【課題】導電性発熱体の電流印加配線に電流を流して半田層のみを局所的に加熱して半導体を接合することにより、熱応力の減少および基板の変形を防止することができる半導体パッケージ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体パッケージ基板の製造方法は、（Ａ）上部に半田層１２０が形成された接続部１１０を一面に備えたベース基板１００を準備する段階と、（Ｂ）半田層１２０の上部に、電流印加配線３１０の備えられた導電性発熱体３００を配置する段階と、（Ｃ）電流印加配線３１０に電流を印加して半田層１２０を加熱することにより、半導体チップ２００を接続部１１０と接合する段階と、（Ｄ）導電性発熱体３００の電流印加配線３１０を除去する段階とを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体支持部材上にダイボンディング材を印刷法により塗布して半導体チップを接合するときのタクトタイムを削減することができ、なおかつＢステージ化での硬化不足や過度の硬化による組立不具合を十分防止できて、信頼性に優れる半導体装置を生産性よく製造することを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップを搭載するための半導体支持部材１０上に、光硬化性成分及び熱硬化性成分を含み溶剤の含有量が５質量％以下であるダイボンディング用樹脂ペーストを印刷法により塗布して樹脂ペーストの塗膜３０を設ける第１工程と、塗膜３０への光照射により光硬化性成分を光硬化する第２工程と、半導体支持部材１０と半導体チップ５０とを、光照射された塗膜３２を挟んで圧着して接合する第３工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 素子部品の搭載を容易にする。
【解決手段】 素子部品が収納されたパレットから導電性接着剤が設けられた素子搭載部材ウェハに素子部品を搭載する素子部品搭載装置であって、パレットから移動された素子部品を仮置きするトレーと、パレットに収納された複数の素子部品を吸引する複数の吸着部を有し、吸着部で素子部品をトレーに仮置きし、仮置きした素子部品をトレーから素子搭載部材ウェハの所定の位置に搭載する吸引移動手段とを備え、トレーが素子部品を個別に仮置きさする複数の凹部を有し凹部の壁面が傾斜しつつ凹部の開口側に露出しており、吸引移動手段がトレーの凹部に素子部品を仮置きした場合に、素子部品が凹部の傾斜した壁面を滑り凹部の底面に位置したところで、再度、素子部品を吸引して素子搭載部材ウェハの搭載位置まで移動して吸引した素子部品を所定の位置に搭載することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体支持部材上にダイボンディング材をスクリーン印刷法により塗布して半導体チップを接合するときのタクトタイムを削減することができ、なおかつＢステージ化での硬化不足や過度の硬化、残留した溶剤に起因する組立不具合を十分防止できて、信頼性に優れる半導体装置を生産性よく製造することを可能とするダイボンディング用樹脂ペースト、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のダイボンディング用樹脂ペーストは、（Ａ）２５℃における粘度が１００Ｐａ・ｓ以下である光重合性化合物、（Ｂ）熱硬化性化合物、及び（Ｃ）熱可塑性エラストマーを含有し、溶剤の含有量が５質量％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】極薄の半導体ウエハを用いる場合であっても、半導体ウエハの破損を十分に防止しながら、半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１の回路面にバックグラインドテープ４を積層する工程と、裏面を研磨する研磨工程と、研磨された裏面上にＢステージ化された接着剤層５を形成する工程と、接着剤層５上にダイシングテープ６を積層する工程と、バックグラインドテープ４を回路面から剥離する工程と、半導体ウエハを複数の半導体チップに切り分ける工程と、半導体チップをその裏面上に設けられた前記接着剤層５を介して支持部材又は他の半導体チップに接着する接着工程と、をこの順に備える、半導体装置の製造方法。回路面にバックグラインドテープを積層してから、半導体ウエハが半導体チップに切り分けられるまでの間、半導体ウエハが接する環境又は物体の温度が５〜３５℃である。 （もっと読む）

【課題】ナノ粒子を用いた焼結接合剤において安定した分散性と接合性とを両立するとともにイオンマイグレーションを抑制することができる酸化銅ナノ粒子を主材とする焼結接合剤、その製造方法およびそれを用いた接合方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る焼結接合剤は、酸化第二銅ナノ粒子を用いた焼結接合剤であって、粒径2 nm以上50 nm以下の前記酸化第二銅ナノ粒子を１次粒子として用い、前記１次粒子が凝集して粒径3 nm以上1000 nm以下の２次粒子を構成し、前記２次粒子が溶液中に分散していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】平均粒径が１００ｎｍ以下の金属粒子を用いた接合用材料と比較して、接合界面で金属結合による接合をより低温で実現可能な接合用材料，接合方法を提供することを目的とする。
【解決手段】平均粒径が１ｎｍ〜５０μｍ以下の金属酸化物，金属炭酸塩、又はカルボン酸金属塩の粒子から選ばれる少なくとも１種以上の金属粒子前駆体と、有機物からなる還元剤とを含み、前記金属粒子前駆体の含有量が接合用材料中における全質量部において５０質量部を超えて９９質量部以下である接合用材料を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
硬化することにより長期信頼性に優れた硬化物が得られる液状硬化性組成物を提供する。
【解決手段】
（Ａ）過酸化水素を酸化剤として用いた酸化反応により分子内に炭素−炭素二重結合を有する化合物の炭素−炭素二重結合をエポキシ化して得られる全塩素量が１０質量ｐｐｍ以下であるエポキシ化合物、（Ｂ）硬化剤および（Ｃ）充填材を含む液状硬化性組成物である。好ましくはエポキシ化合物はアリルエーテル結合を有する化合物の炭素−炭素二重結合を酸化して得られる２つ以上のグリシジル基を一分子中に有する室温で液状の化合物である。 （もっと読む）

【課題】接着促進剤及び導電促進剤としてのキノリノール誘導体の金属塩を含有するダイ取付接着材を提供すること。
【解決手段】本発明のダイ取付組成物は、接着性及び／又は導電性促進剤として８−キノリノール誘導体の金属塩を添加することによって、改善された接着性及び導電性を示す。８−キノリノール誘導体の金属塩は、Ｃｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｙｔ、Ｌａ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｅ及びＰｒからなる群から選ばれる金属が配位することによって形成される。 （もっと読む）

【課題】 Ｎｉ−Ｐｄリードフレームへの良好な密着性を示すとともに弾性率の低い樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチ材料とすることにより耐半田クラック性等の信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体素子を接着する樹脂組成物であって、銀粉（Ａ）、グリシジル基を有する化合物（Ｂ）、融点が１８０℃以上のイミダゾール化合物（Ｃ）を必須成分とし、化合物（Ｂ）の一部がポリアルキレンオキサイド骨格ならびにグリシジルオキシフェニル基を有する化合物であることを特徴とする樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】基板と電子部品の間から食み出す液状材料の食み出し状態を安定化させる。
【解決手段】食み出し情報抽出手段Ｃによって抽出された情報と食み出し情報記憶手段Ｄに記憶された情報とに基いて、新たに電子部品搭載手段Ａで搭載される電子部品８と其の周辺状況を撮像手段Ｂで撮像した際に食み出し情報抽出手段Ｃによって抽出される情報と食み出し情報記憶手段Ｄに記憶された情報との類似の度合いが増大するように、つまり、液状材料５の実際の食み出し状態と理想的な食み出し状態との乖離が解消されるように電子部品搭載手段Ａにおける電子部品８の押圧時間ｔまたは電子部品８の押圧圧力である搭載荷重を調整する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合後に部材汚染を生じることなく接合可能となる半導体デバイスの製造法であって、接合部材に対し均一に塗布可能としつつ、簡便なプロセスで接合可能となる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、基板と半導体素子とを接合部材として接合する半導体デバイスの製造方法において、（ａ）一方の接合部材に、所定の純度及び粒径の貴金属粉と、所定の沸点の有機溶剤とからなり、チクソトロピー指数（ＴＩ）値が６．０以上である貴金属ペーストを塗布する工程、及び（ｂ）前記貴金属ペーストを介して前記一方の接合部材と他方の接合部材とを配置し、少なくとも焼結体を８０〜３５０℃に加熱しながら一方向又は双方向から加圧して接合する工程、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】取付板を厚くせずとも、被接着物と取付板の接着強度を向上させることである。
【解決手段】イメージセンサ取付構造１が、開口部２１を有した取付板２０と、開口部２１内に配置されたイメージセンサ１０と、開口部２１の縁２６とイメージセンサ１０との間に挟まれて、開口部２１の縁２６と前記イメージセンサ１０を接着した接着剤３０と、を備え、開口部２１の縁２６であって取付板２０の裏側の角部に面取り部２７が形成され、接着剤３０の一部３２が面取り部２７に固着していることを特徴とする （もっと読む）

【課題】ダイボンド樹脂にビーズを混ぜ込まなくても、ワイヤボンディング強度を向上させることができる、センサ装置を提供すること。
【解決手段】半導体圧力センサ素子１１と、実装基板１２と、半導体圧力センサ１１と実装基板１２との間に挟まれたレジストスペーサ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄとを備え、半導体圧力センサ素子１１と実装基板１２がワイヤボンディングされる、圧力センサ装置であって、レジストスペーサ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄは、半導体圧力センサ素子１１の取り付け面１１ａ１とダイボンド樹脂１５によって接着される被取り付け面５２ａ１，５２ｂ１，５２ｃ１，５２ｄ１を有し、被取り付け面５２ａ１，５２ｂ１，５２ｃ１，５２ｄ１の総面積が、取り付け面１１ａ１の総面積よりも小さいことを特徴とする、センサ装置。 （もっと読む）

【課題】放熱性が高く、かつ光の反射率が高く、更に高温に晒されても黄変し難い光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さずかつアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化チタンとを含む。該酸化チタンは、ルチル型酸化チタンである。該酸化チタンの熱伝導率は、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。該酸化チタンは、金属酸化物及び金属水酸化物の内の少なくとも１種により被覆されている。 （もっと読む）

【課題】低温（１２５℃）以下で硬化でき、接着強度に優れるとともにブリードアウトを生じることなる、作業性が良好な樹脂ペースト組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）アクリル酸エステル化合物及びメタクリル酸エステル化合物から選択される化合物、（Ｂ）下記一般式（１）で表され、且つ１０時間半減期温度が６０〜８０℃である過酸化物、（Ｃ）可とう化材、及び、（Ｄ）非球状フィラー及び球状フィラーを含む充填材を含有してなる樹脂ペースト組成物。


（式（１）中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基、又２−アシルパーオキシプロピル−２−イル−アルキレン基を示し、Ｒ¹は炭素数３〜１０のアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】アタッチメントへの半導体用封止材の付着を抑制しながら、良好なフィレットを形成することのできる半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】厚みが１００μｍ以下の半導体チップを基板に実装する半導体チップの実装方法であって、基板に半導体用封止材を供給する工程と、前記半導体用封止材を介して、半導体チップを前記基板に搭載する工程と、前記半導体用封止材を硬化する工程とを有し、前記基板は、水との接触角が３０°以下である半導体チップの実装方法。 （もっと読む）

【課題】ボンディングの際、基板の熱変形によって真空至達エラーが発生することを防止するダイボンディング装置及びボンディング方法を提供する。
【解決手段】供給される半導体ウェハから半導体チップを移動して基板上に搭載するダイボンディング装置は、基板を吸着及び保持して搬送するステージ３０と、先端に半導体チップを吸着及び保持するコレット１３０を含むボンディングヘッド１１と、ボンディングヘッドを保持して水平方向に移動する水平移動機構と、コレット１３０を上下方向に移動する垂直移動機構と、更に、半導体チップを前記基板上にボンディングする際、ステージ上に吸着及び保持される基板の表面にホットエアを吹き付けるホットエア吹付装置２０（又は、ホットエア吹付ノズル）を設けた。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導を保持しながら剥離を低減することができる電子部品を得る。
【解決手段】セラミック基板１０のダイパッド１２に第１の接着剤１４が格子状に配置されている。セラミック基板１０のダイパッド１２の第１の接着剤１４に囲まれた部分に第２の接着剤１６が配置されている。第１及び第２の接着剤１６によりセラミック基板１０のダイパッド１２に半導体チップ１８が接合されている。第１の接着剤１４の硬化後の弾性係数は、第２の接着剤１６の硬化後の弾性係数より小さい。第２の接着剤１６の熱伝導率は、第１の接着剤１４の熱伝導率より高い。 （もっと読む）

【課題】接着剤の充填性に優れ、ボイドの噛み込み及び樹脂引けを抑制することができ、更に、半導体チップ接合領域からの接着剤のはみ出しを調整することのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。また、該半導体チップ実装体の製造方法を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、基板又は他の半導体チップとを接合した半導体チップ実装体の製造方法であって、基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の４０〜９０％に、半導体部品用接着剤を塗布する工程（１）と、前記半導体部品用接着剤を介して、前記基板又は他の半導体チップ上に半導体チップを積層することにより、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の６０％以上１００％未満に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（２）と、室温下にて、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域全体に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）と、前記半導体部品用接着剤を硬化させる工程（４）とを有し、前記半導体チップ、及び、前記基板又は他の半導体チップは、厚さが５０〜３００μｍであり、前記半導体部品用接着剤は、２５℃でＥ型粘度計を用いて測定したときの０．５ｒｐｍにおける粘度が２０〜４０Ｐａ・ｓ、１０ｒｐｍにおける粘度が１０〜３０Ｐａ・ｓである半導体チップ実装体の製造方法。 （もっと読む）