【課題】インライン方式とバッチ方式の両方式による硬化が可能で、十分な接着力等を有する半導体接着用熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）ポリサルファイド骨格を分子内に有する（メタ）アクリレート、（Ｂ）１分子内に少なくとも１つのメタクリル基あるいはアクリル基を有する化合物、（Ｃ）ラジカル重合触媒、および（Ｄ）充填材を必須成分とする半導体接着用熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】
低粘度化による液状性と反応性を保持しつつ硬化物の低弾性率化と高靭性化をはかることができる、液状エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】
常温で液状であるエポキシ樹脂組成物であって、組成成分として、
ａ）常温で液状であるエポキシ樹脂、
ｂ）ポリビニルアセタール系改質材、
ｃ）硬化剤及び硬化促進剤、
ｄ）フィラー
を含有し、前記したポリビニルアセタール系改質材の配合割合は、常温で液状であるエポキシ樹脂１００質量部に対して、０．５〜２０質量部の範囲内であり、かつ、液状エポキシ樹脂組成物の全体量に対して、０．５〜７質量％の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】回路上に半導体素子等の電子部品をはんだ接合する際において、回路上に塗布して焼成することで、表面が平滑なはんだ下地層を形成することが可能なはんだ下地層形成用ペーストを提供する。
【解決手段】回路上に電子部品をはんだ接合する際に用いられるはんだ下地層形成用ペーストであって、少なくとも、金属粉末と、樹脂と、を含み、ずり速度１０ｓ^−１でせん断を１分間加えた後に、応力を印加しない状態で歪量を測定した場合に、せん断を解放した時点での歪量を０として、せん断を解放してから２分経過後の歪量が−４０％以下となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ａｕ−Ｓｎ合金はんだより低温で接合可能な接合用ペースト、およびこの接合用ペーストを用いる半導体素子と基板の接合方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 （Ａ）平均粒子径が１００ｎｍ以下の金属ナノ粒子と、（Ｂ）沸点が５０〜１００℃の溶剤と、（Ｃ）沸点が１５０〜２００℃の溶剤を含有し、（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の合計１００質量部に対して、（Ｂ）成分を１０〜３０質量部含有することを特徴とする、接合用ペーストである。 （もっと読む）

【課題】加重をかけることなく３００℃以下の硬化温度で接合した場合であっても、高い電気伝導性及び熱伝導率を有し、かつ大気雰囲気で接合した場合であっても、卑金属面への十分な接着強度を有する接着剤組成物及びこれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の接着剤組成物は、Ｘ線光電子分光法で測定される銀酸化物由来の酸素の状態比率が１５％未満である片状の銀粒子（Ａ）、及び３００℃以上の沸点を有するアルコールまたはカルボン酸（Ｂ）を含む。 （もっと読む）

【課題】個片化されたチップ領域を有する半導体ウエハに形成した接着剤層の切断性を高めると共に、接着剤層の切断屑等による半導体チップの汚染等を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態において、第１の面３ａに貼付された表面保護フィルム４でウエハ形状が維持された半導体ウエハ３に液状接着剤を塗布して接着剤層７を形成する。半導体ウエハ３の第２の面３ａに粘着層８を有する支持シート９を貼付する。表面保護フィルム４を剥離した後、支持シート９を引き伸ばしてダイシング溝１内に充填された接着剤を含む接着剤層７を割断する。支持シート９の引き伸ばし状態を維持しつつ洗浄する。粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を、洗浄工程前に選択的に低下させる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ現像液によるパターン形成性に優れ、露光後の十分な再接着性を有するとともに、低温貼付け性にも優れたフィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性ポリマーと、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）一種又は複数の放射線重合性化合物と、（Ｄ）光開始剤と、を含有する感光性接着剤組成物をフィルム状に成形してなる、フィルム状接着剤であって、（Ｃ）放射線重合性化合物が、下記一般式（Ｉ）で表されるイソシアヌル酸エチレンオキシド変性ジ又はトリアクリレートを含有するものであり、フィルム状接着剤の５％重量減少温度が２６０℃以上である、フィルム状接着剤１。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は水素原子又は−ＣＯＣＨ＝ＣＨ_２を示す。］ （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング時におけるボンダビィリティーを良好にすることができ、更に硬化物の耐熱クラック特性を高めることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。
【解決手段】光半導体装置用ダイボンド材は、下記式（１）で表され、かつアリール基と珪素原子に結合した水素原子とを有する第１のシリコーン樹脂と、下記式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含む。光半導体装置用ダイボンド材では、上記第１のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さず、かつ上記第２のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さない。
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【課題】半導体チップとダイパッドの接合に用いる接着剤が必要以上に半導体チップの外側にはみ出してしまうことを抑制する。
【解決手段】図１に示すように本実施の形態の半導体装置は、半導体チップ１２０と、半導体チップ１２０と接合させるダイパッド１０４を有するリードフレーム１００と、半導体チップ１２０とダイパッド１０４を接合する接着剤１３０と、を含む。本実施の形態において、ダイパッド１０４は、半導体チップ１２０の裏面の面積より開口面積が小さい凹部１０８を有している。凹部１０８には、接着剤１３０が充填されていない中空部１０６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】粒子径が小さく、流動性に優れ、樹脂への分散性に優れたシリカ系微粒子と樹脂とからなる半導体装置実装用ペ−ストを提供する。
【解決手段】流動性に優れ、樹脂への分散性に優れたシリカ系微粒子と樹脂とからなる半導体装置実装用ペ−ストであって、シリカ系微粒子の平均粒子径が５０〜１０００ｎｍの範囲にあり、該シリカ系微粒子は限外濾過膜処理および／またはイオン交換処理し、ついで乾燥して得られたものである。シリカ系微粒子のアルカリ金属の含有量は２０ｐｐｍ以下であり、ペ−スト注のシリカ系微粒子の含有量は３０〜９０重量％の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】シリンジ内の接着剤の残量が少なくなると描画動作開始時に塗布線幅が細くなることがわかった。塗布線幅が細くなると、チップの裏面の一部でペーストにぬれない領域が発生する恐れがある。ぬれない部分があると半導体集積回路装置の信頼性が著しく低下する可能性がある。
【解決手段】シリンジにかかるエア圧をモニタして、それが設定値を越えた時点で描画動作を開始させるものである。すなわち、シリンジにかかるエア圧をモニタして、それが設定値（正常圧力値）を越えた時点で、はじめて描画動作（シリンジ先端のノズル部がペーストを吐出しながらXY平面で移動）を開始させるので、描画開始時に塗布線幅が細くなる問題を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】加圧を始めてから液体が吐出口から押出されるまでの時間遅れを防止して設定量の液体を正確に塗布できる流体供給装置を提供する。
【解決手段】液体Ｌがその吐出口５３から吐出されるシリンジ１と、開状態で流体供給源からの加圧流体をシリンジ１に供給して液体Ｌを吐出口５３から吐出させ、閉状態で流体供給源からの流体のシリンジ１への供給を停止する開閉弁２とを備える。流体供給源をシリンジ１から離間した位置に配設し、開閉弁２の流体排出口とシリンジ１の反吐出口側とを連結した。 （もっと読む）

【課題】階段状に積層される半導体チップの強度の向上を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数のチップ領域がダイシング領域を介して形成された半導体ウェーハのチップ領域の第１の面１ｂに接着層１０を形成する。ダイシング領域に沿って半導体ウェーハを分割してチップ領域を有する半導体チップ９を個片化し、接着層を介して半導体チップを階段状に積層する。接着層の形成において、第１の面のうち積層された状態で他の半導体チップに接触しない第１の領域Ｐ１の少なくとも一部には、他の半導体チップに接触する第２の領域Ｐ２よりも接着層が厚く形成された凸部１０ａが設けられる。 （もっと読む）

【課題】電子部品中の電気的接合部の接合層に関し、鉛成分を含有せず先行技術よりもより高い接合強度・破壊靱性が得られる接合材を接合層として有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、電子部材同士が接合層を介して電気的に接続されている半導体装置であって、前記接合層は、Agマトリックスと、前記Agマトリックス中に分散しAgよりも硬度が高い金属Ｘからなる分散相とを含み、前記Agマトリックスと前記金属Ｘ分散相とは互いに金属接合し、前記Agマトリックスと前記電子部材の最表面とは互いに金属接合し、前記金属Ｘ分散相と前記電子部材の最表面とは互いに金属接合しており、前記金属Ｘ分散相は1μm以下の結晶粒を含み、前記Agマトリックスは100 nmよりも小さな結晶粒を含んでいることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止型の半導体装置（１）を製造するにあたって、部材間の接合作業を比較的低温で行うことを可能とする。
【解決手段】ヒートシンク（２）とリードフレーム（３）との接合にあたり、まず、ヒートシンク（２）の上面の接合部に対し、ポリイミド系樹脂を溶剤に溶解させた樹脂溶液（Ｌ）を塗布する塗布工程を実施する。次いで、塗布された樹脂溶液（Ｌ）を半乾燥状態（残存溶剤量が１３％〜４０％の範囲）になるまで乾燥させる一次乾燥工程を実施する。次に、半乾燥状態の樹脂溶液（Ｌ）を介してリードフレーム（３）の被接合部（３ａ）をヒートシンク（２）に接着させる熱圧着工程を実施する。この後、樹脂溶液（Ｌ）を更に乾燥させる二次乾燥工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】塗布した接着剤のヒケの発生を抑えることできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、平面視において略方形形状を呈する複数のチップ領域２がダイシング領域を介して第１の面１ａに形成された半導体ウェーハ１のダイシング領域に溝４を形成する。また、チップ領域の第１の面の反対側の第２の面に接着剤を塗布する。この塗布工程において、平面視におけるチップ領域の少なくとも１の角部２ａでは、平面視においてダイシング領域との境界となる辺２ｂから溝に接着剤がはみ出す。 （もっと読む）

【課題】２つのピンを作動させるようにして、１つのピンの動作を遅くすることができるようにしたペースト塗布装置の提供。
【解決手段】この装置は、フレームと、第１乃至第４リンク２０、２２、２４、２６を有する四節平行リンク機構と、第３リンクに固定された第１アーム４０と、第４リンクに固定された第２アーム４２と、第３リンクに取りつけられた第１ピン１６と、第４リンクに取りつけられた第２ピン１８とを有する。第１ピン１６は、第１リンク２０が、第１の方向への所定角度の枢動により、第１及び第２枢軸線Ｘ１、Ｘ２を結ぶ線上にある第１位置Ａ１となり、反対の第２方向に同じ角度だけの枢動により、同線上にある第２位置Ａ２となるようにされ、第２ピン１８は第１方向の枢動で第２位置Ａ２、第２方向の枢動で第１位置Ａ１となるようにされている。 （もっと読む）

【課題】電子部品と相手部材とをポーラス状の貴金属よりなる金属導体を介して機械的に接合してなる電子装置において、金属導体の強度を適切に向上できるようにする。
【解決手段】電子部品１０と、電子部品１０と機械的に接続される相手部材２０と、電子部品１０および相手部材２０の間に介在し当該両者１０、２０を機械的に接続するものであって空孔３３を有するポーラス状をなすＡｇなどの貴金属よりなる金属導体３０と、を備え、金属導体３０は、その端面３１が電子部品１０および相手部材２０の間隙の端部より露出しており、金属導体３０の端面３１側から内部に向かって、金属導体３０を機械的に補強するポリイミドなどの補強樹脂６０が、金属導体３０の空孔３３に含浸されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップからダイパッドへ効率良く放熱する半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ダイパッド１２１を含むリードフレーム１０２と、ダイパッド１２１のチップ搭載領域にダイボンド材１３２により接合された半導体チップ１０１とを備えている。チップ搭載領域は、半導体チップ１０１に間隔をおいて外嵌する第１の部分１２４ａと、第１の部分１２４ａよりもその壁面と半導体チップ１０１の側面との間隔が大きい第２の部分１２４ｂとを含む凹部１２４である。半導体チップ１０１の側面と凹部１２４の壁面との間にはダイボンド材１３２が充填されている。 （もっと読む）

【課題】導電性発熱体の電流印加配線に電流を流して半田層のみを局所的に加熱して半導体を接合することにより、熱応力の減少および基板の変形を防止することができる半導体パッケージ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体パッケージ基板の製造方法は、（Ａ）上部に半田層１２０が形成された接続部１１０を一面に備えたベース基板１００を準備する段階と、（Ｂ）半田層１２０の上部に、電流印加配線３１０の備えられた導電性発熱体３００を配置する段階と、（Ｃ）電流印加配線３１０に電流を印加して半田層１２０を加熱することにより、半導体チップ２００を接続部１１０と接合する段階と、（Ｄ）導電性発熱体３００の電流印加配線３１０を除去する段階とを含んでなる。 （もっと読む）