【課題】本発明は、接合層の表面を平坦化させることができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ウェーハの回路パターンが形成された第１の面と対向する第２の面に、樹脂と溶媒とを含む接合剤を付着させる際に、接合剤を加熱して前記溶媒を蒸散させるとともに、前記接合剤が面する雰囲気における前記溶媒の蒸気圧を低下させる工程と、前記付着させた接合剤を加熱して接合層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】薄膜の接着剤層を安定して形成することができる接着剤層の形成方法を提供する。また、接着剤付き半導体チップを熱圧着する際に、空隙（ボイド）を発生しない、あるいは空隙（ボイド）が発生してもパッケージ化されるまでにボイドが消失又は微小化する熱硬化性組成物を提供する。
【解決手段】被接着面上に、熱硬化性組成物及び有機溶媒を含む接着剤組成物を非接触型の塗付装置を用いて選択的に塗布する塗布工程と、前記被接着面上に塗布された前記接着剤組成物の溶媒を除去する溶媒除去工程とを有する接着剤層形成方法であって、前記熱硬化性組成物が反応温度の異なる２種類の硬化性を有することを特徴とする接着剤層の形成方法であって、前記接着剤組成物は、エポシキ樹脂と、エポキシ硬化剤との反応からなり、１００〜１６０℃にＤＳＣピークを有する第１の硬化反応と、エポシキ樹脂の自己重合反応からなり、１４０〜２００℃にＤＳＣピークを有する第２の硬化反応とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と基板との接合部に発生する気泡を低減させた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ダイマウント接合電極１３を有するＬＥＤチップ１０をセラミック基板２０に実装する実装工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記実装工程は、前記セラミック基板上に、Ａｕ−Ｓｎ共晶はんだ粒子４１を有するはんだペースト４０を供給する工程と、前記はんだペースト上に、前記ダイマウント接合電極上にＳｎ膜１４が形成された前記ＬＥＤチップをマウントする工程と、前記Ａｕ−Ｓｎ共晶はんだ粒子、及び前記Ｓｎ膜を溶融させて、前記セラミック基板とＬＥＤチップを接合する工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハや接着剤層が薄型化した場合であっても、製造の歩留まりを十分に確保できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法では、接着剤層形成工程とダイシングシート貼付工程との間に、平面視において半導体ウェハ１の縁よりも外側に形成された感光性接着剤層３の余剰部分４を除去する接着剤層除去工程を設けている。したがって、接着剤層除去工程に後続するダイシングシート貼付工程において感光性接着剤層３の余剰部分４を介してと粘着シート２とダイシングシート６とが直接に繋がることを回避できる。これにより、粘着シート２を半導体ウェハ１から剥離する際の不具合の発生を抑えることが可能となり、半導体ウェハ１や接着剤層３が薄型化した場合であっても、製造の歩留まりを十分に確保できる。 （もっと読む）

【課題】後工程でのリフロー処理においてダイボンドはんだ２０が溶融したときに、溶融したダイボンドはんだ２０がダイパッド１２とダイ１１の間から流失するのを阻止し、ダイ１１とダイパッド１２との間にボイドが形成されるのを回避して、高い接合安定性を備えた回路装置を得る。
【解決手段】ダイパッド１２に載置するダイ１１の周囲を囲むようにしてダム材２を形成する。ダム材２で囲われた内側領域内の全面を満たすようにダイボンドはんだ２０を充填する。それにより、リフロー工程で、ダイボンドはんだ２０が溶融しても溶融したダイボンドはんだ２０はダム材２で囲われた内側領域内に留まっていることができ、流失することはない。それにより、ダイ１１とダイパッド１２との間にボイドが形成されるのは回避される。 （もっと読む）

【課題】速硬化性に優れ、硬化物が高密着性かつ高温で低弾性であり、耐リフロークラック性に優れた半導体装置を製造することのできる電子部品接合用接着剤を提供する。
【解決手段】エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、硬化剤及びベンゾオキサジン化合物を含有する電子部品接合用接着剤。 （もっと読む）

【課題】金属粒子を含有した接合材で半導体素子と基板とを加圧接合するときに、はみ出した接合材の収縮割れを抑制し、耐ヒートサイクル特性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１が緩挿可能な開口部と、この開口部の開口縁に開口部の開口断面積より大きい開口断面積を有する接合材逃がし部とを有する接合治具４を用いる半導体装置５の製造方法であって、基板２と半導体素子１との間に金属粒子を含有した接合材３を狭持する工程と、半導体素子１が開口部に緩挿されるように接合治具４を配置する工程と、接合治具４を介して半導体素子１と基板２との間を２００℃以上５００℃以下の温度環境下において加圧する工程とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】シリンジ交換時における塗布条件パラメータのフィードバック処理を簡便に行うことができるペースト塗布装置を提供することを目的とする。
【解決手段】シリンジに貯留されたペースト１８を空圧によって塗布ノズル１９から吐出して基板に設定された塗布対象部に塗布するペースト塗布装置において、ペーストを吐出するためにシリンジに供給される空圧を、塗布対象部の塗布パターンに適した標準的な空圧値に対応する標準圧力パラメータＰ０ｉおよび標準的な空圧値の補正値に対応するオフセット圧力パラメータＰ１ｉで構成し、シリンジの交換に際してオフセット圧力パラメータＰ１ｉをデフォルト値にリセットする。これにより、シリンジ交換時における圧力パラメータのフィードバック処理を簡便に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の樹脂組成物は、作業性に優れかつ、２６０℃以上という高温環境下においても半導体装置にクラック等の不具合が生じず優れた信頼性を半導体装置に付与することができる熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】
金属酸化物（Ａ）、水酸基を有する化合物（Ｂ）、および低応力剤（Ｃ）、および熱硬化性樹脂（Ｄ）を含有する樹脂組成物であって、前記金属酸化物（Ａ）がＩＲ粉体拡散反射法における３７２０ｃｍ^−１以上３７７０ｃｍ^−１未満の赤外線波長領域に生じるピーク面積値が０．1（Ａｃｍ^−１）以上２．０（Ａｃｍ^−１）未満であることを特徴とする樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】作業性に優れ、反りが小さく十分な低応力性を有する樹脂組成物、該樹脂組成物をダイアタッチ材料として使用することで、高温リフロー、温度サイクル試験を行っても剥離が生じない高信頼性の半導体装置を提供する。
【解決手段】
グリシジル基を有する化合物（Ａ）、グリシジル基と反応可能な官能基を有する化合物（Ｂ）およびリン原子含有化合物（Ｃ）とを含む半導体用接着剤であって、前記グリシジル基を有する化合物（Ａ）が、下記成分（ａ）を該化合物（Ａ）全重量に対して９５重量％以上の割合で含有するものであることを特徴とする半導体用接着剤。
[成分（ａ）：１分子中に含まれるグリシジル基の数が２である成分] （もっと読む）

【課題】印刷前接着剤中気泡を低減し、かつ半導体素子搭載時のボイド発生を減少することで、信頼性の高い液状樹脂組成物を提供するものである。
【解決手段】少なくとも溶剤（Ａ）と、熱硬化性樹脂（Ｂ）と、フィラー（Ｃ）とを含有する液状樹脂組成物であって、前記溶剤（Ａ）と熱硬化性樹脂（Ｂ）とを混ぜたワニス（Ｗ）の比重ｄ１、前記フィラー（Ｃ）の比重ｄ２および前記フィラー（Ｃ）の平均粒径ｄ（μｍ）が下記条件式１を満たすことを特徴とする液状樹脂組成物。
［条件式１：｜ｄ^２（ｄ２−ｄ１）｜＜１．２６］ （もっと読む）

【課題】各ノズルから吐出されたペーストボールどうしの間隙におけるボイドの発生を十分に抑制する。
【解決手段】ペースト塗布ノズル装置は、本体部１と、本体部１からそれぞれ突出するように設けられ、本体部１側から供給されるペーストによりそれぞれの先端にペーストの球状体（ペーストボール）が形成される複数の管状のノズル２ａ、２ｂ、２ｃと、を有している。複数のノズル２ａ、２ｂ、２ｃは互いに平行に配置されている。このうち中央のノズル２ａの先端には、その他のノズル２ｂ、２ｃよりも大きい球状体が形成されるように、中央のノズル２ａは、その他のノズル２ｂ、２ｃよりも長さが短く形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造時や動作時の熱サイクルにおいて半導体素子と回路パターン間の接合部にかかる応力を低減できる導電性接合材料、および信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】導電性接合材料１０の構成として、第１の金属からなり、第１の金属の融点よりも低い温度で焼結可能な金属微粒子１と、金属微粒子１よりも粒径が大きな樹脂の粒２ａに第１の金属と焼結可能な第２の金属を被覆した金属被覆樹脂粒２と、を骨材として備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップ又はウエハの接合領域からはみ出る電子部品用接着剤の量を調整し、小型化しても高精度かつ信頼性の高い電子部品積層体を得ることのできる電子部品積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ又はウエハが、電子部品用接着剤を介して基板、他の半導体チップ又は他のウエハに接合された電子部品積層体の製造方法であって、基板、他の半導体チップ又は他のウエハに電子部品用接着剤を塗布する塗布工程（１）と、加熱及び押圧しながら、前記塗布した電子部品用接着剤を介して、前記基板、他の半導体チップ又は他のウエハ上に半導体チップ又はウエハを積層し、前記電子部品用接着剤の濡れ広がった領域を、前記半導体チップ又はウエハの接合領域の６０％以上１００％未満とした後、押圧を解除するボンディング工程（２）と、前記電子部品用接着剤を加熱することにより、前記半導体チップ又はウエハの接合領域全体に、前記電子部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程（３）と、前記電子部品用接着剤を硬化させる硬化工程（４）とを有し、前記塗布工程（１）において、前記電子部品用接着剤を塗布する領域は、前記半導体チップ又はウエハの接合領域の４０〜９０％であり、前記電子部品用接着剤は、Ｅ型粘度計を用いて２５℃にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が２０〜１００Ｐａ・ｓであり、Ｅ型粘度計を用いてボンディング温度にて粘度を測定したとき、０．５ｒｐｍにおける粘度が４〜２５Ｐａ・ｓ、０．５ｒｐｍにおける粘度が５ｒｐｍにおける粘度の２〜４倍である電子部品積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 原料使用量の少ないダイアタッチフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】 被接着物の外形に応じた第１の平面サイズＤ１および第１の厚さｔ１を有するダイアタッチフィルム１０の製造方法であって、第１基材フィルム１１上に、少なくとも第１の平面サイズＤ１および第１の厚さｔ２を得るのに必要とされる量の液状のダイアタッチフィルム原料２７を塗布する工程（ステップＳ１１）と、塗布された液状のダイアタッチフィルム原料２７を、第１の厚さｔ１より大きい第２の厚さｔ２に成型する工程（ステップＳ１２）と、成形された液状のダイアタッチフィルム原料２９を乾燥させて、第１の厚さｔ１を有するダイアタッチフィルム１０に転換する工程（ステップＳ１３）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】
鉛フリー半田に用いられるような２６０℃程度の高温半田リフロー処理によっても耐半田クラック性に優れた熱硬化性接着剤組成物およびそれを用いた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】
繊維状支持基材に熱硬化樹脂を含浸させてなる樹脂支持体と半導体素子とを熱硬化性接着剤組成物を用いて所定の加熱条件Ａにて接着する工程と、前記工程により接着された支持体と半導体素子とを所定の加熱条件Ｂにて封止用樹脂組成物により封止する工程と、前記工程により封止された後、熱処理する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、所定の反り評価試験における前記熱硬化性接着剤組成物の反り量１が所定の条件式を満たすものである熱硬化性接着剤組成物。 （もっと読む）

部材の配置方法は、基板と第１の液体を準備する工程と、部材及び第２の液体を含有する部材含有液を準備する工程と、親水性領域に第１の液体を配置する工程と、前記親水性領域に配置された前記第１の液体に前記部材含有液を接触させる工程と、前記第１の液体および前記第２の液体を除去することによって、前記部材を前記親水性領域に配置する工程と、を具備する。前記親水性領域は、部材配置領域と、前記部材配置領域の周辺に形成された液体捕捉領域とから構成されている。前記液体捕捉領域は、Ｘ−（ＣＨ₂）_n−Ｓ−（基板）またはＹ−（ＣＨ₂）_m−Ｓ−（基板）で表される表面を具備する。ＸはＮ+Ｒ₃Ｑ-（ＱはＣｌ、Ｂｒ、またはＩ）、ＯＲ、またはハロゲン原子であり、Ｒは低級アルキル基であり、ｎは１以上３以下の自然数であり、ＹはＣＯＯＨ、またはＯＨであり、ｍは１以上２２以下の自然数である。
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【課題】電子部品と相手部材とをポーラス状の貴金属よりなる金属導体を介して機械的に接合してなる電子装置において、金属導体の強度を適切に向上できるようにする。
【解決手段】電子部品１０と、電子部品１０と機械的に接続される相手部材２０と、電子部品１０および相手部材２０の間に介在し当該両者１０、２０を機械的に接続するものであって空孔３３を有するポーラス状をなすＡｇなどの貴金属よりなる金属導体３０と、を備え、金属導体３０は、その端面３１が電子部品１０および相手部材２０の間隙の端部より露出しており、金属導体３０の端面３１側から内部に向かって、金属導体３０を機械的に補強するポリイミドなどの補強樹脂６０が、金属導体３０の空孔３３に含浸されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ボンディング過程においてスタンピング効率が向上し、スタンピング条件を様々に可変させることができるスタンピング装置を提供する。
【解決手段】樹脂材供給部６００で樹脂材に浸漬され、基板に樹脂材をスタンピングする複数個のスタンパー１００と、それぞれのスタンパーの高さが可変可能なように前記スタンパー１００を支持する複数個のスタンパー軸２００ｘ、２００ｙと、複数個の前記スタンパー軸２００ｘ、２００ｙを同時に回転させるスタンパー回転装置と、前記スタンパーの移送過程、浸漬過程またはスタンピング過程でスタンパーの高さを調節するスタンパー高さ調節装置と、を含むスタンピング装置１０００とする。 （もっと読む）

【課題】チップとチップ支持体の間に所定の大きさの間隔をもつ空間を創り出すことを可能にするダイ取付接着剤を提供すること。
【解決手段】ダイ取付接着剤は、硬化性高分子基材と共に、前記高分子基材中に含まれる、接着剤によって接合される基板間に平坦な接着剤層厚さを与えるのに十分な量で組成物中に存在する、平均粒径が１μｍ〜１０００μｍであり、短軸に対する長軸のアスペクト比が約１．０〜１．５である無機絶縁体粒子と、前記硬化性高分子基材の量を基準にして少なくとも５０質量％を超える量であって、５℃／分の昇温速度で求めた場合に−５５℃から＋２００℃の間で任意のガラス転移温度前後で２４０μｍ／ｍ／℃未満の任意の線熱膨張係数を有する接着剤を得るのに十分な量で存在する少なくとも１種の低熱膨張係数充填剤とを含み、１０μｍ〜１００μｍの範囲内のサイズを有する前記低熱膨張係数充填剤が０．１質量％未満の量で存在することを特徴とする硬化性接着剤組成物である。 （もっと読む）