ｓにおける反り量１と反り量２とが、所定の条件式１および２を満たすものである半導体装置製造方法。 （もっと読む）

【課題】鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック性に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】繊維状支持基材に熱硬化樹脂を含浸させてなる樹脂支持体２と半導体素子３とを熱硬化性接着剤組成物１を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程と、前記工程により接着された支持体２と半導体素子３とを所定の加熱条件Ｂにて封止用樹脂組成物により封止する工程と、前記工程により封止された後、熱処理する工程とを有する半導体装置の製造方法に用いられる熱硬化性接着剤組成物１であって、所定の反り評価試験における反り量１が所定の条件式１を満たすものである熱硬化性接着剤組成物。［条件式１：−１０（μｍ）≦反り量１≦１０（μｍ）］ （もっと読む）

【課題】複数のチップを基板上に順次実装するときに、チップを吸着する吸着ヘッドの厳密な位置の制御を行う必要がなく、実装装置の動作の回数を最小限に抑え、基板上に複数のチップの全てを載置するための時間を短縮できる実装方法及び実装装置を提供する。
【解決手段】複数の素子４０を基板３０上に順次実装する実装方法において、複数の素子４０を収容した収容部２０から取出部５により取り出した一の素子４０−１を、基板３０の表面であって液体３２が塗布された一の領域３１−１に載置する載置工程と、一の領域３１−１に一の素子４０−１を載置する際に、基板３０の表面の一の領域３１−１と異なる領域３１−２に、取出部５と共に移動可能に設けられた塗布部６により液体３２を塗布する塗布工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】装置コストを増大させることなく、チップ等の素子を基板に確実に実装することができる、実装方法及び実装装置を提供する。
【解決手段】基板上に素子を実装する実装方法において、基板１０の基板表面であって素子５０を接合する領域１１を親水化処理する第１の親水化処理工程と、素子５０の素子表面を親水化処理する第２の親水化処理工程と、素子５０を、親水化処理された素子表面が上方に向くように、載置部２００に載置する載置工程と、親水化処理された素子表面に液体５２を塗布する塗布工程と、基板１０を、基板表面であって素子５０を接合する領域１１が下方に向くように、載置部２００の上方に配置する配置工程と、載置部２００の上方に配置した基板１０と、素子５０を載置した載置部２００とを近づけ、液体５２と基板表面とを接触させる接触工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】貯蔵安定性及び速硬化性に優れ、かつ、透明性が高く、半導体チップボンディング時のアライメントマークの認識を容易なものとする半導体チップ接合用接着剤、該半導体チップ接合用接着剤を用いて製造される非導電性ペースト及び非導電性フィルムを提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、水酸基当量が１１０以上のフェノール系硬化剤と、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾールとを含有する半導体チップ接合用接着剤、並びに該接着剤を用いて製造されることを特徴とする非導電性ペースト及び非導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】チップを多段に積層した構成を有する半導体装置を薄型化する。
【解決手段】半導体ウエハ１Ｗの半導体基板１Ｓの内部に集光点を合わせた状態でレーザ光を照射することにより改質領域ＰＬを形成する。続いて、半導体ウエハ１Ｗの裏面に回転塗布法により液状の接着材を塗布した後、これを乾燥させて固体状の接着層８ａを形成する。その後、上記改質領域ＰＬを分割起点として半導体ウエハ１Ｗを個々の半導体チップに分割する。この半導体チップをその裏面の接着層８ａにより他の半導体チップの主面上に接着することにより、半導体チップが多段に積層された構成を有する半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】２つのパッケージを積層するＰＯＰタイプの半導体装置が備える、上側に搭載される半導体パッケージにおいて、このものに生じる反りの大きさが低減された半導体パッケージ、および、かかる半導体パッケージが他の半導体パッケージ上に搭載され、これら半導体パッケージ同士を電気的に接続する半田バンプにおけるクラックの発生が低減された信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体パッケージは、インターポーザー１２（基板）と、このインターポーザー１２上に設置された半導体素子１５と、インターポーザー１２と半導体素子１５とを接着する接着層１４と、半導体素子１５をインターポーザー１２ごと覆うように設けられたモールド部（封止部）１６とを有し、接着層１４の常温における弾性率が１０００ＭＰａ超、１００００ＭＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】平置きタイプの半導体装置において、ワイヤボンディング不良の発生を抑制する。
【解決手段】複数の半導体チップ１２を、配線基板４０が有する複数のチップ搭載領域２０ａ上にそれぞれ液状の接着材ペースト１１ａを介して搭載する半導体装置の製造方法であって、配線基板４０を以下のようにする。すなわち、各デバイス領域４０ａ内で、並べて配置される複数のチップ搭載領域２０ａの間には、端子（ボンディングリード）２２を配置せず、配線基板４０を覆う絶縁膜２６に形成された溝部（ダム部）２６ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上を図ることができ、しかも、装置全体としても大型化せず、低コスト化を達成できる塗布装置および塗布方法を提供する。
【解決手段】塗布装置は、ペースト状の塗布剤Ｐを被塗布部２０に塗布するための一対の転写ピン２１，２２を備える。状態変位手段２５にて、第１状態と第２状態とに交互に変位させる。第１状態は、第１の転写ピン２１がペースト状の塗布剤Ｐが溜められる塗布剤溜り部の上方に対応するとともに第２の転写ピン２２が被塗布部２０の上方に対応する。第２状態は、第２の転写ピン２２がペースト状の塗布剤Ｐが溜められる塗布剤溜り部の上方に対応するとともに第１の転写ピン２１が被塗布部２０の上方に対応する。Ｚ軸方向移動手段にて、第１状態及び第２状態において各転写ピン２１、２２を上下方向であるＺ軸方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた場合であっても十分な気密封止性を得ることができる感光性接着剤組成物を提供する。
【解決手段】露光及び現像によってパターニングされた後に被着体に対する熱圧着性を有し且つアルカリ現像が可能な感光性接着剤組成物１ａであって、露光後、更に加熱硬化された後の１１０℃における貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上である、感光性接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】ダイボンド時のダイ圧着荷重が小さくても、または圧着時間が従来よりも短くてもボイドのない半導体装置を簡便に製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、硬化した接着剤層を介してチップが積層された基板からなる半導体装置を製造する方法であって、未硬化の接着剤層を介してチップが積層された基板を加熱して、前記未硬化の接着剤層を硬化させて硬化した接着剤層とする加熱硬化工程；および前記加熱硬化工程によって、前記未硬化の接着剤層を介してチップが積層された基板が、８０℃以上であって接着剤層の反応率が１０％となる温度以下である加圧開始温度まで加熱されてから、前記基板を、常圧に対し０．０５ＭＰａ大きい圧力以上の静圧により加圧する静圧加圧工程を含む。 （もっと読む）

【課題】リフォームラインからマウントラインを近づけることができて、生産性の向上を図ることができ、しかも、マウント時までにおいて塗布剤が乾きにくく高品質のマウントを行うことが可能なマウント装置及びマウント方法を提供する。
【解決手段】上流側のプリフォーム位置にて、ワークＷのマウント部位２０にペースト状の塗布剤５０を塗布した後、下流側のマウント位置にて、塗布剤５０が塗布されているマウント部位２０にチップ２１を順次マウントしていく。ワークＷのマウント部位２０がプリフォーム位置に対応しないときにプリフォーム位置をマウント部位に対応するように変更する。マウント部位２０がマウント位置に対応しないときにマウント部位２０がマウント位置に対応するようにワークＷの位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を小型化することが可能な、厚さの薄い接着剤層付半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】一方面上に回路を有する半導体ウェハ１０の他方面上に溶媒を含む接着剤組成物４０を塗布する塗布工程と、接着剤組成物１０の前記溶媒を除去して接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、接着剤層４０を形成した半導体ウェハ１０を切断して接着剤層付半導体チップを得る切断工程と、を備える、接着剤層付半導体チップの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングを良好に実施できる、信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】弾性表面波素子２と、接着剤により弾性表面波素子２が上面に接着されるダイパッド６と、ダイパッド６と離間して配置され、弾性表面波素子２と電気的に接続される複数のワイヤボンディングパッド８と、ダイパッド６と複数のワイヤボンディングパッド８の少なくとも１つとを電気的に接続する接続部１２と、を備える樹脂ベース４と、接続部１２の上に設けられた樹脂部１８と、を具備し、接続部１２はダイパッド６の上面より、樹脂ベース４側に屈曲した凹部１４を有し、凹部１４の上は樹脂部１８に覆われている、を具備し、接続部１２はダイパッド６の上面より、樹脂ベース４側に屈曲した凹部１４を有する弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】不純物の少ない半田を供給することができ、しかも長時間稼動させることができる半田供給装置を提供する。
【解決手段】酸化防止雰囲気とされる溶融槽１にインゴット半田が供給され、溶融槽内でインゴット半田を加熱して溶融し、溶融槽１から溶融半田Ｌを吐出する半田供給装置である。溶融槽内に非酸化性ガスを供給する非酸化性ガス供給手段２３を備えるとともに、溶融槽１に、非酸化性ガスを溶融槽内へ供給する供給口２５と、溶融槽内の非酸化性ガスを溶融槽外へ排出する出口２８とを設け、非酸化性ガス供給手段２３により、非酸化性ガスを供給口２５から出口２８にまで流通させて、溶融槽内に、溶融槽内の酸化防止雰囲気を維持する非酸化性ガスの流路を形成しつつ、溶融半田Ｌを吐出する。 （もっと読む）

【課題】好適な作業性を有し、かつ得られる積層構造体が高温プロセス信頼性に優れたものとなる積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の構造体上に接着剤組成物を介して第２の構造体に接着する工程を有する積層構造体の製造方法であって、接着剤組成物が熱硬化性樹脂（Ａ）、および一般式（１）で表される化合物（Ｂ）を含有し、化合物（Ｂ）中、一般式（１）におけるｎが４以上の化合物の割合をＸ％、化合物（Ｂ）に含まれる一般式（２）で示される化合物の割合をＹ％とするとき、ＸとＹが所定の関係式１を満たすことを特徴とする積層構造体の製造方法。（１）Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｓｉ−（ＣＨ_２）_ｍ−（Ｓ）_ｎ−（ＣＨ_２）_ｍ−ＳｉＲ^１Ｒ^２Ｒ^３、（２）Ｘ−（ＣＨ_２）_ｍ−ＳｉＲ^１Ｒ^２Ｒ^３［関係式１：Ｙ＜−２．７ｘ１０−３Ｘ＋０．８］ （もっと読む）

【課題】
作業性、低応力性および耐湿性に優れ、かつリフロー剥離耐性に優れる半導体用樹脂組成物を提供し、該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチペーストまたは放熱部材接着用材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】
熱硬化性樹脂（Ａ）、および所定の構造式（１）で表される化合物（Ｂ）を含有し、 前記化合物（Ｂ）中の所定の構造式（１）におけるｎが４以上の化合物の割合をＸ％、前記化合物（Ｂ）に含まれる一般式（２）で示される化合物の割合をＹ％とするとき、ＸとＹが以下の関係式１を満たすことを特徴とする樹脂組成物。
[関係式１]Ｙ＜−２．７×１０^−３Ｘ＋０．８ （もっと読む）

【課題】接着剤の揮発成分の付着によるリードフレームの汚染を防止することができる樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止半導体装置を得る。
【解決手段】接着剤が塗布されるリードフレーム１６の支持部２４には、他の領域に比べて表面粗さが粗くされた粗面領域４０が設けられている。このため、粗面領域４０にのみに接着剤の揮発成分が拡散（ブリード効果）し、他の領域へ拡散が抑制される。このように、接着剤の揮発成分が他の領域に拡散するのを抑制することで、リードフレーム１６の汚染を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】端末配線部において中継のための部品類を必要とすることなく配線のコンパクト化を図ることができる電子部品実装用装置および電子部品実装用装置における端末部品の配線接続構造を提供する。
【解決手段】電子部品実装用装置において所定の作業を行う作業部に設けられたセンサＳ１，Ｓ２，Ｓ３などの端末部品を接続する伝達配線部として用いられる専用のケーブル６４Ａを、センサＳ１，Ｓ２，Ｓ３と制御部とを接続し個別に絶縁被覆された心線６８（１）、（２）、（３）からなる複数の信号伝達線６７Ａ，６７Ｂ，６７Ｃと、センサＳ１，Ｓ２，Ｓ３と電源部とを接続し、同電位の電力を供給する複数の心線６６ａ（１）、（２）、（３）、６６ｂ（１）、（２）、（３）をそれぞれ撚り合わせて共通の絶縁被覆を設けた電力供給線６５Ａ，６５Ｂとを有する構成とする。 （もっと読む）