【課題】半導体チップ接合領域からの接着剤のはみ出しを調整しながら、温度サイクル信頼性の高い半導体チップ実装体を得ることのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。また、該半導体チップ実装体の製造方法を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、基板又は他の半導体チップとを接合した半導体チップ実装体の製造方法であって、基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の４０〜９０％に、半導体部品用接着剤を塗布する工程（１）と、前記半導体部品用接着剤を介して、前記基板又は他の半導体チップ上に半導体チップを積層することにより、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の６０％以上１００％未満に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（２）と、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域全体に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせるとともに、前記半導体チップの側面にフィレットを形成する工程（３）と、前記半導体部品用接着剤を硬化させる工程（４）とを有し、前記半導体部品用接着剤を硬化させる工程（４）の後の半導体チップ実装体において、前記半導体チップの厚みをＤ、前記半導体チップの底面からの高さ方向のフィレット距離をｄ、半導体チップ接合領域の端部からの横方向のフィレット距離をＬとしたとき、ｄ／Ｄが０．２〜０．８、かつ、Ｌが３００μｍ未満となるようにフィレットを形成する半導体チップ実装体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】接着剤の充填性に優れ、ボイドの噛み込み及び樹脂引けを抑制することができ、更に、半導体チップ接合領域からの接着剤のはみ出しを調整することのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。また、該半導体チップ実装体の製造方法を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップと、基板又は他の半導体チップとを接合した半導体チップ実装体の製造方法であって、基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の４０〜９０％に、半導体部品用接着剤を塗布する工程（１）と、前記半導体部品用接着剤を介して、前記基板又は他の半導体チップ上に半導体チップを積層することにより、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域の６０％以上１００％未満に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（２）と、室温下にて、前記基板又は他の半導体チップ上の半導体チップ接合領域全体に、前記半導体部品用接着剤を濡れ広がらせる工程（３）と、前記半導体部品用接着剤を硬化させる工程（４）とを有し、前記半導体チップ、及び、前記基板又は他の半導体チップは、厚さが５０〜３００μｍであり、前記半導体部品用接着剤は、２５℃でＥ型粘度計を用いて測定したときの０．５ｒｐｍにおける粘度が２０〜４０Ｐａ・ｓ、１０ｒｐｍにおける粘度が１０〜３０Ｐａ・ｓである半導体チップ実装体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属製部材を強固に熱衝撃性よく接合できるペースト状銀粒子組成物、接合強度と熱衝撃性が優れた金属製部材接合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】(A)平均粒径が０.３μｍを越え１０μｍ以下であり、アスペクト比（平均粒径／平均厚さ）が５以上１００以下である加熱焼結性フレーク状銀粒子と、(B)平均粒径（メディアン径Ｄ50）が０.００５μｍ以上０.１μｍ未満である加熱焼結性銀微粒子と（(A)と(B)の質量比が、５０：５０から９５：５の範囲内である）、(C)揮発性分散媒とからなるペースト状銀粒子組成物、該ペースト状銀粒子組成物の加熱焼結により複数の金属製部材を接合する金属製部材接合体の製造方法、その製造方法による金属製部材接合体。 （もっと読む）

【課題】接着強度及び作業性に優れ、かつ耐熱性、耐光性及び耐クラック性を有する硬化物を与えるダイボンド剤の提供、および該ダイボンド剤で光半導体素子をダイボンディングした光半導体装置の提供。
【解決手段】（Ａ）（Ａ−１）少なくとも主鎖の両末端に（３，５−ジグリシジルイソシアヌリル）アルキル基を備えるオルガノポリシロキサン１００質量部（Ｂ）硬化剤・・（Ａ）成分中のエポキシ基１当量に対し（Ｂ）成分中の反応性を有する基が０．４〜１．５当量となる量（Ｃ）レーザー回折法で測定される累積頻度９９％の粒径２０μｍ以下を持ち、かつ比表面積０．２〜１．５ｍ^２／ｇを持つ導電性粉末・・（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し３５０〜８００質量部（Ｄ）硬化触媒・・（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し０．０５〜３質量部を含有することを特徴とするダイボンド剤。 （もっと読む）

【課題】配線基板上にペースト状の接着材を介して半導体チップを搭載する際に、ボイドの発生を抑制する。
【解決手段】配線基板４０が有するチップ搭載領域２０ａ上に、半導体チップを、接着材を介して搭載するダイボンディング工程を有している。配線基板４０は、コア層の上面に形成された複数の配線（第１配線）２３ａ、ダミー配線（第２配線）２３ｄを有している。また、チップ搭載領域２０ａは、複数の配線２３ａ、ダミー配線２３ｄ上に配置される。また、ダイボンディング工程には、チップ搭載領域２０ａ上の接着材配置領域上に接着材を配置する工程が含まれる。そして、複数のダミー配線２３ｄのそれぞれは、ダイボンディング工程において、接着材が広がる方向に沿って延在している。 （もっと読む）

【課題】厳密な温度制御を要することなく、接着剤が面方向に均一に広がり、接着剤が被接着物周辺に過度にはみ出して被接着物の側面に過度に這い上がることを抑制することが可能な導電性接着剤及び接着方法を提供する。
【解決手段】導電性接着剤２０は、少なくとも表面が導電性を有しかつ全体的に磁性を有しない複数の粒子からなる第１のフィラー２１と、第１のフィラー２１の平均粒径に対して０．１〜１０倍の平均粒径を有し、少なくとも表面が導電性を有しかつ少なくとも一部が磁性を有する複数の粒子からなる第２のフィラー２２と（ここで、「粒径」は粒子形状によらず最大径を意味するものとする。「平均粒径」は５０％粒径を指し、平均粒径以上と平均粒径以下にそれぞれ５０質量％の粒子が存在する粒径である。）、バインダ樹脂等の他の成分２３とを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップを金属基板上に接合する際に、接合面内の接合材の厚さの不均一を少なくすることにより、接合層の薄い部分への熱応力集中を防ぎ、半導体装置の熱応力耐久性を向上することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半田ペースト２中に主材半田粒子１１より高融点の半田粒子９を微量添加し、主材半田粒１１子を溶融させる温度で主材半田粒子９の金属基板１への濡れ広がりを充分に確保し、その後、温度を上昇させて高融点の半田粒子９を溶かす半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】棒体の配置位置の自由度が向上した治具装置及び当該治具装置を備えた治具システムを提供することを課題とする。
【解決手段】治具装置１は、棒体３０と、棒体３０を収納した筒体２０と、筒体２０を保持した本体１０と、を備え、筒体２０は、棒体３０の移動を許容する胴部２１、２２、胴部２１、２２間に設けられ棒体３０の移動を規制可能な絞り部２３、を含み、絞り部２３が棒体３０により塞がれた状態で胴部２１、２２内の少なくとも一方の気圧が筒体２０外の気圧よりも大きくなることにより、絞り部２３は、棒体３０の移動を許容するように拡大する。 （もっと読む）

【課題】高速処理を実現でき生産性の高いダイボンダ及び半導体製造を提供する。
【解決手段】基板にダイを接着するペーストを吐出口４６ｔから塗布面４５ｓに塗布するダイペースト塗布する際に、投影された投影検出パターンを鉛直方向から撮像し、基準とする基板でペーストが塗布される基準面で、撮像手段４１が基準面に投影機４２から照射された検出パターンを撮像した基準撮像データを記憶し、測定対象の基板におけるペーストが塗布される塗布面で、撮像手段が塗布面に投影機から照射された検出パターンを撮像した投影撮像データを基準撮像データとのシフト量を算出して、塗布面におけるペースト高さを測定し、高さに基づいて吐出口の塗布面からの高さを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リードフレームのはんだ付けを人手を介することなく一括で大量にバッチ処理することができるようにする。
【解決手段】真空チャンバ１１の内部にマガジン２０を両側面から挟持して加熱する１対のヒータプレート１２，１３と、１対の吸熱プレート１４，１５とを備えている。一方のヒータプレート１２および吸熱プレート１４は、他方のヒータプレート１３および吸熱プレート１５に対して接離できるよう可動式になっていて、マガジン２０を加熱または冷却するときに、マガジン２０を他方のヒータプレート１３および吸熱プレート１５に押し付けるようになっている。マガジン２０には、複数のリードフレームを収納しており、マガジン２０ごと加熱することで、その中に収納されたリードフレームのはんだ付けを一括で大量にバッチ処理することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の固着に用いられる導電性固着材が半導体素子の外周に染み出すと、導電性固着材と封止樹脂の密着性が悪いため、封止樹脂とアイランドの密着性が劣化する問題がある。一方で、半導体素子の外周への導電性固着材の染み出しが全くないと、導電性固着材の濡れの状態が目視できない。
【解決手段】アイランドとアイランド主面に導電性固着材で固着される半導体素子と、半導体素子と電気的に接続されて一部が外部に導出するリードと、これらを一体的に被覆する封止樹脂とを備えている。アイランドの主面に、半導体素子の側辺に沿って帯状に溝を設ける。溝は半導体素子のコーナー部下方において不連続とする。導電性固着材はリフローで液状となった場合に溝で規制され、半導体素子の側辺からの染み出しを低減できる。溝が不連続な領域では若干量の導電性固着材を染み出させ、導電性固着材の濡れを視認可能とする。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率の差による接合材料層の剥離やクラックの発生を抑制しつつ、発熱サイクル等に起因する熱応力を緩和して、接合材料層による接合の信頼性を向上することが可能な半導体装置の接合方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の接合方法は、半導体素子２の第１面２ａ上に第１の焼結パターン４ｘを形成する工程と、基板１の第２面１ａ上に第２の焼結パターン３ｘを形成する工程と、第１の焼結パターン４ｘ上または第２の焼結パターン３ｘ上の何れか一方又は両方に第３の金属粒子を含む第３の金属粒子ペースト５を配置する工程と、第１の焼結パターン４ｘと第２の焼結パターン３ｘとの間に第３の金属粒子ペースト５が介在するように、半導体素子２の第１面２ａと基板１の第２面１ａとを対向させた状態で、加熱することにより、半導体素子２の第１面２ａと基板１の第２面１ａとの間を接合する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】接着剤による基板又は電子部品の汚染を抑制し、信頼性の高い電子部品接合体を得る電子部品接合体の製造方法の提供。
【解決手段】電子部品接合体を製造する方法で、基板又は他の電子部品３の表面絶縁層２上に、接着剤４を塗布する工程（１）と、電子部品３を積層する工程（２）と、フィレットを形成する工程（３）と、接着剤４を硬化する工程（４）とを有し、工程（４）の後の接着剤厚みをｄｔ、電子部品３の厚みをＤｅ、外周長さをＬ、接合する領域の面積をＡ、接合する領域から開口部までの距離の平均値をＤｄ、工程（２）の直後の電子部品間距離をｄ１、工程（２）の直後に接着剤４が濡れ拡がる領域の面積をＳ、工程（３）の直後の電子部品間距離をｄ２として、式（ｘ）及び（ｙ）を満たすように行う。（ｄ１−ｄ２）×Ｓ≦｛（Ａ−Ｓ）×ｄｔ｝＋｛Ｄｄ×Ｌ×（Ｄｅ＋ｄｔ）／２｝・・・（ｘ），（ｄ１−ｄ２）×Ｓ＞（Ａ−Ｓ）×ｄ２・・・（ｙ） （もっと読む）

【課題】 小型で、発光素子の放熱性及び接合強度に優れた発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 同一面側に正電極及び負電極を有する発光素子と、正電極及び負電極と電気的に接続される第１導電部材及び第２導電部材と、を有する発光装置であって、発光素子と第１導電部材と第２導電部材とが絶縁性の接着部材により一体的に固定される発光装置に関する。 （もっと読む）

【課題】 パワー半導体素子のダイボンディングや各種電子部品の組立て等に好適であり、接合したチップの割れや剥れをなくし、高い接合信頼性を確保できるＺｎ系の高温鉛フリーはんだペーストを提供する。
【解決手段】 Ｚｎを７０質量％以上含有するＺｎ合金はんだ粉と、Ｎｉ又はＣｕを主成分とする金属粉と、残部のフラックスとからなるＺｎ系の高温鉛フリーはんだペーストであり、金属粉は平均粒径１〜１００μｍのＮｉ粉又はＣｕ粉、その表面にＡｕ又はＡｇからなる膜厚１μｍ以下の皮膜を設けた被覆Ｎｉ粉又は被覆Ｃｕ粉であって、金属粉とＺｎ合金はんだ粉の合計を１００質量％としたとき、金属粉の合計が５〜６５質量％である。 （もっと読む）

【課題】低温で金属接合する焼結Agペーストにおいて、貴金属部材に対するのと同様に、非貴金属部材にも高強度に金属接合可能な焼結Agペーストの組成と、高強度の接合部を得る接合方法を提供すること。
【解決手段】焼結Agペースト中に、雰囲気に関係なく熱分化し易い有機銀錯体溶液を添加した材料とし、さらにAg粒子を焼結させる前の工程で非貴金属面を非酸化雰囲気でAgメタライズ化し、その後、酸化雰囲気でAg粒子を焼結させる工程とした。 （もっと読む）

【課題】低温加圧焼結接合時に空洞の形成あるいはそのサイズを低減した２個の接合素子の低温加圧焼結接合方法およびそれによって製造される構成体を提供する。
【解決手段】構成体製造方法は、第１接触面１６を有する第１接合素子１０を用意するステップ、焼結金属の粒子および溶剤から構成される焼結ペーストからなる層を第１接触面１６に施与するステップ、焼結ペーストに温度を加えて、焼結層を形成するように溶剤を追い出すステップ、その焼結層に液体を施与するステップ、第２接合素子５０を配置するステップ、接着剤６２を、焼結層と第２接合素子５０との縁部領域に、第１接合素子１０にも接触する状態で塗着するステップ、接合素子１０、５０間の材料密着結合の低温加圧焼結接合を形成するために、構成体にさらに温度および圧力を加えるステップであって、焼結層が均質な焼結金属層３４に転化されるステップ、を有する。 （もっと読む）

【課題】無機フィラーを高配合とした場合のボイドの形成を防止して、高熱伝導性の硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）フェノキシ樹脂、（Ｂ）多官能エポキシ樹脂、および（Ｃ）無機フィラーを含み、（Ａ）フェノキシ樹脂と（Ｂ）多官能エポキシ樹脂の重量比率が８０：２０〜２０：８０の範囲にあるエポキシ樹脂組成物。樹脂成分としてフェノキシ樹脂と多官能エポキシ樹脂とを所定の配合比で併用することにより、塗膜性ないしは成膜性や接着性等を損なうことなく、ボイドを低減して高熱伝導性の硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合層の表面を平坦化させることができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ウェーハの回路パターンが形成された第１の面と対向する第２の面に、樹脂と溶媒とを含む接合剤を付着させる際に、接合剤を加熱して前記溶媒を蒸散させるとともに、前記接合剤が面する雰囲気における前記溶媒の蒸気圧を低下させる工程と、前記付着させた接合剤を加熱して接合層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】薄膜の接着剤層を安定して形成することができる接着剤層の形成方法を提供する。また、接着剤付き半導体チップを熱圧着する際に、空隙（ボイド）を発生しない、あるいは空隙（ボイド）が発生してもパッケージ化されるまでにボイドが消失又は微小化する熱硬化性組成物を提供する。
【解決手段】被接着面上に、熱硬化性組成物及び有機溶媒を含む接着剤組成物を非接触型の塗付装置を用いて選択的に塗布する塗布工程と、前記被接着面上に塗布された前記接着剤組成物の溶媒を除去する溶媒除去工程とを有する接着剤層形成方法であって、前記熱硬化性組成物が反応温度の異なる２種類の硬化性を有することを特徴とする接着剤層の形成方法であって、前記接着剤組成物は、エポシキ樹脂と、エポキシ硬化剤との反応からなり、１００〜１６０℃にＤＳＣピークを有する第１の硬化反応と、エポシキ樹脂の自己重合反応からなり、１４０〜２００℃にＤＳＣピークを有する第２の硬化反応とを有する。 （もっと読む）