【課題】バスバーの端部切断時に、接着部分に応力がかかって剥がれることを防止する。
【解決手段】第１押さえ機構部３１によりバスバー２１を上から押さえた状態で裏面電極層１４上に接着する接着工程と、接着後のバスバー２１の端部を切断する切断工程とを備え、切断工程では、第１押さえ機構部３１によりバスバー２１を押さえた状態で、第１押さえ機構部３１とバスバー２１の接着部１８１との間を第２押さえ機構部３２で押さえる工程と、第１押さえ機構部３１及び第２押さえ機構部３２でバスバー２１を押さえた状態で、チャック部材５４を基板１１側に移動させることにより、バスバー部分２１ａを弛ませて変形させる工程と、第１押さえ機構部３１をバスバー２１から離す工程と、チェック部材５４を上方に移動させることにより、バスバー部分２１ａを基板１１から浮かせる工程と、浮かせたバスバー部分２１ａを切断する工程と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】太陽電池モジュール１では、基板２と、基板２上に設けられた光電変換素子２０と、光電変換素子２０の第１の面上に配置された電力を集電するための電極６ａ、６ｂと、電極６ａ、６ｂに接続され、光電変換素子２０の第１の面上に設けられた電極６ａ、６ｂからの電力を外部に取り出すための配線８ａ、８ｂと、光電変換素子２０と配線８ａ、８ｂの間に設けられた絶縁性粘着部材７と、を備える。そして、電極６ａ、６ｂにおける配線８ａ、８ｂが接続される面と、配線８ａ、８ｂに対向する絶縁性粘着部材７の面とが面一になるように構成している。 （もっと読む）

【課題】光電変換部材において、光電変換に寄与しない波長の光による加熱を防止することである。
【解決手段】位相差フィルムとコレステリック液晶フィルムを含む反射シートを備え、光電変換に寄与する波長を透過し、当該反射シートにより特定波長の入射光を反射するように構成された光電変換部材が得られる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを上げることなく、かつ、貫通穴が原因となって生じる歩留を向上させ、薄膜デバイスに適用可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、表面から裏面までを貫通する貫通穴を有するアンドープＧａＮ層１０２と、アンドープＧａＮ層１０２の表面上および貫通穴内に形成された、導電性を有するアルミニウム層１０３とを備え、アルミニウム層１０３における貫通穴内に形成された領域のうち、裏面側に露出している絶縁領域１０６は、化学変化により絶縁化されている。 （もっと読む）

【課題】ｉ型の結晶質シリコン系光電変換層を含むシリコン系薄膜光電変換装置を高性能化する。
【解決手段】透光性基板１上に、透明電極層２０と、少なくとも１つの結晶質シリコン系光電変換ユニット２２と、裏面電極層３とを含む光電変換装置であって、光電変換ユニット２２は、光透過側から順に、ｐ型の結晶質シリコン層２２１と、実質的にｉ型の結晶質シリコン系光電変換層２２２と、膜厚が０ｎｍを越えて５０ｎｍ以下である実質的にｉ型のシリコン界面層２２２Ａと、ｎ型の結晶質シリコン層２２４とを含み、断面においてシリコン界面層２２２Ａとｎ型の結晶質シリコン層２２４との境界として観察される形状から求められる表面粗さＲａが、光電変換層２２２と前記シリコン界面層２２２Ａとの境界の表面粗さＲａよりも小さいことを特徴とする、シリコン系薄膜光電変換装置。 （もっと読む）

【課題】内部電界を維持しつつ電子の消滅を抑制することが可能な炭素材料からなる半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、ｐ層１５と、該ｐ層に接続されるｎ層１３と、を備え、ｎ層に、ｓｐ２結合により構成される炭素材料及びｎ型材料が含有されている、半導体装置とする。具体的には、ｎ層がｎ型アモルファスカーボン及びカーボンナノチューブによって構成され、ｉ層１４がｉ型アモルファスカーボン、ｐ層がｐ型アモルファスカーボンによって構成された太陽電池が例示される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を用いた高効率な太陽電池を提供する。
【解決手段】タンデム型の太陽電池１００であって、ｐ型の窒化物半導体である第１超格子層１１１とｎ型の窒化物半導体である第２超格子層１１４とを含み、第１の光を吸収する窒化物半導体太陽電池層１１０と、積層されたｐ型アモルファスシリコン層１３１とｎ型アモルファスシリコン層１３３とを含み、前記第１の光より長波長の第２の光を吸収するアモルファスシリコン太陽電池層１３０とを備え、ｐ型の前記第１超格子層１１１、ｎ型の前記第２超格子層１１４、前記ｐ型アモルファスシリコン層１３１、及び前記ｎ型アモルファスシリコン層１３３は、この順に積層されている。 （もっと読む）

【課題】高性能の積層型光電変換装置を製造工程を融通性を高めつつ生産効率を改善し得る製造方法を提供する。
【解決手段】光電変換ユニットを複数含み、相対的に光入射側の前方光電変換ユニット３内の逆導電型層３３がシリコン複合層を少なくとも一部具備する、積層型光電変換装置の製造方法であって、プラズマＣＶＤ工程を有し、シリコン複合層形成工程と、その直後の工程として、一旦大気中に取り出し該シリコン複合層の最外表面を大気に暴露する工程を有し、その直後の工程として、後方光電変換ユニット４の結晶質の一導電型層形成工程を有し、前記後方光電変換ユニットの結晶質の一導電型層形成工程のパワー密度／製膜圧力は、前記シリコン複合層形成工程のパワー密度／製膜圧力の０．０１倍以上０．８倍未満である製造方法によって、解決する。 （もっと読む）

【課題】支持台の上に基板を置き、基板を支持台から加熱するのでなく高温のガスを吹き付けることにより基板上の膜を高温アニールして膜を形成する、または熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成するときに基板と支持台の密着がゴミや空気、基板ゆがみのために不完全であった。このために、大面積基板の均一な再現性のある熱処理が可能でなかった。
【解決手段】支持台と基板の間に粘性材を挿入する。均一な再現性のある熱接触が可能となった。屈曲可能なシート状の樹脂基板でも高温ガスを吹き付ける熱処理が可能となった。 （もっと読む）

【課題】絶縁性のフレキシブル支持体をロール・ツー・ロール方式で効率良く生産することができ、高温熱処理時の平面性に優れる、表面に陽極酸化皮膜を持つ金属複合基板を提供する。
【解決手段】３００℃以上での耐熱強度がアルミニウムより高い金属よりなる芯材と、該芯材の全表面を覆うアルミニウムまたはアルミニウム合金層とを有し、前記アルミニウムまたはアルミニウム合金層の表面に陽極酸化皮膜を有する金属複合基板。 （もっと読む）

【課題】本発明は、良好な光電変換効率を有するとともに量産および基板の大面積化に適した実用的な光電変換装置に適した半導体膜の成膜方法およびその半導体膜を含む光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の成膜方法は、非晶質構造を含む半導体膜をプラズマＣＶＤ法により製造する半導体膜の成膜方法であって、半導体膜は、ＳｉＧｅ系化合物の非晶質膜またはＳｉＧｅ系化合物の微結晶膜であり、プラズマＣＶＤ法において、プラズマを生成するために印加する電力のオン時間またはオフ時間を変化させて間欠供給することにより、半導体膜の厚み方向のバンドギャップを制御し、電力のオン時間およびオフ時間は、オン時間／（オン時間＋オフ時間）×１００（％）をＤｕｔｙ比とすると、該Ｄｕｔｙ比が１０％以上５０％以下を満たす範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電圧印加電極をシールドする金属製支持枠と枠体との間のインダクタンス成分を低減する。
【解決手段】電圧印加電極８の背面に金属製支持枠２１を配置するとともに、電圧印加電極８の前方に突き出すようにして電圧印加電極８の周囲に枠体２２を配置し、枠体２２の外周面を覆うように配置された金属板２７にて金属製支持枠２１と枠体２２とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】エチレン・α−オレフィン共重合体とシランカップリング剤などを含有し、耐熱性、透明性、柔軟性に優れ、剛性と架橋効率とのバランスもよい太陽電池封止材用樹脂組成物の提供。
【解決手段】下記の（ａ１）〜（ａ５）の特性を有するエチレン・α−オレフィン共重合体成分（Ａ）及びシランカップリング剤成分（Ｂ）を含有することを特徴とする太陽電池封止材用樹脂組成物によって提供。
（ａ１）密度が０．８６０〜０．９２０ｇ／ｃｍ^３
（ａ２）ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により求めたＺ平均分子量（Ｍｚ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｚ／Ｍｎ）が８．０以下
（ａ３）１００℃で測定した、せん断速度が２．４３×１０ｓ^−１での溶融粘度が９．０×１０^４ｐｏｉｓｅ以下
（ａ４）１００℃で測定した、せん断速度が２．４３×１０^２ｓ^−１での溶融粘度が１．８×１０^４ｐｏｉｓｅ以下
（ａ５）ポリマー中のコモノマーによる分岐数（Ｎ）が式（ａ）を満たす。 （もっと読む）

【課題】太陽電池等の電子装置には、無アルカリガラスを使用するか、安価なアルカリガラスを使用した場合には、拡散防止層を設ける必要があった。
【解決手段】透明導電性層のうち、酸化亜鉛層がナトリウムの拡散を防止する作用を有することを見出し、当該酸化亜鉛層を電子装置の電極と同時に、ガラス基板からのナトリウムの拡散を防止する拡散防止層として利用した電子装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコンや微結晶シリコンを光電変換層とした薄膜太陽電池や半導体層表面に色素を担持させて構成した電極を用いた色素増感太陽電池では、太陽光から電気への変換効率の低さが太陽電池普及への最大の問題となっている。本発明は、上記事情に着目してなされたもので、その目的とするところは、一般的なプラスチックフィルムを用いた汎用性のある太陽電池の光電変換率を向上させる太陽電池を提供するものである。
【解決手段】一方の面に光電変換層、及び他方の面に金属電極層が形成されたフレキシブルな基板を、１周以上渦巻き状に周回させ、前記光電変換層と金属電極層を接触させた筒体を、その底面がパネル基板に接するように、パネル基板上に複数配列させた筒体集合体を配置させたことを特徴とする太陽電池。 （もっと読む）

【課題】効率よくドープシリコン膜を生成するシリコン製造装置を提供する。
【解決手段】シクロペンタシラン溶液に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を照射しながらドーパントガスを供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したドープシリコン前駆体を生成するシリコン前駆体生成装置１１３と、ドープシリコン前駆体を含む溶液を基板に塗布する塗布装置１０２と、ドープシリコン前駆体が塗布された基板を焼成することにより、基板上にドープシリコン膜を形成する焼成装置１２５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】エチレン・α−オレフィン共重合体とシランカップリング剤などを含有し、耐熱性、透明性、柔軟性に優れる太陽電池封止材用樹脂組成物の提供。
【解決手段】下記の特性を有するエチレン・α−オレフィン共重合体成分（Ａ）、有機過酸化物成分（Ｂ）、エチレンと式（Ｉ）で表される環状アミノビニル化合物との共重合体成分（Ｃ）及びシランカップリング剤成分（Ｄ）を含有することを特徴とする太陽電池封止材用樹脂組成物によって提供。
（ａ１）密度が０．８６０〜０．９２０ｇ／ｃｍ^３
（ａ２）ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により求めたＺ平均分子量（Ｍｚ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｚ／Ｍｎ）が８．０以下
（ａ３）１００℃で測定した、せん断速度が２．４３×１０ｓ^−１での溶融粘度が９．０×１０^４ｐｏｉｓｅ以下
（ａ４）１００℃で測定した、せん断速度が２．４３×１０^２ｓ^−１での溶融粘度が１．８×１０^４ｐｏｉｓｅ以下 （もっと読む）

【課題】
電磁気学的あるいは光学的デバイスにおいて、特性調整が正確かつ容易なこと、製法上従来工程への付加に障害がないこと、高価な材料を使用しないことなどを踏まえた上で特性を向上させる。
【解決手段】
スパッタ等の手法を用い、平面的に微粒子２を分散させた平面構造で、これを複数層積層することで、微粒子層を形成し、これをデバイスに付加する。この際、微粒子２にＳｉなどの半導体粒子を、その周囲の材料３を半導体層とすることで、量子ドット様の構造として使用することができる。また、この微粒子２を金属粒子とすることで、局在表面プラズモンによる効果を利用できる。両者を単独または同時にデバイスに付加し、電磁気学的あるいは光学的特性向上のための補助層とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高い光電変換装置を、低い製造コストで製造する。
【解決手段】ｐ型のアモルファスシリコン層５上に、水素化ポリシランをデカヒドロナフタレンに溶かした溶液と、結晶性ＰｂＳ微粒子をトルエンに分散させた溶液の混合溶液を塗布し、乾燥後に熱処理を施すことにより、結晶性ＰｂＳ微粒子を含有するｉ型のアモルファスシリコン薄膜７Ａと結晶性ＰｂＳ微粒子を含有しないｉ型のアモルファスシリコン薄膜７Ｂとを形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン加工プロセスから排出されたシリコンスラッジの再利用と、シリコン系太陽電池用原料の低コスト化とが図れるシリコン系太陽電池用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン加工プロセスで発生したシリコンスラッジを純水または超純水中に分散後、シリコンスラッジに含まれる不純物を浮上させて除去することでスラッジ状のシリコンを回収し、その回収物を成形し乾燥させることで、シリコン加工プロセスから排出された加工屑の再利用と、シリコン系太陽電池用原料の低コスト化とが図れる。 （もっと読む）