【課題】光の吸収効率の向上、および製造費用の低減化を図ることができる光電変換装置の提供。
【解決手段】本発明は、単結晶シリコン基板１の受光面に形成させた受光穴３を備え、その受光穴３は、２つの底面８１、８２を有する底部を含む。そして、受光穴３の最小深さ、受光穴３の開口の最大長、およびその底部の底面８１、８２の傾斜角度は、受光穴３内への入射光が受光穴３内で少なくとも２回反射するように設定されている。 （もっと読む）

【課題】生産性、フレキシビリティに優れ、かつ極めて高いガスバリア性能と高い耐久性を達成できるガスバリアフィルム及び該ガスバリアフィルムを用いた有機光電変換素子を提供することにある。
【解決手段】基材上に珪素化合物を含有するガスバリア層を少なくとも１層有するガスバリアフィルムであって、前記ガスバリア層が珪素化合物溶液を塗布乾燥して形成された層を改質処理することにより形成され、改質処理により珪素酸化物を含む層へ改質された層の膜厚が１０〜１００ｎｍであり、かつ前記改質された層の表面の最大高低差Ｒｐｖが３０ｎｍ以下であることを特徴とするガスバリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】水平搬送方式の基板表面処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板表面処理装置を得ること。
【解決手段】基板表面処理装置１は、基板１０６の表面処理を行う薬液を収容する薬液槽１０１と、薬液槽内に回転自在に設けられて基板を搬送する複数の搬送ローラー１０３と、を有し、基板を搬送しながら薬液で基板を表面処理する基板表面処理装置であって、薬液槽内に配置されるとともに、薬液の通過可能な開口１０７が形成されて開口を通して薬液の移送を行う薬液移送手段１２２をさらに有し、薬液移送手段は、隣接する搬送ローラー同士の間に開口が位置するように配置される。 （もっと読む）

【課題】集光スポットサイズの大きいレーザビームで耐エッチング膜に微細なレーザパターニングを行う光起電力装置の製造方法及び製造装置を得ること。
【解決手段】反射率の低減のための微細な凹凸構造をシリコン基板の表面に備えた光起電力装置の製造方法であって、シリコン基板の表面に耐エッチング性を有する耐エッチング膜を形成する工程と、回折光学素子で分岐させたレーザビームによって耐エッチング膜に開口を形成する開口形成工程と、耐エッチング膜をマスクとしてシリコン基板をエッチングして、凹凸構造を形成する工程とを有し、開口形成工程においては、レーザビーム分岐パターン３００の各々の耐エッチング膜上でのビームスポット径を、ビームスポット３０１のピッチよりも大きくして、隣接するビームスポット同士を干渉させる。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率を向上させることが可能な色素増感太陽電池を提供する。
【解決手段】色素増感太陽電池１は、光増感色素１４を担持するｎ型のＩＩＩ族窒化物半導体が形成された半導体層１０と、ＩＩＩ族窒化物半導体に接合したオーミック電極１１と、対向電極１２と、ＩＩＩ族窒化物半導体と対向電極１２との間に、光増感色素１４を含む電解液が封入された電解質層１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】光を照射することによって生成されたキャリアを量子ドットから効率良く移動させることが可能な太陽電池を提供する。
【解決手段】量子ドット、該量子ドットと接触したマトリクス層、並びに、正電極及び負電極を有し、マトリクス層と負電極とがホールの通過を阻止可能な電子移動層を介して接続されるとともに、マトリクス層と正電極とが電子の通過を阻止可能なホール移動層を介して接続され、量子ドットに存在し得る電子のエネルギー準位と一致する電子移動準位、及び／又は、量子ドットに存在し得るホールのエネルギー準位と一致するホール移動準位が、マトリクス層に形成されている、太陽電池とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を用いた光起電力装置において、光電変換効率に優れた光起電力装置を提供する。
【解決手段】一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備えた結晶シリコン太陽電池であって、前記基板の厚みが１５０μｍ以下であり、前記基板の入射側表面及び裏面側表面に四角錐で構成されるテクスチャ構造を備え、前記基板の入射側表面における算術平均粗さが１５００ｎｍ以下であり、裏面側表面の算術平均粗さが２０００ｎｍ以上であることを特徴とする結晶シリコン太陽電池。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＡs／ＩｎＧａＰ界面の遷移層の形成を抑制する。
【解決手段】ヒ素化合物からなる第１半導体と、ヒ素化合物からなる第２半導体と、リン化合物からなる第３半導体とを含み、前記第２半導体と前記第３半導体とが接触しており、前記第１半導体と前記第３半導体との間に前記第２半導体が位置しており、前記第１半導体が第１原子を第１濃度で含有し、前記第２半導体が第１原子を第２濃度で含有し、前記第１原子が第１伝導型のキャリアを発生させ、前記第１濃度が、前記第１半導体にドープする前記第１原子の量を増加するに従い増加するキャリア数が飽和し始める前記第１原子の濃度以上の濃度であり、前記第２濃度が、前記第２半導体にドープする前記第１原子の量を増加するに従い増加するキャリア数が飽和し始める前記第１原子の濃度未満の濃度である半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池素子の電極の位置や電極形状のばらつきの影響を受けにくい太陽電池素子の製造方法および製造装置を提供すること。
【解決手段】第１導電型を有する半導体基板１と、前記第１導電型と異なる第２導電型を有し、半導体基板１上の一部に形成された半導体層２と、該半導体層２上に配置された第１電極３と、半導体基板１上の半導体層２の非形成領域に配置された第２電極４と、を備えた太陽電池素子の製造方法であって、第１電極３及び第２電極４の少なくとも一方の形状を認識し、該形状の情報を取得する認識工程と、前記情報に基づき半導体層２を除去する部分を決定し、半導体層２の一部を除去する除去工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】変換効率のバラつきが小さな太陽電池セルの製造に使用され、特定の抵抗率特性を有する単結晶シリコンインゴットおよびそれを用いた単結晶太陽電池セルを提供する。
【解決手段】ドーパントを含有するシリコン融液から単結晶インゴットを引き上げるチョクラルスキー法によって製造された単結晶シリコンインゴットであって、該単結晶シリコンインゴットは円柱状であり、一平面の抵抗率が２０Ω・ｃｍ以上４０Ω・ｃｍ以下であり、他方の平面の抵抗率が８Ω・ｃｍ以上１０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。単結晶シリコンインゴットの抵抗率が８〜１０Ω・ｃｍを境として、それ以上の高抵抗率の範囲では短絡電流密度Ｊｓｃにほとんど変化がなく、±３％以内の変動に収まる。一方、上記境目より低抵抗率の場合には、ヘッド部の抵抗率の低下とともに短絡電流密度も低下し、変動（バラつき）も増加する。 （もっと読む）

【課題】 クレーン機構が設置されていない工場においても、組み立てることが可能な搬送機構の組み立て方法を提供すること。
【解決手段】 搬送体を保持するピックユニットと、ピックユニットをスライドさせるスライドユニットと、スライドユニットを駆動させるドライブユニットと、を含む搬送体を搬送する搬送機構の組み立て方法であって、搬送機構が収容される搬送室４の天井部に、ユニットを吊り上げる吊り上げ機構７を取り付け、この吊り上げ機構７を用いて、搬送室の内部に搬入されたユニットどうしを搬送室４の内部で組み立てる。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン基板内部および結晶シリコン基板とシリコン半導体層との界面における欠陥を、結晶シリコン基板にダメージを与えることなく、有効に修復することができる光起電力装置の製造方法を得ること。
【解決手段】少なくとも一方の層に例えば酸素を含ませて真性型シリコン層と不純物ドープ層とを基板に形成する工程（工程Ｐ６）と、基板に形成されたこれらの酸素を含む真性型シリコン層および不純物ドープ層を介して低周波水素プラズマ処理を施す工程（工程Ｐ７）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ確実に不純物拡散層の表層のデッド層を除去して光電変換効率に優れた太陽電池を製造可能な太陽電池セルの製造方法を得ること。
【解決手段】半導体基板の一面側に受光面側電極を有する太陽電池セルの製造方法であって、第１導電型の前記半導体基板の一面側に、第２導電型の不純物元素が拡散された不純物拡散層を形成する第１工程と、前記不純物拡散層の表層に形成された自然酸化膜を、フッ酸を含む溶液を用いてエッチング除去する第２工程と、前記不純物拡散層の表層に水洗処理および乾燥処理を施すことにより前記不純物拡散層の表層を酸化して第１の酸化層を形成する第３工程と、前記第１の酸化層を、フッ酸を含む溶液を用いてエッチング除去する第４工程と、前記不純物拡散層上に反射防止膜を形成する第５工程と、前記反射防止膜を貫通して前記不純物拡散層に電気的に接続する前記受光面側電極を前記反射防止膜上に形成する第６工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 簡単な装置構造により角形の半導体基板に対しても均一な裏面平坦化が可能な太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の受光面と反対側の裏面を湿式エッチングにより平坦化する裏面エッチング工程において、受光面を被覆して半導体基板をエッチング液中に浸漬させた状態で、半導体基板が浸漬している領域外にあるエッチング液を裏面に噴き付ける。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の構造を大幅に変更することなく、任意の場所に設置できる太陽電池を提供する。
【解決手段】一枚のガラス基板の裏面に発電層を設けた薄膜構造の太陽電池の製造方法であって、ガラス基板より大きい耐酸性のプラスチックシートを、ガラス基板の裏面を被覆して接着させる第１工程（ＳＴ１）と、プラスチックシートに接するガラス基板の周縁に、ガラス基板の裏面への液浸入を阻止する耐酸性の封止層を、ガラス基板の板厚より薄く形成する第２工程（ＳＴ２）と、プラスチックシートが接着されたガラス基板の表面全体に、化学研磨液に接触させてガラス基板を薄型化する第３工程（ＳＴ３）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池素子が有する半導体基板の寸法や形状のばらつきの影響を受けにくい太陽電池素子の製造方法および製造装置を提供すること。
【解決手段】第１導電型を有する半導体基板２上に第２導電型を有する半導体層２ａが形成されてなる太陽電池素子の製造方法であって、半導体基板２の形状を認識し、該形状の情報を取得する認識工程と、前記情報に基づき、半導体層２ａを除去する部分を決定し、半導体層２ａの一部を除去する除去工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、結晶シリコン基板を用いた結晶シリコン太陽電池において、光電変換効率に優れたヘテロ接合太陽電池を提供することにある。
【解決手段】一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記ｎ型シリコン系薄膜層と接して酸化亜鉛層を主成分とする導電性酸化物層を備えた結晶シリコン太陽電池であって、前記ｎ型シリコン系薄膜層が、前記実質的に真正なシリコン薄膜層と接してなるｎ型非晶質シリコン系薄膜層と、該ｎ型非晶質シリコン層及び前記酸化亜鉛層を主成分とする導電性酸化物層と接してなるｎ型微結晶シリコン系薄膜層を含む、結晶シリコン太陽電池。 （もっと読む）

【課題】従来の単結晶、多結晶、薄膜太陽電池において、各半導体接合界面や集電極付着界面で各層の剥離が起こりやすく、生産性および耐久性に悪影響を与えるという課題があった。
【解決手段】
厚みが２００μｍ以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に導電性酸化物層を備え、さらに前記導電性酸化物層上に集電極、さらにその上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、前記単結晶シリコン基板から保護層までの間の少なくとも１層に１〜２０ｎｍの膜厚のアモルファスカーボン層が設けられていることを特徴とする、結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】薄いｐ型単結晶あるいは多結晶シリコン基板を用いたヘテロ接合太陽電池において、光電変換効率に優れた結晶シリコン太陽電池を提供する。
【解決手段】厚みが１５０μｍ以下のｐ型単結晶シリコン基板２あるいはｐ型多結晶シリコン基板を用い、前記基板の光入射面にｎ型シリコン系薄膜層４を有し、前記基板と前記ｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層３を備え、前記基板の裏面にｐ型シリコン系薄膜層７を有し、前記基板と前記ｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層６を備えた結晶シリコン太陽電池。 （もっと読む）

【課題】 効率良く低コストで生産が可能なInGaP/GaAs/Si３接合構造の太陽電池層を含むタンデム太陽電池を提供する。
【解決手段】 InGaP/(In)GaAs/Si３接合構造太陽電池を含むタンデム太陽電池において、(In)GaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、前記(In)GaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されている構成とした。前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 （もっと読む）